本实用新型涉及一种电路，具体涉及一种能够稳定可靠的驱动IGBT的电路，属于电学技术领域。
背景技术：
在大功率高频开关电源行业，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)作为关键逆变器件已被广泛使用。
由于IGBT的生产厂家很多，型号、参数也多种多样，所以驱动IGBT工作的电路也多种多样。
性能稳定可靠的IGBT驱动电路，是IGBT工作稳定性和可靠性的关键。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种能够稳定可靠的驱动IGBT的电路。
为了实现上述目标，本实用新型采用如下的技术方案：
能够稳定可靠的驱动IGBT的电路，其特征在于，由电源分压电路和驱动电路组成，其中，
前述电源分压电路由电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、稳压管Z1、稳压管Z2、电解电容E1、电解电容E2和电解电容E3组成，其中，
电阻R1的一端、电容C1的一端、稳压管Z1的负端、电解电容E1的正端以及电容C2的一端均接于稳压电源24V，稳压电源24V也是电源分压电路的电源的VCC，电阻R1的另一端、电容C1的另一端、电阻R2的一端、电解电容E2的负端、电容C3的一端以及电阻R3的一端均接于稳压电源0V，稳压管Z1的正端、电解电容E1的负端、电容C2的另一端、电阻R2的另一端、电解电容E2的正端、电容C3的另一端、稳压管Z2的负端、电解电容E3的正端以及电容C4的一端均接于电源分压电路的GND，电阻R3的另一端、稳压管Z2的正端、电解电容E3的负端、电容C4的另一端均接于电源分压电路的VEE；
前述驱动电路由电阻R4、电阻R5、三极管T1、三极管T2和IGBT组成，其中，
电阻R4的一端、三极管T1的基极、三极管T2的基极三者连接在一起，电阻R4的另一端接于点P，三极管T1的集电极和三极管T2的集电极分别接于电源分压电路的VCC和VEE，三极管T1的发射极、三极管T2的发射极、电阻R5的一端三者连接在一起，电阻R5的另一端与IGBT的门极连接，IGBT的发射极接于电源分压电路的GND。
前述的能够稳定可靠的驱动IGBT的电路，其特征在于，前述稳压管Z1的稳压电压为15V。
前述的能够稳定可靠的驱动IGBT的电路，其特征在于，前述稳压管Z2的稳压电压为7.5V。
本实用新型的有益之处在于：
1、稳压管Z1、稳压管Z2和电阻R3(分压电阻)共同组成分压电路，稳压电源24V在电压上下波动的一定范围内，能够保证VCC的电压为+15V、VEE的电压为-7.5V，所以能够稳定可靠的驱动IGBT；
2、电路结构简洁，便于生产制造，同时也降低了生产成本。
附图说明
图1是本实用新型的能够稳定可靠的驱动IGBT的电路的结构图。
图中附图标记的含义：1-电源分压电路、2-驱动电路。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型作具体的介绍。
第一部分：电路的结构
参照图1，本实用新型的能够稳定可靠的驱动IGBT的电路由电源分压电路1和驱动电路2组成。
1、电源分压电路
参照图1，电源分压电路1由电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、稳压管Z1、稳压管Z2、电解电容E1、电解电容E2和电解电容E3组成。
电阻R1的一端、电容C1的一端、稳压管Z1的负端、电解电容E1的正端以及电容C2的一端均接于稳压电源24V，稳压电源24V也是电源分压电路1的电源的VCC。
电阻R1的另一端、电容C1的另一端、电阻R2的一端、电解电容E2的负端、电容C3的一端以及电阻R3的一端均接于稳压电源0V。
稳压管Z1的正端、电解电容E1的负端、电容C2的另一端、电阻R2的另一端、电解电容E2的正端、电容C3的另一端、稳压管Z2的负端、电解电容E3的正端以及电容C4的一端均接于电源分压电路1的GND。
电阻R3的另一端、稳压管Z2的正端、电解电容E3的负端、电容C4的另一端均接于电源分压电路1的VEE。
稳压管Z1的稳压电压为15V，稳压管Z2的稳压电压为7.5V。
2、驱动电路
参照图1，驱动电路2由电阻R4、电阻R5、三极管T1、三极管T2和IGBT组成。
电阻R4的一端、三极管T1的基极、三极管T2的基极三者连接在一起，电阻R4的另一端接于点P，三极管T1的集电极和三极管T2的集电极分别接于电源分压电路1的VCC和VEE。
三极管T1的发射极、三极管T2的发射极、电阻R5的一端三者连接在一起，电阻R5的另一端与IGBT的门极连接，IGBT的发射极接于电源分压电路1的GND。
第二部分：电路的工作原理
参照图1，在电源分压电路1中：
电阻R1(作为稳压电源的假负载)的两端分别接于稳压电源24V和稳压电源0V，电容C1对稳压电源进行滤波，稳压管Z1和电阻R2(分压电阻)形成串联分压电路，电解电容E1、电容C2并联接于稳压管Z1两端进行储能滤波，电解电容E2、电容C3并联接于电阻R2两端进行储能滤波，稳压管Z1的稳压电压为15V，这样便形成了VCC与GND之间为+15V、稳压电源0V与GND之间为-9V的串联分压电路；
稳压管Z2和电阻R3(分压电阻)串联接于电阻R2(分压电阻)两端形成分压电路，电解电容E3、电容C4并联接于稳压管Z2两端进行储能滤波，稳压管Z2的稳压电压为7.5V，这样便形成了VEE与GND之间为-7.5V、稳压电源0V与VEE之间为-1.5V的串联分压电路。
也就是说，VCC与GND之间的电压为+15V、VEE与GND之间的电压为-7.5V。
参照图1，在驱动电路2中，当点P输出PWM波时：
在点P为高电位时，三极管T1、三极管T2的基极为高电位，这时三极管T1导通，三极管T2不导通，电阻R5的一端为VCC(即+15V)，IGBT稳定可靠开通；
在点P为低电位时，三极管T1、三极管T2的基极也为低电位，这时三极管T1不导通，三极管T2导通，电阻R5的一端为VEE(即-7.5V)，IGBT稳定可靠关断。
综上所述，稳压管Z1、稳压管Z2和电阻R3(分压电阻)共同组成分压电路，稳压电源24V在电压上下波动的一定范围内，能够保证VCC的电压为+15V、VEE的电压为-7.5V，所以能够稳定可靠的驱动IGBT。
需要说明的是，上述实施例不以任何形式限制本实用新型，凡采用等同替换或等效变换的方式所获得的技术方案，均落在本实用新型的保护范围内。