嵌入式铜块直接散热的铜铝混合屏蔽罩的制作方法

本实用新型涉及屏蔽罩，特别涉及一种嵌入式铜块直接散热的铜铝混合屏蔽罩。

背景技术：

现有带散热功能的可拔插屏蔽罩是一种密封形的壳体，包含上盖和下盖，中间夹压着需要散热及屏蔽的电子电路板。因为电路板被封闭在上、下盖之间，电路板上的功率发热器件只能通过壳体上延伸的突台接触发热器件，由突台把热传递到壳体，再由壳体把热传递到与其直接接触的散热片上，从而达到屏蔽与散热目的。这种设计在电路板功耗不高且分散的时候比较适合，但在日渐发展的通信系统中，芯片集成度及处理能力不断提高，功耗也随之提高很多，所以单位空间集中散热要求更高。如果继续采用现有的散热屏蔽方案，更集中、更高的温度散热会通过导热突台迅速散发到与其连体的外壳邻近区域，反而加热了芯片周边的同样用突台散热的其它电路及其它芯片，也降低了主散热芯片自身的散热性能，从而影响电路板整体的长期工作稳定性。

技术实现要素：

鉴于以上所述，本实用新型提供一种嵌入式铜块直接散热的铜铝混合屏蔽罩，采用铜铝混合形结构，既利用了铜的高效导热性能作为高功耗芯片散热介质，也保留原来铝壳作为主屏蔽及辅助散热壳体，在总体成本没有根本性上升的前提下解决了屏蔽罩内一个或多个高功耗芯片集中散热的瓶颈问题，也解决了因集中高功耗热量直接传导至周边电路而引起的周边电路和芯片反而被加热了的问题，从而提高了电路板整体的散热性能及长期工作稳定性。

本实用新型涉及的技术解决方案：

一种嵌入式铜块直接散热的铜铝混合屏蔽罩，包括铝上盖、铝下盖、散热片及铜导热突台，铝上盖与铝下盖相对安装形成用于容置电路板的屏蔽腔，铝下盖与散热片之间通过第一导热垫连接，铝下盖上对应电路板上的高功耗芯片位置设有第一法兰圈，铜导热突台穿过第一法兰圈与第一导热垫连接，铜导热突台的上表面通过第二导热垫与高功耗芯片连接，铝下盖上对应电路板上的常规散热元件位置一体连接有铝导热突台，铝导热突台的上表面通过第三导热垫与常规散热元件连接。

进一步地，所述铜导热突台包括固定板及一体连接于固定板的铜导热主体。

进一步地，所述固定板从铜导热主体四周从外延伸预定距离，以供在固定板上开设四个固定孔，第一法兰圈上对应每一固定孔位置设有螺孔，铜导热突台通过螺钉穿设于固定孔及螺孔而与第一法兰圈固接。

进一步地，所述第一法兰圈与固定板之间设有导电胶。

进一步地，所述第一法兰圈的内孔比高功耗芯片大3至5mm。

本实用新型嵌入式铜块直接散热的铜铝混合屏蔽罩，采用铜导热突台及铝导热突台相结合的铜铝混合形结构，既利用了铜的高效导热性能作为高功耗芯片散热介质，也保留原来铝壳作为主屏蔽及辅助散热壳体，形成了由高功耗芯片→第二导热垫→铜导热突台→第一导热垫→散热片构成的独立散热通道，提高了对高功耗芯片直接散热的效果，在总体成本没有根本性上升的前提下解决了屏蔽罩内一个或多个高功耗芯片集中散热的瓶颈问题，也解决了因集中高功耗热量直接传导至周边电路而引起的周边电路和芯片反而被加热了的问题，从而提高了电路板整体的散热性能及长期工作稳定性。

附图说明

图1为本实用新型嵌入式铜块直接散热的铜铝混合屏蔽罩的分解图；

图2为本实用新型嵌入式铜块直接散热的铜铝混合屏蔽罩的剖视结构示意图。

具体实施方式

下面结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型保护范围。

请参阅图1及图2，本实用新型提供一种嵌入式铜块直接散热的铜铝混合屏蔽罩，包括铝上盖1、铝下盖2、铜导热突台3及散热片5，铝上盖1与散热片5相隔离，铝上盖1与铝下盖2相对安装在一起，形成用于容置电路板6的屏蔽腔，铝下盖2与散热片5之间通过第一导热垫7连接，铝下盖2上对应电路板6上的高功耗芯片61位置设有第一法兰圈21，铜导热突台3穿过第一法兰圈21与第一导热垫7连接，铜导热突台3的上表面通过第二导热垫8与高功耗芯片61连接；铝下盖2上对应电路板6上的常规散热元件62位置一体连接有铝导热突台4，铝导热突台4的上表面通过第三导热垫9与常规散热元件62连接。

第一法兰圈21的内孔比高功耗芯片61大3至5mm，以确保嵌入的铜导热突台3上表面的面积能完全覆盖整个高功耗芯片61的面积。

铜导热突台3设计成一个独立的纯铜个体，结构简易便于加工。铜导热突台3包括固定板31及一体连接于固定板31的铜导热主体32，固定板31从铜导热主体32四周从外延伸预定距离，以供在固定板31上开设四个固定孔33，第一法兰圈21上对应每一固定孔33位置设有螺孔23，第一法兰圈21上设有导电胶24，铜导热突台3通过螺钉34穿设于固定孔33及螺孔23而与第一法兰圈21固接，固定板31四周通过导电胶24与第一法兰圈21紧密贴合，既增强壳体内、外密闭性，也提高了屏蔽效果；铜导热突台3与铝下盖2并没有直接接触面，只隔着很窄的一圈导电胶24，所以铜导热突台3的热量不会与铝下盖2的热量有直接交换及相互影响，这样形成由高功耗芯片61→第二导热垫8→铜导热突台3→第一导热垫7→散热片5构成的独立散热通道，提高了对高功耗芯片61直接散热的效果。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。