技术特征：
技术总结
本发明公开了一种适应于深亚微米CMOS工艺的电源电压较低特点的运算跨导放大器，包括带有差分输入级和共源输出级的基本结构，以及给差分输入级提供偏置电流的自适应偏置镜像电流源电路。在深亚微米CMOS工艺下(标称电源电压为1～1.2V)，本发明运算跨导放大器的输入偏置电压仍然能够设置成与输出共模电压VOCM相等的值，即电源电压的一半，虽然此时尾电流源的压降很小，但是仍能维持恒定电流，因而本发明的运算跨导放大器仍然可以获得较高的共模抑制比。基于本发明的运算跨导放大器的反相比例放大器不但在维持最大输入输出摆幅的同时规避了建立问题，而且不再需要额外的输入共模反馈电路。与传统结构相比，额外增加的NMOS管和偏置恒定电流源仅对运算跨导放大器贡献共模噪声，不会带来闭环带宽减小、噪声恶化等问题。
技术研发人员：白春风;万中强;朱书玉;乔东海;赵鹤鸣
受保护的技术使用者：苏州大学
技术研发日：2019.01.29
技术公布日：2019.03.29