3D电磁屏蔽件的制作方法

本实用新型涉及电子器件的电磁屏蔽领域，尤其涉及一种包含复合膜的3d电磁屏蔽件。

背景技术：

随着电子技术的飞速进步，电子产品正迅速向智能化、信息化、节能化及小型化、柔性化等多方面发展。各种电子产品在丰富了人们的物质生活需要的同时，也不可避免的带来了一些问题。一方面，电子产品的小型化和高密集化，使得电子元件之间的距离越来越近，导致缩短了信号传播路径的长度，增加了电磁干扰(emi)或射频干扰(rfi)，从而导致电子、电气设备或系统不能正常工作，性能降低，甚至造成损坏。另一方面，由于电子产品的高度集成化，使得电子产品工作时产生的热量无法及时排出，导致电子产品发热严重，甚至无法正常工作。因此，亟需开发一种具有高导热和高电磁屏蔽双重功能的产品来解决上述问题。

在封装印刷电路板(pcb)的电路单元(circuitunits)时，某些现有方案中，采用全封闭式的金属屏蔽罩或共形屏蔽盖(conformalshielding)和划区屏蔽盖(compartmentshielding)等方式来实现电磁屏蔽。然而，这些方案的电磁屏蔽性能不仅有待加强，并且整体散热效果受限，市面上难以广泛的普及与应用。例如，全封闭式的金属屏蔽罩一般具有0.2mm的厚度，还必须与电路板上的电子元件或电路单元保持约0.1～0.25mm的间隔距离，以避免当电子器件受到撞击时，该硬质金属屏蔽罩损伤电路板上的电子元件或电路单元的可能。故而采用金属屏蔽罩的电路板设计上，就需要增加其设备空间。所谓共形屏蔽盖是将屏蔽层和外部封装融合一起，其封装的塑形体是选用带有屏蔽功能的材料。当将芯片贴装在印刷电路板上后，就不需外加电磁屏蔽罩，从而省去扩大设备空间的这一难题。所谓划区屏蔽盖则是在前述共形屏蔽盖上，用激光打穿封装的塑形体到露出该电路板基板上的接地铜箔，再灌入导电填料形成屏蔽墙。将原本的屏蔽腔划分为多个小腔体而完全隔开各个电子元件。因为减小了屏蔽腔的尺寸使得其谐振频率(resonantfrequency)远高于系统的噪声频率(noisefrequency)，避免了电磁共振，从而更进一步地提高了电磁屏蔽效果。但是，无论是共形屏蔽盖或划区屏蔽盖都有在封装之后难以再次返工(re-work)的问题。

在某些现有方案中，还可在金属屏蔽罩或电路板的划区屏蔽盖上粘贴一层屏蔽胶带或者屏蔽膜来增强其屏蔽效果，或者直接在电路单元上覆盖屏蔽膜，使得电路单元被封装于屏蔽膜与印刷电路板之间。然而，在金属屏蔽罩上添加屏蔽胶带，同样存在必须扩大设备空间的问题，并且也导致电路单元散热性不好。直接在电路单元上覆盖屏蔽膜则由于屏蔽膜本身太薄，不仅难以保持与电路单元匹配的立体结构，并且也不适用于采用例如回流焊接工艺组装的那些电路板。

技术实现要素：

本实用新型的目的就在于解决上述现有技术中的问题，提供一种可应用于印刷电路板的电磁屏蔽件，其具有3d(three-dimensional)结构，即非单一平面的立体结构。本实用新型的3d电磁屏蔽件不仅为来自电路板上各电路单元提供电磁屏蔽和阻挡其他来源的电磁干扰，还可为印刷电路板节省空间，和提高电路板的散热性能。

为此，根据本实用新型的一个方面，提供一种3d电磁屏蔽件，其中所述3d电磁屏蔽件包括复合膜，并具有与装载有多个电子元件的电路板的立体轮廓相匹配的形状，所述多个电子元件具有从电路板基面升高的不同高度，每个电子元件的高度在约0.1～1.5mm的范围内；所述复合膜依次包括第一绝缘层、导电层和第二绝缘层；所述第一绝缘层和第二绝缘层的厚度分别为约3～80μm；所述导电层的厚度为约5～50μm；以及所述复合膜的总厚度为约30～150μm；其中，所述第一绝缘层和第二绝缘层各自独立地为包括聚酰亚胺(polyimide,pi)或其共聚物的薄膜，所述导电层为包括银、铜或它们的合金的金属箔。

采用上述方案，包括复合膜的3d电磁屏蔽件因具有一定的厚度及相应的机械性能，在覆盖于电路板之后可保持与电路板的立体轮廓匹配的形状，从而有效地节省了空间。同时，通过对复合膜的各个层的尺寸和材料的不同配置，能够为电路板上的电子元件提供例如大于60db的屏蔽效率，具有例如高导热性能和高达280℃的耐高温性能，从而为电路板上的各个电子元件提供良好的散热效益。

根据上述技术方案，本实用新型可进一步包括任何一个或多个如下的实施方案。

在某些实施方案中，所述复合膜还包括：第一粘合剂层，所述第一粘合剂层位于所述导电层和所述第一绝缘层之间，和/或第二粘合剂层，所述第二粘合剂层位于所述导电层和所述第二绝缘层之间；其中，所述第一粘合剂层和第二粘合剂层的厚度为约5～35μm。

在某些实施方案中，所述第一粘合剂层和第二粘合剂层各自独立地包括环氧树脂、(甲基)丙烯酸酯树脂或硅酮树脂。

在某些实施方案中，所述复合膜还包括：第一保护膜，所述第一保护膜位于所述第一绝缘层的外表面上，和/或第二保护膜，所述第二保护膜位于所述第二绝缘层的外表面上；其中，所述第一绝缘层和第二绝缘层的外表面是指远离导电层的那一面；并且所述第一保护膜和第二保护膜的厚度为约10～50μm。

在某些实施方案中，所述第一保护膜和第二保护膜各自独立地包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate,pet)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(polybutyleneterephthalate,pbt)、聚乙烯(polyethylene,pe)或聚丙烯(polypropylene,pp)。

在某些实施方案中，所述复合膜的导电层具有未被所述第一绝缘层和/或所述第二绝缘层覆盖的暴露部分；所述暴露部分具有至少0.1mm或更大的宽度，以安装到电路板上用于接地；所述暴露部分位于复合膜的边缘和/或位于额外的非边缘点。

本实用新型的3d电磁屏蔽件至少有一侧在其边缘具有至少0.1mm宽的暴露的导电层，可通过例如以锡膏焊接或者导电粘合剂粘贴直接附接于电路板上，从而实现所述3d电磁屏蔽件与电路板的连接和接地，并提供高质量的电磁屏蔽效果。

在某些实施方案中，所述3d电磁屏蔽件在0.03～30ghz的电磁频率范围内具有至少60db的平均屏蔽效率。

采用本实用新型的被3d电磁屏蔽件完全覆盖的电路板，不仅能够获得屏蔽效率和散热效能的双重效果，还能实现电路板上电子元件或电磁屏蔽件的更换返工，应用范围广泛。

附图说明

本实用新型的其它特征以及优点将通过以下结合附图详细描述的可选实施方案更好地理解，其中：

图1为根据本实用新型一种实施方案的复合膜的截面结构示意图；

图2为根据本实用新型另一种实施方案的复合膜的截面结构示意图；

图3为根据本实用新型又一种实施方案的复合膜的示意图，其导电层的边缘具有未被第一绝缘层所覆盖的暴露部分；

图4为根据本实用新型的方法所制备的电路板的示意图，所述电路板被本实用新型的3d电磁屏蔽件完全覆盖；

图5为根据本实用新型的方法所制备的一种电路板的截面图；

图6为根据本实用新型的方法所制备的另一种电路板的截面图。

具体实施方式

如本说明书中所用，“由......制备”这一术语与术语“包含”同义。如本说明书中所用，术语“包含”、“包括”、“具有”、“含有”或它们的任何其它变型旨在于覆盖非排他性的包含物。例如，包含一系列要素的组合物、工艺、方法、制品或仪器不一定仅限于那些要素，而是可以包括未明确列出的其它要素或者是这种组合物、工艺、方法、制品或仪器所固有的其它要素。

当数量、浓度或其它值或参数是作为范围、优选范围或优选上限值与优选下限值的列表给出时，应当理解为具体公开了任何一对范围上限或优选值与范围下限或优选值所形成的所有范围，无论范围是否被单独披露。例如，当列举“1-5”的范围时，所公开的范围应理解为包括“1-4”、“1-3”、“1-2”、“1-2以及4-5”、“1-3以及5”等等。在本说明书中列举数值范围时，除非另有说明，所述范围意在包括范围的端点以及在范围之内的所有整数和分数。

当使用术语“约”描述值或范围的端点时，本公开内容应被理解为包括所指的特定值或端点。

在本说明书中，术语“共聚物”是指包含由两种或多种共聚单体共聚所得到的共聚单元的聚合物。(甲基)丙烯酸酯树脂则包括含有丙烯酸酯共聚物的树脂和(甲基)丙烯酸酯共聚物的树脂。

如本说明书中所用，术语“一”和“一个”包括“至少一个”和“一个或多于一个”的概念。

在本说明书中，电路单元(circuitunits)亦统称为电子元件(electroniccomponents)。

复合膜

参见图1所示，根据本实用新型的复合膜100为至少三层的层压膜结构，依次包括第一绝缘层10、导电层20和第二绝缘层30，其中，第一绝缘层10和第二绝缘层30各自独立地为包括聚酰亚胺或其共聚物的薄膜，导电层20为包括银(ag)、铜(cu)或它们的合金的金属箔，从而可形成例如结构为第一绝缘层/导电层/第二绝缘层的复合膜。所述导电层20优选为铜箔。

取决于材料的易获性，可通过多种方式来制得上述结构的复合膜。一种方式为在导电层20和第一绝缘层10之间提供第一粘合剂层40，以及在导电层20和第二绝缘层30之间提供第二粘合剂层50。其中，第一粘合剂层40和第二粘合剂层50各自独立地包括环氧树脂、(甲基)丙烯酸酯树脂或硅酮树脂。可选地，复合膜还可包括保护膜，例如在第一绝缘层10的外表面上的第一保护膜60，以及在第二绝缘层30的外表面上的第二保护膜70。其中，第一保护膜60和第二保护膜70各自独立地包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(pbt)、聚乙烯(pe)或聚丙烯(pp)。

在本实用新型的一些实施方案中，所述复合膜只包含第一保护膜，或只包含第二保护膜。在本实用新型的另一些实施方案中，所述复合膜不包含保护膜。

在本实用新型的一些实施方案中，例如可提供已涂覆有粘合剂的聚酰亚胺膜与导电层20附接，将这种聚酰亚胺膜作为覆盖层分别直接粘贴在导电层20的两侧。所述已涂覆有粘合剂的聚酰亚胺膜可商购获得，例如由杜邦公司(dupontcompany)所售，商品名为的系列产品。如图1中所示，可在导电层20的两侧分别提供具有第一覆盖层10a和第二覆盖层30a，从而形成第一覆盖层10a/导电层20/第二覆盖层30a的复合膜100结构。

另一种可选方式为如图2中所示，采用在导电层20上已层叠有聚酰亚胺膜30的pi单面板(single-sidedcoverlay)20a，在其导电层20的表面上施加第一覆盖层10a，或依次施加第一粘合剂层40和第一绝缘层10，从而形成第一覆盖层10a/pi单面板20a的复合膜200结构。所述pi单面板亦可商购获得，例如，杜邦公司所售商品名为ac的系列产品。

根据本实用新型，导电层20具有未被第一绝缘层和/或第二绝缘层覆盖的暴露部分。换句话说，复合膜可被设计为一侧是绝缘的，而另一侧具有一定宽度的部分暴露的导电层。如图3所示，所述复合膜300，其导电层所暴露部分21是位于导电层的边缘并具有至少0.1mm或更大的宽度。视实际情况需要，可选地额外的暴露部分是位于非边缘点，以便在安装到印刷电路板上之后用于接地或增加所制得的3d电磁屏蔽件的结构稳定性，例如，当其所要全部覆盖的电路板的面积较大时。

复合膜的制备

本实用新型的复合膜可通过常规层压工艺制得，包括传统层压工艺和快速层压工艺。

层压工艺通常是在减压环境中，去除各层间的空气或气泡，在每个步骤中控制不同的温度、压力和处理时间，分阶段进行。在层压过程中涂覆在导电层与第一绝缘层和/或导电层与第二绝缘层之间的粘合剂，例如b状态的环氧树脂类的粘合剂，将受热固化转变为c状态，从而提供导电层与第一绝缘层和/或第二绝缘层之间的良好的粘附性能。对于传统层压工艺而言，可选压力为约1.0～10mpa，温度为约100～200℃，处理时间为约80～300分钟，真空度为约-760mmhg。对于快速层压工艺而言，可选压力为约1.0～10mpa，温度为约100～280℃，处理时间为约30秒至10分钟。

所述导电层或pi单面板的导电层可都经过标准预处理工艺，例如微蚀刻、酸洗等，以去除金属表面上的氧化物和其他杂质。

传统层压工艺与快速层压工艺因压力和温度的不同，会对粘合剂层所采用的树脂的流动程度有不同的影响。不论采用何种层压工艺，所制得的具有上述层叠结构的复合膜的表面非常光滑，层间具有良好的结合力，可由其耐剥离强度数据得到支持。

3d电磁屏蔽件的制备

本实用新型的包含前述复合膜的3d电磁屏蔽件可由以下方法制备获得，该方法包括以下步骤：

i)提供复合膜，所述复合膜依次包括第一绝缘层、导电层和第二绝缘层，所述复合膜的导电层可选地具有暴露部分；

ii)将所述复合膜冲压成型(pressmolding)为具有与装载有多个电子元件的电路板的立体轮廓相匹配的形状，所述多个电子元件具有从电路板基面升高的不同高度，所述每个电子元件的高度在0.1～1.5mm的范围内；和

iii)将所述复合膜切割至与电路板基板面积匹配的尺寸。

所述复合膜的导电层之暴露部分可以在层压形成复合膜之前，将第一绝缘层和/或第二绝缘层依照预定图案通过冲切(punch)而形成。当所述复合膜的导电层不具有暴露部分，也可以在步骤ii)之前或之后，通过激光图案化(laser)形成所述导电层之暴露部分。

当所述复合膜包括第一保护膜和/或第二保护膜时，在步骤ii)之前，所述方法还包括以下步骤：i-a)剥离第一保护膜和/或第二保护膜。

在所述步骤ii)的冲压成型过程，由于多个电子元件具有从电路板基面升高的不同高度，为了获得与电路板立体轮廓匹配的3d电磁屏蔽件，可基于目标电路板的立体轮廓先制作相应的3d模具。

在某些实施方案中，所述3d模具的成型腔内可设计为具有与不同电子元件的体积匹配的不同形状。这样，在冲压完成之后获得所需形状匹配的3d电磁屏蔽件与其所覆盖的电子元件顶部之间的距离至多为0.15mm，或小于0.1mm，或小于0.05mm，或直接接触。然而，所述冲压成型方法以制得3d电磁屏蔽件仅为示例性，可基于该构思设想以其它适合的方式实施。

电路板的制备

如图4-图6所示，制备被本实用新型的3d电磁屏蔽件完全覆盖的电路板400的方法可包括以下步骤：

(a)提供装载有多个电子元件的电路板80，所述多个电子元件具有从电路板基面升高的不同高度，所述电路板可选地包含粘结3d电磁屏蔽件的锡膏；

(b)提供3d电磁屏蔽件100；

(c)当上述电路板80不具有粘结屏蔽件的锡膏时，在3d电磁屏蔽件之导电层的暴露部分90上施加锡膏95a或导电粘合剂95b；

(d)将步骤(b)或(c)的3d电磁屏蔽件安装到电路板上；以及

(e)在适当的温度范围内焊接或热固化适当的时间以获得完全被3d电磁屏蔽件覆盖的电路板。

所述锡膏也叫焊锡膏，是由焊锡粉、助焊剂以及其它的表面活性剂、触变剂等加以混合，形成的膏状混合物。主要用于采smt(surface-mounttechnology)方法来安装pcb表面的电阻、电容、ic等电子元器件的焊接。

在某些实施方案中，3d电磁屏蔽件与电路板上的至少一个发热部件接触，所述至少一个发热部件可选地涂覆有导热界面材料(thermalinterfacialmaterials,tim)。所述导热界面材料是涂覆在散热器件和发热器件之间，用于降低它们之间接触热阻的材料的总称。优良的tim具有高导热性、高柔韧性、和绝缘性等。

作为选择，适用的导电粘合剂可为汉高公司(henkel)所售，商品名为的导电胶和bergquist^tm的热间隙填料，拓自达电线株式会社(tatsuta)的ae3030，或信越化学工业株式会社(shin-etsu)的x23-7762。

将电路板完全由本实用新型的3d电磁屏蔽件覆盖的优点至少在于，当电路板出现电子元件故障或所述3d电磁屏蔽件失效时，具有易于返工(re-work)的优点。换句话说，当所述3d电磁屏蔽件是通过焊接工艺附接到电路板上时，该3d电磁屏蔽件可以通过加热从电路板上拆下。当所述3d电磁屏蔽件是通过导电粘合剂附接到电路板上时，该3d电磁屏蔽件可以通过例如加热和机械力剥离的方式从电路板上拆下。

通过上述方式，将旧的3d电磁屏蔽件拆除后，可轻易地从电路板上更换故障的电子元件，并重新安装原先的3d电磁屏蔽件。另一种情况下，可丢弃破损的旧3d电磁屏蔽件，然后在电路板上根据上述方法安装新的3d电磁屏蔽件。

以下提供实施例和对比例以详细阐述用于制备本实用新型的3d电磁屏蔽件的复合膜，其中，所述导电层均示例性地采用铜箔，绝缘层均示例性地采用聚酰亚胺膜，然而应该理解，所述实施方式不限于所描述的特定细节。通过各种导热、机械和电气特性的评估，用于本实用新型3d电磁屏蔽件的复合膜在导热性能、剥离强度、刺穿阻力、表面电阻和体积电阻、以及屏蔽电磁波方面均具有良好性能。

实施例

缩写“e”表示“实施例”，“ce”表示“对比例”，其后的数字表示在哪个实施例或对比例中制备了所述复合膜。除非另外指出，所有的实施例和对比例都以相似的方法进行制备和测试。所有的测试结果列于表1。

材料

单面板1：为18μm铜箔和25μm聚酰亚胺膜的单面板，该材料可从杜邦公司获得，目录号为ac182500em。

单面板2：为18μm铜箔和12μm聚酰亚胺膜的单面板，该材料可从杜邦公司获得，目录号为ac181200em。

单面板3：为12μm铜箔和12μm聚酰亚胺膜的单面板，该材料可从杜邦公司获得，目录号为ac121200em。

覆盖层1：为涂覆有13μm改性环氧树脂粘合剂的5μm黑色聚酰亚胺膜，该材料可从杜邦公司获得，目录号为ubt0513。

覆盖层2：为涂覆有15μm改性环氧树脂粘合剂的12μm黑色聚酰亚胺膜，该材料可从杜邦公司获得，目录号为hxc1215。

覆盖层3：为涂覆有25μm改性环氧树脂粘合剂的12μm黑色聚酰亚胺膜，该材料可从杜邦公司获得，目录号为hxc1225；

铜箔1：为电解铜箔，具有一个光滑表面和一个粗糙表面，厚度为18μm。

铜箔2：为电解铜箔，具有一个光滑表面和一个粗糙表面，厚度为12μm。

pet膜：为19μm厚的pet膜。

粘合剂1：为改性环氧树脂。

测试方法

导热性能测试：根据astmd5470-12的方法，采用耐驰公司(netzsch)的闪光法导热分析仪lfa477来测量薄膜材料在水平方向和垂直方向的热扩散率(α)，再依照下列算式，计算得出其在该方向的热导率(λ)，单位为w/(m*k)。

λ(t)＝α(t)*cp(t)*ρ(t)

λ：热导率

α：热扩散率

cp：比热容

ρ：密度

剥离强度测试：使用剥离强度测试仪(由lloyd公司制造，型号：lfplus)，根据ipc-tm-650的方法，对测试样条(70mm×10mm)进行90度剥离强度的试验。样品跨度是70mm，剥离速度是50.8mm/min。实施例5b和对比例1中所采用的铜箔具有一光滑表面和一粗糙表面，所以对这些样品与贴附其上的两侧的绝缘层分别进行了剥离强度测试。

耐穿刺测试：使用万能试验机(由公司制造，型号：5566q8442)，根据en863的方法，以直径为1.0mm的穿刺针，荷重设定为50n，穿刺针的移动速度为100mm/min，试样上下固定环的直径为50mm，对测试样品(50mm×50mm)进行耐穿刺试验。耐刺穿力是以所述穿刺针通过该测试标本所需的最大力(单位：n)表示。

电阻测试：使用静电计/高阻计(keithley6517a)，根据astmd257-07的方法，来测量试样(10cm×10cm)的表面电阻和体积电阻。

屏蔽效率测试：根据gjb6190-2008，gb/t25471-2010，gb/t30142-2013，和astm4935-2010的方法，使用平面电磁屏蔽效能测试仪(dr-s02，频率范围为200mhz→1.5ghz)和频谱分析仪(my46180198，频率范围为3hz→42.98ghz)，对复合膜和经冲压成型的3d电磁屏蔽件样片(15cm×15cm)进行测试。

实施例1

将不锈钢模具(由两块35cm×35cm×1.5cm不锈钢板组成)在热压机(由phi制造)中预热至100℃。从热压机取出模具并打开。然后，将相同尺寸(21cm×30cm)的第一离型纸、覆盖层1、单面板1和第二离型纸依次放到模具的底板，进行分段升温、加热和加压，在最高温度达到185℃后，维持80分钟，保持压力为370psi(即2.55mpa)，再逐步降温至30℃，层压全程共计150分钟。然后，将模具从热压机中取出并且冷却到室温。移去模具盖子后，除去第二离型纸。从模具中取出已制得的复合膜，并且将第一离型纸从其上剥离。由此获得的复合膜的总厚度为61μm，该复合膜的结构参数列于表1中。

实施例2a与2b

复合膜2a结构为覆盖层2和单面板1的组合，采用与实施例1相同的方法制备。由此获得的复合膜的总厚度为70μm。该复合膜的结构参数列于表1中。复合膜2b具有与复合膜2a相同的结构，是采用快速层压工艺，在压力为2mpa和温度为180℃的情况下，层压130秒而制得。由此制得的复合膜2b仅用于剥离强度的测试。

实施例3

复合膜结构为覆盖层3和单面板1的组合，采用与实施例1相同的方法制备。由此获得的复合膜的总厚度为80μm。该复合膜的结构参数列于表1中。

实施例4

复合膜结构为覆盖层2和单面板2的组合，采用与实施例1相同的方法制备。由此获得的复合膜的总厚度为57μm。该复合膜的结构参数列于表1中。

实施例5a与5b

复合膜5a结构为覆盖层2、铜箔1和覆盖层2的组合，采用与实施例1相同的方法制备。由此获得的复合膜的总厚度为72μm。该复合膜的结构参数列于表1中。复合膜5b具有与复合膜5a相同的结构，是采用快速层压工艺，在压力为2mpa和温度为180℃的情况下，层压130秒而制得。由此制得的复合膜5b仅用于剥离强度的测试。

实施例6

复合膜结构为覆盖层2和单面板3的组合，采用与实施例1相同的方法制备。由此获得的复合膜的总厚度为51μm。该复合膜的结构参数列于表1中。

实施例7

复合膜结构为覆盖层3、铜箔1和覆盖层3的组合，采用与实施例1相同的方法制备。由此获得的复合膜的总厚度为92μm。该复合膜的结构参数列于表1中。

实施例8

复合膜结构为覆盖层1、铜箔2和覆盖层1的组合，采用与实施例1相同的方法制备。由此获得的复合膜的总厚度为48μm。该复合膜的结构参数列于表1中。

实施例9

复合膜结构为覆盖层2、铜箔2和覆盖层2的组合，采用与实施例1相同的方法制备。由此获得的复合膜的总厚度为66μm。该复合膜的结构参数列于表1中。

实施例10

复合膜结构为覆盖层3、铜箔2和覆盖层3的组合，采用与实施例1相同的方法制备。由此获得的复合膜的总厚度为86μm。该复合膜的结构参数列于表1中。

比较例1

复合膜结构为pet膜、铜箔1和pet膜的组合，采用快速层压工艺制备，在压力为2mpa和温度为180℃的情况下，层压130秒。由此获得的复合膜的总厚度为86μm。该复合膜的结构参数列于表1中。

从导热率的数据中可知，实施例1-10中的复合膜具有良好散热效果。从剥离强度的数据中可知，以相同方法制备的实施例2b和5b的复合膜与对比例1的复合膜相比，前者的粘合力是后者的该值约8倍。结合剥离强度和耐穿刺力的数据可知，包含该复合膜的本实用新型的3d电磁屏蔽件，经冲压成型，也能保持其3d结构，并且不易剥离或分层。从电阻的数据中可知，被评估的实施例1，3和7的样本的最小表面电阻为1×10^12ω，最小体积电阻为6×10^14ω×cm，均能满足诸多先进电子设备的要求。最后，从电磁屏蔽效率的数据中可知，被评估的复合膜样本，在30mhz-30ghz的电磁频率范围具有至少60db的屏蔽效率。

总体而言，从表1的各项数据中可清楚看出，本实用新型提供的复合膜在上述各个性能方面都具有令人满意的效果。尤其是，所述复合膜具有至少三层结构，不仅有良好的机械性能，即使通过冲压成型获得与电路板立体轮廓匹配的3d电磁屏蔽件，也能提供优异的导热散热和电磁屏蔽性能。此外，用于复合膜的各层材料均可商购获得，其制造工艺易于实施，可大批量高效率生产，有利于市场化推广及应用。

以上已揭示本实用新型的技术内容及技术特点，然而可以理解，在本实用新型的创作思想下，本领域的技术人员可以对上述公开的构思作各种变化和改进，但都属于本实用新型的保护范围。上述实施方式的描述是例示性的而不是限制性的，本实用新型的保护范围由权利要求所确定。