电磁波遮蔽片以及电子零件搭载基板的制作方法

本发明涉及一种电磁波遮蔽片、具有由所述电磁波遮蔽片形成的电磁波遮蔽层的电子零件搭载基板，所述电磁波遮蔽片优选地用于将通过电子零件的搭载而形成于基板上的阶差部及基板的露出面的至少一部分加以被覆。

背景技术：

关于搭载有集成电路(integratedcircuit，ic)芯片等电子零件的电子零件搭载基板，伴随着性能提高或高可靠性的要求，在电子零件的表面形成有具有各种功能的被覆层。这些被覆层的形成中，为了实现步骤简单化，有通过使用板状材料进行热压而追随搭载有电子零件的基板的凹凸来形成被覆层的方法。

专利文献1中，提出了实现轻量化、薄型化且通过吸收来遮断高频带的电磁波的电磁波遮蔽片。另外，专利文献2中，记载了如下导电性接着板：即便使用压制加工等简单的方法覆盖电子零件，也可不容易引起因电阻增加而导致遮蔽性能的下降等不良情况的发生。

另一方面，专利文献3中，为了防止由来自外部的磁场或电波所引起的误动作，另外，为了减少从电子基板内部产生的电信号的无用辐射，公开了通过热压而在电子零件的表面形成电磁波遮蔽片的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2017-45946号公报

专利文献2：国际公开第2015/186624号

专利文献3：国际公开第2014/027673号

技术实现要素：

发明所要解决的问题

专利文献1中，通过将电磁波遮蔽片进行热压而在电子零件的表面形成电磁波遮蔽层。所述电磁波遮蔽片包括含有导电性材料的电磁波遮断层(导电层)。在所述导电层中，导电性材料的含量以电子零件的相反侧高而电子零件侧低的方式倾斜。另外，专利文献2中公开了包含异向导电层及等向导电层且异向导电层与电子零件接合的电磁波遮蔽片。

在任一种电磁波遮蔽片中，为了在搭载有电子零件的基板上所形成的凹凸部埋入电磁波遮蔽片，均使用缓冲材。但是，在所述电磁波遮蔽片中，难以充分具有导电层与缓冲材的密接性，在搬运时等引起剥离、良率变差的问题(以下为缓冲密接性)。

此外，在电子零件的顶面与侧面之间的边缘部，在热压时对电磁波遮蔽片施加拉伸应力，而导致导电层产生龟裂而连接可靠性下降的问题(以下为接地连接性)。

专利文献3中记载了用于被覆基板上的凸部、且具有缓冲层与电磁波遮蔽层(导电层)的电磁波遮蔽用膜。但是，即便为所述层叠体，缓冲层与导电层的密接性也不充分，在搬运过程中或者裁剪为规定尺寸时，存在缓冲层与导电层剥离、良率变差的问题。

进而，在所述电磁波遮蔽片中，如图14所示，存在于热压后因电磁波遮蔽层的热收缩而电子零件搭载基板产生裂纹的问题(以下为基板裂纹)。

本发明是鉴于所述背景而形成，目的在于提供一种电磁波遮蔽片，其缓冲密接性良好，确实地追随通过电子零件的搭载所形成的阶差部而变形，并且在所述阶差部中确实地进行与形成于基板的接地图案的连接，由于高连接可靠性而长期发挥高电磁波遮蔽效果。

另外，目的在于提供一种使用所述电磁波遮蔽片将通过电子零件的搭载而形成的阶差部及基板的露出面的至少一部分加以被覆的电磁波遮蔽效果高的电子零件搭载基板。

解决问题的技术手段

本发明人等人反复进行努力研究，结果发现在以下形态中可解决本发明的课题，从而完成本发明。

即，本发明是一种用于形成构成电子零件搭载基板的电磁波遮蔽层的电磁波遮蔽片，所述电子零件搭载基板包括：基板；电子零件，搭载于所述基板的至少一面；以及所述电磁波遮蔽层，将通过所述电子零件的搭载而形成的阶差部及基板的露出面的至少一部分加以被覆；且所述电磁波遮蔽片的特征在于，所述电磁波遮蔽片为具有缓冲层与导电层的层叠体，所述导电层是包含粘合剂树脂及导电性填料的等向导电层，厚度为8μm～70μm，所述缓冲层的相反侧的区域中的所述导电性填料的含量多于所述缓冲层侧的区域中的所述导电性填料的含量。

发明的效果

本发明的电磁波遮蔽片中，缓冲层与导电层的密接性良好，在搬运时及电子零件搭载基板的制造时不易产生损失。此外，在热压时可确实地追随阶差部的形状而变形，精度良好地进行在阶差部中的埋入性。其结果，本发明的电磁波遮蔽片也可将阶差部及基板的露出面的至少一部分加以被覆，并且所形成的电磁波遮蔽层可与形成于基板的接地图案连接而接地(earthcontact)。进而，无遗漏地遮蔽由电子零件或基板所内藏的信号配线等所产生的无用辐射，另外，确实地发挥防止由来自外部的磁场或电波所引起的误动作的电磁波遮蔽效果。此外，本发明的形成有电磁波遮蔽层的电子零件搭载基板可抑制裂纹。

由此，发挥可以高良率提供一种无误动作、可靠性高的电子零件搭载基板的优异效果。

附图说明

图1是表示本实施方式的电子零件搭载基板的一例的示意性立体图。

图2是图1的ii-ii切断部剖面图。

图3是表示本实施方式的电子零件搭载基板的另一例的示意性剖面图。

图4是表示本实施方式的电磁波遮蔽片的一例的示意性剖面图。

图5是表示本实施方式的电磁波遮蔽片的另一例的示意性剖面图。

图6是表示本实施方式的电磁波遮蔽片的另一例的示意性剖面图。

图7是本实施方式的电子零件搭载基板的制造步骤剖面图。

图8是本实施方式的电子零件搭载基板的制造步骤剖面图。

图9是本实施方式的电子零件搭载基板的制造步骤剖面图。

图10是本实施方式的电子零件搭载基板的制造步骤剖面图。

图11是本实施方式的电子零件搭载基板的制造步骤剖面图。

图12是表示本实施例的电子零件搭载基板的另一例的示意性剖面图。

图13是表示本实施例的电子零件搭载基板的评价方法的示意性剖面图。

图14是表示基板裂纹的一例的图。

图15是表示导电性填料专有面积率(a)与导电性填料专有面积率(b)的测定用画面例的图。

具体实施方式

以下，对应用本发明的实施方式的一例进行说明。再者，本说明书中所确定的数值是利用实施方式或者实施例所公开的方法来求出的值。另外，本说明书中所确定的数值“a～b”是指满足数值a与大于数值a的值以及数值b与小于数值b的值的范围。另外，本说明书的所谓“板”，不仅包含日本工业标准(japaneseindustrialstandards，jis)中所定义的“板”，也包含“膜”。为了使说明明确，以下的记载及附图适当简化。另外，同一要素构件在不同实施方式中也以同一符号来表示。本说明书中出现的各种成分只要未特别注释，则可分别独立地单独使用一种，也可并用两种以上。

另外，本发明中的“mw”是通过凝胶渗透色谱法(gelpermeationchromatography，gpc)测定而求出的聚苯乙烯换算的重量平均分子量，导电性填料、电磁波吸收填料、以及无机填料的平均粒径d50可通过利用激光衍射散射法来测定而求出。

＜＜电子零件搭载基板＞＞

本实施方式的电子零件搭载基板包括：基板；电子零件，搭载于所述基板的至少一面；以及电磁波遮蔽层，将通过所述电子零件的搭载而形成的阶差部及基板的露出面加以被覆。

所述电磁波遮蔽层用以将基板上的凹凸阶差部(也称为阶差部)加以被覆，且将电子零件的侧面及顶面、与基板的露出的面的至少一部分加以被覆。

所述电磁波遮蔽层更优选为将整个面加以被覆，优选为无间隙。

本实施方式的电子零件搭载基板中，例如通过电子零件的搭载而形成的阶差部的槽为网格状，当将槽的宽度(a)设为1时，槽的深度(b)为1倍～6倍，在槽的宽度(a)为50μm～500μm的情况下，也可通过电磁波遮蔽层来均匀地被覆基板上的阶差部，从而具有在槽中的埋入性良好的优异效果。

图1示出本实施方式的电子零件搭载基板的示意性立体图，图2示出图1的ii-ii切断部剖面图。电子零件搭载基板101包括基板20、电子零件30及电磁波遮蔽层1等。

在电子零件搭载基板101，也可进而层叠显示出耐擦伤性、水蒸气阻隔性、氧阻隔性的膜等其他层，或强化磁场切割的膜等。

＜基板与电子零件＞

基板20若为可搭载电子零件30且可耐受后述热压步骤的基板即可，可任意选择。例如可列举：包含铜箔等的导电图案形成于表面或内部的工作板(workboard)、安装模块基板、印刷配线板或者利用增层法等而形成的增层基板。另外，不仅是刚性基板，也可使用膜或板状的可挠性基板。所述导电图案例如为：用以与电子零件30进行电性连接的电极-配线图案(未图示)、用以与电磁波遮蔽层1进行电性连接的接地图案22。接地图案22优选为配置于未搭载电子零件的区域的基板表面或基板的内部且在基板的侧面露出的形态。于在基板的侧面露出的情况下，也优选为在通过半切割(halfdicing)对基板进行部分切削的槽的侧面使接地图案露出。另外，也优选为通过切割对基板进行全切而使接地图案露出。通过在接地图案的侧面被覆电磁波遮蔽层而进行接地接地，可进一步提高电磁波遮蔽性。在基板20内部，可任意地设置电极-配线图案、通孔(未图示)等。

在图1的示例中，电子零件30在基板20上配置为5×4个阵列状。而且，以将基板20及电子零件30的露出面加以被覆的方式设置有电磁波遮蔽层1。即，电磁波遮蔽层1是以追随由电子零件30所形成的阶差部即凹凸的方式来被覆。

电子零件30的个数、配置、形状及种类为任意。也可代替将电子零件30配置为阵列状的形态，而将电子零件30配置于任意位置。在将电子零件搭载基板101单片化为单元模块的情况下，优选为如图2所示，为了从基板上表面，在基板的厚度方向上划分单元模块，而设置半切割槽25。再者，本实施方式的电子零件搭载基板包含单片化为单元模块之前的基板、以及单片化为单元模块之后的基板此两者。即，除了如图2那样的搭载有多个单元模块(电子零件30)的电子零件搭载基板101以外，也包含如图3那样的单片化为单元模块之后的电子零件搭载基板102。当然，也包含不经过单片化步骤，而在基板20上搭载一个电子零件30且由电磁波遮蔽层所被覆的电子零件搭载基板。即，本实施方式的电子零件搭载基板包括如下结构：在基板上搭载有至少一个电子零件，且在通过电子零件的搭载而形成的阶差部的至少一部分被覆电磁波遮蔽层。

电子零件30包含半导体集成电路等电子元件由密封树脂来一体地被覆的零件整体。例如有如下形态：形成有集成电路(未图示)的半导体芯片31(参照图3)通过密封树脂32而进行模具成形。基板20与半导体芯片31是与经由这些的抵接区域，或者经由接合线33、焊球(未图示)等而形成于基板20的配线或电极21进行电性连接。电子零件除了半导体芯片以外，可例示电感器(inductor)、热阻器(thermistor)、电容器(capacitor)及电阻等。

电子零件的阶差部的边缘优选为r为50μm以下。只要未进行特殊处理，则通过半切割而形成的槽的边缘部成为锐角，r成为50μm以下。为了减少电磁波遮蔽层的裂纹，有使边缘部的r进一步成为钝角的方法，但工时增加，成本提高。与此相对，在使用本实施方式的电磁波遮蔽片的情况下，即便边缘为锐角，也具有电磁波遮蔽层未破裂而可均匀地形成被覆层的优异效果。

本实施方式的电子零件30及基板20可广泛应用于现有的形态。图3的示例中，半导体芯片31经由内通孔23而与基板20的背面的焊球24连接。另外，在基板20内形成有用以与所述电磁波遮蔽层电性连接的接地图案22。所述接地图案22以在基板20的侧面露出的方式配置。另外，可在电子零件30内搭载单个或多个电子元件等。

＜电磁波遮蔽层＞

电磁波遮蔽层是由本实施方式的电磁波遮蔽片所形成。

若使用图2来对一例加以说明，则电磁波遮蔽层1是通过在搭载有电子零件30的基板20上载置电磁波遮蔽片并进行热压而获得。电磁波遮蔽层1是电磁波遮蔽片的导电层变形后硬化而成，且导电层含有粘合剂树脂及导电性填料。电磁波遮蔽层中，导电性填料连续接触，是显示出等向导电性的等向导电层。

电磁波遮蔽层1可遮蔽由电子零件30和/或基板20所内藏的信号配线等所产生的无用辐射，另外，可防止由来自外部的磁场或电波所引起的误动作。

电磁波遮蔽层的被覆区域优选为将通过电子零件30的搭载而形成的阶差部(凹凸部)的整个区域加以被覆。电磁波遮蔽层为了充分发挥遮蔽效果，优选为与在基板20的侧面或上表面所露出的接地图案22或/和电子零件的连接用配线等接地图案(未图示)连接的结构。

电磁波遮蔽层的厚度可根据用途来适当设计。在要求薄型化的用途中，将电子零件的上表面及侧面加以被覆的电磁波遮蔽层的厚度优选为8μm～70μm，更优选为15μm～65μm的范围，进而优选为20μm～60μm。通过设为所述厚度，可确保零件搭载基板的小型化与高遮蔽性。

容易产生电磁波遮蔽层的裂纹的场所为将电子零件30的边缘部加以被覆的部位。若在电子零件的边缘部产生电磁波遮蔽层的裂纹，则导致电磁波遮蔽效果的下降，因此阶差部的被覆性特别重要。

[电磁波遮蔽片]

本实施方式的电磁波遮蔽片是具有缓冲层与导电层的层叠体。这些层的层叠方法可列举：将各层进行层压的方法；将导电性树脂组合物涂敷、印刷于缓冲层上的方法；另外经由粘着剂层或接着剂层贴合各层的方法等。

另外，所述导电层是包含粘合剂树脂及导电性填料的等向导电层，厚度为8μm～70μm，沿着所述缓冲层的相反侧的面的区域中的导电性填料的含量多于沿着与所述缓冲层接触的面侧的区域中的导电性填料的含量。换言之，在将与缓冲层接触的面定义为b面，将其相反侧的面定义为a面时，关于导电性填料的含量，a面侧大于b面侧。

另外，所述电磁波遮蔽片优选为于相对于层叠方向垂直的剖面中，从所述缓冲层的相反侧到厚度30％的区域中的导电性填料专有面积率(a)为25％～55％，从所述缓冲层侧到厚度30％的区域中的导电性填料专有面积率(b)为15％～40％，且导电性填料专有面积率(a)大于导电性填料专有面积率(b)。

由此可形成缓冲密接性及接地连接性优异的电磁波遮蔽层。

通过使用所述电磁波遮蔽片，可形成一种电磁波遮蔽层，其缓冲密接性良好，确实地追随通过电子零件的搭载所形成的阶差部而变形，并且在所述阶差部中确实地进行与形成于基板的接地图案的连接，由于高连接可靠性而长期发挥高电磁波遮蔽效果。

缓冲层及导电层在热压之前必须密接。缓冲层相对于导电层的剥离强度优选为0.2n/25mm～3n/25mm，更优选为0.5n/25mm～2.5n/25mm。通过将剥离强度设为0.2n/25mm以上，抑制搬运时或裁剪时的层间剥离，从而提高良率。另一方面，通过将剥离强度设为3n/25mm以下，可在热压后不损伤遮蔽层而容易地剥离缓冲层。所述剥离强度可通过后述导电层的导电性填料专有面积率(b)来控制。此外，也可通过层压时的压力或温度、缓冲层的电晕处理引起的表面活性化进行控制。

本实施方式的电磁波遮蔽片如图4所示，包括：导电层2、形成于导电层2的一主面上的缓冲层7。在导电层的其他主面上也可层叠脱模性基材(未图示)。

(缓冲层)

缓冲层7是在热压时熔融的层，作为促进导电层2的对通过电子零件30的搭载而形成的阶差部的追随性的缓冲材而发挥功能。此外，是具有脱模性，不与导电层2接合，在热压步骤后可从导电层2上剥离的层。

再者，缓冲层7也可具有脱模层，在所述情况下，是指将具有缓冲性的构件、与脱模层合并的结构。

缓冲层可由至少包含热塑性树脂的热塑性树脂组合物而形成。另外，热塑性树脂组合物也可除了热塑性树脂以外，还包含塑化剂或热硬化剂、无机填料等。

作为热塑性树脂，可列举：聚烯烃系树脂、接枝有酸的酸改性聚烯烃系树脂、聚烯烃与不饱和酯的共聚合树脂、乙烯基系树脂、苯乙烯·丙烯酸系树脂、二烯系树脂、纤维素系树脂、聚酰胺树脂、聚氨基甲酸酯树脂、聚酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚酰亚胺系树脂、或者氟树脂等。

这些树脂中，优选为聚烯烃系树脂、接枝有酸的酸改性聚烯烃系树脂、聚烯烃与不饱和酯的共聚合树脂、乙烯基系树脂。

热塑性树脂可单独使用一种，或者可视需要以任意的比率混合两种以上而使用。

聚烯烃系树脂优选为乙烯、丙烯、α-烯烃化合物等均聚物或者共聚物。具体而言，例如可列举：低密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、直链状低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、聚丙烯均聚物、聚丙烯共聚物。

这些树脂中，优选为聚乙烯树脂及聚丙烯树脂，更优选为聚乙烯树脂。

酸改性聚烯烃系树脂优选为接枝有顺丁烯二酸或丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸等的聚烯烃树脂。

这些树脂中，优选为顺丁烯二酸改性聚烯烃树脂。

作为聚烯烃与不饱和酯的共聚合树脂中的不饱和酯，可列举：丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异辛酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸异丁酯、顺丁烯二酸二甲酯、顺丁烯二酸二乙酯以及甲基丙烯酸缩水甘油酯等。

这些树脂中，优选为包含作为聚烯烃的乙烯、作为不饱和酯的甲基丙烯酸缩水甘油酯的乙烯-甲基丙烯酸缩水甘油酯共聚树脂。

乙烯基系树脂优选为通过乙酸乙烯酯等乙烯酯的聚合而获得的聚合物以及乙烯酯与乙烯等烯烃化合物的共聚物。具体而言，例如可列举：乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙酸乙烯酯共聚物、部分皂化聚乙烯醇等。

这些树脂中，优选为乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。

苯乙烯·丙烯酸系树脂优选为：包含苯乙烯、(甲基)丙烯腈、丙烯酰胺类、顺丁烯二酰亚胺类等的均聚物或共聚物。具体而言，例如可列举：间规聚苯乙烯(syndiotacticpolystyrene)、聚丙烯腈、丙烯酸共聚物。

二烯系树脂优选为丁二烯、异戊二烯等共轭二烯化合物的均聚物或共聚物以及它们的氢化物。具体而言，例如可列举：苯乙烯-丁二烯橡胶、苯乙烯-异戊二烯嵌段共聚物、苯乙烯-乙烯·丁烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-乙烯·丙烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-丁烯·丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-乙烯·丁烯-苯乙烯嵌段共聚物与苯乙烯-乙烯·丁烯嵌段共聚物的混合物。

纤维素系树脂优选为乙酸丁酸纤维素树脂。聚碳酸酯树脂优选为双酚a聚碳酸酯。

聚酰亚胺系树脂优选为热塑性聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺树脂、聚酰胺酸型聚酰亚胺树脂。

缓冲层7如图6所示，在热压后容易将缓冲层与电磁波遮蔽层剥离，因此可设为除了包含缓冲性的构件6，还包含脱模层8的形态。脱模层8优选为形成包含聚丙烯、聚甲基戊烯、环状烯烃聚合物、硅酮、氟树脂的层。其中，进而优选为聚丙烯、聚甲基戊烯、硅酮、氟树脂。除了所述形态以外，在缓冲性的构件6涂布醇酸(alkyd)、硅酮等脱模剂的形态也优选。

脱模层的厚度优选为0.001μm～70μm，更优选为0.01μm～50μm。

市售的缓冲层可使用三井东赛璐(mitsuichemicalstohcello)公司制造的“cr1012”、“cr1012mt4”、“cr1031”、“cr1033”、“cr1040”、“cr2031mt4”等。这些市售的缓冲层成为将缓冲层的两面作为脱模层而以聚甲基戊烯来夹入的层结构，本说明书中将这些的一体结构称为缓冲层。

缓冲层的厚度优选为50μm～300μm，更优选为75μm～250μm，进而优选为100μm～200μm。通过设为50μm以上，可提高埋入性。通过设为300μm以下，可使电磁波遮蔽片的操作性良好。再者，在缓冲层7具有脱模层的情况下，所述厚度为包含脱模层的值。

(导电层)

导电层是用以形成电磁波遮蔽层的层，至少含有粘合剂树脂及导电性填料。导电层在热压后作为电磁波遮蔽层而发挥功能。所述导电层的特征在于：厚度为8μm～70μm，从所述缓冲层的相反侧的界面到厚度30％的区域中的导电性填料专有面积率(a)为25％～55％，从所述缓冲层的界面到厚度30％的区域中的导电性填料专有面积率(b)为15％～40％，且导电性填料专有面积率(a)大于导电性填料专有面积率(b)。

导电层的厚度为8μm～70μm，优选为15μm～65μm的范围，更优选为20μm～60μm。由此，可有效地发挥遮蔽性、埋入性及接地连接性且减少电子零件搭载基板的裂纹。

导电层以及所述缓冲层的厚度的测定方法可通过接触式的膜厚计及利用剖面观察的测量等进行测定。

《导电性填料专有面积率(a)》

本说明书中的所谓导电性填料专有面积率(a)，表示如图4所示，于在厚度方向上切断电磁波遮蔽片的切断面中，从缓冲层的相反侧到厚度30％的区域中的导电层中的导电性填料的含有比率。

若更详细地进行说明，则使用横截面抛光机(cross-sectionpolisher)(日本电子公司制造的sm-09010)并通过离子束照射对电磁波遮蔽片进行切断加工而形成电磁波遮蔽片的厚度方向的切断面。

导电性填料专有面积率(a)可通过后述实施例中说明的方法求出。

此处，所谓从缓冲层的相反侧界面到厚度30％的区域，是指电磁波遮蔽片的厚度中的、从缓冲层的相反侧的导电层的界面到30％的区域。例如在导电层的厚度为100μm的情况下，表示厚度方向的切断面的、从缓冲层的相反侧的导电层界面到厚度30μm的区域。

导电性填料专有面积率(a)为25％～55％，优选为30％～52％的范围，更优选为35％～48％。通过将导电性填料专有面积率(a)设为25％以上，可提高接地连接性。另一方面，通过将导电性填料专有面积率(a)设为55％以下，可提高埋入性。

《导电性填料专有面积率(b)》

本说明书中的所谓导电性填料专有面积率(b)，表示如图4所示，于在厚度方向上切断电磁波遮蔽片10的切断面中，从缓冲层侧到厚度30％的区域中的导电层2中的导电性填料3的含有比率。

关于导电性填料专有面积率(b)，除了将导电层2切断面的范围指定区域设为到缓冲层侧的30％以外，可利用与导电性填料专有面积率(a)相同的方法求出。

导电性填料专有面积率(b)为15％～40％，优选为18％～37％的范围，更优选为22％～34％。通过将导电性填料专有面积率(b)设为15％以上，可提高遮蔽性且抑制基板裂纹。另一方面，通过将导电性填料专有面积率(b)设为40％以下，可提高与缓冲层的剥离强度且提高与缓冲层的密接性。

下述式(1)所表示的所述导电性填料专有面积率(a)与所述导电性填料专有面积率(b)的专有面积率差优选为1％～31％，更优选为3％～28％，进而优选为8％～25％。通过设为所述范围内，可提高遮蔽性与接地连接性，且进一步抑制基板裂纹。

式(1)

专有面积率差(％)＝导电性填料专有面积率(a)-导电性填料专有面积率(b)

关于导电性填料专有面积率(a)与导电性填料专有面积率(b)之间的区域、即剩余的40％的区域，并无特别限制，但这些区域的导电性填料专有面积率优选为取(a)与(b)的中间值。

电磁波遮蔽片的导电层的特征在于，导电性填料专有面积率(a)大于导电性填料专有面积率(b)。由此，对接地图案的连接可靠性提高。另一方面，与缓冲层接触的面中粘合剂成分相对地变多，与缓冲层的密接性变得良好，在搬运或裁剪电磁波遮蔽片时不易引起层间剥离，因此良率提高。

《导电层的制造方法》

如图5所示，所述导电层可通过形成在缓冲层7的相反侧为导电层5、在缓冲层侧为导电层4的、导电性填料3的含量不同的至少两种等向导电层且将这些层叠而形成。各等向导电层可通过将含有粘合剂树脂与导电性填料的导电性树脂组合物涂敷于脱模性基材上后使其干燥而形成，作为导电层整体为等向导电性，若缓冲层7的相反侧的区域中的导电性填料3的含量多于缓冲层7侧的区域中的导电性填料3的含量，则并无限制。

在由导电层5、导电层4此两层形成导电层2的情况下，导电层2依次层叠导电层5、导电层4，导电层4与缓冲层层叠，因此将导电层5的导电性填料的含量设定得较高。导电层5的导电性填料的含量优选为61质量％～78质量％，更优选为64质量％～76质量％。导电层4的导电性填料的含量优选为51质量％～67质量％，更优选为53质量％～65质量％。

然后，通过将导电层4与缓冲层贴合，可形成电磁波遮蔽片。另一方面，也可通过在缓冲层7上直接涂敷导电性树脂组合物而形成导电层4，且与脱模性基材状的导电层5贴合而形成。

导电层优选为具有空孔。所谓空孔，于在厚度方向上切断导电层的剖面观察中，是在导电层的内部所具有的空气积存或者多个气泡，在图15中示出一例。如图15所示，空孔9优选为在厚度方向上切断的剖面中存在于导电层的中央部。通过在导电层中具有空孔，在电磁波遮蔽片的热压时，电子零件对凸部的压制的压力被适度松弛，可更均匀地形成电磁波遮蔽层。由此，对阶差部的埋入性变得良好，接地连接性提高。空孔在热压后可从电磁波遮蔽层内消失，也可残存。

另外，除了所述制法以外，可通过在脱模性基材上涂敷含有粘合剂树脂、导电性填料及溶剂的导电性树脂组合物后，使导电性填料沉降而形成导电性填料浓度的浓淡后使其干燥而获得。导电性填料的沉降可通过控制导电性树脂组合物的粘度、触变性及沉降时间来控制。

然后，可通过将脱模性基材上的导电层的导电性填料的浓度低的面与缓冲层贴合而形成电磁波遮蔽片。

涂敷导电性树脂组合物的方法例如可使用：凹版涂布(gravurecoating)方式、吻合涂布(kisscoating)方式、模涂布(diecoating)方式、唇式涂布(lipcoating)方式、刮刀式涂布(commacoating)方式、刀片(blade)方式、辊涂布(rollcoating)方式、刀式涂布(knifecoating)方式、喷射涂布(spraycoating)方式、棒涂布(barcoating)方式、旋转涂布(spincoating)方式、浸渍涂布(dipcoating)方式。

＜＜粘合剂树脂＞＞

对形成导电层的粘合剂树脂进行说明。

粘合剂树脂优选为使用热硬化性树脂。热硬化性树脂可使用硬化性化合物反应类型。进而，热硬化性树脂也可自交联。在使用热硬化性树脂的情况下，优选为具有可与硬化性化合物进行反应的反应性官能基。

热硬化性树脂的优选例可列举：聚氨基甲酸酯树脂(polyurethaneresin)、聚氨基甲酸酯脲树脂(polyurethaneurearesin)、丙烯酸系树脂、聚酯树脂(polyesterresin)、聚酰胺树脂(polyamideresin)、环氧系树脂、聚苯乙烯、聚碳酸酯树脂(polycarbonateresin)、聚酰胺酰亚胺树脂(polyamideimideresin)、聚酯酰胺树脂(polyesteramideresin)、聚醚酯树脂(polyetheresterresin)、以及聚酰亚胺树脂(polyimideresin)。热硬化性树脂也可具有可自交联的官能基。例如，在回流焊时的严酷条件下使用的情况下的热硬化性树脂优选为包含环氧系树脂、环氧酯系树脂、氨基甲酸酯系树脂、氨基甲酸酯脲系树脂、聚碳酸酯系树脂及聚酰胺中的至少一种。另外，若为可耐受加热步骤的范围，则可将热硬化性树脂与热塑性树脂并用。

热硬化性树脂的反应性官能基有：羧基、羟基、环氧基等。在具有羧基的情况下，热硬化性树脂的酸值优选为3～30。通过将酸值设为所述范围，而获得边缘部抗裂性提高的效果。酸值的更优选范围为4～20，进而优选的范围为5～10。

热硬化性树脂的重量平均分子量mw优选为20,000～150,000。通过设为20,000以上，可有效地提高耐擦伤性。另外，通过设为150,000以下，可获得提高阶差追随性的效果。

硬化性化合物具有可与热硬化性树脂的反应性官能基进行交联的官能基。硬化性化合物优选为：环氧化合物、异氰酸酯(isocyanate)化合物、聚碳化二亚胺(polycarbodiimide)化合物、氮丙啶(aziridine)化合物、含酸酐基的化合物、二氰二胺(dicyandiamide)化合物、芳香族二胺化合物等胺化合物、苯酚酚醛清漆(phenolnovolac)树脂等酚化合物、有机金属化合物等。硬化性化合物也可为树脂。在所述情况下，热硬化性树脂与硬化性化合物的区别为，将含量多者设为热硬化性树脂，将含量少者设为硬化性化合物。

硬化性化合物的结构、分子量可根据用途来适当设计。

硬化性化合物相对于热硬化性树脂100质量份而优选为包含1质量份～70质量份，更优选为3质量份～65质量份，进而优选为3质量份～60质量份。

所述环氧化合物若具有环氧基，则并无特别限制，但优选为多官能的环氧化合物。热压等中，可通过环氧化合物的环氧基与热硬化性树脂的羧基或羟基进行热交联而获得交联结构。作为环氧化合物，在常温常压下显示液状的环氧化合物也优选。

粘合剂树脂除了所述以外，也可使用粘着赋予树脂或热塑性树脂。热塑性树脂的优选例可列举：聚烯烃系树脂、乙烯基系树脂、苯乙烯·丙烯酸系树脂、二烯系树脂、萜烯(terpene)系树脂、石油系树脂、纤维素(cellulose)系树脂、聚酰胺系树脂、聚氨基甲酸酯系树脂、聚酯系树脂、聚碳酸酯系树脂、氟系树脂。粘着赋予树脂可例示：松香(rosin)系树脂、萜烯系树脂、脂环式系石油树脂及芳香族系石油树脂等。另外，可使用导电性聚合物。导电性聚合物可例示：聚乙烯二氧噻吩(polyethylenedioxythiophene)、聚乙炔(polyacetylene)、聚吡咯(polypyrrole)、聚噻吩(polythiophene)、聚苯胺(polyaniline)。

＜＜导电性填料＞＞

导电性填料可例示金属填料、导电性陶瓷填料以及它们的混合物。金属填料可例示：金、银、铜、镍等金属粉，焊料等合金粉，涂银的铜粉、涂金的铜粉、涂银的镍粉、涂金的镍粉的核壳(core-shell)型填料。就获得优异的导电特性的观点而言，优选为含有银的导电性填料。就成本的观点而言，特别优选为涂银的铜粉。涂银的铜中的银的含量，在导电性填料100质量％中优选为6质量％～20质量％，更优选为8质量％～17质量％，进而优选为10质量％～15质量％。在核壳型填料的情况下，涂布层相对于核部的被覆率在表面整体100质量％中，以平均计优选为60质量％以上，更优选为70质量％以上，进而优选为80质量％以上。核部可为非金属，但就导电性的观点而言，优选为导电性物质，更优选为金属填料。

导电性填料的形状优选为薄片状(鳞片状)。另外，也可将薄片状与其他形状的导电性填料并用。所并用的导电性填料的形状并无特别限定，优选为树枝(枝晶(dendrite))状、纤维状、针状或球状的导电性填料。所并用的导电性填料可单独或者混合而使用。在并用的情况下，可例示：薄片状导电性填料及树枝状填料的组合、薄片状导电性填料、树枝状导电性填料及球状导电性填料的组合、薄片状导电性填料及球状导电性填料的组合。这些组合中，就提高电磁波遮蔽层的遮蔽性及接地连接性的观点而言，更优选为薄片状导电性填料单独或者薄片状导电性填料与树枝状导电性填料的组合。

薄片状导电性填料的平均粒径d50优选为2μm～100μm，更优选为2μm～80μm。进而优选为3μm～50μm，特别优选为5μm～20μm。树枝状导电性填料的平均粒径d50的优选范围优选为2μm～100μm，更优选为2μm～80μm。进而优选为3μm～50μm，特别优选为5μm～20μm。

另外，构成导电层的导电性树脂组合物除了粘合剂树脂以外，除了导电性填料以外，也可包含着色剂、阻燃剂、无机添加剂、润滑剂、抗结块剂等。

作为着色剂，例如可列举：有机颜料、碳黑、群青、红丹、锌华、氧化钛、石墨。其中，通过包含黑色系的着色剂，遮蔽层的印刷视认性提高。

作为阻燃剂，例如可列举：含卤素的阻燃剂、含磷的阻燃剂、含氮的阻燃剂、无机阻燃剂。

作为无机添加剂，例如可列举：玻璃纤维、二氧化硅(silica)、滑石(talc)、陶瓷。

作为润滑剂，例如可列举：脂肪酸酯、烃树脂、石蜡(paraffin)、高级脂肪酸、脂肪酸酰胺、脂肪族醇、金属皂、改性硅酮。

作为抗结块剂，例如可列举：碳酸钙、二氧化硅、聚甲基倍半硅氧烷(polymethylsilsesquioxane)、硅酸铝盐。

＜电子零件搭载基板的制造方法＞

本实施方式的电子零件搭载基板可通过如下步骤制造：

步骤(a)，在基板搭载电子零件；

步骤(b)，在搭载有电子零件的基板上，以将所述导电层相向配置的方式载置使缓冲层及导电层依次层叠而成的电磁波遮蔽片；

步骤(c)，以导电层追随通过电子零件的搭载而形成的阶差部以及基板的露出面的方式，通过热压而接合，获得电磁波遮蔽层；

步骤(d)，将缓冲层去除。

以下，使用图7～图11对本实施方式的电子零件搭载基板的制造方法的一例进行说明。但是，并不限定于此。

“步骤(a)”

步骤(a)是在基板搭载电子零件的步骤。

首先，在基板20搭载电子零件30。图7是通过步骤(a)而获得的本实施方式的电子零件搭载基板的制造步骤阶段的基板的一例。如所述图所示，在基板20上搭载半导体芯片(未图示)，在形成有半导体芯片的基板20上，利用密封树脂进行模具成形，以从电子零件间的上方到达基板20内部的方式，通过切割等将成型树脂及基板20进行半切。也可为在预先半切的基板上将电子零件30配置为阵列状的方法。再者，在图7的示例中，所谓电子零件30是指将半导体芯片进行模具成形的一体物，是指由绝缘体所保护的电子元件整体。半切除了到达基板内部的形态以外，还有切割至基板面的形态。另外，也可将基板整体在所述阶段进行切割。在所述情况下，优选为在带有粘着胶带的基体上载置基板且以不产生位置偏移的方式来放置。

就消除埋入性的不均的观点而言，所述电子零件间的槽优选为网格状。另外，就消除基板裂纹的方面而言，优选为槽的深度(b)相对于所述槽的宽度(a)为1倍～6倍的关系且将槽的宽度(a)设为50μm～500μm。

进行模具成形的情况下的密封树脂的材料并无特别限定，但通常使用热硬化性树脂。密封树脂的形成方法并无特别限定，可列举：印刷、层压、转注成形(transfermolding)、压缩、浇铸等。模具成形为任意，电子零件的搭载方法也可任意变更。

“步骤(b)”

步骤(b)是在步骤(a)后，在搭载有电子零件的基板上，以将所述导电层2侧相向配置的方式载置电磁波遮蔽片的步骤。

如图8所示，在步骤(a)后，在搭载有电子零件30的基板20上设置电磁波遮蔽片。电磁波遮蔽片是以导电层2侧相向配置的方式，载置于与基板20及电子零件30的接合区域。载置后，也可暂时贴附。

所谓暂时贴附，是指以与电子零件30的至少一部分的上表面接触的方式暂时接合，导电层2在b阶段固定于被粘接体的状态。也可根据制造设备或基板20的尺寸等，而在基板20的每个区域使用多个电磁波遮蔽片，或者对每个电子零件30使用电磁波遮蔽片，但就制造步骤的简化的观点而言，优选为对搭载于基板20上的多个电子零件30整体使用一片电磁波遮蔽片。

“步骤(c)”

步骤(c)是在步骤(b)后，以导电层追随通过电子零件的搭载而形成的阶差部以及基板的露出面的方式，通过热压而接合，获得电磁波遮蔽层的步骤。

如图9所示，将通过步骤(b)而获得的制造基板夹持于一对压制基板40间，进行热压。导电层是通过因缓冲层7的熔融而引起的挤压，以沿着设置于制造基板的半切割槽25的方式延伸，追随电子零件30及基板20而被覆，形成电磁波遮蔽层1。通过将压制基板40释放而获得如图10所示的制造基板。

热压步骤的压力可根据电子零件30的耐久性、制造设备或者需求，而在可确保导电层的被覆性的范围内任意设定。压力范围并未限定，但优选为0.5mpa～15.0mpa左右，更优选为1mpa～13.0mpa的范围，进而优选为2mpa～10.0mpa的范围。再者，也可视需要在电磁波遮蔽层上设置保护层等。加热压制前后的膜厚的差优选为1％以上且小于20％的范围，更优选为2％以上且小于15％的范围，通过设为小于20％，可减少电磁波遮蔽层的裂纹量。通过设为1％以上，阶差追随性变得良好。

热压时间可根据电子零件的耐热性、导电层中使用的粘合剂树脂、以及生产步骤等而设定。热压时间优选为1分钟～2小时左右的范围。再者，热压时间更优选为1分钟～1小时左右。在使用热硬化性树脂作为粘合剂树脂的情况下，优选为通过所述热压热硬化性树脂的硬化完毕，但在残存未硬化部的情况下，也可另外设置利用烘箱或ir加热器等的烘烤步骤。但若热硬化性树脂可流动，则也可在热压前部分性地硬化或者实质上硬化完毕。

热压装置可使用挤压式热压装置、转注模具装置、压缩模具装置、真空压空成形装置等。

再者，图9所示的表示压制的方向的箭头为一例，并不限定为上下。

“步骤(d)”

步骤(d)是在步骤(c)后，将缓冲层去除的步骤。

继而，如图11所示，将由电磁波遮蔽层1来被覆上层的缓冲层7剥离。由此，获得具有将电子零件30加以被覆的电磁波遮蔽层1的电子零件搭载基板101(参照图1、图2)。

步骤(d)后，使用切割刀片等，在基板20的与电子零件搭载基板101的单品的制品区域对应的位置，在xy方向上自电磁波遮蔽层1侧切割。由此，获得电子零件30由电磁波遮蔽层1所被覆的电子零件搭载基板。关于电磁波遮蔽层1，获得形成于基板20的接地图案22与电磁波遮蔽层进行电性连接的电子零件搭载基板。

再者，利用切割的单片化也可从步骤(c)中所得的制造基板的基板20面侧进行切割。所述方法就抑制电磁波遮蔽层的毛刺、提高缓冲层7的剥离性的观点而言优选。

根据本实施方式的制造方法，通过使用电磁波遮蔽片且经过步骤(a)～步骤(d)而形成电磁波遮蔽层1，可制造具有如下电磁波遮蔽层1的电子零件搭载基板101，所述电磁波遮蔽层1在电子零件30的边缘部抑制裂纹，均匀地埋入槽中，接地连接可靠性高。另外，可将具有凹凸的多个电子零件总括地加以被覆，因此生产性优异。进而，可与零件的配置位置或形状等无关地形成电磁波遮蔽层，因此通用性高。也容易根据制造基板的尺寸，裁剪成最合适的尺寸。另外，通过使用本实施方式的电磁波遮蔽片，可提供具有形状追随性优异的电磁波遮蔽层1的电子零件搭载基板101。

另外，将电磁波遮蔽片向基板的面方向按压并压接，因此电子零件的顶面的电磁波遮蔽层的平滑性优异。因此，在利用喷墨方式或激光标记方式印刷制品名或批号时，可提供文字的视认性提高的高品质的电子零件搭载基板。另外，具有通过控制热压时的条件容易控制厚度、薄型化也容易的优点。

＜＜电子机器＞＞

本实施方式的电子零件搭载基板例如可经由形成于基板20的背面的焊球24等而安装于安装基板，可搭载于电子机器。例如，本实施方式的电子零件搭载基板可用于以个人计算机、平板终端、智能手机、无人飞机(drone)等为代表的多种电子机器。

实施例

以下，通过实施例对本发明进行更详细的说明，但本发明并不限定于以下的实施例。另外，实施例中的“份”表示“质量份”，“％”表示“质量％”。另外，本发明中记载的值是利用以下方法来求出。

(1)试验基板的制作

准备在包含环氧玻璃的基板上，阵列状地搭载有经模具密封的电子零件的基板。基板的厚度为0.3mm，模具密封厚度、即从基板上表面至模具密封材的顶面为止的高度(零件高度)h为0.7mm。接地图案形成于基板的内部。然后，沿着零件彼此的间隙即槽进行半切割，获得试验基板(参照图12)。半切槽深度为0.8mm(基板20的切割槽深度为0.1mm)，半切槽宽度为200μm。成为通过半切而基板内部的接地图案在侧面侧露出的状态。

以下，示出实施例中使用的材料。

导电性填料1：“包含银的鳞片状粒子，平均粒径d50＝6.0μm，厚度0.8μm”

粘合剂树脂1：聚氨基甲酸酯系树脂酸值为10[mgkoh/g](东洋化学(toyochem)公司制造)

粘合剂树脂2：聚碳酸酯系树脂酸值为5[mgkoh/g](东洋化学公司制造)

硬化性化合物1：环氧树脂，“丹纳考尔(denacol)ex830”(二官能环氧树脂环氧当量＝268g/eq)长濑化成(nagasechemtex)公司制造

硬化性化合物2：环氧树脂，“yx8000”(氢化双酚环氧树脂环氧当量＝210g/eq)三菱化学公司制造

硬化性化合物3：环氧树脂，“jer157s70”(双酚a酚醛清漆型环氧树脂环氧当量＝208g/eq)三菱化学公司制造

硬化促进剂：氮丙啶化合物，“卡密塔特(chemitite)pz-33”(日本催化剂公司制造)

脱模性基材：在表面涂布有硅酮脱模剂的厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，pet)膜

缓冲层：三层tpx“cr1040”(三井化学东赛璐公司制造)

＜平均粒径d50＞

平均粒径d50是使用激光衍射散射法粒度分布测定装置ls13320(贝克曼·库尔特(beckmancoulter)公司制造)，利用龙卷风干粉(tornadodrypowder)样品模块，对导电性填料、电波吸收填料、或无机填料进行测定而获得的平均粒径d50的数值，是粒径累积分布的累积值为50％的粒径。分布为体积分布，将折射率设定为1.6。若为所述粒径即可，可为一次粒子，也可为二次粒子。

＜导电性填料的厚度＞

基于将测定电磁波遮蔽层的厚度的切断面图像以电子显微镜放大至千倍～5万倍左右的图像，测定不同的粒子约10个～20个，使用其平均值。

＜厚度测定＞

电磁波遮蔽层的厚度是利用研磨法而使电子零件搭载基板的剖面露出，利用激光显微镜来测定电子零件的上表面区域的厚度最厚的部位的膜厚。对于不同的电子零件搭载基板的剖面露出的样品5个，同样地进行测定，将其平均值作为厚度。

＜导电性填料专有面积率(a)、导电性填料专有面积率(b)的测定＞

以图15为例进行说明。首先，使用横截面抛光机(cross-sectionpolisher)(日本电子公司制造的sm-09010)并通过离子束照射对电磁波遮蔽片进行切断加工而形成电磁波遮蔽片的厚度方向的切断面。继而，对所得的电磁波遮蔽片的剖面进行铂蒸镀，使用场发射型电子显微镜(日立制作所公司制造、s-4700)，观察图15的放大图像。观察条件设为加速电压：5kv、发射电流：8ma、倍率：1300倍。

对于所得的放大图像，使用自由软件“gimp2.8.18”读取数据，如图15所示，自动调整阈值，将导电性填料变换为白色，将导电性填料以外的成分变换为黑色。然后，通过对从导电层的缓冲层的相反侧到厚度30％的区域进行范围指定，在直方图中选择白色区域(0～254)，求出白色的像素数的百分率、即、将到导电层的厚度30％的区域的剖面积设为100％时的导电性填料的成分所占的面积率。而且，通过评价分别不同的5个样品并计算出平均值，而求出导电性填料专有面积率(a)。导电性填料专有面积率(b)除了选择缓冲层侧的导电层的剖面范围以外，利用与导电性填料专有面积率(a)相同的方法进行测定。

＜酸值的测定＞

在带塞的三角烧瓶中精密量取约1g的热硬化性树脂，添加甲苯/乙醇(容量比：甲苯/乙醇＝2/1)混合液50ml加以溶解。在其中添加酚酞(phenolphthalein)试剂来作为指示剂，保持30秒。然后，以0.1mol/l的醇性氢氧化钾溶液来滴定至溶液呈现淡红色为止。酸值是利用下式来求出。酸值设为树脂的干燥状态的数值。

酸值(mgkoh/g)＝(a×f×56.1×0.1)/s

s：试样的采集量×(试样的固体成分/100)(g)

a：0.1mol/l醇性氢氧化钾溶液的滴定量(ml)

f：0.1mol/l醇性氢氧化钾溶液的滴定度

＜重量平均分子量(mw)的测定＞

重量平均分子量(mw)的测定使用东曹公司制造的gpc(凝胶渗透色谱法)“hpc-8020”。gpc是将溶解于溶媒(四氢呋喃(tetrahydrofuran，thf))中的物质根据其分子尺寸的差进行分离定量的液相色谱法。测定是将两根“lf-604”(昭和电工公司制造：迅速分析用gpc管柱：6mmid×150mm尺寸)串联连接而用于管柱，在流量0.6ml/min、管柱温度40℃的条件下进行，重量平均分子量(mw)的决定利用聚苯乙烯换算进行。

＜剥离强度的测定＞

将所得的电磁波遮蔽片准备宽度25mm、长度70mm而作为试样。自试样剥离导电层的脱模性基材，在导电层贴合粘着带(在25μm的pet膜上涂布有25μm的丙烯酸系粘着剂而成的粘着带(东洋化学(toyochem)公司制造的“le301-25k”))。继而，针对所述层叠体，使用拉伸试验机(岛津制作所公司制造)，在23℃50％rh的环境下，以剥离速度50mm/min、剥离角度180°将导电层与粘着带自缓冲层剥离，由此测定剥离强度。

[实施例1]

将50份的粘合剂树脂1(固体成分)、50份的粘合剂树脂2(固体成分)、10份的硬化性化合物1、20份的硬化性化合物2、10份的硬化性化合物3、1份的硬化促进剂1、149份的导电性填料1投入容器，以不挥发成分浓度成为45质量％的方式添加甲苯：异丙醇(质量比2：1)的混合溶剂，利用分散器(disperser)来搅拌10分钟，由此获得导电性树脂组合物。以干燥厚度成为25μm的方式，使用刮刀片，将所述导电性树脂组合物涂敷于脱模性基材。然后，在100℃下干燥2分钟，由此获得层叠有脱模性基材及导电层4(导电层b)的板b。

另外，将50份的粘合剂树脂1(固体成分)、50份的粘合剂树脂2(固体成分)、10份的硬化性化合物1、20份的硬化性化合物2、10份的硬化性化合物3、1份的硬化促进剂、376份的导电性填料1投入容器，以不挥发成分浓度成为45质量％的方式添加甲苯：异丙醇(质量比2：1)的混合溶剂，利用分散器来搅拌10分钟，由此获得导电性树脂组合物。以干燥厚度成为25μm的方式，使用刮刀片，将所述导电性树脂组合物涂敷于脱模性基材。然后，在100℃下干燥2分钟，由此获得层叠有脱模性基材及导电层5(导电层a)的板a。

将板b及板a通过热辊层压与导电层4及导电层5贴合。继而，剥离板b的脱模性基材，通过热辊层压而在缓冲层的单面贴合板b，由此获得缓冲层/导电层4/导电层5/脱模性基材依次层叠而成的电磁波遮蔽片。贴合的条件为70℃、3kgf/cm²。

将所得的电磁波遮蔽片切割为10cm×10cm，剥离脱模性基材，将导电层5载置于所述试验基板。然后，从电磁波遮蔽片的缓冲层的上方，以5mpa、160℃的条件对基板面热压20分钟。热压后，加以冷却，剥离缓冲层，由此获得形成有电磁波遮蔽层的电子零件搭载基板。

[实施例2～实施例22、比较例1～比较例3]

除了将各层的厚度与各种物性、各成分与其调配量(质量份)、试验基板的电子零件的槽宽度、槽深度变更为如表1～表3所示以外，与实施例1同样地制作电子零件搭载基板。表1～表3中所示的粘合剂树脂及硬化性化合物的调配量为固体成分质量。

[实施例23]

除了将贴合板b及板a的条件设为真空中、90℃、3kgf/cm²以外，与实施例1同样地制作电磁波遮蔽片，获得电子零件搭载基板。

基于以下的测定方法及评价基准，对所述实施例及比较例进行评价。

＜缓冲密接性评价＞

将所得的电磁波遮蔽片切割为宽度10mm、长度10mm而作为试样。将20个试样放入至90ml麦越瓶(mayobin)(直径45mm高度80mm的圆柱状的带盖的玻璃瓶)中后，盖上盖子。而且，将麦越瓶(mayobin)设置于涂料调节器，搅拌30分钟。然后，通过目视确认试样的缓冲层与导电层的层间剥离，评价缓冲层的密接性。

+++：所有的试样中无剥离。是非常良好的结果。

++：所有的试样中虽无剥离，但在端部产生浮起。是良好的结果。

+：剥离的试样小于5个。实际使用上无问题。

ng：剥离的试样为5个以下无法实际使用。

＜遮蔽性评价＞

将所得的电磁波遮蔽片准备纵50mm、横50mm的大小而作为试样。在150℃、2mpa的条件下对所述试样进行30分钟热压接，进行正式硬化。继而，剥离导电层的剥离性板，使用三菱化学分析技术(mitsubishichemicalanalytech)公司制造的“罗斯塔(loresta)gp”的四探针探头测定导电层的表面电阻值。评价基准如以下所述。

+++：小于0.2[ω/□]。是非常良好的结果。

++：为0.2[ω/□]以上且小于0.6[ω/□]。是良好的结果。

+：为0.6[ω/□]以上且小于1.2[ω/□]。实际使用上无问题。

ng：为1.2[ω/□]以上。无法实际使用。

＜接地连接性评价＞

对于所得的零件搭载基板，使用日置(hioki)公司制造的rm3544及针型引线探针(leadprobe)来测定图13的剖面图所示的底部的接地端子a-b间的连接电阻值，由此评价接地连接性。即，确认电磁波遮蔽层是否与侧面侧露出的接地图案接地(earthcontact)。

评价基准如以下所述。

+++：连接电阻值小于200mω。是非常良好的结果。

++：连接电阻值为200mω以上且小于500mω。是良好的结果。

+：连接电阻值为500mω以上且小于1000mω。实际使用上无问题。

ng：连接电阻值为1000mω以上。无法实际使用。

＜基板裂纹评价＞

通过激光显微镜观察图13所示的电子零件搭载基板的相当于槽部的背侧的部分的裂纹并进行评价。观察是对不同的槽的20个部位进行评价。

评价基准如以下所述。

+++：无裂纹。是非常良好的结果。

++：裂纹的产生部位小于5。是良好的结果。

+：裂纹的产生部位为5以上且小于10。实际使用上无问题。

ng：裂纹的产生部位为10以上。无法实际使用。

将实施例及比较例的电子零件搭载基板及电磁波遮蔽片的评价结果示于表1～表3中。

[表1]

[表2]

[表3]

本申请主张以2018年10月3日提出申请的日本申请特愿2018-188338为基础的优先权，并将其公开的全部内容引用于此。

符号的说明

1：电磁波遮蔽层

2：导电层

3：导电性填料

4：导电层

5：导电层

6：缓冲性的构件

7：缓冲层

8：脱模层

9：空孔

10：电磁波遮蔽片

20：基板

21：配线或电极

22：接地图案

23：内通孔

24：焊球

25：半切割槽

30：电子零件

31：半导体芯片

32：密封树脂

33：接合线

40：压制基板

101～102：电子零件搭载基板