1.一种自对准接触区处理方法，其特征在于包括第三槽孔构造步骤（300）；所述第三槽孔构造步骤（300）介于第一在先制程（100）和第五在后制程（500）之间；其中，所述第一在先制程（100）以自对准接触sac结构形成有第一槽型区域（610）和第二孔型区域（620），所述第一槽型区域（610）于其所在的第一基底层（810）与第一介质层（811）之间构造有浅沟槽隔离结构sti（820）；所述第三槽孔构造步骤（300）于所述第一槽型区域（610）根据所述浅沟槽隔离结构sti（820）在晶圆上投影或映射区域预设的图形界定出第七层间介质（817）并将其清除；所述第五在后制程（500）以自对准接触sac结构于所述第一槽型区域（610）和第二孔型区域（620）分别形成预设的接触结构。
2.如权利要求1所述的自对准接触区处理方法，其中：所述接触结构通过填充接触金属到所述第一槽型区域（610）和第二孔型区域（620）得到；所述接触金属包括金属钨；所述第五在后制程（500）包括对所述接触结构的第一平坦化处理。
3.如权利要求1或2所述的自对准接触区处理方法，其中：所述接触结构以金属有机化合物化学气相淀积mocvd方式制备。
4.如权利要求3所述的自对准接触区处理方法，其中：所述第三槽孔构造步骤（300）还填充第四中间介质（840）于所述第七层间介质（817）已被清除的区域，所述第四中间介质（840）的填充过程包括以原子层沉积ald方式回填氮化物nitride。
5. 如权利要求4所述的自对准接触区处理方法，其中：所述第四中间介质（840）以预设的第六介质层（816）的外表面第五停止线（850）为边界，通过第四平坦化过程进行去除；所述第四中间介质（840）在所述第四平坦化过程完成后继续进行中间刻蚀步骤，去除所述第六介质层（816）并将所述第四中间介质（840）去除至第五介质层（815）远离所述第一基底层（810）一侧的第七停止线（870），所述第五介质层（815）为控制栅极cg所在的第四介质层（814）远离所述第一基底层（810）一侧预设的封端氮化物capped nitride。
6.如权利要求5所述的自对准接触区处理方法，其中：所述中间刻蚀步骤包括前置干刻蚀步骤和后置湿刻蚀步骤；所述前置干刻蚀步骤用于将所述第四中间介质（840）位于所述第一槽型区域（610）部分刻蚀至所述第七停止线（870），所述后置湿刻蚀步骤用于将所述第六介质层（816）经所述前置干刻蚀步骤未能去除的部分，由当前的第六停止线（860）进一步去除至所述第七停止线（870）；所述后置湿刻蚀步骤还将所述第二孔型区域（620）穿透所述控制栅极cg、第三介质层（813）及第二介质层（812）的孔型区域的所述第六介质层（816）介质去除。
7. 如权利要求6所述的自对准接触区处理方法，其中：所述第二介质层（812）为floatgate浮栅fg介质层；所述第三介质层（813）为氧氮氧ono介质层。
8. 如权利要求1、2、4、5、6或7中任一项所述的自对准接触区处理方法，其中：所述第六介质层（816）为层间电介质ilds结构，所述第六介质层（816）的材料包括氧化硅siliconoxide；所述接触结构还包括与所述第五介质层（815）同期构造的侧墙spacer、第一槽底介质层（881）和第二孔底介质层（882）。
9.如权利要求8所述的自对准接触区处理方法，其中：所述第一槽底介质层（881）和第二孔底介质层（882）经由第九干法刻蚀去除，以打开所述第一基底层（810）并穿透第一介质层（811）；所述第一介质层（811）包括栅氧化层；所述第九干法刻蚀完成后，获得所述接触结构中的第一槽型待填区（871）和第二孔型待填区（872）。
10.一种槽孔结构，包括以自对准接触sac结构形成的第一槽型区域（610）和第二孔型区域（620），所述第一槽型区域（610）于其所在的第一基底层（810）与第一介质层（811）之间构造有浅沟槽隔离结构sti（820）；第一槽型区域（610）根据所述浅沟槽隔离结构sti（820）在晶圆上投影或映射区域预设的图形界定出第七层间介质（817）并将其清除；所述第一槽型区域（610）和第二孔型区域（620）分别用于填充预设的金属，以形成预设的接触结构。
11.如权利要求10所述的槽孔结构，其中：所述接触结构通过填充接触金属到所述第一槽型区域（610）和第二孔型区域（620）得到；所述接触金属包括金属钨。
12.如权利要求10或11所述的槽孔结构，其中：所述第七层间介质（817）已被清除的区域填充有第四中间介质（840）。
13. 如权利要求12所述的槽孔结构，其中：所述第四中间介质（840）以预设的第六介质层（816）的外表面第五停止线（850）为边界，通过第四平坦化过程进行去除；所述第四中间介质（840）在所述第四平坦化过程完成后继续进行中间刻蚀步骤，去除所述第六介质层（816）并将所述第四中间介质（840）去除至第五介质层（815）远离所述第一基底层（810）一侧的第七停止线（870），所述第五介质层（815）为控制栅极cg所在的第四介质层（814）远离所述第一基底层（810）一侧预设的封端氮化物capped nitride。
14.如权利要求13所述的槽孔结构，其中：所述第四中间介质（840）位于所述第一槽型区域（610）部分被刻蚀至所述第七停止线（870），所述第六介质层（816）由当前的第六停止线（860）被去除至所述第七停止线（870）；用于穿透所述控制栅极cg、第三介质层（813）及第二介质层（812）孔型区域的所述第六介质层（816）介质亦被去除。
15. 如权利要求14所述的槽孔结构，其中：所述第二介质层（812）为float gate浮栅fg介质层；所述第三介质层（813）为氧氮氧ono介质层。
16. 如权利要求10、11、13、14或15中任一项所述的槽孔结构，其中：所述第六介质层（816）为层间电介质ilds结构，所述第六介质层（816）的材料包括氧化硅silicon oxide；所述接触结构还包括与所述第五介质层（815）同期构造的侧墙spacer、第一槽底介质层（881）和第二孔底介质层（882）。
17.如权利要求16所述的槽孔结构，其中：所述第一槽底介质层（881）和第二孔底介质层（882）经由第九干法刻蚀去除，以打开所述第一基底层（810）并穿透第一介质层（811）；所述第一介质层（811）包括栅氧化层；所述接触结构包括第一槽型待填区（871）和第二孔型待填区（872）。
18.一种芯片，包括如权利要求10至17中任一项所述的槽孔结构，其中所述第一槽型区域（610）用于形成所述芯片的漏drain结构，所述第二孔型区域用于形成所述芯片的源source结构。