第2无机材料层对凸部的覆盖率。从而可以制造出能够防止氧气、水分等侵入到元件内部的元件结构体。
[0021]下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
[0022]<第1实施方式>
图1是大致表示本发明的一个实施方式所涉及的元件结构体的剖视图。图2是表示该元件结构体的俯视图。在各图中，X轴、Y轴及Z轴方向表示相互垂直的3个轴向，在本实施方式中，X轴和Y轴方向是相互垂直的水平方向，Z轴方向表示铅直方向。
[0023]本实施方式的元件结构体10具有:基板2 (基体)，其包含器件层3 ;第1无机材料层41 (凸部)，其形成于基板2的表面2a上；第2无机材料层42，其覆盖第1无机材料层
41。在本实施方式中，元件结构体10由具有有机EL发光层的发光元件构成。
[0024]基板2具有表面2a (第1表面)和背面2c (第2表面)，例如由玻璃基板、塑料基板等构成。基板2的形状没有特别限定，在本实施方式中为矩形。基板2的大小、厚度等没有特别限定，可以根据元件尺寸的大小来选择适当的大小和厚度的基板。在本实施方式中，在一块大的基板上制作同一元件的集合体，之后分割成多个元件结构体10。
[0025]器件层3由包含上部电极和下部电极的有机EL发光层构成。除此之外，器件层3也可以由液晶元件的液晶层、发电元件的发电层等这样的包含易受水分、氧气等侵害而劣化的材料的各种功能元件构成。
[0026]器件层3形成于基板2的表面2a的规定区域。器件层3的平面形状并没有特别限定，在本实施方式中大致呈矩形，除此之外，也可以呈圆形、线形等。器件层3并不局限于配置在基板2的表面2a上，也可以配置在基板2的表面2a和背面2c中至少一个表面上。
[0027]第1无机材料层41设置在基板2的配置有器件层3的表面(本实施方式中为表面2a)上，构成覆盖器件层3的表面3a和侧面3s的凸部。第1无机材料层41具有向附图中的上方突出的立体结构。
[0028]第1无机材料层41由能够保护器件层3免受水分或者氧气侵害的无机材料构成。在本实施方式中，第1无机材料层41由具有良好的水蒸气阻隔特性的氮化硅(SiNx)构成，但是，并不局限于此，也可以由氧化硅和氮氧化硅等其他硅化合物或者氧化铝等具有水蒸气阻隔特性的其他无机材料构成。
[0029]第1无机材料层41例如使用适当的掩膜形成于基板2的表面2a上。在本实施方式中，使用具有能够收装器件层3的矩形开口部的掩膜来形成第1无机材料层41。成膜方法并没有特别限定，可以使用CVD (Chemical Vapor Deposit1n:气相沉积)法、派射法、ALD (Atomic Layer Deposit1n:原子层沉积)法等。第1无机材料层41的厚度并没有特别限定，例如为200nm ~ 2 μmD
[0030]与第1无机材料层41相同，第2无机材料层42也由能够保护器件层3免受水分或者氧气侵害的无机材料构成，该第2无机材料层42设置在基板2的表面2a上，并且覆盖第1无机材料层41的表面41a和侧面41s。在本实施方式中，第2无机材料层42由具有良好的水蒸气阻隔特性的氮化硅(SiNx)构成，但是，并不局限于此，也可以由氧化硅和氮氧化硅等其他硅化合物或者氧化铝等具有水蒸气阻隔特性的其他无机材料构成。
[0031]第2无机材料层42例如使用适当的掩膜形成于基板2的表面2a上。在本实施方式中，使用具有能够收装第1无机材料层41的矩形开口部的掩膜来形成第2无机材料层
42。成膜方法并没有特别限定，可以使用CVD(ChemicalVapor Deposit1n)法、派射法、ALD (Atomic Layer Deposit1n)法等。第2无机材料层42的厚度并没有特别限定，例如为300nm ?1 μ m0
[0032]本实施方式的元件结构体10还具有第1树脂材料部51。第1树脂材料部51形成在第1无机材料层41 (凸部)的周围。在本实施方式中，第1树脂材料部51形成在第1无机材料层41与第2无机材料层42之间，且形成在第1无机材料层41的侧面41s和基板2的表面2a之间的分界部2b处。第1树脂材料部51具有对形成于分界部2b附近的第1无机材料层41与基板表面2a之间的间隙G(图3)进行填充的功能。
[0033]图3是表示分界部2b的周围结构的元件结构体10的局部放大剖视图。由于第1无机材料层41由无机材料的CVD膜或者溅射膜形成，因而，该第1无机材料层41对包含器件层3的基板2的凹凸结构面的覆盖范围较小。因此，可能导致，如图3所示的那样，覆盖器件层3的侧面3s的第1无机材料层41在基板的表面2a附近的覆盖范围较小，有处于覆盖膜厚度极小或者没有形成覆盖膜状态的危险。
[0034]于是，在本实施方式中，通过如上述那样使第1树脂材料部51形成在第1无机材料层41周围的覆盖不良区域，来抑制水分或者氧气从该区域侵入到器件层3的内部。另夕卜，在形成第2无机材料层42时，第1树脂材料部51具有第2无机材料层42的基础层的功能，从而能够适当地形成第2无机材料层42，并且能够使该第2无机材料层42以规定的膜厚适当地覆盖第1无机材料层41的侧面41s。
[0035]第1树脂材料部51的形成方法并没有特别限定，典型的是，通过喷雾法、旋涂法、蒸镀法等适当的涂膜法，将液体状、气体状或者雾状的有机材料涂敷在基板的表面2a上。图4A?图4C示意性地表示第1树脂材料部51的形成方法。
[0036]首先，如图4A所示，例如将加热后气化的雾状的有机材料5a提供给基板2的表面2a。此时，基板2的温度例如维持在室温以下。从而，雾状的有机材料5a如图4B所示那样在基板的表面2a上凝结成滴状的有机材料5b。另外，最好限制有机材料5a的供给量，以防止对有机材料滴状化造成妨碍。
[0037]滴状化的有机材料5b根据毛细管现象进入到微小的间隙内，或者在其自身的表面张力的作用下，在滴状化或者凝集的同时在基板2上移动，如图4所示那样偏聚在第1无机材料层41的侧面41s与基板2的表面2a之间的分界部2b。之后，通过使该有机材料固化，以在分界部2b形成第1树脂材料部51。
[0038]第1树脂材料部51可以沿着分界部2b连续设置在第1无机材料层41的周围，也可以间断地设置在第1无机材料层41的周围。通过使第1树脂材料部51沿着分界部2b连续设置，能够提高对器件层3的覆盖性。
[0039]采用本实施方式时，由于由滴状的有机材料5b形成第1树脂材料部51，因而，树脂材料容易渗透到分界部2b处的由第1无机材料层41的侧面41s与基板2的表面2a所成的角度不足90°的狭窄的间隙G(图3)内。从而能够由第1树脂材料部51对分界部2b处的间隙进行填充，得到较高的防止水蒸气侵入到器件层3内的水蒸气阻隔性能。
[0040]构成第1树脂材料部51的有机材料并没有特别限定，典型的是，使用可以在自身的表面张力作用下在基板2上滴状化、凝集，于基板上移动，偏聚在第1无机材料层41的周围的材料。在本实施方式中，使用的是丙烯酸树脂、更详细来说，使用的是丙烯酸系的紫外线固化树脂。从而能够容易使偏聚在分界部2b的有机材料固化。
[0041]第1树脂材料部51形成后，在基板2的表面2a上形成覆盖第1无机材料层41的表面41a和侧面41s的第2无机材料层42。第2无机材料层42在第1无机材料层41的表面41a处，层积在该表面41a上，在分界部2b处，层积在第1树脂材料部51和第1无机材料层41的侧面41s上。采用本实施方式时，由于第1无机材料层41和第2无机材料层42由同一材料构成，且该第1无机材料层41与该第2无机材料层42接触，因而能够提高第1无机材料层41与第2无机材料层42的紧贴性。
[0042]固化后的有机材料(树脂材料)并不局限于均偏聚在分界部2b，例如，该有机材料也可以残留在分界部2b以外的基板的表面2a及第1无机材料层41的表面41a等上。这种情况下，如图5所示，第2无机材料层42具有隔着第2树脂材料部52层积在第1无机材料层41上的区域。第2树脂材料部52形成在第1无机材料层41和第2无机材料层42之间，且独立于第1树脂材料部51形成在第1无机材料层41的表面41a上。这种情况下，也能够维持第1无机材料层41与第2无机材料层42的紧贴性，因而不会损害元件结构体10的阻隔特性