容充电与放电， 其中该自偏压电阻电容振荡器和斜坡产生器电路是用以在该电容的一节点提供一斜坡信号，并在该信号产生电路的一输出端提供一振荡器输出信号。2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该自偏压电阻电容振荡器和斜坡产生器电路是用以提供l/ORf。)的振荡器频率，R。为该电阻的电阻值，C。为该电容的电容值。3.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，在该结合式电流和电压参考电路中， 该第一 Ρ型金属氧化物半导体晶体管的源极是耦接至一电源； 该第一Ρ型金属氧化物半导体晶体管的栅极与漏极是耦接至一第一节点，该第一节点耦接至该电阻的第一端； 该第一 Ν型金属氧化物半导体晶体管的源极是耦接至一接地端； 该第一Ν型金属氧化物半导体晶体管的栅极与漏极是耦接至一第二节点，该第二节点是耦接至该电阻的第二端； 其中该结合式电流和电压参考电路是用以: 在该第一节点提供该第一参考电压； 在该第二节点提供该第二参考电压；并且 提供该参考电流，其中该参考电流在该第一节点与该第二节点之间流经该电阻。4.如权利要求3所述的集成电路，其特征在于，更包括一温度系数补偿电路，耦接在第一节点与该第二节点之间。5.如权利要求4所述的集成电路，其特征在于，该温度系数补偿电路包括: 串联耦接在该电源与该接地端之间的一第一晶体管、一第二晶体管与一电阻； 串联耦接在该电源与该接地端之间的一第三晶体管与一第四晶体管，其中: 该第一晶体管与该第三晶体管具有相同的通道宽长比，且形成一第一电流镜； 该第二晶体管比该第四晶体管具有更大的通道宽长比；并且 该第二晶体管与该第四晶体管形成一第二电流镜； 一第五晶体管，其源极耦接至该电源，该第五晶体管的栅极耦接至该第一晶体管与该第三晶体管的栅极，该第五晶体管的漏极用以耦接至该结合式电流和电压参考电路的该第一节点；以及 一第六晶体管，其源极耦接至该接地端，该第六晶体管的栅极耦接至该第二晶体管与该第四晶体管的栅极，该第六晶体管的漏极用以耦接至该结合式电流和电压参考电路的该第二节点。6.如权利要求3所述的集成电路，其特征在于，该信号产生电路包括: 一第二 P型金属氧化物半导体晶体管，耦接至该第一 Ρ型金属氧化物半导体晶体管以形成一第一电流镜； 一第二 Ν型金属氧化物半导体晶体管，耦接至该第一 Ν型金属氧化物半导体晶体管以形成一第二电流镜； 一第一差动对电路，耦接至该第二 Ρ型金属氧化物半导体晶体管以接收该参考电流，该第一差动对电路包括一第三Ρ型金属氧化物半导体晶体管与一第四Ρ型金属氧化物半导体晶体管；以及 一第二差动对电路，耦接至该第二 Ν型金属氧化物半导体晶体管以接收该参考电流，该第二差动对电路包括一第三Ν型金属氧化物半导体晶体管与一第四Ν型金属氧化物半导体晶体管， 其中该第三Ρ型金属氧化物半导体晶体管的漏极和该第三Ν型金属氧化物半导体晶体管的漏极耦接至一第三节点，该第三节点耦接至该电容以对该电容充电与放电，该第三节点也用以提供该斜坡信号。7.如权利要求6所述的集成电路，其特征在于，更包括: 一第一比较器，包括: 一正输入端，耦接至该第三节点以感测该电容上的电压；以及 一偏压端，耦接至该信号产生电路中该第四Ν型金属氧化物半导体晶体管的漏极；以及 一第二比较器，包括: 一负输入端，耦接至该第三节点以感测该电容上的该电压；以及 一偏压端，耦接至该信号产生电路中该第四Ρ型金属氧化物半导体晶体管的漏极， 其中该第三Ρ型金属氧化物半导体晶体管、该第四Ρ型金属氧化物半导体晶体管、该第三Ν型金属氧化物半导体晶体管与该第四Ν型金属氧化物半导体晶体管的栅极电压是关联至该第一比较器与该第二比较器的输出。8.如权利要求7所述的集成电路，其特征在于，更包括一锁存器，该锁存器包括: 一设定输入端，親接至该第一比较器的输出端； 一重置输入端，耦接至该第二比较器的输出端； 一正输出端，耦接至该第三Ρ型金属氧化物半导体晶体管的栅极与该第三Ν型金属氧化物半导体晶体管的栅极；以及 一负输出端，耦接至该第四Ρ型金属氧化物半导体晶体管的栅极与该第四Ν型金属氧化物半导体晶体管的栅极， 其中该正输出端是用以提供该振荡器输出信号，并且该负输出端是用以提供该振荡器输出信号的一反向信号。9.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，该信号产生电路用以在该电容被充电时，致能该第一比较器并禁能该第二比较器； 其中该信号产生电路用以在该电容被放电时，禁能该第一比较器并致能该第二比较器。10.如权利要求7所述的集成电路，其特征在于，该第一比较器包括: 一电流源，耦接至该电源； 一差动对，耦接至该电流源；以及 一偏压节点，耦接至该差动对， 其中该第二比较器包括: 一电流源，親接至该接地端； 一差动对，耦接至该电流源；以及 一偏压节点，耦接至该差动对。11.如权利要求7所述的集成电路，其特征在于，该第一比较器包括一第一晶体管，其具有: 一源极，耦接至该电源； 一栅极，耦接至该第一比较器的该正输入端； 一漏极，用以提供该第一比较器的输出；以及 一偏压节点，耦接至该第一晶体管的该漏极， 其中该第二比较器包括一第一晶体管，其具有: 一源极，耦接至该接地端； 一栅极，耦接至该第二比较器的该负输入端； 一漏极，用以提供该第二比较器的输出；以及 一偏压节点，耦接至该第一晶体管的漏极。12.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该结合式电流和电压参考电路与该信号产生电路是实作在单一个集成电路中。13.一种自偏压电阻电容振荡器和斜坡产生器电路，其特征在于，包括: 一结合式电流和电压参考电路，用以提供一参考电流，一第一参考电压与一第二参考电压，其中该结合式电流和电压参考电路包括一电路支路，该电路支路具有彼此串联耦接的一第一 N型金属氧化物半导体晶体管，一第一 P型金属氧化物半导体晶体管与一电阻；以及 一信号产生电路，包括一电容，其中该信号产生电路是用以在该第一参考电压与该第二参考电压之间对该电容充电与放电。14.如权利要求13所述的自偏压电阻电容振荡器和斜坡产生器电路，其特征在于，该信号产生电路是用以提供一充电电流与一放电电流，该充电电流与该放电电流的大小相同于一电流值，该电流值是由该第一参考电压与该第二参考电压之间的差再除以该电阻的电阻值所决定。15.如权利要求13所述的自偏压电阻电容振荡器和斜坡产生器电路，其特征在于，在该结合式电流和电压参考电路中， 该第一P型金属氧化物半导体晶体管的栅极与漏极是耦接至一第一节点，该第一节点耦接至该电阻的第一端； 该第一N型金属氧化物半导体晶体管的栅极与漏极是耦接至一第二节点，该第二节点是耦接至该电阻的第二端； 其中该结合式电流和电压参考电路是用以: 在该第一节点提供该第一参考电压； 在该第二节点提供该第二参考电压；并且 提供该参考电流，其中该参考电流在该第一节点与该第二节点之间流经该电阻。16.如权利要求13所述的自偏压电阻电容振荡器和斜坡产生器电路，其特征在于，该第一 N型金属氧化物半导体晶体管是以二极管接法所连接，该第一 N型金属氧化物半导体晶体管的栅极与漏极是彼此耦接，并且该第一 P型金属氧化物半导体晶体管是以二极管接法所连接，该第一 P型金属氧化物半导体晶体管的栅极与漏极是彼此耦接。17.如权利要求13所述的自偏压电阻电容振荡器和斜坡产生器电路，其特征在于，该自偏压电阻电容振荡器和斜坡产生器电路是用以提供1/2 (Rf。)的振荡器频率，R。为该电阻的电阻值，C。为该电容的电容值。18.如权利要求13所述的自偏压RC振荡器和斜坡产生器电路，其特征在于，该信号产生电路包括: 一第一差动对与一第一比较器，用以对该电容充电；以及 一第二差动对与一第二比较器，用以对该电容放电， 其中在充电该电容的期间该第二比较器被禁能，并且在放电该电容的期间该第一比较器被禁能。19.如权利要求13所述的自偏压电阻电容振荡器和斜坡产生器电路，其特征在于，该结合式电流和电压参考电路与该信号产生电路是实作在单一个集成电路中。20.如权利要求13所述的自偏压电阻电容振荡器和斜坡产生器电路，其特征在于，更包括一温度系数补偿电路，耦接在一第一节点与一第二节点之间，该第一节点耦接至该电阻的第一端，该第二节点是耦接至该电阻的第二端。
【专利摘要】本发明提供了一种自偏压电阻电容(resistor-capacitor，RC)振荡器与斜坡产生器电路，包括结合式电流和电压参考电路，其用以提供参考电流、第一参考电压与第二参考电压，并且包括电路支路。此电路支路包括彼此串联耦接的P型金属氧化物半导体(P-type？Metal-Oxide-Semiconductor，PMOS)晶体管，电阻与N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，并且这些晶体管是以二极管接法所连接。该电路还包括信号产生电路，其包括了电容。信号产生电路是用以在第一参考电压与第二参考电压之间对电容充电与放电。自偏压RC振荡器和斜坡产生器电路是用以在电容的一节点提供斜坡信号或锯齿信号，并在信号产生电路的输出端提供振荡器输出信号。
【IPC分类】H03K3/027, H03K4/08
【公开号】CN105429612
【申请号】CN201510584753
【发明人】皮特·哈尔斯曼
【申请人】新唐科技股份有限公司
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2015年9月15日
【公告号】US9287823, US20160079917