V，转换效率高达95%，具有500KHz的固定转换速率。通过选用这样参数的芯片，可使得在同样的输出纹波要求下产生更小的输出电感。而第一输入滤波电容Cl和旁路电容C2均可选用高性能陶瓷电容。
[0032]如图4所示，所述脉冲驱动电路包括用于对输入的前级TTL信号进行处理的驱动芯片U2、在所述驱动芯片U2的控制下导通或关断的后级功率MOS管以及与用于为脉冲驱动电路输入外部电压的Vcc端相连并为所述驱动芯片U2提供稳定电压的稳压电路。
[0033]所述稳压电路的输出端分为两路，其中一路通过依次串联的、用于调整输入TTL信号高低电平的范围的第六电阻R6和第七电阻R7接地且第六电阻R6和第七电阻R7之间的线路还连接至驱动芯片U2的第六管脚，而另一路依次串联自举二极管D4和自举电容C9后连接至驱动芯片U2的第十二管脚，后级功率MOS管为N沟道MOS管，因此要求功率MOS管栅极电压比漏极电压高1V?15V，驱动芯片U2内部自带电荷泵，因此通过采用自举和电荷泵可以保证高端驱动器的偏执电压，可以使后级功率MOS管处于长时间导通状态。所述驱动芯片U2的第十二管脚还连接至脉冲驱动电路的脉冲输出端；
[0034]所述驱动芯片U2的第三管脚作为使能端连接至负压开关电路的DIS端，第六管脚作为TTL信号输入端外接外部TTL信号源，第八管脚和第九管脚分别通过作为高低端栅极驱动器导通延迟时间外接定时电阻的第十电阻RlO和第十一电阻Rll接地；
[0035]所述驱动芯片U2的第十一管脚通过第十二电阻R12和第三二极管D5的并联体连接功率MOS管Q3和MOS管Q4的栅极，功率MOS管Q3和MOS管Q4的源极连接脉冲输出端，且功率MOS管Q3的漏极外接Vcc端，MOS管Q4的漏极接地；
[0036]驱动芯片U2对由外部输入的TTL信号进行处理，然后输出至后级功率MOS管Q3和加速关断MOS管Q4的栅极，以控制后级功率MOS管Q3导通或关断，而MOS管Q4在实际工作时起到加速关断作用，减小调制脉冲输出波形后沿。
[0037]具体实施时，所述稳压电路包括第二三极管Q2、稳压管D3、第十电阻RlO和第十一电阻R11，其中，第二三极管Q2的基极通过稳压管D3接地并通过第^^一电阻Rll连接Vcc端，第二三极管Q2的集电极通过第十电阻RlO连接Ncc端，所述第二三极管Q2的发射极作为稳压电路的输出端。所述稳压电路可将输入的28伏电压转换为12伏电压，为驱动芯片U2供电。所述稳压电路还包括连接于Vcc端和接地端之间的第二输入滤波电容C5。
[0038]本实用新型调制脉冲驱动电路工作时，当负压转换电路有负5伏输出时，负压开关电路中的第一三极管Ql工作在饱和状态，调整第二电阻R2和第三电阻R3的比例使DIS端的对地电压为零伏，正常工作时，所述驱动芯片U2的使能端为低电平，而当负压转换电路无负5伏电压输出时，第一三极管Ql截止，DIS端的对地电压接近于工作电压VDD^M时驱动芯片U2的使能端为高电平，脉冲驱动电路即同步关闭输出。
[0039]而通过调节第六电阻R6和第七电阻R7可以调整输入TTL信号高低电平的范围，TTL信号从驱动芯片U2的第六管脚输入，经过驱动芯片U2处理后，再从第十一管脚输出至后级功率MOS管Q3和加速关断MOS管Q4的栅极，从而控制后级功率MOS管Q3导通和关断，最终实现脉冲输出。
[0040]以上所述是本实用新型的【具体实施方式】，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种有源相控阵雷达T/R组件的调制脉冲驱动电路，其特征在于，其包括: 负压转换电路，用于将输入的正电压转换为具有带载能力的负电压后从负压输出端输出； 脉冲驱动电路，包括用于对输入的前级TTL信号进行处理的驱动芯片U2以及在所述驱动芯片U2的控制下导通或关断的后级功率MOS管；以及 负压开关电路，用于根据负压转换电路的负压输出端的输出电压值控制所述脉冲驱动电路开通或关断，所述负压开关电路包括第一三极管Q1，第一三极管Ql的基极通过第一电阻Rl接地、发射极通过第一二极管Dl连接负压转换电路的负压输出端、集电极依次通过串联的第二电阻R2和第三电阻R3连接至工作电压端VDD端，且所述第二电阻R2和第三电阻R3之间还接设有连接至脉冲驱动电路的驱动芯片U2的使能端的DIS端。
2.根据权利要求1所述的有源相控阵雷达T/R组件的调制脉冲驱动电路，其特征在于，所述负压转换电路包括开关电源转换芯片Ul，所述开关电源转换芯片Ul的第七管脚作为输入端连接用于输入外部电压的Vcc端且第七管脚还通过旁路电路C2连接至负压输出端，第六管脚和第九管脚分别连接至负压输出端，第一管脚作为Boot端依次串联升压电容C3、输出电感LI和输出电容C4后连接至负压转换电路的负压输出端且输入电感LI和输出电容C4之间的线路还接地，第八管脚作为PH端连接至升压电容C3和输出电感LI之间的线路，所述输出电容C4具有相并联的由第四电阻R4和第五电阻R5串联形成的电阻串联支路，所述开关电源转换芯片Ul的作为VSENSE端的第四管脚连接至所述第四电阻R4和第五电阻R5之间的线路；开关电源转换芯片Ul的第八管脚和负压输出端之间还设有自负压输出端向第八管脚单向导通以对负压转换电路输出的电压进行整流的整流二极管D2。
3.根据权利要求2所述的有源相控阵雷达T/R组件的调制脉冲驱动电路，其特征在于，所述开关电源转换芯片Ul的第七管脚还通过第一输入滤波电容Cl接地。
4.根据权利要求1所述的有源相控阵雷达T/R组件的调制脉冲驱动电路，其特征在于，所述脉冲驱动电路还包括与用于输入外部电压的Vcc端相连并为所述驱动芯片U2提供稳定电压的稳压电路，所述稳压电路的输出端分为两路，其中一路通过依次串联的、用于调整输入TTL信号高低电平的范围的第六电阻R6和第七电阻R7接地且第六电阻R6和第七电阻R7之间的线路还连接至驱动芯片U2的第六管脚，而另一路依次串联自举二极管D4和自举电容C9后连接至驱动芯片U2的第十二管脚，所述驱动芯片U2的第十二管脚还连接至脉冲驱动电路的脉冲输出端； 所述驱动芯片U2的第三管脚作为使能端连接至负压开关电路的DIS端，第六管脚作为TTL信号输入端外接外部TTL信号源，第八管脚和第九管脚分别通过作为高低端栅极驱动器导通延迟时间外接定时电阻的第十电阻RlO和第十一电阻Rll接地； 所述驱动芯片U2的第^^一管脚通过第十二电阻R12和第三二极管D5的并联体连接功率MOS管Q3和MOS管Q4的栅极，功率MOS管Q3和MOS管Q4的源极连接脉冲输出端，且功率MOS管Q3的漏极外接Vcc端，MOS管Q4的漏极接地； 驱动芯片U2对由外部输入的TTL信号进行处理，然后输出至后级功率MOS管Q3和MOS管Q4的栅极，以控制后级功率MOS管Q3导通或关断。
5.根据权利要求4所述的有源相控阵雷达T/R组件的调制脉冲驱动电路，其特征在于，所述稳压电路包括第二三极管Q2、稳压管D3、第十电阻RlO和第十一电阻R11，其中，第二三极管Q2的基极通过稳压管D3接地并通过第^^一电阻Rll连接Vcc端，第二三极管Q2的集电极通过第十电阻RlO连接Ncc端，所述第二三极管Q2的发射极作为稳压电路的输出端。
6.根据权利要求5所述的有源相控阵雷达T/R组件的调制脉冲驱动电路，其特征在于，所述稳压电路还包括连接于Vcc端和接地端之间的第二输入滤波电容C5。
【专利摘要】本实用新型涉及一种有源相控阵雷达T/R组件的调制脉冲驱动电路，包括：负压转换电路，将输入的正电压转换为负电压后输出；脉冲驱动电路，包括对输入的前级TTL信号进行处理的驱动芯片U2及在驱动芯片U2控制下导通或关断的后级功率MOS管；以及负压开关电路，其根据负压转换电路负压输出端的输出电压值控制脉冲驱动电路开通或关断，包括第一三极管Q1，第一三极管Q1的基极通过第一电阻R1接地、发射极通过第一二极管D1连接负压转换电路的负压输出端、集电极依次通过串联的第二电阻R2和第三电阻R3连接至工作电压端VDD端，第二电阻R2和第三电阻R3之间还接设有连接至驱动芯片U2使能端的DIS端。本实用新型简化了电路结构，体积小，且调制脉冲输出电流大，压降小。
【IPC分类】H03K19-00
【公开号】CN204498094
【申请号】CN201520185773
【发明人】李加取, 元金皓, 李迪伽, 洪秀珍, 魏毅鹏, 陈昌杰, 刘未
【申请人】深圳市振华微电子有限公司
【公开日】2015年7月22日
【申请日】2015年3月30日