Cmos影像传感器与提供影像传感器的列控制信号的方法

专利名称：Cmos影像传感器与提供影像传感器的列控制信号的方法
技术领域：
本发明是有关于一种互补式金氧半导体(CM0Q影像传感器与提供影像传感器的列控制信号的方法，且特别是有关于降低相邻的列控制信号之间分流噪声(Partition Noise)与干扰的结构。
背景技术：
影像传感器是一种半导体元件，其可将光学影像转换成电子信号。一种这样的影像传感器为互补式金氧半导体(以下称为“CMOS”)影像传感器。CMOS影像传感器包含多个利用CMOS制程所制作的单元像素(Unit Pixel)。每一单元像素包含一光电二极管 (Photodiode)、以及三或四个MOS晶体管来驱动单元像素。CMOS影像传感器利用CMOS技术，其是使用一控制电路与一信号处理电路来作为周边电路。在制作各种影像传感器时，已经作了很多了尝试想增加感光性。其中一个尝试为光学积分技术(Light Integrating Technology) 0举例而言，CMOS影像传感器包含感测光的一光电二极管、以及将所感测到的光处理成电子数据信号的一 CMOS逻辑电路。为了增加感光性，已试图增加填充系数(Fill factor)。填充系数为光电二极管相对于影像传感器的总面积的比。图1是绘示一种CMOS影像传感器的单元像素的电路图，其中此单元像素包含四个晶体管，图1是转载自Bae等人所有的美国已公开的申请案编号第2006/0186504A1号，在此引用该申请案全体作为本说明书的揭露内容。如图所示，影像传感器的单元像素包含构成PNP接面、PNPN接面或等等的光电二极管PD ；转移晶体管TX ；浮动传播节点(Floating Diffusion Node)FD ；重置晶体管(Reset Transistor)RX ；驱动晶体管(Drive Transistor) DX;以及选择晶体管(Select Transistor) SX0光电二极管PD接收来自一物体的光，以产生对应的电子电洞对，亦即光生电荷(Photogenerated Charges)。当转移晶体管TX开启时，转移晶体管TX将聚积在光电二极管PD的光生电荷转移至浮动传播节点FD。当转移晶体管TX开启时，浮动传播节点FD接收转移自转移晶体管TX的光生电荷。响应于重置信号，重置晶体管RX将浮动传播节点FD的电压重调至电源电压VDD准位。开启驱动晶体管 DX的闸极的量是随着对应于转移自浮动传播节点FD的光生电荷的电子信号而变化，因此驱动晶体管DX相称于光生电荷的量而输出电子信号。选择晶体管SX根据一选择信号而开启，且透过驱动晶体管DX而输出单元像素的一信号。如图1所示，参考数字LX表示负载晶体管。浮动传播节点FD具有预设的电容Cfd。从图1的单元像素获得一输出电压VOUT的操作原理描述于下。首先，关闭转移晶体管TX、重置晶体管RX与选择晶体管SX。同时，光电二极管PD 处于全空乏(fully depleted)状态。启动光积分(light integration)，以收集光电二极管PD处的光生电荷。于一段适当的光积分时间后，在重置晶体管RX开启时，重置浮动传播节点FD的电压。接着，开启选择晶体管SX。同时，测量重置操作下的单元像素的第一输出电压VI。所测量的值代表浮动传播节点FD的电压的DC准位位移(level shift)。接着，开启转移晶体管TX，如此一来，将光电二极管PD处的所有光生电荷转移至浮动传播节点FD。接下来，关闭转移晶体管TX。此时，测量因转移至浮动传播节点FD的电荷所形成的第二输出电压V2。输出电压VOUT为光生电荷的转移结果，且得自于第一输出电压Vl与第二输出电压V2之间的差。输出电压VOUT单纯为噪声之外的一个信号电压。此方法称为相关双取样 (Correlated Double Sampling ；CDS)。转移晶体管TX将光生电荷转移至浮动传播节点FD。同时，当施加在转移晶体管的闸极的转移控制信号从「高」逻辑准位下降至「低」逻辑准位时，亦即当转移晶体管从开启状态改变至关闭状态时，转移晶体管TX具有多个问题。当转移控制信号的下降时间 (Falling Time)短时，可发生电荷注入(Chargehjection)浮动传播节点FD。电荷注入在多个像素中个别发生。因此，从外侧看时，似乎有噪声发生。此现象称为分流噪声。既然分流噪声在屏幕上被视为噪声，因此分流噪声作为降低影像传感器的性能的的一个因素。图2绘示具有传统缓冲器12与像素阵列14的习知CMOS影像传感器10。像素阵列14具有m个数量的列与η个数量的行的单元像素P，虽然为了容易说明而仅绘示出两列像素。缓冲器12将多个列控制信号，例如TX、RX与SX，从列控制电路传递至像素阵列14。 为了容易说明，图2绘示出分别供应自驱动器Dctci与Dct1的转移控制信号1 与TX115传统的缓冲器12包含多个反向器(Inverter)，用以将转移控制信号I^1与TXm传递至数列像素。 若没有回转率控制(Slew Rate Control)提供于缓冲器12中来控制控制信号(例如，TX) 从高至低的转换斜率，受到寄生导线电阻R与寄生电容C的影响，可能会发生如在个别像素 (即，TXm
至TXm [η])处可见的控制信号的广分布斜率，如图3Α所示。特别是，图3Α绘示出没有回转率控制应用在缓冲器12中的模拟结果。可从斜率线22看出，在控制信号ΤΧ
至ΤΧ[η]之下转换(down transition)的斜率上有广分布，而导致在个别像素上的不同电荷注入与频率馈入(clock-feedthrough)，而以分流噪声显示出。当回转率控制应用在缓冲器12中时，实现出控制信号下斜率的窄分布，如图:3B的斜率线M所示。Bae等人描述了多种缓冲器12的回转率控制方法，可改善CMOS影像传感器的分流噪声。特别是，这些实施例增加了应用在转移晶体管的闸极的转移控制信号的下降时间。 在第一实施例中，如图4所示，借由缩减缓冲器12的CMOS反向器的NMOS晶体管m的宽/ 长比(W/L ratio)，可增加控制信号的下降时间。特别是，借由增加长度L或减少宽度W，可增加经过晶体管m的电阻，即减少电流，进而增加了转移控制信号的下降时间。同时，闸极电极的宽度W与元件的设计规则有关。因此，当NMOS晶体管的宽度固定时，一种无需修改设计规则的降低W/L比的方法为增加闸极电极的长度L。图5绘示出Bae等人所揭露的第二种回转率控制方法，此方法包含串连一些NMOS 晶体管(例如，晶体管W至N4)，以获得所需的下降时间。Raj Sundararaman等人所申请的美国专利公开编号2007/0001101A1揭露出一种回转率控制替代方法，在此引用该申请案全体作为本说明书的揭露内容。Simdararaman等人利用偏压控制(bias control)来控制控制信号的回转率，以降低CMOS影像传感器的分
流噪声。另一应用CMOS影像传感器会引发的重要问题为，因相邻列之间的寄生耦合电容(在图2中以Cc标记)，而导致相邻列之间的控制信号的耦合。以上所讨论的习知技术提出了分流噪声的问题，但没提出耦合噪声或可归因于这些寄生电容的其它问题。事实上，习知技术的回转率控制方法可能会恶化与列之间相邻信号的耦合有关的问题。举例而言，在一些习知技术的方法中，缓冲器12的NMOS晶体管为了要提供所需的回转率，而具有高启动电阻。一未选取的列在其静态下应被拉低。然而，由于在驱动器中的高NMOS电阻，使得维持此未选取列状态的这些控制信号很弱，来自作用(active)列的相邻信号容易耦合至非作用(inactive)列。这样会造成漏电流或甚至是CMOS影像传感器的不适当操作。需要一种CMOS传感器的驱动器，可降低分流噪声，且可同时将相邻列之间的电容耦合的负面效应减到最轻。

发明内容
因此，本发明的一目的是在提供一种CMOS影像传感器与提供影像传感器的列控制信号的方法，其可借由回转率控制来缩减分流噪声，且可降低因相邻列之间的控制信号耦合所导致的耦合噪声。本发明的另一目的就是在提供一种CMOS影像传感器与提供影像传感器的列控制信号的方法，其可借由将选取/作用列置于适用于最小化分流噪声的状况下、以及将未选取/非作用(静态)列置于适用于降低从作用列至邻近列的信号的耦合的状况下，可降低耦合噪声。本发明的又一目的就是在提供一种CMOS影像传感器与提供影像传感器的列控制信号的方法，其提供一改良的缓冲器，此缓冲器可提供健全的控制信号，因此可较不敏感于内部列(intra-row)扰乱。根据本发明一实施方式的一种CMOS影像传感器，包含一像素阵列，包含具有多个个别单元像素列的多个单元像素，这些个别单元像素列耦合至各自的列控制信号线；以及一缓冲器，包含多个列控制信号驱动器。每一驱动器耦合至各自的列控制信号线，且当控制信号线处于作用状态时，响应于一输入脉波，提供列控制信号脉波给各自的列控制信号线，以及当各自的列控制信号线处于非作用状态时，将列控制信号线偏压于接地电压。每一驱动器在列控制信号线处于作用状态时，具有第一驱动能力，且在列控制信号线处于非作用状态时，具有大于第一驱动能力的第二驱动能力。根据本发明一实施方式的一种提供影像传感器的列控制信号的方法，该影像传感器包含一像素阵列，该像素阵列包含多个单元像素排列成多列与多行，个别的该些列的该些单元像素耦合至各自的列控制信号线，该方法包含当一选取的列控制信号线处于一作用状态时，提供具有一低回转率的一控制信号给该选取的列控制信号线，且该选取的列控制信号线处于一非作用状态时，将相邻的该些列控制信号线维持在一低电压，提供该低回转率的该控制信号的步骤包含以具有一第一驱动能力的一驱动器，来驱动该选取的列控制信号线，以及将相邻的该些列控制信号线维持在该低电压的步骤包含以具有一第二驱动能力的一驱动器，来驱动相邻的该些列控制信号线，其中该第二驱动能力大于该第一驱动能力，其中该影像传感器是一 CMOS影像传感器。本发明的实施例的优点为可借由回转率控制来缩减分流噪声、以及降低因相邻列之间的控制信号耦合所导致的耦合噪声。此外，借由将选取/作用列置于适用于最小化分流噪声的状况下、以及将未选取/非作用(静态)列置于适用于降低从作用列至邻近列的信号的耦合的状况下，可降低耦合噪声。另外，可提供一种改良缓冲器，以有效降低内部列的扰乱。从以下结合所附附图所作的本发明较佳实施例的详细描述，可对本发明的上述与其它特征有更佳的了解。


所附附图绘示本发明的较佳实施例以及与本揭露有关的其它信息，其中图1是绘示一种习知技术CMOS影像传感器的单元像素的电路图；图2是绘示具有连接至像素阵列的列驱动缓冲器的一种习知技术CMOS影像传感器的电路图；图3A是绘示在没有应用回转率控制来缩减分流噪声时，图2所示的类型的影像传感器的列控制电路模拟的曲线图；图:3B是绘示在应用回转率控制来缩减分流噪声时，图2所示的类型的影像传感器的列控制电路模拟的曲线图；图4是绘示在习知技术CMOS影像传感器的缓冲器中的一种反向器的驱动器的电路图；图5是绘示在习知技术CMOS影像传感器的缓冲器中的一种替代反向器的驱动器的电路图；图6是绘示一种CMOS影像传感器的电路图，其图标出一种同时降低分流噪声与耦合电容噪声的列控制信号驱动方法；图7A是绘示本发明的缓冲器的一实施例的电路图；图7B是绘示图7A的缓冲器的操作的时序图；图8A是绘示本发明的缓冲器的一替代实施例的电路图；图8B是绘示图8A的缓冲器的操作的时序图；图9A是绘示本发明的缓冲器的另一替代实施例的电路图；图9B是绘示图9A的缓冲器的操作的时序图；图10A是绘示本发明的缓冲器的又一替代实施例的电路图；图10B是绘示图10A的缓冲器的操作的时序图；
图11是绘示一种列解码架构。主要附图标记说明10 =CMOS影像传感器 12 缓冲器 14 像素阵列 22 斜率线 24 斜率线 62 缓冲器 63a 驱动器 63b 驱动器 64:阵列 72 驱动器 72A 驱动器 72B 驱动器 72C 驱动器74 闸极76:闸极 100 =CMOS影像传感器
具体实施例方式结合所附附图来阅读多个示范实施例的描述，其中所附附图为整份书面描述的一部分。有关电性连通、耦合等等，例如「连接(connected)」与「交互连接 (interconnected)」，表示一种关系，其中结构不是直接，就是透过中间结构而间接与另一结构连通，除非明确描述。以下结合附图描述一种改良的影像传感器，例如CMOS影像传感器。在传感器的多个实施例中，CMOS影像传感器是配置来降低CMOS影像传感器的分流噪声与相邻列控制信号之间的扰乱。图6是绘示本发明的一实施例的CMOS影像传感器100的电路图，CMOS影像传感器100具有提供多个列控制信号的缓冲器62、以及具有相邻列控制信号线X与Y的像素阵列64。在仅绘示两列控制信号线X与Y且仅针对行(0至幻下，应该可了解到，这样仅是为了说明的简易性。阵列可包含任意数量的列与行。举例而言，一典型阵列可包含1200列与 1600行。此外，缓冲器62可提供任意的列控制信号，例如上述单元像素的转移晶体管(TX)、 重置晶体管(RX)、选择晶体管(SX)、或驱动晶体管(DX)的控制信号。这些控制信号通常绘示成控制信号\至& (对于列控制信号线X)与Ytl至Y3 (对于列控制信号线Y)。在一示范实施例中，列控制信号为转移晶体管TX的控制信号，然本发明并未如此限制。缓冲器62包含与阵列64的每一列控制信号线有关的CMOS驱动器/反向器。缓冲器62响应于输入脉波信号Vin1与Vin2等，而提供脉冲的列控制信号X (以列控制信号\ 至Xn标示在列X的像素PO至Pn处)与Y (以列控制信号Ytl至Yn标示在列Y的像素PO至 Pn处)。缓冲器62显示成具有反向器驱动器63a与63b。每个驱动器63a与6 配置成在一选取列处于作用状态时，具有低驱动能力，借以提供低回转率来降低分流噪声。每个驱动器63a与6 亦配置成在其所连接的列为非作用状态时，具有较高的驱动能力。较高的驱动能力有助于将非作用列维持在低DC值(例如，地或邻近于地)，以降低耦合引发的噪声。在例示的实施例中，借由耦合在列控制信号线(即，CMOS反向器的输出)与低轨电源供应节点(low rail power supply node)(例如，地或Vss)之间的辅助拉降(pull down)晶体管N2的加入，可部分地提供此双重驱动能力。控制NMOS晶体管N2的间极偏压，以调整驱动器63a与63b的驱动能力。按一定尺寸将主拉降晶体管m制作(或架构)成具有高开启电阻，其中高开启电阻控制列控制信号的回转率，以降低分流噪声。在多个实施例中， 按一定尺寸将NMOS晶体管N2制作或架构成具有较低开启电阻，NMOS晶体管N2因此具有将未选取的列线维持在静态，即降低来自相邻作用列控制信号在线的控制信号的耦合敏感性，所需的较高的驱动电流。举例而言，假设列X处于作用状态(瞬时)，则驱动器63a的 NMOS晶体管N2关闭。驱动器63a的晶体管m控制控制信号的下斜率回转率。既然列X为作用，列Y则为非作用。如此，驱动器63b的辅助NMOS晶体管N2开启。这样可将列线Y驱动至低DC电压(例如，地)，且帮助将列线Y维持在DC准位，以抵销从列X至列Y的控制信号的任何电容耦合。基本上，以一低驱动能力的驱动器来驱动作用列控制信号，以帮助降低分流噪声；而以一高驱动能力的驱动器来驱动邻近静态列控制信号，以降低耦合效应。模拟已确认上述缓冲器架构的运作可同时降低分流噪声与耦合噪声。已观察到每一像素处的列控制信号的斜率具有良好的均勻性，其描绘出降低分流噪声、以及作用列控制信号线与相邻的列控制信号线之间的信号耦合的峰值超过70%的缩减的运作。图7A是绘示如以上所讨论的列控制信号驱动器72的一种特殊实施，用以对付分流噪声与耦合噪声，而图7B是绘示图7A的驱动器的操作的时序图。图7A的控制信号驱动器72包含上述所讨论的标准反向器驱动器，此标准反向器驱动器由一对NMOS晶体管N1/PM0S晶体管Pl所构成。其中，PMOS晶体管Pl的闸极端点和汲极端点与NMOS晶体管m耦合在一起。将一额外的拉降晶体管NMOS拉降晶体管N2耦合至反向器的输出，此反向器耦合至给定的列控制信号线，控制NMOS晶体管N2，以确保在列控制信号线处于作用状态时，其是处于关闭状态，最重要的是在控制信号从低转变至高状态下，且当列控制信号线为非作用时，开启NMOS晶体管N2，反之亦然。提供一控制电路， 以响应于代表一列像素的选取的地址(ADDRESQ信号，而适当地偏压NMOS晶体管N2。在一实施例中，控制电路包含反及(NAND)闸极74与76。NAND闸极74的输出耦合至N1/P1反向器的输入，且NAND闸极76的输出耦合至NMOS晶体管N2的闸极端点。NAND闸极74具有耦合至地址信号ADDRESS与信号IN的多个输入。应了解到的是，信号ADDRESS为来自列译码器的输出信号。信号IN代表一控制信号，如信号TX、RST或SELECT。信号IN_A为回转率控制的一外加信号。列解码架构的一个例子绘示在图11中，且将为在此技术领域中具有通常知识者所熟知。NAND闸极76亦具有耦合至信号ADDRESS的一输入，且具有耦合至信号—第二输入。(时序图绘示出当电路处于非作用状态(inactive)，此时m与 N2均开启。当电路由非作用状态(inactive)进入作用状态(active)，N2必需关闭。)在此实施例中，较佳的是，Nl为一小元件，用以提供低回转率，而N2为一相对较大的元件，用以将列控制信号线维持在地。也就是说，在瞬时完成后，N2必须处于开启状态。IN与IN_A 之间的时序间隙应为多个频率(clock)长，例如25毫微秒(ns)。图8A与图8B是绘示列控制信号驱动器的一替代实施例。图8A是驱动器72A的电路的电路图，而图8B是绘示图8A的驱动器72A的电路的操作的时序图。如图7A的实施例， 驱动器包含反向器(N1/P1)以及一对NAND闸极74与76。其中，PMOS晶体管Pl的闸极端点和汲极端点与NMOS晶体管m耦合在一起。不像图7A的实施例，驱动器72A包含连接在 Nl的源极端点与地之间的NMOS晶体管N3。NAND闸极76配置来在两不同正偏压准位(Vhigh 与V1ot)之间进行选取，以控制NMOS晶体管N3的驱动能力。请参照图8B，信号ADDRESS、IN、 IN_A*0UT与图7B所示者相同。从图8B可看出，当列控制信号线处于作用(在瞬时中) 时，选取低偏压(V1ot)来驱动N3。在此期间，N3开启，但N3的驱动能力低，而提供回转率控制。当列控制信号线处于非作用时，选取高偏压(Vhigh)来增加N3的驱动能力，因而提供较高的驱动电流来将信号OUT需动至地，而降低来自于邻近列控制信号线的耦合效应。在VDD 为2. 8V的实施例中，Vhigh可为1. 5V，而Vlw可为0. 8V。图9A是绘示列控制信号驱动器72B的另一替代实施例的电路图，而图9B是绘示图9A的驱动器72B的操作的时序图。如图7A与图7B的实施例，驱动器72B包含由一对 NM0S/PM0S N1/P1所构成的反向器、第一 NAND闸极74以及第二 NAND闸极76。利用信号 IN、ADDRESS与IN_A，以相同于驱动器72与72A的方式，控制这些NAND闸极。类似于驱动器72A，驱动器72B包含连接在NMOS附的源极与地之间的NMOS N3。然而，以信号Vbias来偏压N3的闸极端点。Vbias为固定电压，且其目的为控制电路的回转率。晶体管N4用以在当电路处于非作用时，来拉降信号，且晶体管N4大于m与N3。晶体管N3与图8A的对应晶体管具有相似的尺寸。在多个实施例中，Vbias设定在介于约0.5V至0.8V之间。NAND闸极 76的输出供应至NMOS N4的闸极端点，其中NMOS N4亦耦合在NMOS Nl的源极与地之间。图IOA是绘示列控制信号驱动器72C的另一替代实施例的电路图，而图IOB是绘示图IOA的驱动器72C的操作的时序图。如驱动器72、驱动器72A与驱动器72B，驱动器 72C包含反向器(即一对NM0S/PM0S N1/P1)、以及一对NAND逻辑闸极74与76。匪OS N3 耦合在NMOS Nl的源极与地之间，且如上结合图9A所作描述般，利用偏压Vbias来加以偏压。 Nl与N3的尺寸如上结合图8A与图9A所作描述般。如上结合图7A所作描述及估算尺寸的 NMOS N2耦合在反向器的输出与地之间，且具有由NAND闸极76的输出所控制的闸极端点。如上所述，在此提供一缓冲器，而可借由回转率控制来缩减分流噪声、以及降低因相邻列之间的控制信号耦合所导致的耦合噪声。借由将选取/作用列置于适用于最小化分流噪声的状况下、以及将未选取/非作用(静态)列置于适用于降低从作用列至邻近列的信号的耦合的状况下，可降低耦合噪声。此外，改良的缓冲器有效降低内部列的扰乱。一个列阵列具有多个控制信号，例如 TX、SELECT、RST。控制信号ΤΧ
可为SELECT
或RST
所妨碍。缓冲器设计提供健全的控制信号，可较不敏感于此种内部列扰乱。虽然本发明已以示范实施例描述如上，然其并非用以限定本发明。相反地，应广泛地解释所附的申请专利范围，以包含熟习此技艺者可能在不脱离本发明的等效范围所做的本发明的其它各种变化与实施例。
权利要求
1.一种CMOS影像传感器，其特征在于，包含一像素阵列，包含多个单元像素排列成多列与多行，个别的该些列的该些单元像素耦合至各自的列控制信号线；以及一缓冲器，包含多个列控制信号驱动器，每一该些列控制信号驱动器耦合至该些列控制信号线中各自的一者，每一该些列控制信号驱动器装配来当各自的该控制信号线处于一作用状态时，响应于一输入脉波，提供一列控制信号脉波给各自的该列控制信号线、以及装配来当各自的该列控制信号线处于一非作用状态时，将该列控制信号线偏压于一接地电压，其中，每一该些列控制信号驱动器在该列控制信号线处于该作用状态时，具有一第一驱动能力，且在该列控制信号线处于该非作用状态时，具有大于该第一驱动能力的一第二驱动能力。
2.根据权利要求1所述的CMOS影像传感器，其特征在于，每一该些列控制信号驱动器包含一反向器，具有一输入用以接收该输入脉波、以及一输出耦合至各自的该列控制信号线；以及一开关，耦合在各自的该列控制信号线与一接地节点之间，其中控制该开关以在该列控制信号线处于该非作用状态时，增加该列控制信号驱动器的该第二驱动能力，其中该反向器包含一 PMOS晶体管耦合在一电压供应节点与各自的该列控制信号线之间、以及一第一 NMOS晶体管耦合在各自的该列控制信号线与该接地节点之间，其中该开关包含一第二 NMOS晶体管耦合在各自的该列控制信号线与该接地节点之间。
3.根据权利要求2所述的CMOS影像传感器，其特征在于，该第一NMOS晶体管具有低于该第二 NMOS晶体管的驱动能力。
4.根据权利要求2所述的CMOS影像传感器，其特征在于，每一该些列控制信号驱动器还包含一控制电路，用以提供一控制信号给该第二 NMOS晶体管的一闸极端点，该控制信号在该列控制信号线处于该作用状态时，将该第二 NMOS晶体管偏压至一关闭状态，以及在该列控制信号线处于该非作用状态时，将该第二 NMOS晶体管偏压至一开启状态。
5.根据权利要求2所述的CMOS影像传感器，其特征在于，每一该些列控制信号驱动器还包含一第三NMOS晶体管耦合在该第一 NMOS晶体管的一源极端点与该接地节点之间，该第三NMOS晶体管的一闸极端点耦合至一正电压偏压节点，以将该第三NMOS晶体管偏压至一开启状态。
6.根据权利要求1所述的CMOS影像传感器，其特征在于，每一该些列控制信号驱动器还包含一控制电路，用以在该第一驱动能力与该第二驱动能力之间切换该列控制信号驱动ο
7.根据权利要求1所述的CMOS影像传感器，其特征在于，每一该些列控制信号驱动器包含一反向器，该反向器具有一输入用以接收该输入脉波、以及一输出耦合至各自的该列控制信号线，且该反向器包含一 PMOS晶体管耦合在一电压供应节点与各自的该列控制信号线之间、以及一第一NMOS晶体管，其中该PMOS晶体管的一闸极端点和一汲极端点与该第一 NMOS晶体管耦合在一起，以形成该反向器的该输入与该输出，该列控制信号驱动器还包含一第二 NMOS晶体管耦合在该第一 NMOS晶体管的一源极端点与该接地节点之间，其中调整该第二NMOS晶体管的一闸极偏压，以控制该第二NMOS晶体管的一驱动能力，其中当该列控制信号线处于该作用状态时，该第二 NMOS晶体管的该闸极偏压设成一第一正偏压准位，以及当该列控制信号线处于该非作用状态时，该第二 NMOS晶体管的该闸极偏压设成一第二正偏压准位，该第二正偏压准位大于该第一正偏压准位，其中每一该些列控制信号驱动器还包含一控制电路，用以选择性地将该第二 NMOS晶体管的一间极端点耦合至该第一正偏压准位与该第二正偏压准位。
8.—种CMOS影像传感器，其特征在于，包含一 CMOS像素阵列，包含多个单元像素排列成多列与多行，个别的该些列的该些单元像素耦合至各自的列控制信号线；以及一缓冲器，包含多个列控制信号驱动器，每一该些列控制信号驱动器耦合至该些列控制信号线中各自的一者，每一该些列控制信号驱动器包含一反向器，该反向器用以在当该列控制信号线处于一作用状态时，响应于一输入脉波，提供一列控制信号脉波给各自的该列控制信号线，该列控制信号驱动器装配来当各自的该列控制信号线处于一非作用状态时，将该列控制信号线偏压于一接地电压，每一该些列控制信号驱动器还包含一控制器，用以控制该列控制信号驱动器的驱动能力，该列控制信号驱动器在该列控制信号线处于该作用状态时，具有一第一驱动能力，以降低分流噪声，且在该列控制信号线处于该非作用状态时，具有大于该第一驱动能力的一第二驱动能力，以降低相邻的该些列控制信号线之间的耦合效应。
9.根据权利要求8所述的CMOS影像传感器，其特征在于，每一该些列控制信号驱动器的该反向器包含一 PMOS晶体管、以及一第一 NMOS晶体管耦合在一电源供应节点与一接地节点之间，且每一该些列控制信号驱动器还包含一第二 NMOS晶体管耦合在各自的该列控制信号线与该接地节点之间，其中该控制器具有一输出耦合至该第二 NMOS晶体管的一闸极端点，其中该控制器响应于一地址控制信号与一回转率控制信号，而在该列控制信号线处于该非作用状态时，开启该第二 NMOS晶体管，且在该列控制信号线处于该作用状态时，关闭该第二 NMOS晶体管。
10.一种提供影像传感器的列控制信号的方法，其特征在于，该影像传感器包含一像素阵列，该像素阵列包含多个单元像素排列成多列与多行，个别的该些列的该些单元像素耦合至各自的列控制信号线，该方法包含当一选取的列控制信号线处于一作用状态时，提供具有一低回转率的一控制信号给该选取的列控制信号线，且该选取的列控制信号线处于一非作用状态时，将相邻的该些列控制信号线维持在一低电压，提供该低回转率的该控制信号的步骤包含以具有一第一驱动能力的一驱动器，来驱动该选取的列控制信号线，以及将相邻的该些列控制信号线维持在该低电压的步骤包含以具有一第二驱动能力的一驱动器，来驱动相邻的该些列控制信号线，其中该第二驱动能力大于该第一驱动能力， 其中该影像传感器是一 CMOS影像传感器。
全文摘要
本发明公开了一种CMOS影像传感器与提供影像传感器的列控制信号的方法，其中所述互补式金氧半导体(CMOS)影像传感器，其包含一像素阵列包含具有多个个别单元像素列的多个单元像素耦合至各自的列控制信号线；以及一缓冲器包含多个列控制信号驱动器。每一驱动器耦合至各自的列控制信号线，且装配来当控制信号线处于作用状态时，响应于一输入脉波，提供列控制信号脉波给各自的列控制信号线，以及装配来当各自的列控制信号线处于非作用状态时，将列控制信号线偏压于接地电压。每一驱动器在列控制信号线处于作用状态时，具有第一驱动能力，且在列控制信号线处于非作用状态时，具有大于第一驱动能力的第二驱动能力。
文档编号H04N5/374GK102377954SQ20111000522
公开日2012年3月14日 申请日期2011年1月6日 优先权日2010年8月18日
发明者周国煜, 赵亦平 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司