半导体装置、半导体装置的驱动方法及电子设备的驱动方法与流程

文档序号:11852730阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种用于驱动半导体装置的方法,所述半导体装置包括第一电路、第二电路和第六晶体管,所述方法包括第一至第四步骤,

其中,所述第一电路包括第一光电转换元件、第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管,

其中,所述第二电路包括第二光电转换元件、第四晶体管和第五晶体管,

其中,所述第一光电转换元件电连接到所述第一晶体管的源极和漏极中的一个,

其中,所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到所述第二晶体管的源极和漏极中的一个,

其中,所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第一节点,

其中,所述第三晶体管的栅极电连接到所述第一节点,

其中,所述第二光电转换元件电连接到所述第四晶体管的源极和漏极中的一个,

其中,所述第四晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第二节点,

其中,所述第五晶体管的栅极电连接到所述第二节点,

其中,所述第六晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第二晶体管的源极和漏极中的一个,

其中,所述第六晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第四晶体管的源极和漏极中的一个,

其中,在所述第一步骤中,所述第一晶体管和所述第四晶体管都处于断开状态,

其中,在所述第一步骤中,所述第二晶体管和所述第六晶体管都处于接通状态,

其中,在所述第一步骤中,对应于由所述第二光电转换元件接收的光量的第一电位被写入到所述第一节点,

其中,在所述第二步骤中,所述第一晶体管和所述第二晶体管都处于断开状态,

其中,在所述第二步骤中,所述第四晶体管和所述第六晶体管都处于接通状态,

其中,在所述第二步骤中,对应于由所述第二光电转换元件接收的光量的第二电位被写入到所述第二节点,

其中,在所述第三步骤中,对应于所述第一电位的数据通过所述第三晶体管被读出,

其中,在所述第四步骤中,对应于所述第二电位的数据通过所述第五晶体管被读出,以及

其中,在所述第一步骤及所述第二步骤结束之后进行所述第三步骤和所述第四步骤。

2.根据权利要求1所述的用于驱动半导体装置的方法,其中所述第一晶体管包含氧化物半导体。

3.根据权利要求1所述的用于驱动半导体装置的方法,其中所述第二晶体管和所述第四晶体管都包含氧化物半导体。

4.根据权利要求1所述的用于驱动半导体装置的方法,其中所述第六晶体管包含氧化物半导体。

5.根据权利要求1所述的用于驱动半导体装置的方法,其中所述第一至第六晶体管都是n沟道晶体管。

6.根据权利要求1所述的用于驱动半导体装置的方法,其中所述第一至第六晶体管都是p沟道晶体管。

7.根据权利要求1所述的用于驱动半导体装置的方法,其中所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件都是pin结。

8.一种用于驱动包括透镜、显示部和所述半导体装置的电子设备的方法,其中所述半导体装置使用根据权利要求1所述的用于驱动半导体装置的方法。

9.一种半导体装置,包括:

第一电路;

第二电路;以及

第五晶体管,

其中,所述第一电路包括第一光电转换元件、第一晶体管和第二晶体管,

其中,所述第二电路包括第二光电转换元件、第三晶体管和第四晶体管,

其中,所述第一光电转换元件电连接到所述第一晶体管的源极和漏极中的一个,

其中,所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第一节点,

其中,所述第二晶体管的栅极电连接到所述第一节点,

其中,所述第二光电转换元件电连接到所述第三晶体管的源极和漏极中的一个,

其中,所述第三晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第二节点,

其中,所述第四晶体管的栅极电连接到所述第二节点,

其中,所述第五晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第一晶体管的源极和漏极中的一个,以及

其中,所述第五晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第三晶体管的源极和漏极中的一个。

10.根据权利要求9所述的半导体装置,其中所述第一至第四晶体管都包含氧化物半导体。

11.根据权利要求9所述的半导体装置,其中所述第五晶体管包含氧化物半导体。

12.根据权利要求9所述的半导体装置,其中所述第一至第五晶体管都是n沟道晶体管。

13.根据权利要求9所述的半导体装置,其中所述第一至第五晶体管都是p沟道晶体管。

14.根据权利要求9所述的半导体装置,其中所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件都是pin结。

当前第2页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1