移动终端以及克服晶体老化的搜网方法与流程

本发明涉及移动终端克服晶体老化技术领域，特别是涉及一种移动终端以及克服晶体老化的搜网方法。

背景技术：

在移动终端生产，销售及用户的使用过程中，如刷机等，移动终端的各项射频指标会随着用户的使用环境及使用时间发生变化，尤其是晶体老化引起的频率精度这项指标。其他指标的变化客户端不容易感知，不影响正常的通信功能。如果频率精度出现异常，会导致移动终端失去通信功能，对用户体验，品牌影响力及售后都会带来负面的影响。

目前的移动终端在出厂时进行一次校准，后续的任何操作都不能破坏这份参数。部分厂商也会要求将移动终端的配置参数(即golden参数)写入代码。即使这份参数丢失，可以调用代码中的设定，功能也基本能够保证OK，不用返厂，例如刷机操作失误等等。

但是频率精度会随着晶体的老化发生频偏，校准与集成golden参数的方式都无法完全避免失效的概率，由于时间的增加，或者晶体本身的一致性问题，会概率性出现异常。此类问题目前的解决方法是移动终端返厂，拆机使用仪器进行校准，耗费大量的人力，物力。

技术实现要素：

本发明实施例提供了一种移动终端以及克服晶体老化的搜网方法，能够有效解决晶体老化或晶体批次不良导致无法搜网的问题，进而扩大搜网应用场景。

本发明提供一种克服晶体老化的搜网方法，包括：调用存储在易失性随机访问存储器中的第一区域的参数进行搜网；如果搜网失败，则调用存储在易失性随机访问存储器中的第二区域的参数进行搜网；如果搜网次数大于第一预设值，则重新获取参数并进行搜网；如果搜网成功，则将第一区域的参数更新为重新获取的参数。

其中，存储在第一区域的参数的初始值与存储在第二区域的参数相同。

其中，参数包括电容阵列的电容和变容二极管的电容，改变电容阵列的电容用于粗调参数；改变变容二极管的电容用于细调参数。

其中，重新获取参数并进行搜网的步骤包括：以预设的步进调整电容阵列的电容进行搜网使频率误差最小；对变容二极管的电容进行校准并进行搜网使频率误差趋于零。

其中，对变容二极管的电容进行校准的步骤包括：如果变容二极管的电容的值与变容二极管的电容的变化范围中间的值之差超出预设范围，则调整变容二极管的电容的变化范围中间的值处于变容二极管的电容的变化范围的中间位置。

其中，如果调用存储在第二区域的参数搜网成功，则将第一区域的参数更新为第二区域的参数。

本发明还提供一种移动终端，包括：第一搜网模块，用于调用存储在易失性随机访问存储器中的第一区域的参数进行搜网；第二搜网模块，与第一搜网模块连接，用于如果搜网失败，则调用存储在易失性随机访问存储器中的第二区域的参数进行搜网；第三搜网模块，与第二搜网模块连接，用于如果搜网次数大于第一预设值，则重新获取参数并进行搜网；参数更新模块，与第三搜网模块连接，用于如果搜网成功，则将第一区域的参数更新为重新获取的参数。

其中，存储在第一区域的参数的初始值与存储在第二区域的参数相同。

其中，参数包括电容阵列的电容和变容二极管的电容，改变电容阵列的电容用于粗调参数；改变变容二极管的电容用于细调参数。

其中，第三搜网模块用于：以预设的步进调整电容阵列的电容进行搜网使频率误差最小；对变容二极管的电容进行校准并进行搜网使频率误差趋于零。

其中，第三搜网模块还用于：如果变容二极管的电容的值与变容二极管的电容的变化范围中间的值之差超出预设范围，则调整变容二极管的电容的变化范围中间的值处于变容二极管的电容的变化范围的中间位置。

其中，参数更新模块还用于：如果第二搜网模块调用存储在第二区域的参数搜网成功，则将第一区域的参数更新为第二区域的参数。

通过上述方案，本发明的有益效果是：本发明通过调用存储在易失性随机访问存储器中的第一区域的参数进行搜网；如果搜网失败，则调用存储在易失性随机访问存储器中的第二区域的参数进行搜网；如果搜网次数大于第一预设值，则重新获取参数并进行搜网；如果搜网成功，则将第一区域的参数更新为重新获取的参数，能够有效解决晶体老化或晶体批次不良导致无法搜网的问题，进而扩大搜网应用场景。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：

图1是本发明第一实施例的克服晶体老化的搜网方法的流程示意图；

图2是本发明第二实施例的克服晶体老化的搜网方法的流程示意图；

图3是本发明实施例的移动终端的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1是本发明第一实施例的克服晶体老化的搜网方法的流程示意图。如图1所示，克服晶体老化的搜网方法包括：

步骤S10：调用存储在易失性随机访问存储器中的第一区域的参数进行搜网。

在本发明实施例中，参数为自动频率控制(automatic frequency control，AFC)参数，能够影响移动终端的频率精度，进而影响移动终端的搜网。控制移动终端的频率的精度是通过改变晶体的负载电容来实现，而改变负载电容可以有两种方式：改变电容阵列(CAPID)的电容，或改变变容二极管(AFC DAC)的电容。因此，参数包括电容阵列的电容和变容二极管的电容。其中改变电容阵列的电容用于粗调参数；改变变容二极管的电容用于细调参数。第一电容参数的精度优选为0.25ppm/CAPID，对应的范围优选为0-255。变容二极管的电容的精度优选为0.008ppm/DAC，对应的范围优选为0-8191。

在本发明实施例中，易失性随机访问存储器中的第一区域中存放的是临时的电容阵列(CAPID)的电容和变变容二极管(AFC DAC)的电容，其值是可以根据搜网的情况进行变更的。

步骤S11：如果搜网失败，则调用存储在易失性随机访问存储器中的第二区域的参数进行搜网。

在本发明实施例中，易失性随机访问存储器中的第二区域中存储的是移动终端出厂时的电容阵列(CAPID)的电容和变容二极管(AFC DAC)的电容，其值是不根据搜网的情况进行变更的。如此可以克服用户刷机等操作导致的校准数据丢失的场景。

移动终端在出厂时需要对电容阵列(CAPID)的电容和变容二极管(AFC DAC)的电容进行校准。具体地，先固定变容二极管的电容，校准电容阵列的电容，使频率误差最小，记录此时的电容阵列的电容；然后固定电容阵列的电容，校准变容二极管的电容，使频率误差趋于0，记录变容二极管的电容；将校准后的电容阵列的电容和变容二极管的电容存储在易失性随机访问存储器中的第二区域中。

第一区域中存储的电容阵列的电容和变容二极管的电容的初始值与第二区域中存储的电容阵列的电容和变容二极管的电容相同。

步骤S12：如果搜网次数大于第一预设值，则重新获取参数并进行搜网。

在本发明实施例中，以存储在易失性随机访问存储器中的第二区域的参数进行搜网。如果搜网成功，则将易失性随机访问存储器中的第一区域的参数更新为搜网的参数，即第二区域的参数。如果搜网失败，则启动计数，并在搜网次数大于第一预设值时，停止以存储在易失性随机访问存储器中的第二区域的参数进行搜网，重新获取参数再进行搜网。

具体地，以预设的步进调整电容阵列的电容进行搜网使频率误差最小；对变容二极管的电容进行校准并进行搜网使频率误差趋于零。在本发明实施例中，电容阵列的电容的步进越小，花费时间越长，搜到网络的概率越高。对应地，电容阵列的电容的步进越大，花费时间越短，搜到网络的概率越低。以全球移动通信系统(Global System for Mobile Communication，GSM)网络为例，由于GSM可以解调的频率误差为27KHz，对于GSM900为30PPM，对应分散控制系统(Distributed Control System，DCS)为15PPM，每个CAPID的对频率的影响为0.25PPM，所以间隔可以考虑取60个CAPID。考虑保留一定裕量，电容阵列的电容可以取30-40之间。在本发明实施例中，选取GSM进行搜网的原因为，国内的手机都有GSM网络，而且GSM网络能够解调更大频率误差的信号。

在本发明实施例中，优选地，以CAP ID＝45/90/135/180/225遍历GSM进行搜网，即以步进为45调整电容阵列的电容进行搜网，同时搜网次数清零。得到使频率误差最小时的电容阵列的电容。

对变容二极管的电容进行校准时，如果变容二极管的电容的值与变容二极管的电容的变化范围中间的值之差超出预设范围，则调整变容二极管的电容的变化范围中间的值处于变容二极管的电容的变化范围的中间位置。例如，以GSM为例，30AFC DAC的频率误差大约等于1CAPID的频率误差，而变容二极管的电容的变化范围中间的值，即AFC DAC的中心值为4500。如果AFC DAC-4500的绝对值超出预设范围200，则自动进行转换，保证AFC DAC处于中心位置。

步骤S13：如果搜网成功，则将第一区域的参数更新为重新获取的参数。

在步骤S13中，如果搜网成功，即移动终端能够进行拔打或接听电话，或者能够进行数据连接，则表明移动终端工作正常，此时重新获取的电容阵列的电容和变容二极管的电容是有效的，可以作为下次搜网的参考。因此将第一区域的参数更新为重新获取的参数，使得在下次开始搜网时，可以直接应用重新获取的该参数进行搜网，能够克服用户使用环境导致晶体老化，进而导致搜网慢的场景，以及用户由于晶体批次不良，不稳定导致的无法搜网的场景。另外，低端功能机具有出货量大，用户要求低的特性，校准会占用大量的时间，人力和仪器成本，移动终端的参数可以固化的移动终端内部，但是参数一致性差，会导致概率性的单体异常，通过上述方法可以利用实际网络对移动终端进行校准，可以节省大量的成本。

更详细地，参见图2，克服晶体老化的搜网方法包括：

步骤S200：调用存储在易失性随机访问存储器中的第一区域的参数进行搜网。

参数包括电容阵列的电容和变容二极管的电容。其中改变电容阵列的电容用于粗调参数；改变变容二极管的电容用于细调参数。易失性随机访问存储器中的第一区域中存放的是临时的电容阵列的电容和变变容二极管的电容，其值是可以根据搜网的情况进行变更的。而易失性随机访问存储器中的第二区域中存放的是移动终端出厂时的电容阵列的电容和变变容二极管的电容，其值是不根据搜网的情况进行变更的。移动终端出厂时，易失性随机访问存储器中的第一区域的参数的初始值与第二区域中存储的电容阵列的电容和变容二极管的电容相同。

步骤S201：判断搜网是否成功。如果是，则跳转到执行步骤S207；如果否，则执行步骤S202。

在本发明实施例中，如果只调用存储在易失性随机访问存储器中的第一区域的参数进行搜网一次即搜网成功，该搜网路径A是最常用的路径，采用的是移动终端原始的算法。

步骤S202：调用存储在易失性随机访问存储器中的第二区域的参数进行搜网。

在本发明实施例中，搜网路径B是第一次调用存储在易失性随机访问存储器中的第一区域的参数搜网失败，然后调用存储在易失性随机访问存储器中的第二区域的参数搜网成功，该路径B是对路径A的补充，功能和移动终端原始的算法相同。

步骤S203：判断搜网是否成功。如果是，则跳转到执行步骤S207；如果否，则执行步骤S204。

在本发明实施例中，如果搜网失败，还启动计数，以计算调用存储在易失性随机访问存储器中的第二区域的参数搜网的次数。

步骤S204：判断搜网次数是否大于第一预设值。如果是，则执行步骤S205；如果否，则跳转到执行步骤S200。

如果搜网次数小于第一预设值，则返回步骤S200，即依次重复调用存储在易失性随机访问存储器中的第一区域和第二区域的参数进行搜网，直到搜网成功，或搜网次数大于第一预设值。

步骤S205：重新获取参数进行搜网，并将搜网次数清零。

在步骤S205中，以预设的步进调整电容阵列的电容进行搜网使频率误差最小；对变容二极管的电容进行校准并进行搜网使频率误差趋于零。

在本发明实施例中，电容阵列的电容的步进越小，花费时间越长，搜到网络的概率越高。对应地，电容阵列的电容的步进越大，花费时间越短，搜到网络的概率越低。优选地，CAP ID＝45/90/135/180/225遍历GSM搜网，即以步进为45调整电容阵列的电容进行搜网，得到使频率误差最小时的电容阵列的电容，同时搜网次数清零。

确定频率误差最小时的电容阵列的电容后，对变容二极管的电容进行校准并进行搜网使频率误差趋于零。在对变容二极管的电容进行校准时，如果变容二极管的电容的值与变容二极管的电容的变化范围中间的值之差超出预设范围，则调整变容二极管的电容的变化范围中间的值处于变容二极管的电容的变化范围的中间位置。

在本发明实施例中，路径C为依次重复调用存储在易失性随机访问存储器中的第一区域和第二区域的参数进行多次搜网失败后，再重新获取参数进行搜网，在晶体老化到一定程度或RF参数清空后会使用该路径C，能够克服用户刷机等操作导致的校准数据丢失的场景，以及能够克服用户使用环境导致晶体老化，进而导致搜网慢的场景。

步骤S206：判断搜网是否成功。如果是，则跳转到执行步骤S207；如果否，则跳转到执行步骤S208。

步骤S207：如果能够进行拔打或接听电话，或者能够进行数据连接，则将当前搜网的参数更新到第一区域。

在本发明实施例中，如果能够进行拔打或接听电话，或者能够进行数据连接，表明移动终端工作正常，此时的进行搜网的参数，即此时的电容阵列的电容和变容二极管的电容是有效的，可以作为下次搜网的参考，使得在下次开始搜网时，可以直接应用重新获取的该参数进行搜网。如此能够克服用户使用环境导致晶体老化，进而导致搜网慢的场景，以及用户由于晶体批次不良，不稳定导致的无法搜网的场景。另外，低端功能机具有出货量大，用户要求低的特性，校准会占用大量的时间，人力和仪器成本，移动终端的参数可以固化的移动终端内部，但是参数一致性差，会导致概率性的单体异常，通过上述方法可以利用实际网络对移动终端进行校准，可以节省大量的成本。

步骤S208：搜网失败。返回步骤S200。

在步骤S208中，搜网失败，说明本轮搜网结束，返回步骤S200，开始新一轮的搜网。

图3是本发明实施例的移动终端的结构示意图，如图3所示，移动终端10包括：第一搜网模块11、第二搜网模块12、第二搜网模块13以及参数更新模块14。第一搜网模块11用于调用存储在易失性随机访问存储器中的第一区域的参数进行搜网。第二搜网模块12与第一搜网模块11连接，用于如果搜网失败，则调用存储在易失性随机访问存储器中的第二区域的参数进行搜网。第三搜网模块13与第二搜网模块12连接，用于如果搜网次数大于第一预设值，则重新获取参数并进行搜网。参数更新模块14与第三搜网模块13连接，用于如果搜网成功，则将第一区域的参数更新为重新获取的参数。

在本发明实施例中，参数为自动频率控制参数，能够影响移动终端的频率精度，进而影响移动终端的搜网。控制移动终端的频率的精度是通过改变晶体的负载电容来实现，而改变负载电容可以有两种方式：改变电容阵列的电容，或改变变容二极管的电容。因此，参数包括电容阵列的电容和变容二极管的电容。其中改变电容阵列的电容用于粗调参数；改变变容二极管的电容用于细调参数。

在本发明实施例中，易失性随机访问存储器中的第一区域中存放的是临时的电容阵列(CAPID)的电容和变变容二极管(AFC DAC)的电容，其值是可以根据搜网的情况进行变更的。而易失性随机访问存储器中的第二区域中存放的是移动终端出厂时的电容阵列的电容和变变容二极管的电容，其值是不根据搜网的情况进行变更的。移动终端出厂时，易失性随机访问存储器中的第一区域的参数的初始值与第二区域中存储的电容阵列的电容和变容二极管的电容相同。

在本发明实施例中，参数更新模块14还用于：如果第二搜网模块12调用存储在第二区域的参数搜网成功，则将第一区域的参数更新为第二区域的参数。如果第二搜网模块12搜网失败，则启动计数，并在搜网次数大于第一预设值时，停止以存储在易失性随机访问存储器中的第二区域的参数进行搜网，第三搜网模块13重新获取参数再进行搜网。

具体地，第三搜网模块13用于：以预设的步进调整电容阵列的电容进行搜网使频率误差最小；对变容二极管的电容进行校准并进行搜网使频率误差趋于零。在本发明实施例中，电容阵列的电容的步进越小，第三搜网模块13搜网花费时间越长，搜到网络的概率越高。对应地，电容阵列的电容的步进越大，第三搜网模块13搜网花费时间越短，搜到网络的概率越低。优选地，第三搜网模块13以CAP ID＝45/90/135/180/225遍历GSM进行搜网，即以步进为45调整电容阵列的电容进行搜网，同时搜网次数清零。得到使频率误差最小时的电容阵列的电容。

第三搜网模块13对变容二极管的电容进行校准时，还用于：如果变容二极管的电容的值与变容二极管的电容的变化范围中间的值之差超出预设范围，则调整变容二极管的电容的变化范围中间的值处于变容二极管的电容的变化范围的中间位置。

在本发明实施例中，如果第三搜网模块13搜网成功，即移动终端能够进行拔打或接听电话，或者能够进行数据连接，则表明移动终端工作正常，此时第三搜网模块13重新获取的电容阵列的电容和变容二极管的电容是有效的，可以作为下次搜网的参考。因此参数更新模块14将第一区域的参数更新为重新获取的参数，使得在下次开始搜网时，可以直接应用重新获取的该参数进行搜网，能够克服用户使用环境导致晶体老化，进而导致搜网慢的场景，以及用户由于晶体批次不良，不稳定导致的无法搜网的场景。另外，低端功能机具有出货量大，用户要求低的特性，校准会占用大量的时间，人力和仪器成本，移动终端的参数可以固化的移动终端内部，但是参数一致性差，会导致概率性的单体异常，通过上述方法可以利用实际网络对移动终端进行校准，可以节省大量的成本。

综上所述，本发明通过调用存储在易失性随机访问存储器中的第一区域的参数进行搜网；如果搜网失败，则调用存储在易失性随机访问存储器中的第二区域的参数进行搜网；如果搜网次数大于第一预设值，则重新获取参数并进行搜网；如果搜网成功，则将第一区域的参数更新为重新获取的参数，能够有效解决晶体老化或晶体批次不良导致无法搜网的问题，进而扩大搜网应用场景。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。