一种改进喉塞安装结构的高音扬声器的制作方法

文档序号:13512488阅读:698来源:国知局
一种改进喉塞安装结构的高音扬声器的制作方法

本发明涉及扬声器制造的技术领域,尤其是涉及一种改进喉塞安装结构的高音扬声器。



背景技术:

喉塞,又称为相位塞。作为高音扬声器的核心零部件之一,喉塞能够有效的改善频响特性,防止驻波和交越失真,使得偏轴频响扩散特性和向轴频响扩散特性更为平滑,避免出现扬声器中经常出现的离轴频响峰谷现象,防止声音失真。

在压缩高音扬声器的结构中,振膜与喉塞的位置关系和间隙范围非常重要。振膜与喉塞的间隙将直接影响到压缩高音扬声器的SPL曲线和功率等性能。如果间隙控制不当,SPL曲线在高频段将会出现较大波动,造成声音失真。

现有的压缩高音扬声器中,在装配喉塞时通过增加垫片对间隙进行调整,但是垫片的尺寸存在厚度公差,在组合过程中容易产生范围偏差,达不到间隙范围要求;而且这种结构对装配人员的要求较高,影响生产效率。

因此,如何对压缩高音扬声器的喉塞进行改进设计,从而进行高音扬声器的精密装配是本领域的技术人员需要解决的一个技术问题。



技术实现要素:

为了解决现有技术存在的上述问题,本实用新型提供了一种改进喉塞安装结构的高音扬声器,通过对扬声器的结构进行优化和改进,将整个喉塞通道与喉塞出口设计在同一部件上,在喉塞与T铁间采用耐高温的软体垫圈,这样可以保证声学路径的高度稳定性,使高音振膜的SPL曲线平滑,保证扬声器的音质。

为实现上述目的,本实用新型提供了如下技术方案:

一种改进喉塞安装结构的高音扬声器,包括T铁、磁铁、华司、喉塞和振膜,所述磁铁位于T铁和华司之间,所述T铁开设有中心孔,所述喉塞插入所述中心孔固定连接于T铁上,在所述喉塞与T铁的平面连接处设置有软体垫圈,所述振膜位于喉塞的上方并将喉塞覆盖,所述振膜与喉塞之间留设有导声间隙。

喉塞伸入到T铁的中心孔内部并与T铁固定连接,喉塞的下部与中心孔垂直贴合,中部与中心孔斜面贴合,在喉塞与T铁的上部连接处,即平面连接处上设置了软体垫圈,软体垫圈可以保证振膜与喉塞间的导声间隙的精度,保证振膜在高音频段的频响曲线(SPL曲线)平滑度,使高音振膜的发音更干净、音质更高,有效避免声音失真。

为本实用新型的技术方案的进一步描述,所述喉塞包括帽体和支撑体,所述帽体设置有呈辐射状分布的帽体片,所述帽体片之间设置有间隙;所述支撑体开设有梯形空腔,所述梯形空腔与帽体片间的间隙形成喉塞通道。在内部形成喉塞通道的喉塞对扬声器的声音相位进行调节,包括扩展高音振膜的频率、调节声波指向等,能改善频响特性,防止驻波和交越失真,从而有效改善高音音质。

作为本实用新型的技术方案的进一步描述,所述喉塞通道在底部开口处形成喉塞出口,所述喉塞出口位于中心孔的底部。

在本实用新型提供的高音扬声器中,喉塞通道与喉塞出口设计在同一部件上,同时在喉塞与T铁间采用耐高温的软体垫圈,确保导声间隙的尺寸精度,这样可以保证声学路径的高度稳定性和完整性。

作为本实用新型的技术方案的进一步描述,所述喉塞通过治具扣合连接于T铁上。使得喉塞与T铁精密配合连接,而且有效提高了喉塞安装结构的装配作业效率。

作为本实用新型的技术方案的进一步描述,所述喉塞的顶部与华司相邻侧的距离A的公差小于0.05mm。喉塞顶部与华司相邻侧的距离A的公差越小,说明装配越精密,这样就能精确保证喉塞与振膜之间的导声间隙的尺寸精度,避免音质失真。

作为本实用新型的技术方案的进一步描述,所述软体垫圈为耐高温软体垫圈。耐高温的软体垫圈能够有效保证封装的精密性和稳定性,避免了装配过程出现偏差的问题。

作为本实用新型的技术方案的进一步描述,所述软体垫圈的材质为硅胶、橡胶或者塑胶。在对高音扬声器的设计过程中,可以根据需要选择不同材质的软体垫圈,保证封装可靠性,防止漏声的情况出现。

基于上述的技术方案,本实用新型取得的技术效果为:

(1)本实用新型提供的改进喉塞安装结构的高音扬声器,通过将整个喉塞通道与喉塞出口设计在一起,并在喉塞与T铁间采用耐高温的软体垫圈,确保导声间隙的尺寸精度,进而保证声学路径的高度稳定性,使高音振膜的SPL曲线平滑,能有效提升扬声器的音质,尤其是高音音质,而且避免了声音失真。

(2)本实用新型的改进喉塞安装结构的高音扬声器,部件之间精密配合连接。其中,喉塞的顶部与华司相邻侧的距离A的公差小于0.05mm,甚至为零。整个装配过程精度高,有效保证封装的精密性和稳定性,避免了装配过程出现偏差的问题,提升了装配工作效率。

附图说明

图1为本实用新型的改进喉塞安装结构的高音扬声器的截面图。

图2为本实用新型的改进喉塞安装结构的高音扬声器的截面分解图。

图3为本实用新型的改进喉塞安装结构的高音扬声器的分解图。

图4为本实用新型的喉塞的结构示意图。

图5为本实用新型的喉塞顶部与华司相邻侧的距离A的示意图。

图6为本实用新型的喉塞与T铁的扣合安装示意图。

图7为本实用新型的改进喉塞安装结构的高音扬声器的频响曲线图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型,下面将结合附图和具体的实施例对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施方式。但是,本实用新型可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本实用新型的公开内容理解的更加透彻全面。

需要说明的是,当元件被称为“固定于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。

除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本实用新型。

实施例1

图1~图3分别给出了本实施例的改进喉塞安装结构的高音扬声器的截面图、截面分解图和分解图,结合参考图1~图3,一种改进喉塞安装结构的高音扬声器,包括T铁1、磁铁2、华司3、喉塞4、振膜5、软体垫圈6、支架7、音圈8和顶盖9。其中,音圈8位于T铁的外侧,振膜5与支架7连接固定,顶盖9将支架7和华司3包容在内部;磁铁2位于T铁1和华司3之间。在T铁1的结构上,T铁1开设有中心孔11,喉塞4插入所述中心孔11固定连接于T铁1上,在喉塞4与T铁1的平面连接处设置有软体垫圈6,振膜5位于喉塞4的上方并将喉塞4覆盖,振膜5与喉塞4之间留设有导声间隙。

进一步参考图1,喉塞4伸入到T铁1的中心孔11内部并与T铁1固定连接。在二者的连接关系上,喉塞4的下部与中心孔11垂直贴合,喉塞4的中部与中心孔11斜面贴合,而在喉塞4与T铁1的上部连接处,即平面连接处上设置了软体垫圈6。如图3所示,软体垫圈6为环形垫圈。进一步地,软体垫圈6为耐高温软体垫圈,其材质为硅胶、橡胶或者塑胶。在对高音扬声器的设计过程中,可以根据需要选择不同材质的软体垫圈,保证封装可靠性,防止漏声的情况出现。

由于压缩高音扬声器的结构中,振膜与喉塞的位置关系和间隙范围非常重要,尤其是振膜与喉塞的间隙将直接影响到压缩高音扬声器的SPL曲线和功率等性能。如果间隙控制不当,频响曲线(SPL曲线)在高频段将会出现较大波动,造成声音失真。

本实施例的高音扬声器通过在喉塞4与T铁1的平面连接处设置了耐高温的软体垫圈6,可以有效保证振膜5与喉塞4之间的导声间隙的精度,保证振膜5在高音频段的频响曲线平滑度,使高音振膜的发音更干净、音质更高。

基于此,在本实施例中,经过精心设计,振膜5与喉塞4的导声间隙的范围控制为0.4mm~1.2mm,有效避免SPL曲线在高频段出现较大波动。

图4为本实施例的喉塞的结构示意图,如图4所示,同时结合参考图1,喉塞4包括帽体41和支撑体42,帽体41设置有呈辐射状分布的帽体片411,帽体片411之间设置有间隙412;支撑体42开设有梯形空腔421,梯形空腔421与帽体41的间隙412形成了喉塞通道43。

在高音扬声器中,内部形成了喉塞通道43的喉塞4对扬声器的声音相位进行调节,包括扩展高音振膜的频率、调节声波指向等,喉塞4能改善频响特性,防止驻波和交越失真,从而有效改善高音音质。

需要说明的是,喉塞通道43在底部开口处形成喉塞出口431,喉塞出口431位于中心孔11的底部。本实施例中,喉塞通43道与喉塞出口431设计在同一部件上,同时在喉塞4与T铁1间采用耐高温的软体垫圈,确保导声间隙的尺寸精度,这样可以保证声学路径的高度稳定性和完整性。

图5为本实施例的喉塞顶部与华司相邻侧的距离A的示意图,在本实施例中,通过对压缩高音扬声器的喉塞结构进行优化和改进,在装配过程中将喉塞4的顶部与华司3相邻侧的距离A的公差控制在0.05mm内,甚至公差为零,进而能对高音扬声器进行精密装配,保证喉塞与振膜之间的导声间隙的尺寸精度,避免音质失真。

图6为本实施例的喉塞与T铁的扣合安装示意图,如图6所示,在装配过程中,先将振膜5与支架7组装在一起,支架7的外径与音圈8保持最佳的同心度。然后将T铁1、磁铁2和华司3组装成磁路系统,磁路系统组装完成后,再通过治具10将喉塞4扣合连接入T铁1的中心孔11中,使得喉塞4与T铁1精密配合连接。最后将振膜5扣合在华司3上,支架7的外径与华司3的台阶内径能进行精密配合。整个装配过程精确可靠,而且装配作业效率高。

图7给出了本实施例的改进喉塞安装结构的高音扬声器的频响曲线图。本实施例提供的改进喉塞安装结构的高音扬声器,通过将整个喉塞通道与喉塞出口设计在一起,并在喉塞与T铁间采用耐高温的软体垫圈,确保导声间隙的尺寸精度,进而保证声学路径的高度稳定性,图7所示,本实施例的高音扬声器的SPL曲线在高频段保持曲线平滑,能有效提升扬声器的音质,尤其是高音音质,而且避免了声音失真。

以上内容仅仅为本实用新型的结构所作的举例和说明,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些显而易见的替换形式均属于本实用新型的保护范围。

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