在制造挠曲件时使用的工艺试件的制作方法

本申请要求于2017年5月18日提交的美国专利申请no.15/598,909的优先权，并且进一步要求于2016年5月18日提交的美国临时专利申请no.62/338,118的权益，这些专利文献中的每篇都通过引用整体并入本文。

本发明的实施例总体上涉及制造技术。更具体地，本发明的实施例涉及在制造挠曲件时使用的试件。

背景技术：

挠曲件大体包括弹簧金属基层(例如，不锈钢(“sst”))、在该基层一侧上的导电迹线层(例如，铜(cu))，该导电迹线层通过绝缘层(例如，电介质)而与该基层隔开。绝缘覆盖层可被施加在该导电层的全部或部分上。诸如金(au)和/或镍(ni)的耐腐蚀金属可被镀覆或以其它方式施加到迹线层的一部分，以提供耐腐蚀性。可以使用常规的加成沉积和/或减成工艺，来制造根据本公开的实施例的挠曲件，所述工艺诸如为湿法(例如，化学)和干法(例如，等离子体)蚀刻、电镀和化学镀以及与光刻蚀法相关的溅射工艺(例如，使用图案化和/或非图案化的光刻蚀掩模)。术语“形成”可在本申请中用于描述这些工艺中的一个或多个。另外，机械方法(例如，使用冲头和弯曲装置)也可用于制造根据本公开的实施例的挠曲件。

例如，这些类型的加成和减成工艺是众所周知的，并且与磁盘驱动器磁头悬架的制造结合使用，并大体上在以下的美国专利中公开：bennin等人的名称为“双级致动盘驱动悬架的低电阻接地接头”的美国专利8,885,299；rice等人的名称为“具有多迹线结构的集成引线悬架”的美国专利8,169,746；hentges等人的名称为“集成引线悬架的多层接地平面结构”的美国专利8,144,430；hentges等人的名称为“集成引线悬架的多层接地平面结构”的美国专利7,929,252；swanson等人的名称为“用于制造悬架组件的贵金属导电引线的方法”的美国专利7,388,733；peltoma等人的名称为“集成引线悬架的镀覆接地特征”的美国专利7,384,531；所有这些专利出于所有目的通过引用并入本文。

如上所述，实施许多制造步骤来将多层挠曲件形成为具有所需尺寸和性能要求的部件。由于实施各种制造工艺步骤来形成挠曲件的各个层，可能发生使挠曲件不能根据要求实施的变化。因此，仍然持续需要改进挠曲件的加工工艺。

技术实现要素：

描述了使用工艺试件制造诸如挠曲件的器件的系统和方法。该方法包括在试件的至少一个特征上执行测试，该试件被包括在制造挠曲件时所使用的组件片上。该至少一个特征通过用于生产挠曲件的一部分的制造工艺步骤生产而成。并且，该特征的物理特性包括与该部分的物理特性不同的至少一个物理特性。该方法还包括基于所执行的测试确定该制造工艺步骤是否会生产具有异常部分的挠曲件。另外，该方法包括调节该制造工艺步骤并且使用经调节的制造工艺步骤制造挠曲件的一部分。

从附图以及从以下的详细描述，本发明的各实施例的其它特征和优点将显而易见。

附图说明

在附图中通过示例而非限制地示出了本发明的实施例，在附图中相同的附图标记表示类似的元件，并且在附图中：

图1示出了用于使用工艺试件来制造根据一个实施例的挠曲件的系统的框图；

图2示出了根据一个实施例的示例性组件片；

图3示出了包括根据一个实施例的试件的组件片的一部分的自顶向下的视图(俯视图)；

图4示出了根据实施例的试件；

图5示出了根据实施例的试件；

图6示出了根据实施例的试件；

图7示出了根据实施例的试件；

图8示出了根据实施例的多个试件；以及

图9示出了根据一个实施例的数据管理工艺流程的图表。

虽然术语“框”可在本文用于表示图示性地采用的不同元件，但是该术语不应解释为暗示本文公开的各种步骤的任何要求或在本文公开的各种步骤之中或之间的特定顺序，除非并且除了明确地涉及单独步骤的顺序之外。另外，项的“集合”或“组”(例如，输入、算法、数据值等)可以包括一个或多个项，并且类似地，项的子集合或子组可以包括一个或多个项。

具体实施方式

图1是用于使用工艺试件制造器件的说明性系统100的框图，所述器件包括但不限于根据各种实施例的挠曲件。系统100描绘了用于生产多个挠曲件的卷到卷式制造系统100的简化图示。如上所述，挠曲件可在磁盘驱动器磁头悬架中使用。另外，本文描述的技术和方法可用于制造器件，所述器件诸如为致动器组件的挠曲件，所述致动器组件诸如为在自动聚焦和光学稳像组件中使用的允许形状记忆的致动器。

系统100包括基板102。在实施例中，基板102是可被划分成多个组件片104a-104i的基层(例如，sst)。在每个组件片104a-104i上，可以形成一个或多个挠曲件106a-106l和试件108a-108h。所描绘的挠曲件106a-106l和试件108a-108h用于说明性目的，并未按比例绘制。试件108a-108h中的每个试件可以包括具有不同特征的多个不同试件。例如，试件108a-108h中的每个试件可以包括图3中描绘的试件302a-302e中的一个或多个，和/或包括在以下图4至图8中描绘的试件中的一个或多个。为了形成挠曲件106a-106l，基板102可以从第一卷110a传递到第二卷110b，反之亦然。当在第一卷110a和第二卷110b之间传递时，基板102过渡通过制造机械112。

制造机械112可以使用例如加成沉积和/或减成工艺来形成挠曲件106a-106l，所述工艺诸如为湿法(例如，化学)和干法(例如，等离子体)蚀刻、电镀和化学镀以及与光刻蚀法相关的溅射工艺。用于形成挠曲件106a-106l的工艺还可以形成被包括在试件108a-108h中的一个或多个特征。也就是说，制造机械112可以将一层或多层材料沉积、蚀刻、暴露和/或显影(develop)到基板102上，以形成挠曲件106a-106l和试件108a-108h。例如，制造机械112可以将一个或多个介电层(例如，聚酰亚胺)和/或一个或多个导电层(例如，铜、铬、镍、金等)沉积在基板102上。这些层的每个层都可经受一个或多个工艺，所述工艺包括但不限于蚀刻、暴露于光(例如，以使材料的一部分硬化)和/或暴露于一种或多种化学品(例如，以显影该材料的未暴露部分和/或将一层材料沉积在基板102上)以及包括本领域已知的那些工艺技术的其它工艺技术。

在一个或多个加成沉积和/或减成工艺(例如，聚酰亚胺显影、抗蚀剂显影、不锈钢蚀刻等)之前和/或之后，可以通过一个或多个传感器114a-114d对试件108a-108h进行分析。传感器114a-114d可用于确定试件108a-108h的一个或多个物理特性，包括但不限于尺寸、高度、厚度、宽度、直径、导电性、电阻、反射率、粘附性、侧斜(sideslope)、颜色以及可用于评估工艺的其它特性。示例性的传感器114a-114d可以包括但不限于：用于确定试件108a-108h尺寸的相机，用于测量试件108a-108h的导电性/电阻的电探针，用于测量试件108a-108h的厚度、反射率和/或颜色的分光仪，和/或用于测量试件108a-108h的表面轮廓(例如，厚度和/或宽度)的干涉仪(例如，白光干涉仪，所述白光干涉仪例如为扫描式白光干涉仪)。例如，在对抗蚀剂层进行显影后，该系统100可以暂停，传感器114a-114d(例如，相机)可以捕获使用该工艺生产的试件108a-108h的图像，并且可以根据所捕获的图像确定试件108a-108h是否被正确地制造。对于其它实施例，不需要暂停该系统就能使一个或多个传感器捕获试件108a-108h的图像。

根据一些实施例，测试一个或多个试件108a-108h可能需要物理接触试件108a-108h甚至对试件108a-108h实施破坏性测试。因此，试件108a-108h的测试可以减少或者消除在针对组件片104a-104i的顺从性的测试期间损坏挠曲件106a-106l的可能性。

根据各种实施例，试件108a-108h的物理特性被设计成指示：挠曲件106a-106l的一部分(例如，介电层、导电层等)是否被正确地制造，挠曲件106a-106l的一部分是否包括异常，和/或在异常的挠曲件106a-106l生产出来之前是否需要改变制造工艺的参数、特征和/或其它方面。也就是说，在制造挠曲件106a-106l期间，由于一个或多个因素(例如，化学控制、温度、工艺流速、暴露能量等)，制造工艺可能发生漂移。在实施例中，一个或多个试件108a-108h可用于确定制造工艺何时开始漂移，以在不符合挠曲件106a-106l的某些设计规范的带有错误或缺陷的挠曲件106a-106l被生产出来之前校正该工艺，和/或确定是否已经生产了任何带有错误或缺陷的挠曲件106a-106l。

例如，试件108a-108h可以包括在制造工艺期间使用用于形成挠曲件106a-106l的制造工艺步骤来形成的多个特征。根据各种实施例，被包括在一个或多个试件108a-108h中的特征被构造成对制造工艺的变化比使用所述一个或多个工艺制造的一个或多个器件更加敏感，所述一个或多个器件诸如为挠曲件106a-106l。作为示例，试件108a-108h的特征可以是通过在制造挠曲件106a-106l时所使用的加成和/或减成工艺由例如聚酰亚胺、铜、镍、金等形成的多条线。这些线可以具有从大约80微米到5微米变化的一系列不同宽度。可以在同一制造工艺步骤期间在制造挠曲件106a-106l时形成类似但不相同的线(例如，10微米线)(例如，使用相同的加成和/或减成工艺由与试件108a-108h相同的材料形成)。如此，如果测试显示试件108a-108h的线中的一条或多条包括异常，则挠曲件106a-106l的线也很可能包括异常，或者该工艺很可能已经偏出了其操作容差。如此，当在挠曲件106a-106l的完整性受到影响之前对试件108a-108h执行测试时，很有可能检测到该制造工艺正开始从一个或多个操作容差漂移。因此，当检测到试件108a-108h的异常时，可以对制造工艺进行修正，使得挠曲件106a-106l不会开始具有会影响挠曲件106a-106l性能的不可接受的异常。可以对制造工艺作出的修正的示例包括但不限于：可以调节将基板102平移通过制造机械112的输送机速度，可以调节制造机械112的歧管压力，以及用于修正包括本领域已知的那些工艺的工艺的一个或多个变量或变化的其它修正。

根据各种实施例，试件108a-108h的其它特征可以是通过在制造挠曲件106a-106l时使用的加成和/或减成工艺在例如聚酰亚胺、光刻蚀层、铜、sst层、镍、金等中形成的多个孔。这些孔可以具有在直径上变化的一系列不同宽度，例如从大约80微米到5微米。可以在同一制造工艺步骤期间在制造挠曲件106a-106l时形成类似但不相同的孔(例如，10微米孔)(例如，使用相同的加成和/或减成工艺由与试件108a-108h相同的材料形成)。如由传感器114a-114d所确定的，如果确定试件108a-108h的5微米孔未被完全地清洗和/或包括异常，则可以确定挠曲件106a-106l的一个或多个部分也很可能包括一个或多个异常，或者该工艺很可能已经漂移超出了一个或多个操作容差。如此，除了在带有错误或缺陷的挠曲件106a-106l被生产出来之前确定该制造工艺正开始漂移之外，系统100还可用于确定何时会生产带有错误或缺陷的挠曲件106a-106l。根据各种实施例，在确定了挠曲件106a-106l很可能包括一个或多个异常后，可以对该制造工艺进行调节，使得系统100能够再次生产不包括任何异常的挠曲件106a-106l，或者使得所述一个或多个制造工艺在期望容差内运行。例如，可以调节在制造挠曲件106a-106l和试件108a-108h时所使用的以下项的一个或多个：将基板102平移通过制造机械112的输送机速度、光刻蚀法的化学温度、在光刻蚀法中使用的化学浓度、在光刻蚀法中使用的烘焙和/或固化温度、和/或制造机械112的歧管压力，或者包括本领域已知的那些工艺的其它工艺。另外，任何带有错误或缺陷的挠曲件106a-106l都可以从该工艺移除，并且可被修整或丢弃，使得带有错误或缺陷的挠曲件106a-106l不会被发送给挠曲件106a-106l的用户。

在实施例中，阈值可以用于确定是否已经形成了带有错误或缺陷的挠曲件106a-106l和/或是否调节制造挠曲件106a-106l的工艺。例如，假设试件108a-108h的一特征包括与该特征的预期设计的像差。进一步假设该特征的像差仅相对于预期设计变化+/-5％。利用这种幅度的像差(即，+/-5％)，可以确定没有生产带有错误或缺陷的挠曲件106a-106l。另外，在实施例中，这种幅度的像差可以指示：虽然在试件108a-108h的特征中存在像差，但是可能还不需要调节制造挠曲件106a-106l的工艺。然而，如果像差的幅度是+/-10％，则可以确定没有生产带有错误或缺陷的挠曲件106a-106l，但是可能需要调节制造挠曲件106a-106l的工艺。可选择地，如果像差的幅度是+/-15％，则可以确定已经生产了带有错误或缺陷的挠曲件106a-106l，并且需要调节制造挠曲件106a-106l的工艺。用于作出这些确定中的每个的阈值能够基于正被测试的试件108a-108h的工艺步骤和/或特征类型来配置。然而，这些仅是示例，并不意味着限制。

图2是根据实施例的示例性组件片200的自顶向下视图的图示。根据一些实施例，组件片200可以是大约250×300mm。然而，这仅是示例，并不意味着限制。诸如图1所示挠曲件106a-106l的多个挠曲件形成在组件片200的列202中。每个组件片200包括一个或多个边缘部204。通过在多个挠曲件106a-106l周围添加加强结构以限制挠曲件106a-106l的过度弯曲或移动并因此最小化对挠曲件106a-106l的损害，在制造工艺中使用边缘部204来协助移动组件片200通过该工艺并且保护诸如挠曲件106a-106l的挠曲件。邻近一个或多个边缘部204和/或被包括在一个或多个边缘部204内的是各个区段，在所述区段中可以形成诸如图1所示的试件108a-108h的试件。如上所述，可以通过传感器(例如，在图1中描绘的传感器114a-114d)对试件108a-108h执行测试，以确定挠曲件106a-106l是否包括异常。

另外或可选择地，试件108a-108h还可以被形成在除了边缘部204之外的组件片200的其它位置。例如，试件108a-108h可以被形成在挠曲件106a-106l的一个或多个列202之间。作为另一示例，试件108a-108h可以被形成在挠曲件106a-106l的行之间，包括但不限于，被形成在挠曲件106a-106l所连接到的载体条(carrierstrip)上。

图3是边缘部的一部分300的自顶向下视图的图示，该边缘部诸如为图2所示的边缘部204。该部分300包括多个不同类型的试件302a-302e。每个不同类型的试件302a-302e包括由各传感器执行测试的一个或多个不同特征，所述传感器诸如为图1所示的传感器114a-114d。以下关于图4至图8更详细地描述试件302a-302e的各种实施例。图3所示的不同类型的试件302a-302e的集合可以是单个试件，诸如图1所示的试件108a-108h中的一个试件，其被形成在诸如图1所示的组件片104a-104i的组件片的边缘部附近。

图4是根据一些实施例的示例性试件402、404的图示。试件402、404中的每个可以并入诸如图1所示的试件108a-108h的各试件中的单个试件。试件402包括一个或多个长导体406。为了对试件402进行测试，电探针可以探测所述一个或多个长导体406的每端，以测量试件402的电阻。导体宽度的改变会使试件402的电阻产生很大的变化。也就是说，所测量到的电阻可用于确定所述一个或多个长导体406的高度和宽度的一致性。根据各种实施例，还可以使用视觉测试(例如，使用作为相机的传感器)来确定导体的高度和宽度。这些测试的结果可以确定正在形成的(图1的)挠曲件106a-106l的导电部分质量状况。如果确定了试件402的像差，则可以调节制造挠曲件(诸如图1所示的挠曲件106a-106l)的工艺，以防止形成带有错误或缺陷的挠曲件106a-106l，和/或确定是否已经制造了带有错误或缺陷的挠曲件106a-106l。

试件404包括耦合在一起的多个接地特征。当制造诸如图1所示的挠曲件106a-106l的挠曲件时，每个挠曲件106a-106l可以在任何部位具有多个接地特征408(例如，2到10个接地特征)。挠曲件106a-106l的一个或多个接地特征408被设计成具有非常低的电阻。根据各种实施例，接地特征408可以从挠曲件的第一层(例如，迹线层)被镀覆穿过挠曲件的第二层(例如，介电层)中的孔并与挠曲件的第三层(例如，sst层)接触。另外或可选择地，接地特征408还可以是导电粘附孔(adhesionhole)。在名称为“磁盘驱动器磁头悬架挠曲件的接地特征”的美国专利号9,093,117中详细地解释了接地特征，该专利文献的全部内容出于所有目的通过引用并入本文。

虽然挠曲件的接地特征被设计成具有非常低的电阻，但是在制造诸如图1所示的挠曲件106a-106l的挠曲件期间，接地特征的电阻会逐渐地增加。通过将试件404中的多个接地特征(例如，10-30个接地特征)耦合在一起，可以使用传感器、诸如图1所示的传感器114a-114d(例如，电探针)来确定：接地特征的电阻是否开始增加，是否存在由于镀覆不足而导致的错误和/或高电阻。如果接地特征中的任何一个存在错误，则挠曲件106a-106l的一个或多个接地特征很可能也包括错误。

图5示出了根据各种实施例的试件502、504。试件502是分光条(spectrometerstrip)。在实施例中，分光条可用于使用湿涂工艺制造诸如图1所示的挠曲件106a-106l的挠曲件。在湿涂工艺期间，诸如图1所示的基板102的基板正以一平移速度被平移通过诸如图1所示的制造机械112的制造机。使用分光仪，可以确定试件502的厚度以及在试件502上的任何残留物。通过确定试件502的厚度，可以确定是否通过制造机械112以基板102的平移速度将一个或多个层(例如，各分光条和/或一介电层)施加到合适的厚度。如果试件502不具有合适的厚度，则可以降低基板102的平移速度。另外，制造工艺步骤可以包括清洗挠曲件的一个或多个表面。如此，通过确定在试件502上是否存在任何残留物，可以确定挠曲件106a-106l的一个或多个表面是否被充分地清洗。

图5还包括多个试件504，其被示出以指示不同的试件可以相对于诸如关于图7和图8更详细描述的各种实施例等其它试件具有不同的比例。

图6示出了根据一个实施例的试件602。试件602可以包括多个特征604a-604e，其中所述多个特征604a-604e的表面轮廓(例如，厚度和/或宽度)使用干涉测量法(例如，白光干涉测量法)来确定。试件602可以包括在用于生产挠曲件106a-106l的各层上形成的多种涂液。例如，涂液(“cl”)可以被施加到诸如图1所示的挠曲件106a-106l的挠曲件的导电层和/或介电层。根据各种实施例，cl会从该cl所期望涂覆的挠曲件106a-106l的层流走。流走的cl量可能取决于以下项中的一个或多个：例如，正被涂覆的层的尺寸、正被涂覆的层的类型、正用作cl的液体、cl的温度以及该层和cl的环境温度等。通过将cl施加到根据一些实施例的由不同类型的材料制成的特征604a-604e的不同宽度并确定该cl(即，特征604a-604e)的表面轮廓，可以确定对挠曲件106a-106l的一个或多个cl层正在进行的施加或移除是否能形成具有适当宽度、高度或深度的特征。

图7示出了根据各种实施例的试件702。试件702包括多个特征704-718。如果特征704-718中的一个或多个包括由诸如图1所示的传感器114a-114d的传感器感测到的像差，则可以调节制造工艺和/或可以确定诸如图1所示的挠曲件106a-106l的挠曲件中的一个或多个是否有错误或缺陷。

特征704包括具有一系列不同直径的一系列孔，这些孔可以通过在制造挠曲件106a-106l时所使用的加成和/或减成工艺而形成在例如聚酰亚胺、光刻蚀层、铜、sst层、镍、金等中。根据各种实施例，特征704被构造成指示用于工艺的最小粘附抗蚀剂(adhesionresist)或最小被清洗镀覆(clearedplating)。根据各种实施例，传感器114a-114d可以感测正被一致地清洗的最小孔，这提供了用于生产挠曲件106a-106l的制造工艺的运行状态的指示。如上所述，如果挠曲件106a-106l包括10微米的孔，则特征704的孔可小于10微米，以在带有错误或缺陷的挠曲件106a-106l被生产出来之前确定制造工艺是否正在漂移。

特征706包括一系列点，这些点可以通过在制造挠曲件106a-106l时所使用的加成和/或减成工艺由例如聚酰亚胺、铜、镍、金等形成在试件702上。根据各种实施例，特征706被构造成指示用于工艺的最小被清洗抗蚀剂(clearedresist)或最小粘附镀覆(adhesionplating)。传感器114a-114d可以感测使用包括本文所描述的那些技术的技术而粘附到试件702表面的最小点质量状况，如由最小点在试件702表面上的存在所确定的。

特征708、712分别包括具有一系列不同宽度和间隔的纵向(竖直)槽和横向(水平)槽，所述纵向槽和横向槽通过在制造挠曲件106a-106l时使用的加成和/或减成工艺形成在例如聚酰亚胺、光刻蚀层、铜、sst层、镍、金等中。根据各种实施例，特征708、712分别被构造成指示用于工艺的最小被清洗抗蚀剂或最小纵向和横向粘附镀覆。传感器114a-114d可以感测正被使用包括在本文中描述的那些技术的技术一致地清洗的最小槽708、712，这提供了用于生产挠曲件106a-106l的制造工艺运行状况的指示。

特征710、714分别包括具有一系列不同宽度和间隔的纵向(竖直)线和横向(水平)线，所述纵向线和横向线通过在制造挠曲件106a-106l中使用的加成和/或减成工艺由例如聚酰亚胺、铜、镍、金等形成在试件702上。根据各种实施例，特征710、714分别被构造成指示用于工艺的最小抗蚀剂线或最小被清洗镀覆。传感器114a-114d可以感测正被使用包括在本文中描述的那些技术的技术一致地施加到试件702的最小线，这提供了用于生产挠曲件106a-106l的制造工艺运行状况的指示。根据各种实施例，例如，特征704-718的宽度范围可以从5微米到80微米。

由于诸如图1所示的基板102的基板正在一个方向上被平移通过诸如图1所示的制造机械112的制造机械，因此可以在相同的方向上或者在垂直于基板正被平移的方向上将化学品施加到基板102。如此，根据一些实施例，正被清洗和/或施加的纵向特征708、710和横向特征712、714之间的差异可能不同，这就是根据一些实施例对纵向槽和线708、710以及横向槽和线712、714执行测试的原因。类似于特征704，如果挠曲件106a-106l包括10微米宽的槽或孔，则特征708-714的槽或孔可以小于10微米，以便在带有错误或缺陷的挠曲件106a-106l被生产出来之前确定该制造工艺是否正发生漂移。

特征716是前一层的配准特征。特征716包括来自一个层的外侧边沿722以及来自不同层的内圈724。使用传感器114a-114d测量特征716，以确定这两个层彼此配准的状况。一个层与另一个层配准的状况是特征716的内圆724相对于配准特征的外侧边沿722的期望中心位置偏移的程度。

特征718是星形图案，其放大了挠曲件106a-106l的特征的侧斜。特征的侧斜是该特征的侧面的角度。也就是说，通过用于生产挠曲件106a-106l的加成和/或减成工艺蚀刻的挠曲件106a-106l的特征(例如，聚酰亚胺层)可能没有垂直于基板表面的侧面。相对于特征的垂面的角度被称为侧斜。如此，通过对放大了挠曲件106a-106l侧斜的特征718的侧斜执行测试，可以确定挠曲件106a-106l的特征的侧斜是一致的。为了感测侧斜，可以使用视觉系统，所述视觉系统是诸如图1所示的传感器114a-114d的一类传感器。

特征720是可用于校准视觉系统的校准垫，所述校准系统是一类传感器，诸如被包括在传感器114a-114d中的那些。特征720(即，校准垫)可用于基于校准垫的反射率来确定视觉系统的聚焦高度和光强度。特征720可由与正在基板上形成的层相同的材料制成，该基板诸如为图1所示的基板102。例如，特征720可由电介质、导电层或包括本文所述那些材料的在本领域中已知的其它材料制成。这将增加特征720具有与正在基板102上形成的层相同的反射率校准(其由于形貌变化、表面氧化条件等而可能改变)的可能性。在实施例中，视觉系统可以是灰度视觉系统。

图8示出了根据各种实施例的多个试件800。对于一些实施例，所述多个试件800包括与参考图7描述的那些特征类似的特征。如上所述，当制造诸如图1所示的挠曲件106a-106l的挠曲件时，可以将多个层施加到诸如图1所示的基板102的基板。在挠曲件106a-106l的每个层之后，可以将所述多个试件800中的一个试件802a-802o添加到该层。所形成的每个试件802a-802o可以对应于用于挠曲件106a-106l的该层的特定制造工艺。例如，如果挠曲件106a-106l的第一层是聚酰亚胺层，可以使用与制造挠曲件106a-106l的聚酰亚胺层相同的制造工艺步骤在(图2的)组件片200的(图2的)边缘部204上形成第一试件(例如，试件802a)。也就是说，试件802a可以包括与挠曲件106a-106l的聚酰亚胺层类似但具有不同尺寸的各聚酰亚胺特征(例如，具有不同直径的一系列孔，具有不同直径的一系列点、具有不同宽度的一系列槽，具有不同宽度的一系列线等)。如此，可以对每个层使用相应的试件802a-802o来确定每个层的分辨率/粘附性。每个相应试件802a-802o的编号804a-o可以表示试件802a-802o所属的层。例如，试件802a可以是被包括在第一层上的试件，试件802b可以是被包括在第二层上的试件，等等。

另外，对在制造诸如图1所示的挠曲件106a-106l的挠曲件期间所生产的每个层包括相应的试件802a-802o还可以确定：当试件802a-802o与在制造挠曲件106a-106l期间所生产的其它层组合时，试件802a-802o的分辨率/粘附性是否受到影响。例如，被制造在形成于聚酰亚胺层的顶部上的导电层上的试件802a-802o可能具有这样的缺陷：当试件在导电层的顶部上形成时，而所述导电层未被形成在聚酰亚胺层的顶部上，缺陷不能被检测到。如此，由于挠曲件106a-106l包括彼此堆叠的多个层，因而在多个层上的堆叠试件802a-802o可以在制造挠曲件106a-106l期间对所生产挠曲件106a-106l的质量提供更好的指示。

另外或可选择地，在每个层之后，用于生产挠曲件106a-106l的所有制造工艺步骤都可以用于形成试件802a-802o。例如，即使聚酰亚胺层可以在一个层期间形成，试件802a-802o也可以包括对应于导电迹线层的特征。

图9是根据实施例的数据管理工艺流程900的图表。根据各种实施例，工艺流程900可以包括接收识别包括所形成的试件的组件片的识别信号(902)。每个组件片可以具有其自身的条形码，使用包括在本文中描述的那些传感器的传感器对所述条形码进行扫描。在每个制造工艺步骤之后，每个组件片的条形码可以由条形码扫描器读取(904)。根据各种实施例，传感器114a-114d中的一个或多个可以是条形码扫描器。

每次扫描到组件片的条形码，由试件上的传感器所执行的任何扫描/测试的结果还可以被接收(906)。根据每次测试，可以确定所接收的结果是否指示一个或多个试件是否包括像差，并因此确定挠曲件是否可能包括带有错误或缺陷的挠曲件。可以在生产挠曲件的过程期间对所有这些信息进行跟踪。如果确定了组件片可以包括带有错误或缺陷的挠曲件，则可以执行该组件片的额外检查和/或可以拒绝该组件片。如此，可以在整个工艺期间对每个组件片进行跟踪。

在不背离本发明范围的情况下，可以对所讨论的示例性实施例进行各种修改和添加。例如，虽然上述实施例涉及特定特征，但是本发明的范围还包括具有特征的不同组合的实施例以及不包括所有所述特征的实施例。因此，这些实施例的范围旨在涵盖落入权利要求范围内的所有这些替代、修改和变化，以及其所有等同方案。虽然所公开的主题适用于各种修改和替代形式，但是已经在附图中通过示例示出并在本文中描述了具体的实施例。然而，并不旨在将本发明限制到所描述的特定实施例中。相反，本公开旨在覆盖落入由所附权利要求所限定的本公开范围内的所有修改、等同方案和替代方案。

由于本文中关于测量范围(诸如以上直接公开的这些)使用了术语，“约”和“大约”可互换地用于指代一种测量，所述测量包括所陈述的测量并且还包括适度地接近所陈述的测量，但可相差适当少量，诸如相关领域普通技术人员将会理解并很容易确定从而可归因于测量误差，测量和/或制造设备校准中的差值，在读取和/或设置测量中的人为误差，考虑到与其它部件、特定实施场景相关联的测量中的差用于优化性能和/或结构参数而进行的调节，由人或机器对物体进行的不精确调节和/或操纵，等等。