一种全局像元cmos图像传感器系统架构及其信号传输方法

文档序号:8266471阅读:531来源:国知局
一种全局像元cmos图像传感器系统架构及其信号传输方法
【技术领域】
[0001]本发明属于本发明属于图像传感器领域,涉及一种高帧率1080P5T全局像元互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,简称CMOS)图像传感器系统架构及其信号传输方法。
【背景技术】
[0002]图像传感器是组成数字摄像头的重要组成部分。根据元件的不同,可分为CO) (Charge-coupled Device)图像传感器和CMOS图像传感器两大类。CMOS传感器获得广泛应用的一个前提是其所拥有的较高灵敏度、较短曝光时间和日渐缩小的像素尺寸。
[0003]通常来说,一个CMOS图像传感器的帧率往往取决于后方数字信号处理器(digital signal processing,简称DSP) (DSP)的能力,从目前来看,通常的数字信号处理器具备1080p全高清视频流下每秒钟30帧(30fps)的处理能力,这一帧率能力对于高清视频流来说是足够了。
[0004]但是,对于某些特殊应用来说,需要每秒钟传输30帧或60帧的视频流帧率就远远不够了。例如,对于某些科学应用相机来说,通常需要拍摄超高速运动的物体,比如拍摄超高速运动的子弹、百米运动员冲刺等,因此,要求其图像传感器能够具备高帧率的图像采集能力。在上述情况下,高帧率的图像传感器需要具备1SOp全高清视频流下每秒钟200帧以上的数据流能力。
[0005]传统的4T像元通常属于滚筒曝光像元(Rolling Shutter Pixel),其信号读取原理是当TX置高时,PD的信号将被传输出来,当NMOS管的栅极信号RX拉到高电平时,对FD点电荷进行清空和复位,然后RX信号置为低电平并将另一 NMOS的栅极信号置为高电平,此时,PD的信号被传输至FD点,随后完成信号读出。也就是说,对于传统4T像元组成的图像传感器X行I列来说,第一行第一列的曝光时间与第X行第X列的曝光时间并不同时。这个非同时性对于普通相机应用来说没有问题,但是对于高帧率拍摄图像时,则会引起明显的图像失真与变形。所以对于高帧率的图像传感器,需要通过5T全局像元(Global ShutterPixel)来实现。
[0006]另外,对于高帧率的图像传感器来说,CMOS工艺下由于具备高度集成的特点,可以在一颗芯片上集成像素和数字处理电路,因此,非常适用于有效提高图像传感器的帧率。
[0007]请参阅图1和图2,图1为现有技术中5T全局像元的CMOS图像传感器像元结构的示意图;图2为现有技术中图1中的CMOS图像传感器像元的控制信号时序图;其中,控制信号包括:EC、TG、SEL和RST,以及采样开关SI和S2。如图所示,5T全局像元都需要进行两步操作,即复位与采样信号,在这种情况下,5T全局像元增加了第一晶体管Ml,通过PR信号可以复位采样,并且该复位信号即可以作用于CIS所有像元,又可以与采样信号分开,相对于传统的4T像元,大幅提高了 CIS的帧率。
[0008]然而,上述CIS的帧率还是不能实现图像传感器在1080p (1920*1080 = 207万像素)超高清视频流下每秒钟60帧以上的数据流能力。

【发明内容】

[0009]本发明的主要目的在于提供一种全局像元CMOS图像传感器系统架构及其信号传输方法,其基于高帧率的5T全局像元的CMOS图像传感器系统架构,实现1080p (1920*1080=207万像素)超高清视频流下每秒钟60帧以上的数据流能力。
[0010]为达成上述目的,本发明提供一种全局像元的CMOS图像传感器系统架构,其包括:由M*N个5T全局像元组成的像素阵列区;其中,所述像元包括5个NMOS晶体管,即第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5和I个感光二极管;以及第一 5T全局像元尾电流模块、TG控制信号译码模块、RST控制信号译码模块、PR控制信号译码模块、RS控制信号译码模块、列级数据线译码模块、偏置和激励电压提供模块和输入输出接口 ;其中,第一 5T全局像元尾电流模块为所述列级数据线译码模块提供电流,PR控制信号、TG控制信号是全局信号,RST控制信号是行信号;所述像元的工作时序如下:[0011 ] (I)、PR控制信号置高,所述第一晶体管Ml导通,使得所述感光二极管的电位保持与VPR—致,进行复位;
[0012](2)、RST控制信号置高,所述第三晶体管M3导通,使得FD点的电位保持与输入电压VDD —致,进行复位;所述FD点的电位为所述第二晶体管M2的漏极或所述第三晶体管M3的源极的电位;
[0013](3)、所述PR控制信号与RST控制信号信号置低,曝光时间开始计;
[0014](4)、在曝光时间即将结束之前,所述RST控制信号置高,所述第三晶体管M3导通,使得FD点再次复位,为后续FD点存储所述感光二极管的信号做准备;
[0015](5)、TG控制信号置高,所述第二晶体管M2导通,使得所述感光二极管的信号转移到FD点,然后TG控制信号置低,第二晶体管M2关闭,FD点存储所述感光二极管的信号;
[0016](6)、RS控制信号置高,所述第五晶体管M5导通,使得FD点存储的感光二极管信号经过作为源跟随器的所述第四晶体管M4和作为开关功能的第五晶体管M5传出到所述列级数据线上。
[0017]优选地,所述M*N 为 1920*1080。
[0018]优选地,所述的全局像元CMOS图像传感器系统架构还包括PRECHARGE控制信号译码模块,PRECHARGE控制信号是行信号;所述PRECHARGE控制信号译码模块连接在所述第五晶体管M5输出端和接地端之间,其包括相互串联的控制开关和第二尾电流模块,在每一次5T全局像元信号读取之前产生,通过所述控制开关和第二尾电流模块配合产生的短暂高电平,得到PRECHARGE控制信号。
[0019]优选地,所述每列5T全局像元共享所述第一尾电流模块输出的尾电流激励。
[0020]优选地,所述第一尾电流的大小为2?20uA。
[0021]优选地,所述第一尾电流的大小为5uA。
[0022]优选地,所述的全局像元CMOS图像传感器系统架构还包括输出驱动级,其在接收到所述列级数据线译码模块将N个依次传输过来的信号后,将所述信号传输到芯片外端。
[0023]为达成上述目的,本发明还提供一种采用上述全局像元CMOS图像传感器系统架构的信号传输方法,其包括如下步骤:
[0024]步骤S1:根据TG控制信号、RST控制信号、PR控制信号的工作时序,使所述像素阵列中各所述全局像元同时进行曝光和信号采样;
[0025]步骤S2:根据RS控制信号的工作时序,选中所述像素阵列的某一行,执行对该行的各所述全局像元的信号同时读取的步骤;
[0026]步骤S3:将该行的各所述全局像元所读取的信号依次输出;
[0027]重复步骤S2和步骤S3直至该像素阵列中全部全局像元的信号输出。
[0028]优选地,所述步骤S2具体包括:
[0029]步骤S21:在每一次5T全局像元信号读取之前产生,通过所述控制开关和第二尾电流配合产生短暂高电平,得到PRECHARGE控制信号;
[0030]步骤S22:所述PRECHARGE控制信号控制所述第二尾电流模块对所述第五晶体管M5的漏极放电,使所述第五晶体管M5漏极的电压短暂拉低至接地端电平;
[0031]步骤S23:根据RS控制信号的工作时序,选中所述像素阵列的某一行,对该行的各所述全局像元的信号同时读取。
[0032]优选地,还包括步
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