膜状部件、电气光学装置、电子仪器的制作方法

专利名称：膜状部件、电气光学装置、电子仪器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种电气光学装置、可设置在该电气光学装置上的膜状部件、层压膜、低折射率层、多层层压膜、具有该电气光学装置的电子仪器。
背景技术：
针对各象素配置有有机电致发光(Electroluminescence)元件的有机电致发光显示装置(电气光学装置)具有高亮度，而且是自发光，也可用直流低电压驱动，且响应快、因此其显示性能优良，另外由于可以完成显示装置的薄型化、轻量化、低耗电化，因此将来可望成为继液晶显示装置后的显示装置。
图16是表示有机电致发光显示装置模式一实施例的截面图。在该有机电致发光显示装置100中，在玻璃基板101上形成有发光层102和空穴输送层103被夹持于金属电极(阴极)104和透明电极(阳极)105之间而构成的有机电致发光元件106。虽未图示，但如果是活性矩阵(active matrix)型的有机电致发光显示装置，实际上其中多个数据线和多个扫描线是以格子形状配置而成的，配置成被这些数据线和扫描线所区划的矩阵状的各象素上，都配置有开关晶体管和驱动晶体管等驱动用晶体管和所述的有机电致发光元件106。因此，当通过数据线和扫描线提供驱动信号之后在阳极和阴极之间流通有电流，有机电致发光元件106会发出光并射向玻璃基板101的外侧，点亮其象素。
但是，在发光层102中发生的是全面发光，以广角(如，临界角以上)射出的光如图17的模式图所示，只在玻璃基板101内传播，无法射向玻璃基板101的外部。即，由于光的射出效率低，因此即使给发光层102供应一定的电流进行发光，也只有其中的一部分光能对显示动作作贡献，从而会导致视觉性的下降。
另一方面，有机电致发光元件或挟持有机电致发光元件的电极会被氧、水蒸气(水分)等成为元件劣化的主要原因的物质所劣化。另外，在具有晶体管等有源元件的所谓活性型电气光学装置中，通过与氧或水蒸气(水分)，还有各种离子的接触，也会劣化有源元件。

发明内容
鉴于以上问题，本发明的目的在于提供在保持封装性能的同时，还可以提高光向外部射出的效率，并可实现高视觉性的电气光学装置。
为了解决以上问题，本发明提供一种膜状部件，包括具有绝缘膜功能的第一膜；具有绝缘膜功能的第二膜，以及第三膜，所述第三膜设置在所述第一膜和第二膜之间并与所述第一膜和第二膜接触，所述第三膜的折射率低于所述第二膜的折射率，而且入射到所述膜状部件的光透射所述低于膜、第二膜和第三膜。
在上述膜状部件中，所述第二膜包括陶瓷。
在上述膜状部件中，所述第二膜为透光的。
在上述膜状部件中，所述第二膜包括聚合材料。
在上述膜状部件中，所述第一膜包括树脂。
在上述膜状部件中，所述第三膜包括干燥剂和吸附剂中的至少一种材料。
在上述膜状部件中，所述第三膜包括多孔质体。
在上述膜状部件中，所述第三膜包括由分散微粒形成的凝胶。
在上述膜状部件中，所述第三膜包括氟类聚合物。
在上述膜状部件中，所述第三膜包括多孔质聚合物。
在上述膜状部件中，所述第三膜的折射率为1.2或更低。
在上述膜状部件中，所述第三膜包括绝缘材料。
在上述膜状部件中，所述第一膜抑制物质透过所述第一膜。
在上述膜状部件中，所述第三膜包括陶瓷。
根据本发明的另一方面，提供一种电气光学装置，包括电气光学元件；以及上述的膜状部件。
在上述膜状部件中，所述第一膜包括氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。
根据本发明的另一方面，提供一种电气光学装置，包括电气光学元件；以及上述的膜状部件。
在电气光学装置中，发自所述电气光学元件的光穿过所述第一膜。
在上述膜状部件中，所述第一膜和第二膜中的至少一个抑制物质透过所述第一膜。
根据本发明更进一步的方面，提供一种电气仪器，包括上述的电气光学装置。
在上述电气光学装置中，所述电气光学元件具有发射光的光源的功能。
在上述膜状部件中，由不包括在所述膜状部件中的光源发射光。
本发明还提供一种电气光学装置中具有发光元件，其特征在于具备有可遮断物质的透过的封装层，并在所述发光元件发出的光所射出的方向上配置有低折射率层。
封装层可以根据所要抑制透过的物质，作适当的选择。如，若要抑制氧或水的浸透，则优选陶瓷，特别是氮化硅、氮氧化硅、氧化硅等。另外，也可以是在有机材料或无机材料上分散有干燥剂及吸附剂中的至少一种而成的材料。若要抑制金属离子的透过，优选如在绝缘膜上添加各种元素的材料。
在这里，低折射率层的折射率以1.5以下为宜，优选1.2以下。另外，在光的射出方向上配置有与空气形成界面的部件时，有时低折射率层的折射率要低于该部件。
根据本发明，由发光层射出的光会通过低折射率层，因此可以减少反射到空气中的光，由此可以提高光的射出效率，然后再在光的射出方向上配置封装层，用封装层遮断从光的射出方向侵入的氧或水等发光元件的劣化因子。
作为低折射率层，可列举可透过光的多孔质体、气溶胶、多孔质二氧化硅、氟化镁或含它的材料、分散有氟化镁微粒的凝胶、氟系聚合物或含它的材料、树枝状聚合物(デンドリマ一)等具有支链结构的多孔性聚合物、所定材料中含有无机微粒或有机微粒中至少一种的材料等。
从常作为用于配置发光元件的基板使用的玻璃基板侧射出光时，由于玻璃的折射率为1.54，因此低折射率层的折射率应设定在1.5以下。优选1.2以下。
在上述的电气光学装置中，也可在基板上配置对所述发光元件进行通电控制的通电控制部。此时，可从设有所述通电控制部的基板射出由所述发光元件发出的光，也可从所述发光元件的所述基板的相反一侧，射出由所述发光元件发出的光。
作为所述通电控制部，可使用如晶体管、二极管等。特别是薄膜晶体管由于具有透光性，且可形成于价格低廉的玻璃基板上，因此可以用作理想的所述通电控制部。
本发明的电气光学装置是具有发光元件的电气光学装置，其特征在于在所述发光元件发出的光的射出方向上，配置分散有干燥剂或吸附剂中的至少一种的低折射率层。
所述的电气光学装置由于配置了分散有干燥剂或吸附剂的低折射率层，因此光的射出效率较高，且可以抑制会成为发光元件或电极等的劣化因素的物质的透过。
在上述的电气光学装置中，所述发光元件可以是有机电致发光元件。有机电致发光元件如果接触到水或氧等，其发光效率或寿命会有所缩短，而设置封装层就可以减少元件的劣化。另外，通常挟持有机电致发光元件的电极中至少一个是由容易被水或氧劣化的金属形成，因此可以减少电极的劣化。
本发明的膜状部件的特征在于具有低折射率层和可抑制物质的透过的封装层。在这里，低折射率层是指折射率低于1.5的层。有时特别优选其折射率为1.2以下的低折射率层。如，具有电气光学功能的元件或装置被本发明的膜状部件所包覆之后，可以长时间保持所需要的功能。
在上述的膜状部件中，也可以在所述低折射率层和所述封装层的至少一个层上分散干燥剂及吸附剂中的至少一种。
本发明层压膜的特征在于具有低折射率层和可抑制物质的透过的封装层。在这里，低折射率层是指折射率低于1.5的层。有时特别优选其折射率为1.2以下的低折射率层。如，具有电气光学功能的元件或装置被本发明的层压膜所包覆之后，可以长时间保持所需要的功能。
作为上述层压膜的所述低折射率层，可以利用多孔质体。多孔质体中孔隙的占有率高，因此可以充分地降低折射率。
作为上述层压膜的所述低折射率层，可列举气溶胶、多孔质二氧化硅、氟化镁或含它的材料、分散有氟化镁微粒的凝胶、氟系聚合物或含它的材料、具有支链结构的多孔性聚合物、所定材料中含有无机微粒或有机微粒中至少一种的材料等。即，可以采用孔隙占有率高的材料、或者低密度材料、或原子折射率或分子折射率低的材料。
本发明的低折射率膜的特征在于，于低折射率材料中分散有干燥剂或吸附剂中的至少一种。
根据本发明，通过在低折射率材料中分散干燥剂或吸附剂，低折射率膜可以抑制物质的透过。因此本发明的低折射率膜适用于电气光学元件或电气光学装置。
本发明的多层层压膜的特征在于具有所述层压膜和所述低折射率膜。如本发明中所示通过用膜完成多层化，可以进一步抑制物质的透过。另外，也可以使多个封装层分别抑制不同物质的透过。
因此，本发明的多层层压膜适用于电气光学元件或电气光学装置。
本发明的电气光学装置的特征在于具有电气光学元件、所述层压膜、低折射率膜、多层层压膜中的至少一个。
根据本发明，通过具备上述膜，可以提高光的射出效率，同时也可以防止各种电气光学元件或电气光学装置的劣化。
上述电气光学装置的又一特征在于还具有对所述电气光学元件进行通电控制的通电控制部和支撑所述通电控制部的基板。
在所述基板的任意主面上也可以配置所述层压膜、所述低折射率膜、所述多层层压膜中的至少一种。在这种情况下，通过堵塞或吸附从基板侧侵入的物质，可以防止所述电气光学装置的劣化。
所述电气光学元件的与所述基板相反的一侧也可以设置所述膜状部件、所述层压膜、所述低折射率膜、及所述多层层压膜中的至少一种。在这种情况下，可以堵塞或吸附从所述电气光学元件的上方侵入的物质，因此可以防止上述电气光学装置的劣化。
作为所述通电控制部，可以使用如晶体管或二极管。特别是薄膜晶体管由于具有透光性，且可形成于价格低廉的玻璃基板上，因此可以用作理想的所述通电控制部。
所述电气光学元件也可以是有机电致发光元件。
本发明的电子仪器的特征在于具有所述的本发明电气光学装置。
根据本发明，可以实现显示质量良好，且可长期保持所需功能的电子仪器。


图1是表示本发明电气光学装置的实施例1的概略构成图。
图2是表示本发明膜状部件的截面图。
图3是表示本发明电气光学装置的实施例2的概略构成图。
图4是表示有源阵列型有机电致发光显示装置的电路图。
图5是表示图4显示装置中象素部的平面结构的放大图。
图6是表示本发明电气光学装置的实施例3的图，是图5的A-A截面图。
图7是表示本发明电气光学装置的实施例4的截面图。
图8是表示本发明电气光学装置的实施例5的截面图。
图9是表示本发明电气光学装置的实施例6的截面图。
图10是表示本发明电气光学装置的实施例7的截面图。
图11是有关本发明电气光学装置的实施例7的其它例。
图12是表示本发明电气光学装置的实施例8的无源阵列型有机电致发光显示装置的图，(a)是俯视图，(b)是(a)的B-B截面图。
图13是表示具有本发明电气光学装置的电子仪器的实施例的图。
图14是表示具有本发明电气光学装置的电子仪器的实施例的图。
图15是表示具有本发明电气光学装置的电子仪器的实施例的图。
图16是表示以往电气光学装置例的概略构成图。
图17是用于说明从发光层发出的光通过基板折射的形状的图。
图中，1-有机电致发光显示装置(电气光学装置)，2-基板，3、11-低折射率层，4-封装层，5-发光层，6-空穴输送层，7-阴极(电极)，8-阳极(电极)，9-有机电致发光元件(发光元件)，11-低折射率膜，20-层压膜。
具体实施例方式
实施例1下面参照图1说明本发明的电气光学装置。图1是表示本发明电气光学装置即有机电致发光显示装置的实施例1的图。
在图1中，有机电致发光装置1具有可透过光线的基板2(光透过层)、设在基板2一面侧的由被夹持于一对阴极(电极)7和阳极(电极)8之间并以有机电致发光材料构成的发光层5和空穴输送层6构成的有机电致发光元件(发光元件)9、层压于基板2和有机电致发光元件9之间的低折射率层3及封装层(或者是屏蔽层)4。低折射率层3比封装层更靠近基板2侧。
在这里，图1所示的有机电致发光显示装置1属于从基板2侧向装置外部射出由发光层5发出的光的情况，作为基板2的形成材料可列举可以透过光线的透明或者是半透明的材料，如透明玻璃、石英、蓝宝石、或聚酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚醚酮等透明的合成树脂等。作为形成基板2的材料，尤为理想的是价格低廉的钠钙玻璃。
另一方面，当从基板2的相反一侧射出发射光时，基板2可以是不透明的，此时可以使用氧化铝等陶瓷、不锈钢等金属板上实施表面氧化处理等绝缘处理的材料、热固性树脂、热塑性质树脂等。
阳极8是由如铟锡氧化物(ITOIndium Tin Oxide)等构成的透明电极，可以透过光线。空穴输送层6由如三苯胺衍生物(TPD)、吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、芪衍生物、三苯基二胺衍生物等构成。具有可以列举特开昭63-70257号、同63-175860号公报、特开平2-135359号、同2-135361号、同2-209988号、同3-37992号、同3-152184号公报上记载的化合物，优选三苯基二胺衍生物，其中理想的是4，4’-双(N-(3-甲基苯基)-N-苯胺)联苯。也可以使用聚乙烯二羟基噻吩或聚乙烯二羟基噻吩和聚苯乙烯磺酸的混合物等高分子材料。
另外，也可用空穴注入层代替空穴输送层，也可以同时形成空穴注入层和空穴输送层。此时，作为空穴注入层的形成材料，可以列举酞菁铜(CuPc)、或聚四氢苯硫基苯撑的聚苯撑乙烯撑、1，1-双-(4-N，N-二甲苯胺基苯基)环己烷、三(8-羟基喹啉酚)铝等，特别优选酞菁铜(CuPc)。
作为发光层5的形成材料，可以使用低分子有机发光色素或高分子发光体，即各种荧光物质或磷光物质等发光物质、Alq3(铝螯合络合物)等有机电致发光材料。成为发光物质的共轭类高分子中，优选含芳烯乙烯撑或聚芴结构的化合物。低分子发光体中，可以使用萘衍生物、蒽衍生物、苝衍生物、聚甲炔类、呫吨类、香豆素类、菁类等色素类，8-氢喹啉及其衍生物的金属络合物，芳胺，四苯基环戊二烯衍生物等，或者是特开昭57-51781、同59-194393号公报等记载的公知的化合物。阴极7是由铝(Al)、镁(Mg)、金(Au)、银(Ag)等构成的金属电极。另外，层压这些金属而成的也可以用作阴极。
此外，在阴极7和发光层5之间，可以设置电子输送层或电子注入层。作为电子输送层的形成材料，没有特殊的限定，可使用二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物、9-芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍生物、二吩醌衍生物、8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物等。与前述的空穴输送层的形成材料相同，具体可列举特开昭63-70257号、同63-175860号公报、特开平2-135359号、同2-135361号、同2-209988号、同3-37992号、同3-152184号公报上记载的化合物，特别优选2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-二唑、苯醌、蒽醌、三(8-喹啉酚)铝等。
低折射率层3是其光透过折射率低于基板2的层，由二氧化硅气溶胶构成。二氧化硅气溶胶是通过超临界干燥由硅烷氧基化物的溶胶凝胶反应形成的湿润凝胶而得到的具有均匀的超微细结构的光透过性多孔质体。二氧化硅气溶胶是由占90％以上体积的孔隙和占其剩余部分的凝集成树枝状的几十nm大小的细微的SiO2粒子构成的材料，由于粒径小于光的波长，因此具有透光性，其折射率小于1.2。另外，通过改变孔隙率，可以调整折射率。在这里，基板2的材料玻璃的折射率为1.54，石英的折射率为1.45。
二氧化硅气溶胶是经过根据溶胶-凝胶法制作湿润凝胶的工艺、熟化湿润凝胶的工艺及根据超临界干燥法干燥湿润凝胶得到气溶胶的超临界干燥工艺而制造的。超临界干燥法是适用于把由固相和液相构成的冻胶状凝胶物质中的液体置换为超临界流体而去除之后在不收缩凝胶的条件下干燥凝胶物质的方法，可以得到高孔隙率的气溶胶。
另外，低折射率层3可使用具有多孔性的SiO2膜，而不是由超临界干燥法形成的二氧化硅气溶胶。该SiO2膜由等离子体CVD法(等离子化学的气相生长法)形成，作为反应气体可以使用SiH4和N2O。进而，在该SiO2膜上形成具有多孔性的SiO2膜。该SiO2膜是由常压CVD法(常压化学气相生长法)形成，并使用含TEOS(四乙氧基硅烷)和O2(氧)及低浓度的O3(臭氧)的反应气体。在这里，低浓度的O3是指其浓度低于氧化所述TEOS时所需浓度的O3。
封装层4是用于防止大气从基板2侧的外部侵入到含电极7，8的有机电致发光元件9的部件，通过适当选择膜厚和材料，可以使光线透过。作为构成封装层4的材料，可使用陶瓷、氮化硅、氮氧化硅、氧化硅等透明材料，其中氮氧化硅的透明性、气体屏蔽性良好，因此可以优选。有时金属离子等也会成为元件劣化的原因，在这种情况下，也可以把如含硼、碳、氮、铝、硅、磷、镱、钐、铒、钇、钆、镝、钕等元素中的至少一种元素的绝缘膜用作封装层4。如含有氧化镁、碳酸镁、氧化铁、氧化钛、皂土、酸性白土、蒙脱石、硅藻土、活性氧化铝、硅酸铝、沸石、二氧化硅、氧化锆、氧化钡等干燥剂或吸附剂中的至少一种材料的层，也因为可以吸附或储存氧或水，所以可以用作封装层4。另外，封装层4的厚度最好设成小于由发光层5发出的光线的波长(如0.1μm)。
当有机电致发光显示装置1为有源阵列型时，虽未图示，多个数据线和多个扫描线是以格子形状配置的，配置成被这些数据线和扫描线所区划的矩阵型的各象素上，都通过开关晶体管和驱动晶体管等晶体管，驱动有机电致发光元件9。因此，当通过数据线和扫描线提供驱动信号之后在电极之间流通有电流，有机电致发光元件9的发光层5会发出光来并射向基板2的外侧，同时点亮其象素。
另外，在有机电致发光显示装置1中，夹着有机电致发光元件9，并与封装层4的相对侧表面也形成有防止大气侵入含电极7，8的有机电致发光元件9中的封装部件10。
在制造有机电致发光显示装置1时，首先，在基板2上涂布作为气溶胶的原料的湿润凝胶，经超临界干燥形成低折射率层3。另外，由于通常气溶胶的吸湿性较高，因此若想降低吸湿性，可以在用六甲基二硅氨烷等对由涂布形成的湿润凝胶薄膜进行疏水化之后，再进行超临界干燥。接着，用等离子体CVD法在低折射率层3上形成作为封装层4的氮化硅膜。还有，为了改善低折射率层和封装层之间的密合性，也可以设置由树脂等构成的缓冲层。之后，在封装层4上用溅射法、离子电镀法、真空蒸镀法等形成阳极8，在阳极8上面依次蒸镀层压空穴输送层6、发光层5、阴极7，并由此制造出有机电致发光显示装置1。
在具有所述构成的有机电致发光显示装置1中，由发光层5射出的光线透过透明电极8，并经过封装层4和低折射率层3入射于基板2上。此时，由二氧化硅气溶胶构成的低折射率层3的折射率低于由玻璃或石英构成的基板2，因此光线可从低折射率材料射向高折射率材料，以大于临界角的角度入射于低折射率层3的光线在与基板2的界面向小于临界角的方向折射，偏离基板2内的全反射条件，因此可以提高光的射出效率。
如以上说明，从发光层5射出的光线经过折射率低于基板2的低折射率层3之后再入射到基板2，以大于临界角的角度入射于低折射率层3的光线在与基板2的界面向小于临界角的方向折射，偏离基板2内的全反射条件，可以射向外部。另外，即使低折射率层3由像二氧化硅气溶胶这种透气性高的材料构成，也可以根据封装层4抑制大气从基板侧侵入，因此含电极7，8的有机电致发光元件不会曝露在大气中，由此可以防止劣化。随之，有机电致发光显示装置1也可以维持良好的发光特性。另外，通过把低折射率层3设在基板2的附近，即使从基板2侧有外部光线照射进来，也可以抑制由内侧的反射，并维持由有机电发光元件9所发出的光的高视觉性。
另外，在本实施例中，含低折射率层3或封装层4的各层是根据等离子体CVD法、溅射法、或蒸镀法依次层压而成的，但如图2所示，也可以先形成具有低折射率层3和封装层4的膜状部件(层压膜)20，再把该膜状部件配置在基板2和阳极8之间。
在本实施例中，基板2上设有低折射率层3，低折射率层3上设有封装层4，但也可以在基板2上设置封装层4，在封装层4上设置低折射率层3。这样，在阳极8(有机电致发光元件9)和基板2之间的层结构可以是基板2/低折射率层3/封装层4/阳极8，也可以是基板2/封装层4/低折射率层3/阳极8。也可以设成基板2/封装层4/低折射率层3/封装层4/阳极8的多个封装层的结构。
在封装层(屏蔽层)4和阳极8之间，或低折射率层3和封装层4之间也可以夹有聚合物层。作为构成该聚合物层的材料，可以使用聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯等常用的烃类高分子。也可以使用由单体的聚合反应(如，乳液聚合法)合成的聚合物微粒。也可以使用含氟原子的含氟高分子。用于合成含氟聚合物的含氟原子的单体例包括氟链烯烃类(如氟乙烯、偏氟乙烯、四氟乙烯、六氟丙烯、全氟-2，2-二甲基-1，3-二茂)、丙烯酸或甲基丙烯酸的氟化烷基酯类及氟化乙烯醚类。也可以用含氟原子的单体和不含氟原子的单体的共聚物。不含氟原子的单体例包括链烯烃类(如，乙烯、丙烯、异戊二烯、氯乙烯、偏氯乙烯)、丙烯酸酯类(如，丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸2-乙基己酯)、甲基丙烯酸酯类(如，甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酯丁酯)、苯乙烯类(如，苯乙烯、乙烯基甲苯、α-甲基苯乙烯)、乙烯基醚类(如甲基乙烯基醚)、乙烯基酯类(如，醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯)、丙烯酰胺类(如，N-叔丁基丙烯酰胺、N-环己基丙烯酰胺)、甲基丙烯酰胺类及丙烯腈类。
由二氧化硅气溶胶形成低折射率层时，在基板2上用旋转涂布法等涂布湿润凝胶之后，再进行超临界干燥，但湿润凝胶中也可以混合合成树脂(有机物)。此时的合成树脂优选热改性温度高于超临界流体的临界温度并且具有光透过性的合成树脂。当作为超临界流体使用醇时，作为其热改性温度高于醇的临界温度并具有高光透过性的合成树脂，可列举羟丙基纤维素(HPC)、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)、乙基纤维素(EC)等(PVB及EC溶于醇而不溶于水)。当把醚用作溶剂时，作为树脂最好选择氯系聚乙烯等，而当把CO2用作溶剂时，最好选择HPC。
本实施例中的低折射率层3为二氧化硅气溶胶，也可以用以氧化铝为基质的气溶胶，只要是具有低于基板2的低折射率并可透过光线的多孔质体即可。此外多孔质体(气溶胶)的密度最好小于0.4g/cm3。
另一方面，作为低折射率层3可以是多孔质体，也可以是由环氧类粘合剂(折射率为1.42)或丙烯酸类粘合剂(折射率为1.43)等具有光透过性并且其折射率低于基板2的高分子材料构成的粘合剂。即使在单独使用这些粘合剂时，其折射率也低于构成基板2的玻璃或石英等，因此可以提高光线的射出效率。另外在使用这些粘合剂时，通过贴合基板2和封装层4可以制造有机电致发光显示装置1。
进而，作为低折射率层3，可以是多孔质二氧化硅，也可以是氟化镁(折射率为1.38)或含有它的材料。由氟化镁制造的低折射率层3可以通过溅射法形成。或者是分散有氟化镁微粒的凝胶也可。或者，也可以是含有氟类聚合物或含有它的材料，如全氟烷基聚醚、全氟烷基胺、或全氟烷基聚醚-全氟烷基胺混合薄膜。
另外，在所定的聚合物粘合剂中也可以混合具有可溶性或分散性的低折射率氟代烃化合物。
作为聚合物粘合剂，可列举聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯磺酸钠盐、聚乙烯基甲基醚、聚乙二醇、聚α-三氟甲基丙烯酸、乙烯基甲基醚和马来酸酐的共聚物、乙二醇和丙二醇的共聚物、聚甲基丙烯酸等。
另外，作为氟代烃化合物，可以列举全氟辛酸-铵盐、全氟辛酸-四甲基铵盐、C-7和C-10的全氟烷基磺酸铵盐、C-7和C-10的全氟烷基磺酸四甲基铵盐、氟代烷基4级铵碘酸盐、全氟己二酸及全氟己二酸的4级铵盐等。
此外，作为低折射率层3导入孔隙的方法较为有效，因此除了所述的气溶胶之外，也可以利用微粒在微粒间或微粒内形成环状孔隙。作为微粒，可以把无机微粒或有机微粒用于低折射率层。
无机微粒最好是非晶形。无机微粒最好由金属氧化物、氮化物、硫化物或卤化物构成，更优选由金属氧化物或金属卤化物构成，最优选由金属氧化物或金属氟化物构成。作为金属原子，优选Na、K、Mg、Ca、Ba、Al、Zn、Fe、Cu、Ti、Sn、In、W、Y、Sb、Mn、Ga、V、Nb、Ta、Ag、Si、B、Bi、Mo、Ce、Cd、Be、Pb及Ni，优选Mg、Ca、B及Si。也可以用含有两种金属的无机化合物。特别理想的无机化合物是二氧化硅。
无机微粒内的环状孔隙可通过交联形成粒子的二氧化硅分子而形成。当交联二氧化硅分子之后，体积会缩小，粒子会成为多孔质。具有环状孔隙(多孔质)的无机微粒可通过溶胶-凝胶法(特开昭53-112732号、特公昭57-9051号等各公报上有记载)或析出法(APPLIED OPTICS，27，3356页(1988)上有记载)，可直接合成为分散物。另外，用机械粉碎由干燥·沉淀法得到的粉体也可得到分散物。也可使用市售的多孔质无机微粒(如，二氧化硅溶胶)。为了形成低折射率层，具有环状孔隙的无机微粒最好以分散于合适的介质的状态使用。作为分散介质，优选水、醇(甲醇、乙醇、异丙醇)及酮(如，丁酮、甲基异丁酮)。
有机微粒也最好是非晶形。有机微粒优选由单体的聚合反应(如乳液聚合法)合成的聚合物微粒。有机微粒聚合物最好含有氟原子。用于合成含氟聚合物的含氟原子的单体例包括氟链烯烃(如氟乙烯、偏氟乙烯、四氟乙烯、六氟丙烯、全氟-2，2-二甲基-1，3-二茂)、丙烯酸或甲基丙烯酸的氟代烷基酯类及氟代乙烯醚类等。也可以用含氟原子的单体和不含氟原子的单体的共聚物。不含氟原子的单体例包括链烯烃类(如，乙烯、丙烯、异戊二烯、氯乙烯、偏氯乙烯)、丙烯酸酯类(如，丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸2-乙基己酯)、甲基丙烯酸酯类(如，甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酯丁酯)、苯乙烯类(如，苯乙烯、乙烯基甲苯、α-甲基苯乙烯)、乙烯基醚类(如甲基乙烯基醚)、乙烯基酯类(如，醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯)、丙烯酰胺类(如，N-叔丁基丙烯酰胺、N-环己基丙烯酰胺)、甲基丙烯酰胺类及丙烯腈类。
有机微粒内的环状孔隙可通过交联形成粒子的聚合物而形成。交联聚合物后体积会缩小，粒子会成为多孔质。为了交联形成粒子的聚合物，最好使用于合成聚合物的单体的20mol％以上为多官能团单体。多官能团单体的比例在30-80mol％更佳，最优选35-50mol％。多官能团单体例包括二烯烃类(如，丁二烯、戊二烯)、多元醇和丙烯酸的酯(如，乙二醇二丙烯酸酯、1，4-环己烷二丙烯酸酯、二季戊四醇己基丙烯酸酯)、多元醇和甲基丙烯酸的酯(乙二醇二甲基丙烯酸酯、1，2，4-环己烷四甲基丙烯酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯)、二乙烯基化合物(如，二乙烯基环己烷、1，4-二乙烯基苯)、二乙烯基砜、双丙烯酰胺类(如，甲撑双丙烯酰胺)及双甲基丙烯酰胺类。粒子间的环状孔隙可以重叠2个以上微粒而形成。
低折射率层3可由具有微细孔和微粒状无机物的材料构成。此时，低折射率层3可由涂布法形成，而微细孔可在涂布层后进行活性气体处理，使气体脱离该层而形成。或者可以混合2种以上的超微粒子(如，MgF2和SiO2)，并在膜厚方向改变其混合比来形成低折射率层3。折射率随混合比而变化。用由乙基硅酸盐的热分解生成的SiO2粘合超微粒子。在乙基硅酸盐的热分解中，通过乙基部分的燃烧，也生成二氧化碳和水蒸气。通过二氧化碳和水蒸气从层中的脱离，在超微粒之间可以产生间隙。或者也可以含有由多孔质二氧化硅组成的无机微粉末和粘合剂，形成低折射率层3，也可以重叠两个以上由含氟聚合物构成的微粒，形成在微粒间形成有孔隙的低折射率层3。
也可以在分子结构水平提高孔隙率。如，使用树枝状聚合物等具有支链结构的聚合物，也可得到低折射率。
因此，采用上述材料，低折射率层3的折射率可望设定成小于1.5，优选设定为小于1.2。
实施例2图3中表示了本发明有机电致发光显示装置的实施例2。在用图3说明时，对与上述的实施例1相同或同等的结构部分，没有作详细说明。
在图3中，有机电致发光显示装置1具有可透过光线的基板2、设在基板2一面侧并具有被夹持于一对电极7和电极8之间的发光层5和空穴输送层6的有机电致发光元件9、设在基板2和有机电致发光元件9的阳极8之间，且折射率低于基板2的低折射率层(低折射率膜)11。低折射率层11上分散有干燥剂或吸附剂中的至少一种。
即，本实施例中没有封装层，且本实施例的低折射率层11是在实施例1中所说明的构成低折射率层的材料上，分散干燥剂或吸附剂中而成的。
低折射率层11，是在如丙烯酸树脂或环氧树脂等可透光且折射率低于基板2的合成树脂里混合粉末干燥剂的材料。由于合成树脂里混合有干燥剂粉末，因此可以减少透过低折射率层11的水分。另外，作为树脂，最好使用环氧树脂等2液混合或利用紫外线固化的类型。当加热不会引起有机电致发光元件9的劣化时，也可以使用加热固化的类型。干燥剂应在固化低折射率层11之前加入，充分混炼之后再固化树脂可以使之均匀地混入于低折射率层11中。作为干燥剂，可以使用化学吸附性物质。作为化学吸附性干燥剂的例子，可举出氧化钙、氧化钡等碱土类金属的氧化物、氯化钙等碱土类金属的卤化物、五氧化磷等。除此之外，如酸性白土、蒙脱石、硅藻土、活性氧化铝、硅酸铝、沸石、二氧化硅、氧化锆等。
如以上说明，即使低折射率层11的主成分为合成树脂等透气性高的材料，通过分散干燥剂的粒子，也可以赋予低折射率层11封装功能(屏蔽功能)。随之，可以用低折射率层11抑制从基板2一侧进入的氧或水分等会成为元件劣化因素的成分的侵入，从而可以维持良好的发光特性。
在本实施例中，也可以作为膜状部件(低折射率膜)先形成含干燥剂的低折射率层11，再把该膜状部件配置在基板2和阳极8之间。
另外，当然也可以组合实施例1中所示的具有低折射率层和封装层的层压膜、和实施例2中所示的分散有干燥剂或吸附剂的低折射率膜，作为多层层压膜使用。
实施例3下面，作为实施例3，参照图4、图5及图6说明本发明电气光学装置的具体结构例。
图4、图5是表示把本发明电气光学装置适用于使用有机电致发光元件的有源阵列型显示装置时的一实施例的图。
该有机电致发光显示装置S1，如图4的电路图中所示，是在基板上，分别配置多个扫描线131、和向与这些扫描线131相对交差的方向延伸的多个信号线132及并列延伸于这些信号线132的多个共用供电线133而构成的，并在扫描线131和信号线132的各交点上设有象素(象素区域部)AR。
针对于信号线132，设置有具有移位寄存器、水平移相器(levelshifter)、视频线路、模拟开关的数据线驱动电路90。
另一方面，针对扫描线131，设有具备移位寄存器及水平移相器的扫描线驱动电路80。另外，在每个象素区域AR上，设置有通过扫描线131把扫描信号提供给栅极的第1薄膜晶体管22、通过该第1薄膜晶体管22保持由信号线132提供的图像信号的保持电容cap、使由保持电容cap所保持的图像信号提供给栅极的第2薄膜晶体管24、通过该第2薄膜晶体管24电气连接于共用供电线133时从共用供电线133流入驱动电流的象素电极23、被夹持于该象素电极(阳极)23和对向电极(阴极)222之间的发光部(发光层)60。
以这种结构为基础，当扫描线131被驱动，打开第1薄膜晶体管22后，此时的信号线132的电位被保持于保持电容cap，根据该保持电容cap的状态，决定第2薄膜晶体管24的开通状态。之后，通过第2薄膜晶体管24的通道，电流从共用供电线133流向象素电极23，之后电流再通过发光层60流向对向电极222，而发光层60根据流通于其内部的电流量进行发光。
图5是去除对向电极或有机电致发光元件状态的放大俯视图。在这里，各象素AR的平面结构如图5所示，平面形状为长方形的象素电极23的四边由信号线132、共用供电线133、扫描线131及未图示的其它象素电极用的扫描线所围住。
图6是图5的A-A截面图。在这里，图6中所示的有机电致发光显示装置采用的是从与配置有薄膜晶体管(TFTThin Film Transistor)的基板2侧相反的侧面射出光的形式。
如图6所示，有机电致发光装置S1具有基板2、由铟锡氧化物(ITOIndium Tin Oxide)等透明材料构成的阳极(象素电极)23、可从阳极23输送空穴的空穴输送层70、含电气光学物质之一的有机电致发光物质的发光层(有机电致发光层、电气光学元件)60、设在发光层60上面的电子输送层50、设在电子输送层50上面的由铝(Al)、镁(Mg)、金(Au)、银(Ag)、钙(Ca)等中的至少一种构成的阴极(对向电极)222、形成于基板2上并控制是否要将数据信号输入于象素电极23的作为通电控制部的薄膜晶体管(以下称为“TFT”)24。另外，在阴极222的上层，即从发光层60发出的光射向外部的一侧设置有由低折射率层3及封装层4构成的层压膜20。还有，在图6中，低折射率层3配置在阴极222的上层，最上层配置封装层4，但也可以在阴极222上层配置封装层4，并在该封装层4的上层配置低折射率层3。另外，也可以在阴极222上形成由有机材料或无机材料构成的纯化膜或保护膜或者平坦化膜，在其上面设置低折射率层3或封装层4。TFT24是根据扫描线驱动电路80及数据线驱动电路90的工作指令信号进行工作，以对象素电极23进行通电控制。
TFT24隔着以SiO2为主体的底层保护层281设在基板2的表面上。该TFT24上配置有形成于底层保护层281的上面的硅层241、设在底层保护层281的上面并设成覆盖硅层241的栅极绝缘层282、设在栅极绝缘层282上面与硅层241相面对的部分的栅极242、设在栅极绝缘层282的上面并设成覆盖栅极242的第1层间绝缘层283、通过开在栅极绝缘层282及第1层间绝缘层283的接触孔连接于硅层241的源电极243、隔着栅极242设在与源电极243相对向的位置且通过开在栅极绝缘层282及第1层间绝缘层283的接触孔连接于硅层241的漏电极244、和设在第1层间绝缘层283上面并设成覆盖源电极243及漏电极244的第2层间绝缘层284。
第2层间绝缘层284上面配置有象素电极23，象素电极23和漏电极244是通过设在第2层间绝缘层284上的接触孔23a相连接的。另外，第2层间绝缘层284的表面上设有有机电致发光元件以外的部分和阴极222之间，设有由合成树脂构成的第3绝缘层(bank层)221。
在硅层241中，隔着栅极绝缘层282与栅极242相重叠的区域成为通道区域。另外，在硅层241中，通道区域的源极侧设有源极区域，另一方面，通道区域的漏电极侧设有漏电极区域。其中，源极区域通过开在栅极绝缘层282及第1层间绝缘层283的接触孔连接于源电极243。而漏电极区域通过开在栅极绝缘层282及第1层间绝缘层283接触孔连接于与源电极243在同一层上的漏电极244上。象素电极23通过漏电极244连接于硅层241的漏电极区域。
在本实施例中，采用从与设有TFT24的基板2相反的一侧射出发光光的结构，因此基板2可以是不透明的，在这种情况下，可以采用氧化铝等陶瓷、不锈钢等金属板上进行表面氧化等绝缘处理的材料、热固性树脂、热塑性树脂等。
另一方面，如后所述，有机电致发光元件也可以采用从设有TFT的基板侧射出从发光层发出的光线的结构。当从基板侧射出发光光时，作为基板材料可以使用玻璃、石英、树脂等透明或半透明的材料，特别理想的是价格低廉的钠钙玻璃。当使用钠钙玻璃时，若在其上再涂上二氧化硅，则具有可保护耐酸碱性差的钠钙玻璃的效果，同时也有提高基板平坦性的效果。
另外，也可在基板配置滤色膜或含发光性物质的变色膜，或者是电介质反射膜，以控制发光色。
在形成底层保护层281时，通过以TEOS(四乙氧基硅烷)、氧气等为原料并根据等离子体CVD法制膜，形成由厚度约为200-500nm的氧化硅膜构成的底层保护层281。
在形成硅层241时，首先，将基板2的温度设定在350℃左右，在底层保护层281的表面按照等离子体CVD法或ICVD法形成厚度约为30-70nm的非晶形硅层。接着，对该非晶形硅层实施激光退火、快速加热法、或固相生长法等进行结晶化工艺，把非晶形硅层结晶化为聚硅层。在激光退火法中，采用如激元激光的光束长度为400mm的线束，其输出强度为200mJ/cm2。在扫描线束时，使相当于在它的宽度方向上激光强度的峰值的90％的部分重叠在每个区域。然后，通过光刻法制作聚硅层布线图案，作为岛状的硅层241。
另外，硅层241会成为如图4所示的第2薄膜晶体管24的通道区域及源电极漏电极区域，在不同的截面位置，也形成有成为第1薄膜晶体管22的通道区域及源电极漏电极区域的半导体膜。即，两种晶体管22、24是同时形成的，由于按同样顺序制备，因此在下面的说明中关于晶体管只说明第2薄膜晶体管24，而省略有关第1薄膜晶体管22的说明。
在形成栅极绝缘层282时，可在硅层241表面通过以TEOS或氧气等为原料并根据等离子体CVD法制膜，形成由厚度约为60-150nm的硅氧化膜或氮化膜构成的栅极绝缘层282。此外，栅极绝缘层282可以是多孔性的氧化硅膜(SiO2)。由多孔性的氧化硅膜构成的栅极绝缘层282，作为反应气体使用的是Si2H6和O3，并由CVD法(化学气相生长法)形成。使用这些反应气体时，在气相中可以形成较大的SiO2粒子，而该较大微粒的SiO2会堆积在硅层241或底层保护层281的上面。为此，栅极绝缘层282的层中具有众多的孔隙，并成为多孔质体。栅极绝缘层282通过成为多孔质体，具有低介电常数。
另外，也可以对栅极绝缘层282的表面进行H(氢)等离子体处理。通过这一处理，可使孔隙表面Si-O键中的悬空键转换为Si-H键，以提高膜的耐吸湿性。之后，经该等离子体处理的栅极绝缘层282表面上可以另设SiO2层。这样可以形成介电常数低的绝缘层。
此外，当用CVD法形成栅极绝缘层282时所用的反应气体，除了Si2H6+O3之外，也可以是Si2H6+O2、Si3H8+O3、Si3H8+O2等。还有，也可以将含B(硼)气体、含F(氟)气体和所述的反应气体一起使用。
在形成作为多孔质体的栅极绝缘层282时，可以通过层压多孔性的SiO2膜和由常用的减压化学气相生长法形成的SiO2膜，形成作为具有稳定膜质的多孔质体的栅极绝缘层282。若要层压这些膜，在减压状态的SiH4和O2条件下，间歇地或周期性地生成等离子体即可。具体说，栅极绝缘层282可通过把基板2收置于所定的容器内，如保持在400℃，并以SiH4和O2为反应气体，将RF电压(高频电压)外加在容器内而形成。在成膜过程中，SiH4和O2流量是不变的，而RF电压以10秒为周期外加在容器上。与此相伴，等离子体以10秒钟为周期生成和消失。通过利用这种随时间而变化的等离子体，在同一个容器内可反复进行利用减压CVD的处理和利用在减压中的等离子体CVD的处理。通过反复进行减压CVD和减压中的等离子体CVD，可以形成膜中具有多个孔隙的SiO2膜。即，栅极绝缘层282成为多孔性物质。
在栅极绝缘层282上以喷溅法形成含铝、钽、钼、钛、钨等金属的导电膜后，由此制作布线图案，形成栅极242。
为了在硅层241上形成源极区域和漏电极区域，在形成栅极242之后，把该栅极242作为制作布线图案用掩蔽，在此状态下注入磷离子。其结果，高浓度杂质以自调整式导入于栅极242，在硅层241中形成源极区域及漏电极区域。而没有导入杂质的部分成为通道。
与栅极绝缘层282相同，第1层间绝缘层283也由硅氧化膜或氮化膜、多孔性氧化硅膜等构成，以与形成栅极绝缘层282相同的顺序形成于栅极绝缘层282上层。
为了形成源电极243及漏电极244，首先，用光刻法在第一层间绝缘层制作布线图案，形成对应于源电极及漏电极的接触孔。接着，形成由铝、铬、钽等金属构成的导电层，并覆盖第1层间绝缘层283，之后在该导电层中，设置可覆盖形成源电极及漏电极的区域的制作布线图案用掩蔽，同时通过制作导电层图案，形成源电极243及漏电极244。
与第1层间绝缘层283相同，第2层间绝缘层284也由硅氧化膜或氮化膜、多孔性氧化硅膜等构成，以与形成第1层间绝缘层283相同的顺序形成于第1层间绝缘层283上层。在这里，形成第2层间绝缘284之后，在第2层间绝缘层中与漏电极244相对应的部分形成接触孔23a。
连接于有机电致发光元件的阳极23由掺杂ITO或氟而形成的SnO2、ZnO或多胺等透明电极材料构成，并通过接触孔23a，连接于TFT24的漏电极244上。为了形成阳极23，在第2层间绝缘层284上面形成由所述透明电极材料构成的膜，并制作该膜图案。
第3绝缘层221由丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等合成树脂构成。第3绝缘层221是在形成阳极23之后形成。作为具体的形成第3绝缘层221的方法，有如将溶解有丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等抗蚀剂的物质用旋转涂布或浸渍涂布法涂布形成绝缘层的方法。另外，构成绝缘层的材料，只要不溶于后述的油墨的溶剂，且能通过蚀刻制作布线图案，则任何一种物质皆可。同时用光刻法等技术蚀刻绝缘层，形成开口部221a，由此形成具有开口部221a的第3绝缘层221。
在这里，在第3绝缘层221的表面形成有显亲油性的区域和显疏油性的区域。在本实施例中，通过等离子体处理，形成各区域。具体的等离子体工艺包括预加热工艺、使开口部221a的壁面和象素电极23的电极面呈亲油性的亲油化工艺、使第3绝缘层221上面呈疏油性的疏油化工艺和冷却工艺。
即，先把基材(含第3绝缘层等的基板2)加热至一定温度(如70-80度左右)，然后，作为亲油化工艺在大气中进行以氧气为反应气体的等离子体处理(O2等离子体处理)。接着，作为疏油化处理，在大气中进行以四氟甲烷为反应气体的等离子体处理(CF4等离子体处理)，并冷却为了进行等离子体处理而被加热的基材直至达到室温，这样对所定位置赋予了亲油性和疏油性。另外，象素电极23的电极面虽然多多少少受该CF4等离子体处理的影响，但是由于象素电极23的材料ITO等缺乏对氟的亲和性，因此在亲油化工艺中所赋予的羟基不会被氟基所取代，仍保持着其亲油性。
空穴输送层70形成在阳极23上面。在这里，作为形成空穴输送层70的材料，没有特殊的限定，可以使用公知的材料，如吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、芪衍生物、三苯二胺衍生物等。具体可列举特开昭63-70257号、同63-175860号公报、特开平2-135359号、同2-135361号、同2-209988号、同3-37992号、同3-152184号公报上记载的化合物，优选三苯二胺衍生物，其中理想的是4，4’-双(N-(3-甲基苯基)-N-苯基胺)联苯。
另外，也可以用空穴注入层代替空穴输送层，也可以同时形成空穴注入层和空穴输送层。此时，作为空穴注入层的形成材料，可列举酞菁铜(CuPc)、作为聚四氢硫代苯基苯撑的聚苯撑乙撑、1，1-双-(4-N，N-二甲苯胺基苯基)环己烷、三(8-羟基喹啉酚)铝等，特别优选酞菁铜(CuPc)。
在形成空穴注入/输送层70时，可以使用喷墨法。即，把含上述空穴注入/输送层材料的油墨组合物喷在阳极23的电极面上之后，进行干燥处理及热处理，在阳极23上形成空穴注入/输送层70。在该形成空穴注入/输送层工艺之后，为了防止空穴注入/输送层70及发光层(有机电致发光层)60的氧化，最好在氮气、氩气等惰性气体条件下进行。如，在喷墨头(未图示)内填充含空穴注入/输送层材料的油墨组合物，并把喷墨头的喷嘴对准阳极23的电极面，一边相对移动喷墨头和基材(基板2)，一边从喷嘴向电极面喷出已控制好每滴的量的油墨滴。接着，干燥处理喷出的油墨滴，以蒸发含于油墨组合物中的极性溶剂，形成空穴注入/输送层70。
另外，作为油墨组合物，可使用把聚乙烯二羟基噻吩等聚噻吩衍生物和聚苯乙烯磺酸的混合物溶解于异丙醇等极性溶剂中所形成的物质。在这里，喷出的油滴在经亲油处理的阳极23的电极面上扩散，集满开口部221a的底部附近。另一方面，在经疏油处理的第3绝缘层221的上面油滴受排斥而不会被粘上。因此，即使油滴离开所定的喷射位置喷至第3绝缘层221的上面，该上面也不会被油滴所浸润，受排斥的油滴会转入第3绝缘层221的开口部221a内部。
发光层60形成在空穴注入/输送层70的上面。作为发光层60的形成材料，没有特殊的限定，可以使用低分子有机发光色素或高分子发光体，即由各种荧光物质或磷光物质组成的发光物质。成为发光物质的共轭高分子中，特别优选含有芳烯乙烯撑结构的化合物。低分子荧光体可以使用，如萘衍生物、蒽衍生物、苝衍生物、聚甲炔类、呫吨类、香豆素类、菁类等色素类；8-氢喹啉及其衍生物的金属络合物、芳胺、四苯基环戊二烯衍生物等，或者是特开昭57-51781、同59-194393号公报上所记载的公知的化合物。
作为发光层60的形成材料使用高分子荧光体时，可以使用侧链上带有荧光基的高分子，优选主链具有共轭结构的化合物，特别优选聚噻吩、聚-p-苯撑、聚芳烯乙烯撑、聚芴及其衍生物。其中，优选聚芳烯乙烯撑及其衍生物。该聚芳烯乙烯撑及其衍生物是含有总重复单元的50mol％以上的由化学式(1)表示的重复单元的聚合物。虽然也受重复单元结构的影响，但是由化学式(1)表示的重复单元最好占全重复单元的70％以上。
-Ar-CR＝CR’-(1)[在这里，Ar表示参与共轭键的碳原子数为4-20的芳烯基或杂环化合物基，R，R’分别为选自氢、碳原子数1-20的烷基、碳原子数6-20的芳基、碳原子数4-20的杂环化合物、菁基的基团。]该高分子荧光体中，作为由化学式(1)表示的重复单元以外的重复单元，也可以含有芳香族化合物基或其衍生物、杂环化合物基或其衍生物、及由这些组合而成的基团。另外，由化学式(1)表示的重复单元或者其它的重复单元可由醚基、酯基、酰胺基、亚胺基等非共轭单元来连接，也可以在重复单元中含有这些非共轭部分。
在所述高分子荧光体中，化学式(1)的Ar是参与共轭键的碳原子数为4个以上20个以下的芳烯基或杂环化合物基，可列举由下述的化学式(2)表示的芳香族化合物基或其衍生物基、杂环化合物基或其衍生物基、及由它们的组合可得到的基团。
(R1-R92分别为选自氢、碳原子数1-20的烷基、烷氧基及烷基硫代基；碳原子数6-18的芳基及芳氧基；及碳原子数4-14的杂环化合物基的基团。)其中，优选苯撑、取代苯撑、联苯撑、取代联苯撑、萘二基、取代萘二基、蒽-9，10-二基、取代蒽-9，10-二基、吡啶-2，5-二基、取代吡啶-2，5-二基、thienylene(チエニレン)基或取代thienylene基。更优选苯撑、联苯撑、萘二基、吡啶-2，5-二基、thienylene。
下面说明化学式(1)中的R，R’为氢或氰基以外的取代基时的情形，作为碳原子数1-20的烷基，可列举甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基、月桂基，优选甲基、乙基、戊基、己基、庚基、辛基。作为芳基，可以是苯基、4-C1-C12烷氧基苯基(C1-C12表示碳原子数为1-12，以下同)、4-C1-C12烷基苯基、1-萘基、2-萘基等。
从溶剂的可溶性角度考虑，化学式(1)中的Ar最好含有1个以上选自碳原子数4-20的烷基、烷氧基及烷基硫代基、碳原子数6-18的芳基及芳氧基以及碳原子数4-14的杂环化合物基的基团。
作为这些取代基，可举出以下的基团。作为碳原子数4-20的烷基，可列举丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基、月桂基等，其中优选戊基、己基、庚基、辛基。另外，作为碳原子数4-20的烷氧基，可列举丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、癸氧基、月桂氧基等，其中优选戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基。作为碳原子数4-20的烷基硫代基，可列举丁基硫代基、戊基硫代基、己基硫代基、庚基硫代基、辛基硫代基、癸基硫代基、月桂硫代基等，其中优选戊基硫代基、己基硫代基、庚基硫代基、辛基硫代基。作为芳基，可列举苯基、4-C1-C12烷氧基苯基、4-C1-C12烷基苯基、1-萘基、2-萘基等。作为芳氧基，可举出苯氧基。作为杂环化合物基，可举出2-噻嗯基、2-吡咯基、2-呋喃基、2-或3-或4-吡啶基等。这些取代基的数目随该高分子荧光体的分子量和重复单元的结构也有所不同，但为了得到溶解性高的高分子荧光体，每600分子量有1个以上这些取代基为宜。
所述高分子荧光体，可以是无规、嵌段或接枝共聚物，也可以是具有这种中间结构的高分子，如带有嵌段性的无规共聚物。为了得到荧光的量子收率高的高分子荧光体，带有嵌段性的无规共聚物或嵌段共聚物或接枝共聚物优于纯粹的无规共聚物。另外，为了利用由薄膜产生的荧光，在这里形成的有机电致发光元件采用在固体状态下具有荧光的高分子荧光体。
针对该高分子荧光体使用溶剂时，理想的是氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、四氢呋喃、甲苯、二甲苯等。虽然也受高分子荧光体结构或分子量的影响，但通常在这些溶剂中可以溶解0.1wt％以上。
另外，作为所述高分子荧光体，其聚苯乙烯换算分子量在103-107为宜，其聚合度随重复单元结构或其比例有所变化。从成膜性考虑，通常以共计4-10000的重复单元数为宜，优选5-3000，更优选10-2000。
作为这种高分子荧光体的合成方法，没有特殊的限定，可采用如芳烯基上结合有2个醛基的二醛化合物和二盐的Witting反应，二盐由芳烯基上结合有2个卤代甲基的化合物和三苯基膦制得。另外，作为其它的合成方法，可以采用由芳烯基上结合有2个卤代甲基的化合物脱卤化氢的方法。也可以采用对用碱聚合芳烯基上结合有2个卤代甲基的化合物的锍盐后所得的中间体，进行热处理得到该高分子荧光体的锍盐分解法。在任何一种合成方法中，作为单体添加的是含芳烯基以外的骨架的化合物，通过改变其存在比例，可以改变生成的高分子荧光体中所含的重复单元的结构，因此可以调节所加入的量进行共聚，以使由化学式(1)表示的重复单元占50mol％以上。其中，Witting反应法的反应控制和收率较好，因此优选该法。
再进一步具体说明所述高分子荧光体一实施例的芳烯乙烯撑类共聚物的合成方法。如根据Witting反应制得高分子荧光体时，首先合成双(卤代甲基)化合物，具体为使2，5-二辛氧基-p-苯二甲基二溴化物在N，N-二甲基甲酰胺溶剂中与三苯基膦反应合成盐，再把它与二醛化合物，具体有对苯二甲醛，在乙醇中用乙氧基锂进行缩合以完成Witting反应，这样就可以得到含有苯撑乙烯撑和2，5-二辛氧基-p-苯撑乙烯撑的高分子荧光体。此时，为了制得共聚物，也可以使2种以上的二盐或/和2种以上的二醛化合物参加反应。
当把这些高分子荧光体作为发光层的形成材料使用时，由于其纯度会影响发光特性，因此合成之后最好再一次进行精制，利用色层分析法分别进行纯化处理。
另外，作为由所述高分子荧光体构成的发光层的形成材料，为了呈现全色，使用红、绿、青三色发光层形成材料，并分别由所定的制作布线图案装置(喷墨装置)射向预先设定位置上的象素AR，形成图案。
此外，作为所述的发光物质，也可采用主材料中添加辅料的形式。
作为这种发光材料，主材料有如高分子有机化合物或低分子材料，作为副料理想的是含用于变换所得发光层的发光特性的荧光色素或磷光物质的物质。
作为高分子有机化合物，当用溶解性差的材料时，在涂布前驱体之后按下述的化学式(3)进行加热固化，就可以生成可成为共轭类高分子有机电致发光层的发光层。如，当前驱体为锍盐时，通过加热处理，使锍基脱离出来，成为共轭类高分子有机化合物。
另外，用溶解性高的材料时，直接涂布材料之后，除去溶剂即可得到发光层。
所述高分子有机化合物在固态下具有强荧光性，可以形成均匀的固体超薄膜。而且，与生成能较大的ITO电极间的密合性也良好，进而在固化之后可以形成稳定的共轭类高分子膜。
作为这种高分子有机化合物，优选如聚芳烯乙烯撑。聚芳烯乙烯撑可溶解于水类溶剂或有机溶剂，易于调制到涂布于第2基体11上的涂布液中，进而可在一定条件下完成聚合，由此可得到具有良好光学品质的薄膜。
作为这种聚芳烯乙烯撑，可列举PPV(聚(对苯撑乙烯撑))、MO-PPV(聚(2，5-二甲氧基-1，4-苯撑乙烯撑))、CN-PPV(聚(2，5-双己氧基-1，4-苯撑-(1-氰基乙烯撑)))、MEH-PPV(聚[2-甲氧基-5-(2’-乙基己氧基)]-对苯撑乙烯撑)等PPV衍生物；PTV(聚-(2，5-thienylene乙烯撑))等聚(烷基噻吩)、PFV(聚(2，5-furylene(フリレン)乙烯撑))、聚(对苯撑)、聚烷基芴等，其中特别优选由用化学式(4)表示的PPV或PPV衍生物的前驱体构成的物质、由化学式(5)表示的聚烷基芴(具体有如化学式(6)所示的聚烷基芴共聚物)。
PPV等具有强荧光性，是形成双键的П电子在聚合物链中被非极化的导电性高分子，因此可得高性能有机电致发光元件。

聚芴类共聚物另外，除了所述的PPV薄膜，可以形成发光层的高分子有机化合物或低分子材料，即在本例中作为主材料使用的化合物除了铝喹啉酚络合物(Alq3)、二苯乙烯基联苯，还有由化学式(7)表示的BeBq2或Zn(OXZ)2、TPD、ALO、DPVBi等以往常用的之外，还可举出吡唑啉二聚物、喹嗪羧酸、苯并吡喃鎓全氯酸盐、苯并吡喃基喹嗪、红荧烯、菲绕啉铕络合物等，可以使用含1种或2种以上这些化合物的有机电致发光元件用组合物。
另一方面，作为添加于这些主材料中的副料，如上所述可举出荧光色素或磷光物质。特别是荧光色素可以改变发光层的发光特性，也可以作为提高发光层的发光效率、或改变最大光吸收波长(发色光)的有效手段使用。即，荧光色素不仅仅是作为发光层材料，也可以用作具有发光功能的色素材料。如，可以将由共轭高分子有机化合物分子上的载体再结合生成的激发子的能量移至荧光色素分子。此时，发光的是荧光量子效率高的荧光色素分子，因此增加了发光层的电流量子效率。于发光层的形成材料中添加荧光色素后，发光层的发光色谱也变成了关于荧光分子的色谱，因此可作为改变发光色的有效手段。
在这里所说的电流量子效率，是根据发光功能来考察发光性能的尺度，可由下式定义。
ηE＝放出的光子能量/输入的电气能量因此，根据由荧光色素的掺杂所引起的最大光吸收波长的变化，可以发出红、青、绿3原色，其结果可以得到全色显示体。
进而，通过掺杂荧光色素，可以大幅度提高电致发光元件的发光效率。
在形成发出红光的发光层时，作为荧光色素，优选激光色素DCM-1、若丹明或若丹明衍生物、Penilene(ペニレン)等。通过把这些荧光色素掺杂在PPV等主材料上，可以形成发光层，而这些荧光色素多为水溶性，因此如果掺杂在作为水溶性PPV前驱体的锍盐中后，再进行加热处理，则可以形成均匀的发光层。作为这种发光层具体有若丹明B、若丹明B基体、若丹明6G、若丹明101过氯酸盐等，也可以混合两种这些化合物以上使用。
另外，在形成发绿色光的发光层时，优选喹吖酮、红荧烯、DCJT及其衍生物。对于这些荧光色素，也与上述的荧光色素相同，可以通过掺杂到PPV等主材料形成发光层，但由于这些荧光色素多为水溶性，因此如果掺杂到作为水溶性PPV前驱体的锍盐之后，再进行加热处理，则可以形成均匀的发光层。
进而，在形成发青色光的发光层时，优选二苯乙烯基联苯基及其衍生物。对于这些荧光色素，也与上述的荧光色素相同，可以通过掺杂到PPV等主材料形成发光层，但由于这些荧光色素多为水溶性，因此如果掺杂到作为水溶性PPV前驱体的锍盐之后，再进行加热处理，则可以形成均匀的发光层。
另外，作为其它发青色光的荧光色素，可举出香豆素及其衍生物。这些荧光色素与PPV的相溶性较好，易于形成发光层。此外，在这些荧光色素中，特别是香豆素虽然其自身不溶于溶剂，但通过选择适当的取代基可以增加其溶解性，转为可溶性。作为这种荧光色素，具体可举出香豆素-1、香豆素-6、香豆素-7、香豆素-120、香豆素-138、香豆素-152、香豆素-153、香豆素-311、香豆素-314、香豆素-334、香豆素-337、香豆素-343等。
还有，作为其它发青色光的荧光色素，可举出四苯基丁二烯(TPB)、或TPB衍生物、DPVBi等。与上述的红色荧光色素相同，这些荧光色素也可溶于水溶液，且与PPV的相溶性较好，易于形成发光层。
关于以上的荧光色素，可以单独使用每个色素，也可以混合2种以上使用。
另外，作为这种荧光色素，可以使用由化学式(8)表示的化合物、由化学式(9)表示的化合物、由化学式(10)表示的化合物。
关于这些荧光色素，按照后述的方法，相对由所述共轭高分子有机化合物构成的主材料，最好添加0.5-10wt％，优选1.0-5.0wt％。如果荧光色素的添加量过多，则所得到的发光层的耐候性及耐久性较差，而若添加量过少，则无法得到充分的由所添加的荧光色素所产生的上述效果。
此外，作为添加于主材料的副料的磷光物质，理想的是由化学式(11)表示的Ir(ppy)3、Pt(thpy)2、PtOEP等。
当以所述的化学式(11)表示的磷光物质作为副料时，作为主材料特别理想的是由化学式(12)表示的CBP、DCTA、TCPB或上述的DPVBi、Alq3。
另外，所述的荧光色素及磷光物质可以作为副料同时添加到主材料中。
当由这种主/副类发光物质形成发光层60时，制作布线图案装置(喷墨装置)上可以预先形成多个喷嘴等材料供应系统，从这些喷嘴按预先设定的比例同时喷出主材料和副料，由主材料上添加有所需量的副料的发光物质形成发光层60。
发光层60按照与形成空穴注入/输送层70相同的方法形成。即，采用喷墨法把含发光层材料的油墨组合物喷在空穴注入/输送层70上面之后，进行干燥处理及热处理，在形成于第3绝缘层221上的开口部221a内部的空穴注入/输送层70上形成发光层60。如上所述，这种发光层形成工艺也在惰性气体条件下进行。喷出的油墨组合物在经疏油处理的区域受排斥，因此即使油滴离开所定的喷出位置，也会转入到第3绝缘层221的开口部221a内部。
电子输送层50形成在发光层60上面。与发光层60的形成方法相同，电子输送层50也通过喷墨法形成。作为电子输送层50的形成材料，没有特殊的限定，可举出二唑衍生物、蒽醌基二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌基二甲烷及其衍生物、9-芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍生物、二吩醌衍生物、8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物等。与上述的空穴输送层的形成材料相同，具体有特开昭63-70257号、同63-175860号、特开平2-135359号、同2-135361号、同2-209988号、同3-37992号、同3-152184号公报上所记载的化合物，特别优选2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-二唑、苯醌、蒽醌、三(8-喹啉酚)铝。
还有，可以把上述的空穴注入/输送层70的形成材料或电子输送层50的形成材料混合到发光层60的形成材料中，并作为发光层形成材料使用，此时，空穴注入/输送层形成材料或电子输送层形成材料的使用量随所用的化合物的种类不同而有所不同，可以在不妨碍充分的成膜性和发光特性的范围内，兼顾这些性能决定合适的量。通常为发光层形成材料的1-40重量％，优选2-30重量％。
阴极222形成在电子输送层50及第3绝缘层221的全体表面或形成为条状。阴极222可以由Al、Mg、Li、Ca等单质材料或Mg:Ag(10∶1合金)的合金材料形成为单层，也可以由2层或3层金属(包括合金)构成。具体可以使用Li2O(0.5nm左右)/Al或LiF(0.5nm左右)/Al、MgF2/Al等层压结构。阴极222是由上述金属构成的薄膜，且可以透过光线。
低折射率层3及封装层4形成于阴极222的上面。这些低折射率层3及封装层4的形成材料及形成方法同实施例1、实施例2，因此省略有关说明。
如以上说明，通过把本发明的层压膜20适用于顶部发射型电气光学装置，不仅可以大幅度地提高视觉性，而且也可以防止成为元件劣化因素的气体的侵入。
另外，当然也可以在图6中所示的层压膜20之外，还适用实施例2中所说的含干燥剂或分散剂的低折射率层11。
除了所述的空穴注入/输送层70、发光层60、电子输送层50之外，也可在比如发光层60的对向电极222侧形成全保护层，以延长发光层60的寿命。作为这种全保护层的形成材料，可以使用如化学式(13)表示的BCP或由化学式(14)表示的BAlq，使用BAlq时更有利于寿命的延长。
[化13]
实施例4下面作为本发明的实施例4，参照图7说明上述实施例3的变形例。在此与图6相同的或同等的结构部分标注了同一符号，并省略了相关说明。
图7中所示的显示装置S2是顶部发射型有机电致发光显示装置，从发光层60发出的光由基板2的反对侧射向装置外部。而且，在本实施例的显示装置S2中，在层压膜20的表面形成有可透过光的聚合物层(光透过层)21。
作为聚合物层21的形成材料，可举出In2O3、SnO3、ITO、SiO2、Al2O3、TiO2、AlN、SiN、SiC、SiON、丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、或它们的混合物。在这里，低折射率层3的透过折射率设定为低于聚合物层21的透过折射率。
如以上的说明，在顶部发射型有机电致发光显示装置中，也可以在光射出的一侧设置聚合物层21。
实施例5下面，作为本发明的实施例5，参照图8说明上述实施例4的变形例。
图8中所示的显示装置S3是顶部发射型有机电致发光显示装置。在该显示装置S3中，配置有设在阴极222的上层并保护该阴极222的保护层51、设在保护层51上层的由所述低折射率层3及所述封装层4构成的层压膜20、设在层压膜20上层并通过粘接层52粘接于层压膜20上的封装基板53。
保护层51由陶瓷、氮化硅、氮氧化硅、氧化硅等与封装层4相同的材料构成，按等离子体CVD法(等离子化学的气相生长法)形成于阴极222的表面上。保护层51可以透过光线，具有低于粘接层52及封装基板53的低折射率。
粘接层(光透过层)52，由如环氧树脂或丙烯酸树脂等透光性材料构成。作为粘接层用树脂，最好使用混合环氧树脂等2种液体或经紫外线固化的类型。当加热不会引起有机电致发光元件9的劣化时，也可以使用加热固化的类型。
封装基板(光透过层)53具有屏蔽性，由透光性材料构成。作为封装基板53的形成材料，与封装层4相同，可以举出如陶瓷、氮化硅、氮氧化硅、氧化硅等透明材料。或者，也可以用由所定合成树脂构成的保护用板代替由所述材料构成的封装基板53。
如以上说明，在设置保护阴极222的保护层51的同时，还可以设置保护显示装置S3全体并防止会引起元件劣化的气体侵入的封装基板53。在这种情况下，显示装置S3可以得到充分的屏蔽效果。另外，若不设置保护层51，而只是用粘接层52粘接封装基板53和层压膜20，也可以得到充分的屏蔽效果。
此外，在用图7说明的聚合物层21的上层，也可以通过粘接层52设置用图8说明的封装基板53。
实施例6下面，参照图9说明本发明实施例6的显示装置。在此与上述的实施例相同或同等的结构部分标注了同一符号，并省略了相关说明。
图9中所示的显示装置S4是，从设有TFT24的基板2一侧向装置外部射出发光层60的发光光的所谓的反向发射型有机电致发光显示装置。
如图9所示，有机电致发光显示装置S4同上述的实施例，配置有设在有机电致发光元件的阳极23的下层的第2层间绝缘层284、设在第2层间绝缘层284下层的第1层间绝缘层283、设在第1层间绝缘层283下层的栅极绝缘层282、设在栅极绝缘层282下层的底层保护层281。在底层保护层281和基板2之间，设有由低折射率层3及封装层4构成的层压膜20。
在这里，图9中所示的有机电致发光显示装置S4是反向发射型，因此基板2由透光性材料所构成，作为基板2的形成材料，如上所述，有玻璃、石英、树脂等透明或半透明的材料，特别优选价格低廉的钠钙玻璃。
另一方面，在阴极222的上层，形成有用于防止使EL元件导致劣化的物质(氧、水分等)的侵入的屏蔽层54。作为该屏蔽层54，可使用具有屏蔽性的金属膜(金属基板)、树脂膜、陶瓷、氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或本发明的层压膜20或低折射率膜11等。
另外，由发光层60发出的光线所通过的第2层间绝缘层284、第1层间绝缘层283、栅极绝缘层282等，由透光性材料所构成。作为这些绝缘层的形成材料，可举出氧化硅膜、多孔性聚合物、二氧化硅气溶胶等。
如以上说明，本发明层压膜20也适用于反向发射型电气光学装置，在防止视为元件劣化因素的气体的同时，可以大幅提高视觉性。
另外，在本实施例中，可以在屏蔽层54和阴极222之间形成可反射光线的反射层。通过设置反射层，可使从发光层60发出的射向阴极222侧的光线在反射层发生反射并射向基板2侧，提高光的射出效率。
实施例7下面，作为本发明的实施例7，参照图10说明上述实施例6的变形例。
图10中所示的显示装置S5是反向发射型有机电致发光显示装置，在最上层设置有封装层54。另外，在底层保护层281的下层设置可透过光线的基板2，并在基板2的下层设置聚合物层55，在聚合物层55的下层设置由封装层4及低折射率层3构成的层压膜20，在层压膜20的下层设置有封装基板53。
作为聚合物层55的形成材料，与实施例4中的聚合物层21相同，可举出In2O3、SnO3、ITO、SiO2、Al2O3、TiO2、AlN、SiN、SiC、SiON、丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、或它们的混合物。或者，也可以用折射率相等于低折射率层3的低折射率材料形成聚合物层55。
如以上的说明，可以任意地设定聚合物层或低折射率层、封装层的层结构，实现高屏蔽性。
另外，图10表示的是反向发射型有机电致发光显示装置，当然，在图11中所示的顶部发射型有机电致发光显示装置S6中，也可以采用各种各样的层结构。通过采取这种措施，在顶部发射型有机电致发光显示装置中，也可以实现高屏蔽性，从而可以防止元件的劣化。在这里，阴极222的上层形成有由低折射率层3和封装层4构成的层压膜20。图11中所示的聚合物层55’无须具备低折射率性，可由具有高屏蔽性的所定材料构成。
实施例8下面，参照图12说明本发明的实施例8。
图12中所示的显示装置S7为无源阵列型有机电致发光显示装置，图12(a)是俯视图，图12(b)是图12(a)的B-B截面图。无源阵列型有机电致发光显示装置S7配置有设在基板121上的多个第1总配线300、与此相垂直配设的多个第2总配线310。另外，配设有如SiO2等构成的绝缘膜320，以包围配置有具备电子输送层141、发光层142和空穴输送层143的发光元件(有机电致发光元件)140的所定位置。
在总配线310的上层设有保护该总配线310的保护层51，在保护层51上层设有低折射率层3，在低折射率层3上层设有封装层4，在封装层4的上层通过粘接层52设置有封装基板53。
这样，本发明的低折射率层3及封装层4也适用于无源阵列型有机电致发光显示装置，通过设置低折射率层3及封装层4，可以防止引发元件劣化的气体的侵入，并得到良好的视觉性。
在所述的各实施例中，在各层(各膜)或基板的侧部可以设置密封剂或合成树脂。
另外，在所述的各实施例中，作为电气光学装置举出的是有机电致发光显示装置，而本发明层压膜20(低折射率膜11)也可适用于液晶显示装置中等离子体显示装置的制造。
下面说明配置上述实施例的有机电致发光显示装置的电子仪器例。图13是表示手机的一实施例的立体图。在图13中，符号1000表示手机主体，符号1001表示使用所述有机电致发光显示装置的显示部。
图14是表示手表型电子仪器的一实施例的立体图。在图14中，符号1100表示表主体，符号1101表示使用所述有机电致发光显示装置的显示部。
图15是表示文字处理器、电脑等携带型信息处理装置的一实施例的立体图。在图15中，符号1200为信息处理装置，符号1202为键盘等输入部，符号1204为信息处理装置主体，符号1206表示使用所述有机电致发光显示装置的显示部。
由图13-图15表示的电子仪器，由于配置所述实施例的有机电致发光显示装置，因此可以实现具有显示质量良好、画面清晰的有机电致发光显示部的电子仪器。
另外，本发明的技术范围并不限于以上的实施例，在不脱离本发明要点的范围内可以进行种种变更，实施例中所举的具体的材料及层结构只不过是其中的一个例子，可以作适当的更换。
根据本发明，通过在光透过层和发光元件之间设置折射率低于光透过层的低折射率层和可防止气体侵入的封装层，由低折射率层可以充分提高光的射出效率，得到高视觉性。另外，由封装层可以防止会引发元件劣化的物质作用于发光元件，因此可以长时间维持良好的发光特性。
另外，根据本发明电气光学装置，通过在光透过层和发光元件之间设置分散有干燥剂或吸附剂的低折射率层，可赋予低折射率层封装功能(屏蔽功能)。因此，可用低折射率层抑制由光透过层进入的气体的侵入，可以防止会引发元件劣化的物质作用于发光元件，因此可以长时间维持良好的发光特性。
根据本发明的膜状部件、层压膜、低折射率膜、多层层压膜，可把透过膜的光调整为所需的状态，同时可以防止不必要的气体的进出，因此当适用于电气光学装置上时，可以发挥良好的性能。
根据本发明的电子仪器，可以实现具有显示质量好、画面清晰的显示部的电子仪器。
权利要求
1.一种膜状部件，包括具有绝缘膜功能的第一膜；具有绝缘膜功能的第二膜，以及第三膜，所述第三膜设置在所述第一膜和第二膜之间并与所述第一膜和第二膜接触，所述第三膜的折射率低于所述第二膜的折射率，而且入射到所述膜状部件的光透射所述低于膜、第二膜和第三膜。
2.如权利要求1所述的膜状部件，其中所述第二膜包括陶瓷。
3.如权利要求1所述的膜状部件，其中所述第二膜为透光的。
4.如权利要求1所述的膜状部件，其中所述第二膜包括聚合材料。
5.如权利要求1所述的膜状部件，其中所述第一膜包括树脂。
6.如权利要求1所述的膜状部件，其中所述第三膜包括干燥剂和吸附剂中的至少一种材料。
7.如权利要求1所述的膜状部件，其中所述第三膜包括多孔质体。
8.如权利要求1所述的膜状部件，其中所述第三膜包括由分散微粒形成的凝胶。
9.如权利要求1所述的膜状部件，其中所述第三膜包括氟类聚合物。
10.如权利要求1所述的膜状部件，其中所述第三膜包括多孔质聚合物。
11.如权利要求1所述的膜状部件，其中所述第三膜的折射率为1.2或更低。
12.如权利要求1所述的膜状部件，其中所述第三膜包括绝缘材料。
13.如权利要求1所述的膜状部件，其中所述第一膜抑制物质透过所述第一膜。
14.如权利要求1所述的膜状部件，其中所述第三膜包括陶瓷。
15.一种电气光学装置，包括电气光学元件；以及如权利要求1所述的膜状部件。
16.如权利要求1所述的膜状部件，其中所述第一膜包括氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。
17.一种电气光学装置，包括电气光学元件；以及如权利要求16所述的膜状部件。
18.如权利要求15所述的电气光学装置，其中发自所述电气光学元件的光穿过所述第一膜。
19.如权利要求14所述的膜状部件，其中所述第一膜和第二膜中的至少一个抑制物质透过所述第一膜。
20.一种电气仪器，包括如权利要求16所述的电气光学装置。
21.如权利要求15所述的电气光学装置，其中所述电气光学元件具有发射光的光源的功能。
22.如权利要求1所述的膜状部件，其中由不包括在所述膜状部件中的光源发射光。
全文摘要
一种膜状部件，包括具有绝缘膜功能的第一膜；具有绝缘膜功能的第二膜，以及第三膜，所述第三膜设置在所述第一膜和第二膜之间并与所述第一膜和第二膜接触，所述第三膜的折射率低于所述第二膜的折射率，而且入射到所述膜状部件的光透射所述低于膜、第二膜和第三膜。本发明还提供一种包括上述膜状部件的电气光学装置。
文档编号H05B33/22GK1992373SQ20061016031
公开日2007年7月4日 申请日期2002年11月6日 优先权日2001年11月6日
发明者宫泽贵士 申请人:精工爱普生株式会社