专利名称：自组装光子晶体的方法
技术领域：
本发明涉及光子晶体的制备方法。
背景技术：
单分散胶体粒子自组装光子晶体是一种在纳米尺度上具有三维有序结构 的材料，由于介电常数的空间周期排列，使得光子晶体能够调制光波，故而在
光学反射镜、光开关以及光学通讯上有着广阔的应用。公开号为CN1749445 (名称为《控制胶体微球自组装及制备二维、三维光子晶体的方法》)的专利 和公开号为CN1936074 (名称为《一种减压自组装生长三维光子晶体薄膜的 方法及装置》)的专利，在制备胶体光子晶体的过程中，由于基片多为载玻片 等光学玻璃或者是硅片，所致得到的光子晶体不可弯折，并且由于硬质基片尺 寸的限制，无法制备大面积的光子晶体且在基片边缘的光子晶体质量往往较 差。公开号为CN101060922 (名称为《使用胶体纳米粒子的胶体光子晶体及 其制备方法》)的专利通过在胶体溶液中引入聚乙烯醇、聚丙烯酸等弹性材料 自组装制备柔性光子晶体，这种方法制备的光子晶体由于空隙以被弹性材料填 充，所以无法加工成反蛋白石结构的光子晶体。公开号为CN101092054(名称 为《非密堆积胶体晶体薄膜的热压制备方法》)的专利，利用壳层为弹性材料 的核壳结构的光子晶体通过热压的方式制备柔性光子晶体，这方法制备的光子 晶体有序性差。垂直沉积法是一种胶体光子晶体生长的方法，常见的制备是将 基板垂直或者成一定角度的进入胶体溶液中，通过溶液的挥发或者是基板的提 拉，使得胶体粒子在基板上自组装形成有序排列的光子晶体。但由于采用的基 板是水平的，大面积光子晶体的制备只能通过的增大基板面积扩大生长容器的 体积来实现。这导致大部分的胶体粒子在容器壁上生长，原料的利用率降低。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有方法无法制备大面积的光子晶体，并且制备 的光子晶体不可弯折的问题，提供了一种自组装光子晶体的方法。
第一种自组装光子晶体的方法如下 一、基板的表面处理将经过去离子 水超声清洗10min-30min的基板用丙酮超声清洗10min-30min，然后用氮气吹 至表面干燥或者在2(TC-60。C的千燥箱中烘至干燥，再用氧等离子处理 lmin-10min; 二、胶体溶液的配置将球径为50rnn-5nm的聚苯乙烯、聚甲基 丙烯酸甲酯、二氧化硅或二氧化钛小球加入到溶剂中得到单分散性小于等于 5%、质量分数为0.005%-5%的溶液，然后将所得的溶液超声震荡10min-30min， 得到胶体溶液；三、将基板放入经过去离子水清洗10-30min、丙酮超声清洗 10-30min、去离子水冲洗并干燥后的容器中，然后加入步骤二配置的胶体溶液， 然后在温度为2(TC-7(TC的恒温条件下使胶体溶液挥发，待无物质挥发取出基 板，即得到光子晶体；其中步骤一中所述的基板是厚度为O.Olmm-lmm且表 面镀有铝、银、金或氧化铟锡的聚酯基板、聚酰亚胺基板、聚砜基板、聚碳酸 酯基板、聚乙烯基板、聚氯乙烯基板、聚氨酯基板、有机硅基板或橡胶基板； 步骤一中将所述的基板巻曲成空心圆柱形、空心圆台形或螺旋形；步骤二中所 述的溶剂是去离子水、乙醇、甲醇、乙二醇中的一种或几种的混合溶液。 本方法步骤一中的基板不进行处理直接放入步骤二得到的胶体溶液中。 第二种自组装光子晶体的方法如下 一、有机基板的表面处理将有机基 板放入质量分数5%-30%的酸性溶液中浸泡1 min -30min，然后再用去离子水 超声清洗10min-30min、干燥；二、胶体溶液的配置将球径为50nm-5pm的 聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、二氧化硅或二氧化钛小球加入到溶剂中得到单 分散性小于等于5%、质量分数为0.005%-5%的溶液，然后将所得的溶液超声 震荡10min-30min，得到胶体溶液；三、将有机基板放入经过去离子水清洗 10曙30min、丙酮超声清洗10-30min、去离子水冲洗并干燥后的容器中，然后加 入步骤二配置的胶体溶液，然后在温度为2(TC-70。C的恒温条件下使胶体溶液 挥发，待无物质挥发取出基板，即得到光子晶体；其中步骤一中所述的有机基 板是厚度为O.Olmm-lmm的聚酯基板、聚酰亚胺基板、聚砜基板、聚碳酸酯 基板、聚乙烯基板、聚氯乙烯基板、聚氨酯基板、有机硅基板或橡胶基板；步 骤一中所述的酸性溶液是重铬酸钾溶液；步骤一中将所述的有机基板巻曲成空
心圆柱形、空心圆台形或螺旋形；步骤二中所述的溶剂是去离子水、乙醇、甲
醇、乙二醇中的一种或几种的混合溶液。
本方法步骤一中的基板不进行处理直接放入步骤二得到的胶体溶液中。 第三种自组装光子晶体的方法，其特征在于自组装光子晶体的方法如下
一、有机基板的表面处理将经过去离子水超声清洗10min-30min的基板用丙 酮超声清洗10min-30min，然后用氮气吹至表面干燥或者在20'C-6(TC的干燥 箱中烘至千燥，再用氧等离子处理lmin-10min; 二、胶体溶液的配置将球 径为50nm-5^im的聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、二氧化硅或二氧化钛小球加 入到溶剂中得到单分散性小于等于5%、质量分数为0.005%-5%的溶液，然后 将所得的溶液超声震荡10min-30min，得到胶体溶液；三、将有机基板放入经 过去离子水清洗10-30min、丙酮超声清洗10-30min、去离子水冲洗并干燥后 的容器中，然后加入步骤二配置的胶体溶液，然后在温度为2(TC-7(TC的恒温 条件下使胶体溶液挥发，待无物质挥发取出基板，即得到光子晶体；其中步骤 一中所述的有机基板是厚度为O.Olmm-lmm的聚酯基板、聚酰亚胺基板、聚 砜基板、聚碳酸酯基板、聚乙烯基板、聚氯乙烯基板、聚氨酯基板、有机硅基 板或橡胶基板；步骤一中将所述的有机基板巻曲成空心圆柱形、空心圆台形或 螺旋形；步骤二中所述的溶剂是去离子水、乙醇、甲醇、乙二醇中的一种或几 种的混合溶液。
本方法步骤一中的基板不进行处理直接放入步骤二得到的胶体溶液中。 本发明方法将基板的巻曲成空心圆柱形、空心圆台形或螺旋形，所以减少 了盛装胶体溶液的容器体积，提高了胶体溶液利用率(普通方法得到的光子晶 体，只有长在硬质基片上的光子晶体才能拿出来使用，大部分小球都长在容器 壁上了，造成浪费。)，本发明中所用的基板呈薄膜状能够直接贴到容器壁上进 行沉积，减少了限定器的使用，本发明方法使光子晶体可以单面或者双面的沉 积于基板之上，最大限度的使光子晶体沉积于基板上，与现有技术采用的水平 基板相比本发明方法增大了光子晶体沉积面积的同时，得到的晶体能够弯折， 本发明制备的光子晶体空隙中没有填充其他材料，可以制备反蛋白石结构的光 子晶体。
图1是空心圆柱形基板的示意图。图2是空心圆台形基板的示意图，其中 0<0<180。图3是螺旋形基板的示意图。
具体实施方式
本发明技术方案不局限于以下所列举具体实施方式
，还包括各具体实施方 式间的任意组合。
具体实施方式
一本实施方式中自组装光子晶体的方法如下 一、基板的
表面处理将经过去离子水超声清洗10min-30min的基板用丙酮超声清洗 10min-30min，然后用氮气吹至表面干燥或者在20°C-60°C的干燥箱中烘至干 燥，再用氧等离子处理lmin-10min; 二、胶体溶液的配置将球径为50nm-5pm 的聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、二氧化硅或二氧化钛小球加入到溶剂中得到 单分散性小于等于5°/。、质量分数为0.005%-5%的溶液，然后将所得的溶液超 声震荡10min-30min，得到胶体溶液；三、将基板放入经过去离子水清洗 10-30min、丙酮超声清洗10-30min、去离子水冲洗并干燥后的容器中，然后加 入步骤二配置的胶体溶液，然后在温度为2(TC-7(TC的恒温条件下使胶体溶液 挥发，待无物质挥发取出基板，即得到光子晶体；其中步骤一中所述的基板是 厚度为O.Olmm-lmm且表面镀有铝、银、金或氧化铟锡的聚酯基板、聚酰亚 胺基板、聚砜基板、聚碳2酯基板、聚乙烯基板、聚氯乙烯基板、聚氨酯基板、 有机硅基板或橡胶基板；步骤一中将所述的基板巻曲成空心圆柱形、空心圆台 形或螺旋形；步骤二中所述的溶剂是去离子水、乙醇、甲醇、乙二醇中的一种 或几种的混合溶液。
本实施方式所述的溶剂为混合溶液时，各成分之间按任意比组合。
具体实施方式
二本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤一中的基板 不进行处理直接放入步骤二得到的胶体溶液中。其他与具体实施方式
一相同。
具体实施方式
三本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤一中干燥箱 的温度为35'C-65'C。。其它与具体实施方式
一相同。
具体实施方式
四本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤一中干燥箱
的温度为3(TC-6(TC。其它与具体实施方式
一相同。
具体实施方式
五本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤一中干燥箱
的温度为35'C-45。C。其它与具体实施方式
一相同。
具体实施方式
六本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤一中干燥箱 的温度为50'C。其它与具体实施方式
一相同。
具体实施方式
七本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤二中溶液的
质量分数为0.01%-4.5%。其它与具体实施方式
一相同。
具体实施方式
八本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤二中溶液的
质量分数为0.02%-4%。其它与具体实施方式
一相同。
具体实施方式
九本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤二中溶液的
质量分数为0.05%-3.5%。其它与具体实施方式
一相同。
具体实施方式
十本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤二中溶液的 质量分数为0.1%-3%。其它与具体实施方式
一相同。
具体实施方式
十一本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤二中溶液 的质量分数为0.5%-2.5%。其它与具体实施方式
一相同。
具体实施方式
十二本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤二中溶液
的质量分数为1%-2%。其它与具体实施方式
一相同。
具体实施方式
十三本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤二中溶液
的质量分数为1.5%。其它与具体实施方式
一相同。
具体实施方式
十四本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤三中所述
的温度为35t:-65r:。。其它与具体实施方式
一相同。
具体实施方式
十五本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤三中所述
的温度为5(TC。其它与具体实施方式
一相同。
具体实施方式
十六本实施方式中自组装光子晶体的方法如下 一、有机
基板的表面处理将有机基板放入质量分数5%-30%的酸性溶液中浸泡1 min -30min，然后再用去离子水超声清洗10min-30min、干燥；二、胶体溶液的配 置将球径为50nm-5pm的聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、二氧化硅或二氧化 钛小球加入到溶剂中得到单分散性小于等于5%、质量分数为0.005%-5%的溶 液，然后将所得的溶液超声震荡10min-30min，得到胶体溶液；三、将有机基 板放入经过去离子水清洗10-30min、丙酮超声清洗10-30min、去离子水冲洗 并干燥后的容器中，然后加入步骤二配置的胶体溶液，然后在温度为20°C-70°C 的恒温条件下使胶体溶液挥发，待无物质挥发取出基板，即得到光子晶体；其 中步骤一中所述的有机基板是厚度为O.Olmm-lmm的聚酯基板、聚酰亚胺基 板、聚砜基板、聚碳酸酯基板、聚乙烯基板、聚氯乙烯基板、聚氨酯基板、有 机硅基板或橡胶基板；步骤一中所述的酸性溶液是重铬酸钾溶液；步骤一中将所述的有机基板巻曲成空心圆柱形、空心圆台形或螺旋形；步骤二中所述的溶 剂是去离子水、乙醇、甲醇、乙二醇中的一种或几种的混合溶液。
本实施方式所述的溶剂为混合溶液时，各成分之间按任意比组合。 本实施方式所述重铬酸钾溶液是由60g重铬酸钾、300ml去离子水和460ml
密度为1.84g/cm3、浓度为98%的浓硫酸组成。
具体实施方式
十七本实施方式与具体实施方式
十六不同的是步骤一中的 基板不进行处理直接放入步骤二得到的胶体溶液中。其它与具体实施方式
十六 相同。
具体实施方式
十八本实施方式与具体实施方式
十六不同的是步骤一中酸 性溶液的质量分数为8%-25%。其它与具体实施方式
十六相同。
具体实施方式
十九本实施方式与具体实施方式
十六不同的是步骤一中酸
性溶液的质量分数为10%-20%。其它与具体实施方式
十六相同。
具体实施方式
二十本实施方式与具体实施方式
十六不同的是步骤一中酸
性溶液的质量分数为15%。其它与具体实施方式
十六相同。
具体实施方式
二十一本实施方式与具体实施方式
十六不同的是步骤一中
碱溶液的质量分数为6%-18%。其它与具体实施方式
十六相同。
具体实施方式
二十二本实施方式与具体实施方式
十六不同的是步骤一中
碱溶液的质量分数为8%-16%。其它与具体实施方式
十六相同。
具体实施方式
二十三本实施方式与具体实施方式
十六不同的是步骤一中
碱溶液的质量分数为10%。其它与具体实施方式
十六相同。
具体实施方式
二十四本实施方式与具体实施方式
十六不同的是步骤二中
溶液的质量分数为0.01%-4.5%。其它与具体实施方式
十六相同。
具体实施方式
二十五本实施方式与具体实施方式
十六不同的是步骤二中
溶液的质量分数为0.02%-4%。其它与具体实施方式
十六相同。
具体实施方式
二十六本实施方式与具体实施方式
十六不同的是步骤二中 溶液的质量分数为0.05%-3.5%。其它与具体实施方式
十六相同。
具体实施方式
二十七本实施方式与具体实施方式
十六不同的是步骤二中
溶液的质量分数为0.1%-3%。其它与具体实施方式
十六相同。
具体实施方式
二十八本实施方式与具体实施方式
十六不同的是步骤二中
溶液的质量分数为0.5%-2.5°/。。其它与具体实施方式
十六相同。
具体实施方式
二十九本实施方式与具体实施方式
十六不同的是步骤二中 溶液的质量分数为1%-2%。其它与具体实施方式
十六相同。
具体实施方式
三十本实施方式与具体实施方式
十六不同的是步骤二中溶 液的质量分数为1.5%。其它与具体实施方式
十六相同。
具体实施方式
三十一本实施方式与具体实施方式
十六不同的是步骤三中 所述的温度为35°C-65°C。。其它与具体实施方式
十六相同。
具体实施方式
三十二本实施方式与具体实施方式
十六不同的是步骤三中 所述的温度为50'C。其它与具体实施方式
十六相同。
具体实施方式
三十三本实施方式中自组装光子晶体的方法如下 一、有
机基板的表面处理将经过去离子水超声清洗10min-30min的基板用丙酮超声 清洗10min-30min，然后用氮气吹至表面千燥或者在20°C-60°C的干燥箱中烘 至干燥，再用氧等离子处理lmin-10min; 二、胶体溶液的配置将球径为 50nm-5pm的聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、二氧化硅或二氧化钛小球加入到 溶剂中得到单分散性小于等于5%、质量分数为0.005%-5%的溶液，然后将所 得的溶液超声震荡10min-30min，得到胶体溶液；三、将有机基板放入经过去 离子水清洗10-30min、丙酮超声清洗10-30min、去离子水冲洗并干燥后的容 器中，然后加入步骤二配置的胶体溶液，然后在温度为20'C-7(TC的恒温条件 下使胶体溶液挥发，待无物质挥发取出基板，即得到光子晶体；其中步骤一中 所述的有机基板是厚度为O.Olmm-lmm的聚酯基板、聚酰亚胺基板、聚砜基 板、聚碳酸酯基板、聚乙烯基板、聚氯乙烯基板、聚氨酯基板、有机硅基板或 橡胶基板；步骤一中将所述的有机基板巻曲成空心圆柱形、空心圆台形或螺旋 形；步骤二中所述的溶剂是去离子水、乙醇、甲醇、乙二醇中的一种或几种的 混合溶液。
本实施方式步骤一中采用等离子体放电装置进行氧等离子处理，其中等离 子体放电装置的放电电源为等离子体高压脉冲电源，气体由D08-1A/ZM型流 量控制器控制，实验的检测仪器包括数字荧光示波器(Tektronix TDS3015 500MHz)、 OOIBase32型光谱仪、JC200A静滴接触角/界面张力测量仪。
本实施方式所述的溶剂为混合溶液时，各成分之间按任意比组合。
具体实施方式
三十四本实施方式与具体实施方式
三十三不同的步骤一中 的基板不进行处理直接放入步骤二得到的胶体溶液中。其它与具体实施方式
三 十三相同。
具体实施方式
三十五本实施方式与具体实施方式
三十三不同的是步骤一
中干燥箱的温度为25°C-55°C。其它与具体实施方式
三十三相同。
具体实施方式
三十六本实施方式与具体实施方式
三十三不同的是步骤一
中干燥箱的温度为30。C-5(TC。其它与具体实施方式
三十三相同。
具体实施方式
三十七本实施方式与具体实施方式
三十三不同的是步骤一
中干燥箱的温度为35°C-45°C。其它与具体实施方式
三十三相同。
具体实施方式
三十八本实施方式与具体实施方式
三十三不同的是步骤一
中干燥箱的温度为4(TC。其它与具体实施方式
三十三相同。
具体实施方式
三十九本实施方式与具体实施方式
三十三不同的是步骤二
中溶液的质量分数为0.01%-4.5%。其它与具体实施方式
三十三相同。
具体实施方式
四十本实施方式与具体实施方式
三十三不同的是步骤二中 溶液的质量分数为0.02%-4%。其它与具体实施方式
三十三相同。
具体实施方式
四十一本实施方式与具体实施方式
三十三不同的是步骤二
中溶液的质量分数为0.05%-3.5%。其它与具体实施方式
三十三相同。
具体实施方式
四十二本实施方式与具体实施方式
三十三不同的是步骤二 中溶液的质量分数为0.1%-3%。其它与具体实施方式
三十三相同。
具体实施方式
四十三本实施方式与具体实施方式
三十三不同的是步骤二
中溶液的质量分数为0.5%-2.5%。其它与具体实施方式
三十三相同。
具体实施方式
四十四本实施方式与具体实施方式
三十三不同的是步骤二 中溶液的质量分数为1%-2%。其它与具体实施方式
三十三相同。
具体实施方式
四十五本实施方式与具体实施方式
三十三不同的是步骤二
中溶液的质量分数为1.5%。其它与具体实施方式
三十三相同。
具体实施方式
四十六本实施方式与具体实施方式
三十三不同的是步骤三
中所述的温度为35°C-65°C。。其它与具体实施方式
三十三相同。
具体实施方式
四十七本实施方式与具体实施方式
三十三不同的是步骤三
中所述的温度为50"C。其它与具体实施方式
三十三相同。
权利要求
1、自组装光子晶体的方法，其特征在于自组装光子晶体的方法如下一、基板的表面处理将经过去离子水超声清洗10min-30min的基板用丙酮超声清洗10min-30min，然后用氮气吹至表面干燥或者在20℃-60℃的干燥箱中烘至干燥，再用氧等离子处理1min-10min；二、胶体溶液的配置将球径为50nm-5μm的聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、二氧化硅或二氧化钛小球加入到溶剂中得到单分散性小于等于5％、质量分数为0.005％-5％的溶液，然后将所得的溶液超声震荡10min-30min，得到胶体溶液；三、将基板放入经过去离子水清洗10-30min、丙酮超声清洗10-30min、去离子水冲洗并干燥后的容器中，然后加入步骤二配置的胶体溶液，然后在温度为20℃-70℃的恒温条件下使胶体溶液挥发，待无物质挥发取出基板，即得到光子晶体；其中步骤一中所述的基板是厚度为0.01mm-1mm且表面镀有铝、银、金或氧化铟锡的聚酯基板、聚酰亚胺基板、聚砜基板、聚碳酸酯基板、聚乙烯基板、聚氯乙烯基板、聚氨酯基板、有机硅基板或橡胶基板；步骤一中将所述的基板卷曲成空心圆柱形、空心圆台形或螺旋形；步骤二中所述的溶剂是去离子水、乙醇、甲醇、乙二醇中的一种或几种的混合溶液。
2、 根据权利要求l所述的自组装光子晶体的方法，其特征在于步骤一中 的基板不进行处理直接放入步骤二得到的胶体溶液中。
3、 根据权利要求1所述的自组装光子晶体的方法，其特征在于步骤三中 所述的温度为35°C-65°C。
4、 自组装光子晶体的方法，其特征在于自组装光子晶体的方法如下一、 有机基板的表面处理将有机基板放入质量分数5%-30%的酸性溶液中浸泡1 min -30min，然后再用去离子水超声清洗10min-30min、干燥；二、胶体溶液 的配置将球径为50nm-5|im的聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、二氧化硅或二 氧化钛小球加入到溶剂中得到单分散性小于等于5%、质量分数为0.005%-5% 的溶液，然后将所得的溶液超声震荡10min-30min，得到胶体溶液；三、将有 机基板放入经过去离子水清洗10-30min、丙酮超声清洗10-30min、去离子水 冲洗并干燥后的容器中，然后加入步骤二配置的胶体溶液，然后在温度为 2(TC-7(TC的恒温条件下使胶体溶液挥发，待无物质挥发取出基板，即得到光子晶体；其中步骤一中所述的有机基板是厚度为O.Olmm-lmm的聚酯基板、 聚酰亚胺基板、聚砜基板、聚碳酸酯基板、聚乙烯基板、聚氯乙烯基板、聚氨 酯基板、有机硅基板或橡胶基板；步骤一中所述的酸性溶液是重铬酸钾溶液； 步骤一中将所述的有机基板巻曲成空心圆柱形、空心圆台形或螺旋形；步骤二 中所述的溶剂是去离子水、乙醇、甲醇、乙二醇中的一种或几种的混合溶液。
5、 根据权利要求4所述的自组装光子晶体的方法，其特征在于步骤一中的基板不进行处理直接放入步骤二得到的胶体溶液中。
6、 根据权利要求4所述的自组装光子晶体的方法，其特征在于其特征在 于步骤三中所述的温度为35°C-65°C。
7、 自组装光子晶体的方法，其特征在于自组装光子晶体的方法如下一、 有机基板的表面处理将经过去离子水超声清洗10min-30min的基板用丙酮超 声清洗10min-30min，然后用氮气吹至表面干燥或者在2(TC-60'C的干燥箱中 烘至干燥，再用氧等离子处理lmin-10min; 二、胶体溶液的配置将球径为 50nm-5pm的聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、二氧化硅或二氧化钛小球加入到 溶剂中得到单分散性小于等于5%、质量分数为0.005%-5%的溶液，然后将所 得的溶液超声震荡10min-30min，得到胶体溶液；三、将有机基板放入经过去 离子水清洗10-30min、丙酮超声清洗10-30min、去离子水冲洗并干燥后的容 器中，然后加入步骤二配置的胶体溶液，然后在温度为2(TC-7(TC的恒温条件 下使胶体溶液挥发，待无物质挥发取出基板，即得到光子晶体；其中步骤一中 所述的有机基板是厚度为O.Olmm-lmm的聚酯基板、聚酰亚胺基板、聚砜基 板、聚碳酸酯基板、聚乙烯基板、聚氯乙烯基板、聚氨酯基板、有机硅基板或 橡胶基板；步骤一中将所述的有机基板巻曲成空心圆柱形、空心圆台形或螺旋 形；步骤二中所述的溶剂是去离子水、乙醇、甲醇、乙二醇中的一种或几种的 混合溶液。
8、 根据权利要求7所述的自组装光子晶体的方法，其特征在于步骤一中 的基板不进行处理直接放入步骤二得到的胶体溶液中。
9、 根据权利要求8所述的自组装光子晶体的方法，其特征在于步骤三中 所述的温度为35°C-65°C。
10、 根据权利要求9所述的自组装光子晶体的方法，其特征在于其特征在 于步骤三中所述的温度为50°C。
全文摘要
自组装光子晶体的方法，它涉及光子晶体的制备方法。本发明解决了现有方法无法制备大面积的光子晶体，并且制备的光子晶体不可弯折的问题。本发明方法如下一、基板的表面处理；二、胶体溶液的配置；三、将基板放入容器中，然后加入步骤二配置的胶体溶液，然后在温度为20℃-70℃的恒温条件下使胶体溶液挥发，待无物质挥发取出基板，即得到光子晶体。本发明方法使光子晶体可以单面或者双面的沉积于基板之上，最大限度的使光子晶体沉积于基板上。
文档编号C30B5/00GK101338447SQ200810137030
公开日2009年1月7日 申请日期2008年8月29日 优先权日2008年8月29日
发明者垚 李, 葛邓腾, 赵九蓬 申请人:哈尔滨工业大学