专利名称：一种单晶硅生长炉的制作方法
技术领域：
一种单晶硅生长炉技术领域：
本实用新型涉及一种太阳能单晶硅棒的生产设备，特别涉及的是一种单晶 硅生长炉的改进。
背景技术：
传统的太阳能单晶硅生长炉(又称单晶炉)，采用一次装料，根据单晶炉的 大小装填一定量的原料，原料装填在与单晶炉配套的石英坩锅里，因为是固体 原料(原料的来源只能是固体的)，会有一些间隙，待原料融化后，单晶炉的实 际容量会有空余，这样单台单晶炉设备的单位产量就受到限制，而且，每生产 一根单晶棒，单晶炉需经历一次从冷却到高温再冷却的循环过程，该过程消耗 大量的能源，同时需消耗一个石英坩锅，石英坩锅的使用是一次性的。
发明内容
鉴于目前公知技术存在的问题，本实用新型要解决的技术问题是在于提供 一种高温状态时可重复加料生产多根单晶棒、节省石英坩锅用量、节约能耗的 单晶硅生长炉。
为解决上述技术问题，本实用新型是采取如下技术方案来完成的 一种单晶硅生长炉，包括主炉室、副炉室和引晶装置，主炉室和副炉室之 间设有翻盖阀门，其特征在于所述单晶硅生长炉还设有二次加料装置。所述 二次加料装置包括石英管、不锈钢圆棒和石英圆锥，不锈钢圆棒活动设在石英 管内，石英管的外部固定套接有石英法兰环，不锈钢圆棒的下端与石英圆锥连接。
采用上述技术方案的单晶硅生长炉，设有二次加料装置，在单晶炉生产过 程的高温状态时，通过打开主炉室和副炉室之间的翻盖阀门，将二次加料装置 内的原料多次添加进装在主炉室内的石英埘锅，在一个石英坩锅的有效耐热寿 命里可以生产三根单晶棒成品，因为在这过程中单晶炉始终处于高温状态，所 以可节约两次对单晶炉从冷却状态到加热到1420摄氏度的能源消耗，节约两个 石英坩锅，并节约一定量的冷却水和氩气等。
本实用新型有如下附图
图1为本实用新型的结构示意图
具体实施方式
附图表示了本实用新型的技术方案及其实施例，下面再结合附图进一步描 述其实施例的各有关细节及其工作原理。
参照附图1，该单晶硅生长炉，包括主炉室7、副炉室9、 二次加料装置和 带有钼夹头11的引晶装置，主炉室7和副炉室9之间设有翻盖阀门8，所述二 次加料装置包括石英管l、不锈钢圆棒2和石英圆锥5，不锈钢圆棒2的下端通 过钼螺丝6与所述石英圆锥5固定连接，不锈钢圆棒2的外部活动套接有石英 管l，石英管l的外部固定套接有石英法兰环3，石英管1和石英圆锥5围成一 个底面为锥面的桶体，桶体内放置加工单晶硅的原料4，所述副炉室9内壁设有 不锈钢法兰环IO。在加料时，不锈钢圆棒2的上端与所述引晶装置的钼夹头11 连接，二次加料装置装入副炉室9内，在钼夹头ll下放过程中，不锈钢法兰环 10会卡住所述石英法兰环3，将石英管1固定在所述副炉室9内壁上，随着钼夹头ll的继续下放，石英圆锥5与石英管1脱离，装在石英管1内的原料4就
会从石英圆锥5的锥面上滑落。
单晶炉的生产过程是这样的，首先装满固体原料的石英坩锅装入主炉室内，
加热到1420摄氏度，在原料的融化过程中，引晶装置下放将引晶籽晶放入融化 的原料内进行引晶，使单晶棒成型，待单晶棒成型后，引晶装置将成型的单晶 棒升到副炉室冷却后取出(以上为现有技术)；然后不锈钢圆棒的上端与引晶装 置的钼夹头连接，将二次加料装置放入副炉室内，钼夹头下放使石英管固定在 副炉室内壁上，接着将副炉室内的空气抽空，打开主炉室和副炉室之间的翻盖 阔门，这时钼夹头继续下放带动不锈钢圆棒和石英圆锥下移进入主炉室，二次 加料装置内的原料从石英圆锥的锥面上滑落添加进石英柑锅内，然后钼夹头上 移，关闭翻盖阀门，将二次加料装置取出炉外，待二次投的原料融化后，接着 引晶装置下放再次放入引晶籽晶进行引晶，使单晶棒成型。这样重复三次，二 次加料装置两次加料，在一个石英柑锅的有效耐热寿命里可以生产三根单晶棒 成品，在这过程中单晶炉始终处于高温状态，可以大大节约了能耗。
权利要求1.一种单晶硅生长炉，包括主炉室(7)、副炉室(9)和引晶装置，主炉室(7)和副炉室(9)之间设有翻盖阀门(8)，其特征在于所述单晶硅生长炉还设有二次加料装置。
2. 如权利要求1所述的一种单晶硅生长炉，其特征在于所述二次加料装置包括石英管(1)、不锈钢圆棒(2)和石英圆锥(5)，不锈钢圆棒(2)活动设 在石英管(1)内，石英管(1)的外部固定套接有石英法兰环(3)，不锈钢 圆棒(2)的下端与石英圆锥(5)连接。
专利摘要本实用新型公开了一种单晶硅生长炉，包括主炉室、副炉室和引晶装置，主炉室和副炉室之间设有翻盖阀门，其特征在于所述单晶硅生长炉还设有二次加料装置。该单晶硅生长炉可以在保持单晶炉处于高温状态时重复加料，完成多根单晶棒生产，既节省了与单晶炉配套的石英坩锅用量、又节约了能耗。
文档编号C30B15/00GK201292418SQ20082016876
公开日2009年8月19日 申请日期2008年11月21日 优先权日2008年11月21日
发明者李国迪, 蒋明霞, 谈志俊 申请人:浙江瑞迪硅谷新能源科技有限公司