专利名称：：等离子体处理装置及等离子体处理方法
技术领域：
：本发明涉及等离子体处理装置及等离子体处理方法，特别涉及以微波作为等离子体源来产生等离子体的等离子体处理装置及等离子体处理方法。
背景技术：
：LSI(LargeScaleIntegratedcircuit)等半导体装置是通过对作为待处理基板的半导体基板(晶片)实施蚀刻或CVD(ChemicalVaporDeposition)、溅射等多个处理而制造的。对于蚀刻或CVD、溅射4处理，使用了等离子体的处理方法作为其能量供给源，即等离子体蚀刻或等离子体CVD、等离子体溅射等。这里，在日本特开2005-100931号公报(专利文献1)中公开了使用了微波的等离子体处理装置作为等离子体的发生源的技术。根据专利文献l，在设于等离子体处理装置中的顶板(电介质板)的下面侧，设有锥形的凸部或凹部。利用由微波发生器产生的微波，在顶板的下面侧的锥形的凸部或凹部中，形成电场的最佳的谐振区域，在腔室(处理容器)内产生稳定的等离子体，进行上述的蚀刻处理等。专利文献1日本特开2005-100931号7>才艮在以微波作为等离子体源的等离子体处理装置中，所导入的微波在电介质板的厚度方向上产生驻波，利用该驻波，在处理容器内，具体来说是在处理容器内的电介质板的下部侧产生电场。这里，由微波进行的等离子体点火条件，例如用于进行等离子体点火的外加功率等才艮据处理装置内的电场强度而不同。该电场强度的大小根据保持待处理基板的保持台与电介质的间隔而不同。这里，在像专利文献l那样保持台被固定的情况下，即使在规定的条件下利用规定的等离子体点火条件可以产生等离子体，然而在与规定的条件不同的条件下，例如如果处理容器内的压力不同，则处理容器内的电场强度就会变化，从而有可能在上述的规定的等离子体点火条件下无法产生等离子体。另一方面，对于产生等离子体而言是恰当的电介质板与保持台的间隔、在进行等离子体处理之时恰当的电介质板与保持台的间隔并不一定一致。此种情况下，总是依照等离子体点火条件进行等离子体处理并不妥当。
发明内容本发明的目的在于，提供一种等离子体处理装置，可以提高等离子体点火性，并且可以恰当地进行等离子体处理。本发明的其他的目的在于，提供一种等离子体处理方法，可以提高等离子体点火性，并且可以恰当地进行等离子体处理。本发明的等离子体处理装置具备处理容器，在其内部对待处理基板进行等离子体处理；反应气体供给单元，向处理容器内供给等离子体处理用的反应气体；保持台，配置于处理容器内，在其上保持待处理基板；微波发生器，产生等离子体激发用的微波；电介质板，配置于与保持台相面对的位置，将微波导入处理容器内；等离子体点火单元，在利用所导入的微波在处理容器内产生了电场的状态下进行等离子体点火，在处理容器内产生等离子体；控制单元，进行如下控制将保持台与电介质板的间隔变更为第一间隔，使等离子体点火单元动作，将保持台与电介质板的间隔变更为与第一间隔不同的第二间隔，对待处理基板进行等离子体处理。根据这种等离子体处理装置，可以将保持台与电介质的间隔设为第一间隔，进行等离子体点火。这样，就可以将电场强度变高的间隔选择为第一间隔，从而可以很容易地进行等离子体点火，可以提高等离子体点火性。另外，在待处理基板的等离子体处理中，将保持台与电介质的间隔设为第二间隔，可以选择适于等离子体处理的间隔，对待处理基板进行等离子体处理。这样，就可以恰当地进行等离子体处理。所以，可以提高等离子体点火性，并且可以恰当地进行等离子体处理。作为优选的一个实施方式，控制单元具备使保持台升降而变更保持台与电介质之间的间隔的升降单元。更优选的是，控制单元根据由微波的导入在电介质上形成的驻波的周期性，变更第一间隔。而且，也可以是反应气体供给单元供给具有解离性的反应气体，控制单元使第二间隔小于第一间隔。作为优选的一个实施方式，控制单元对待处理基板所进行的等离子体处理是对氧化物系覆盖膜的蚀刻处理。另外，也可以是反应气体供给单元供给不具有解离性的反应气体，控制单元使第二间隔大于第一间隔。作为优选的一个实施方式，控制单元对待处理基板所进行的等离子体处理是对多晶硅系覆盖膜的蚀刻处理。在本发明的其他方式中，等离子体处理方法是用于对待处理基板进行等离子体处理的等离子体处理方法，包括在设于处理容器内的保持台上保持待处理基板的工序；产生等离子体激发用的微波的工序；经由配置于与保持台相面对的位置的电介质板向处理容器内导入微波，在处理容器内产生电场的工序；将保持台与电介质的间隔设为第一间隔，在处理容器内产生了电场的状态下进行等离子体点火，在处理容器内产生等离子体的工序；在产生了等离子体后，将保持台与电介质的间隔设为与第一间隔不同的第二间隔，进行待处理基板的等离子体处理的工序。根据这种等离子体处理方法，可以将保持台与电介质的间隔设为第一间隔，进行等离子体点火。这样，就可以将电场强度变高的间隔选择为第一间隔，从而可以很容易地进行等离子体点火，可以提高等离子体点火性。另外，在待处理基板的等离子体处理中，将保持台与电介质的间隔设为第二间隔，可以选择适于等离子体处理的间隔，对待处理基板进行等离子体处理。这样，就可以恰当地进行等离子体处理。所以，可以提高等离子体点火性，并且可以恰当地进行等离子体处理。根据这种等离子体处理装置及等离子体处理方法，可以将保持台与电介质的间隔设为第一间隔，进行等离子体点火。这样，就可以将电场强度变高的间隔作为第一间隔选择，从而可以很容易地进行等离子体点火，可以提高等离子体点火性。另夕卜，在待处理基板的等离子体处理中，将保持台与电介质的间隔设为第二间隔，可以选择适于等离子体处理的间隔，对待处理基板进行等离子体处理。这样，就可以恰当地进行等离子体处理。所以，可以提高等离子体点火性，并且可以恰当地进行等离子体处理。图l是表示本发明的一个实施方式的等离子体处理装置的要部的概略剖面图。图2是表示在图l所示的等离子体处理装置当中将间隙缩小后的状态的图。图3是表示在图1所示的等离子体处理装置当中将间隙扩大后的状态的图。图4是表示电场强度与间隙的关系的曲线。图5是表示间隙与等离子体点火所需的微波功率的关系的曲线。图6是表示将间隙设为145mm时的电介质板下部侧的电场的状态的概略图。图7是表示将间隙设为144mm时的电介质板下部侧的电场的状态的概略图。图8是表示将间隙设为142mm时的电介质板下部侧的电场的状态的概略图。图9是表示将间隙设为140mm时的电介质板下部侧的电场的状态的概略图。图IO是表示将间隙设为135mm时的蚀刻速率的曲线。图11是表示将间隙设为205mm时的蚀刻速率的曲线。图12是表示将间隙设为245mm时的蚀刻速率的曲线。图13是表示蚀刻速率的测量方向的图。图14是将间隙设为135mm进行了蚀刻处理后的半导体基板的一部分的电子显微镜照片。图15是将间隙设为245mm进行了蚀刻处理后的半导体基板的一部分的电子显微镜照片。图中符号说明11-等离子体处理装置，12-处理容器，13-气体喷头，14-保持台，15-微波发生器，16-电介质板，17-高频电源，18-升降机构，19-支柱，20-控制部，21-波导管，22-滞波板，23-缝隙孔，24-缝隙天线，25-微波调谐部，26-波长调整部，31、33-下面，32-上面，34-凹部，35-面，41a、41b、41c、41d-区域。具体实施例方式下面，参照附图对本发明的实施方式进行*沈明。图l是表示本发明的一个实施方式的等离子体处理装置的要部的概略剖面图。而且，以下所示的图中，将纸面上方设为上方向。参照图1，等离子体处理装置ll具备处理容器12，在其内部对作为待处理基板的半导体基板W进行等离子体处理；作为反应气体供给单元的气体喷头13,从开口部向处理容器12内供给等离子体处理用的反应气体；保持台14,配置于处理容器12内，在其上保持半导体基板W;微波发生器15，产生等离子体激发用的微波；电介质板16，配置于与保持台14相面对的位置，使利用微波发生器15产生的微波导入处理容器12内；等离子体点火单元(未图示)，在利用所导入的微波在处理容器12内产生了电场的状态下，施加规定的功率而进行等离子体点火，在处理容器12内产生等离子体；控制部20,控制等离子体处理装置11整体。控制部20控制气体喷头13的气体流量、处理容器12内的压力等用于处理半导体基板W的加工条件。等离子体处理装置11具有真空泵及排气管(都未图示)等，可以利用减压将处理容器12内的压力设为真空等规定的压力。处理容器12的上部侧开口，利用配置于处理容器12的上部侧的电介质板16及密封构件(未图示)，可以将处理容器12密封地构成。电介质板16为圆板状，由电介质构成。在电介质板16的下部侧，设有以锥形凹陷的多个环状的凹部34。等离子体处理装置11具备作为使保持台14升降的升降单元的升降机构18。升降机构18通过使安装在保持台14的下面33的支柱19上下移动，来升降保持台14。利用升降机构18，可以将保持台14在规定的范围内升降，变更保持台14与由处理容器12等固定的电介质板16之间的间隔。具体来说，可以变更保持在保持台14上的半导体基板W的上面32与电介质板16的下面31的间隔Lo将利用升降机构18使保持台14从图1的状态起上升，缩小半导体基板W的上面32与电介质板16的下面31的间隔而设为间隔L2的状态表示于图2中，将利用升降机构18使保持台14从图1的状态起下降，增大半导体基板W的上面32与电介质板16的下面31之间的间隔而设为间隔L3的状态表示于图3中。而且，所谓电介质板16的下面31是指未设置凹部34而平坦的部分的面。微波发生器15由高频电源(未图示)等构成。在保持台14上，也连接有赋予偏置电压的高频电源17。另外，在保持台14内，设有在等离子体处理时为了将半导体基板W设为规定的温度条件而加热的加热器(未图示)。等离子体处理装置11具备将利用微波发生器15产生的微波导入处理装置内的波导管21、传播微波的滞波板22、从多个所设置的缝隙孔23将微波导入电介质板16的薄圆板状的缝隙天线24。在波导管21中，在从微波发生器15至滞波板22的途中的路径中，设有微波调谐部25，该微波调谐部25调谐利用微波发生器15产生的微波。在微波调谐部25中，设有路径的长度可变的波长调整部26,利用该波长调整部26变更该路径的长度而调谐微波。而且，图l中，对于微波的途中的导入路径，用虚线来表示。利用微波发生器15产生的微波穿过波导管21，向滞波板22传播，从设于缝隙天线24上的多条缝隙孔23导入电介质板16。此时，电介质板16沿上下方向，即沿图1中的箭头A的方向或其相反的方向振动。这里，设于电介质板16的下面31侧的凹部34为锥形，沿径向形成厚度不同的部分，因此在电介质板16内当中微波的波长所谐振的径向的某个位置上，形成上下方向的驻波。利用如此形成的驻波，在处理容器12内的电介质板16的下部侧产生电场。根据该电场的强度改变等离子体点火单元的等离子体点火条件，在这里是产生等离子体的外加功率。具体来说，如果电场强度高，则为了产生等离子体而必需的外加功率就变小，如果电场强度低，则为了产生等离子体而必需的外加功率就变大。利用所形成的驻波产生的电介质板16的下部侧的电场强度与半导体基板W和电介质板16的间隙，即与保持在保持台14上的半导体基板W的上面32及电介质板16的下面31的间隔L具有相关关系。具体来说，电场强度例如具有如下等周期性，即，半导体基板W的上面32与电介质板16的下面31的间隔L每隔30mm电场强度变高。这里，等离子体处理装置11中所具备的控制部20进行如下控制将保持台14与电介质板16的间隔利用升降机构18变更为第一间隔，使等离子体点火单元动作，将保持台14与电介质板16的间隔利用升降机构18变更为与第一间隔不同的第二间隔，对半导体基板W进行等离子体处理。图4是表示电磁场模拟中的电场强度与间隙的关系的曲线。图4中，纵轴表示电场强度(V/m),横轴表示半导体基板W的上面32与电介质板16的下面31的间隙(mm)。电场强度在以点Px~Pp表示的103mm、124mm、146mm、172mm、190mm、215mm、255mm、265mm、277mm的位置上，电场强度高。这里，就电场强度的大小和间隙而言，具有周期性。这里，除去一部分的例外以外，可以用大约20mm左右的周期表示电场强度变高的点。而且，对于上述的等离子体处理装置11的具体的构成，作为保持台14的大小，例如选择d)200mm。另外，等离子体处理装置11的间隙的可变范围，即保持台14的上下方向的移动范围是在图4所示的范围内，选择与处理容器12的下侧的面35的距离为115~135mm的范围。此时的保持台14的可变范围为20mm。下面，使用上述的等离子体处理装置11，对本发明的一个实施方式的半导体基板W的等离子体处理方法进行说明。首先，如上所述在保持台14上保持作为待处理基板的半导体基板W。然后，将处理容器12内减压为规定的压力，利用气体喷头13供给反应气体。其后，利用微波发生器15产生等离子体激发用的微波，穿过电介质板16向处理容器12内导入微波。这里，在电介质板16中，沿上下方向形成驻波，在处理容器12内的电介质板16的下部侧产生电场。然后，利用升降机构18将保持台14沿上下方向移动，变更保持台14与电介质板16的间隔。间隔的变更是根据所赋予的条件、例如根据处理容器12内的压力或反应气体的种类、微波的功率等，按照使电场强度变高的方式设为选择的间隔。将该间隔设为第一间隔。该情况下，例如在上述的图4所示的条件下，选择以电场强度周期性地变高的点P!P9表示的间隔即可。像这样，在电介质板16的下部侧，就形成在所赋予的条件下的电场强度高的状态，即形成产生等离子体的外加功率小，等离子体容易点火的状态。其后，利用等离子体点火单元施加规定的功率，进行等离子体点火，产生等离子体。在产生了等离子体后，与上述的所赋予的条件对应地变更保持台14与电介质板16的间隔，按照适于保持在保持台14上的半导体基板W的处理的方式，进行等离子体处理。将该间隔设为第二间隔。即，将保持台14与电介质板16的间隔设为适于等离子体处理的第二间隔，对半导体基板W进行等离子体处理。通过如此构成，就可以将保持台14与电介质16的间隔设为第一间隔，进行等离子体点火。这样，就可以将电场强度变高的间隔作为第一间隔选择，从而可以很容易地进行等离子体点火。即，可以拓宽等离子体点火的界限，进行等离子体点火，可以提高等离子体点火性。另外，在半导体基板W的等离子体处理中，将保持台14与电介质16的间隔设为第二间隔，可以选择适于等离子体处理的间隔，对半导体基板W进行等离子体处理。这样，就可以恰当地进行等离子体处理。所以，可以提高等离子体点火性，并且可以恰当地进行等离子体处理。下面，将等离子体的点火性能表示于表l中。[表11<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>表l是将在等离子体点火用途中所施加的微波功率设为1700W,表示在改变了间隙的情况下是否点火的表。表l所示的评价试验的条件是将压力设为20mTorr，将反应气体设为CF4/O2=105/9sccm，使用Si02虚拟晶片。表1中，O标记表示成功点火的情况，x标记表示未点火的情况。而且，如果在5秒内未点火，则视为未点火。另外，表l中的所谓第一次表示沿将间隙拓宽的方向，即，将间隙从115mm到135mm每次增加2mm地变更来进行试验的情况，所谓第二次表示沿将间隙缩小的方向，即，将间隙从135mm到115mm每次减少2mm地变更来进行试验的情况。根据表1,无论在哪种情况下，等离子体点火在间隙为115mm、117mm、133mm、135mm时都成功。所以，在等离子体点火时，作为第一间隔，优选选择此种间隙。图5是表示间隙与等离子体点火中所需的微波功率的关系的曲线。图5中，纵轴表示等离子体点火中所需的微波功率(W)，横轴表示间隙(mm)。另外，将其数值表示于表2中。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>参照图5及表2，在间隙为115mm、117mm的情况下，等离子体点火中所需的微波功率为1650W，是比较小的值，直到间隙达到129mm，等离子体点火中所需的微波功率慢慢地变大。另一方面，当间隙大于129mm时，则等离子体点火中所需的微波功率就会慢慢地变小。像这样，由于利用驻波产生的电场强度与规定的条件对应地具有周期性，因此选择使得微波功率变小的间隙，进行等离子体点火。而且，就间隙而言，会因lmm左右的差别而使电场强度^艮大地变化。图6是表示将间隙设为145mm时的电介质板16的下部侧的电场强度的状态的概略图。图7是表示将间隙设为144mm时的电介质板16的下部侧的电场强度的状态的概略图。图8是表示将间隙设为142mm时的电介质板16的下部侧的电场强度的状态的概略图。图9是表示将间隙设为140mm时的电介质板16的下部侧的电场强度的状态的概略图。图6~图9中所示的区域41a、41b、41c、41d的差异表示电场强度的大小的差异，电场强度依照区域41a、41b、41c、41d的顺序变低。即，区域41a是作为电场强度来说最高的部分，区域41d是作为电场强度来说最低的部分。参照图6~图9，尽管各个间隙只改变了数mm左右，然而各个电场强度就有很大的不同。所以，要求对上述的间隙严密地管理。而且，将间隙i殳为145mm时的最大的电场强度为9000(V/m),将间隙-没为144mm时的最大的电场强度为6300(V/m)，将间隙i殳为142mm时的最大的电场强度为5000(V/m)，将间隙i殳为140mm时的最大的电场强度为4300(V/m)。这里，在作为等离子体处理中所需的反应气体使用具有解离性的气体的情况下，优选使第二间隔小于第一间隔。即，在利用等离子体点火产生了等离子体后，如图2所示，缩小保持台14与电介质板16的间隙。这是因为，对于具有解离性的反应气体，由于能够在处理容器12内不解离地停留的时间(保留时间Residensetime)很短，因此就要使之难以生成由解离带来的副产物，从而恰当地进行等离子体处理。这是因为，例如在作为具有解离性的反应气体选择C4F4的情况下，当在处理容器12内长时间停留时，则C4F4即解离，生成C2F4，还生成CF3的CF2、CF等。一旦生成此种副产物，则例如对半导体晶片W的等离子体处理中的蚀刻的选择比就会变化，从而有可能无法恰当地进行等离子体处理。而且，反应气体的保留时间可以基于(压力x容积)/(气体流量)算出，反应气体的解离度可以基于(保留时间)x(电子密度)x(电子温度)算出。作为使用具有解离性的反应气体的情况，有蚀刻半导体基板w的氧化物系覆盖膜的情况。另外，在作为反应气体使用不具有解离性的反应气体的情况下，优选使第二间隔大于第一间隔。即，在利用等离子体点火产生了等离子体后，如图3所示，扩大保持台14与电介质板16的间隙。如果是不具有解离性的反应气体，则不会有反应气体解离的情况，不会有由解离带来的副产物阻碍等离子体处理的情况。该情况下，通过扩大间隙而延长与电介质板16的距离，在等离子体更为均勻的区域中进行等离子体处理，就可以恰当地进行等离子体处理。作为不具有解离性的反应气体，例如可以举出CF等，有时将CF作为反应气体来蚀刻半导体基板W的多晶硅系覆盖膜。这里，给出间隙与蚀刻速率的关系。图IO是表示间隙为135mm时的半导体基板W上的蚀刻速率的曲线。图11是表示间隙为205mm时的半导体基板W上的蚀刻速率的曲线。图12是表示间隙为245mm时的半导体基板W上的蚀刻速率的曲线。图10~图12中，纵轴表示蚀刻速率(人/min),横轴表示位置。图13是表示图10~图12的蚀刻速率的测量方向的图。图10~图12所示的x轴、y轴、v轴、w轴表示于图13中。而且，图13所示的半导体基板W若以0为原点，则为d)300mm的大小。参照图10~图13，在间隙为135mm的状态下，蚀刻速率的分布形成近似W字形(参照图10)。具体来说，中央部的蚀刻速率比其周围略高，在端部侧，蚀刻速率变得非常高。在间隙为205mm的状态下，不形成近似W字形，与间隙为135mm的情况相比，蚀刻速率在各部更为均一，然而从中央部朝向端部慢慢地变高(参照图11)。与之不同，在间隙为245mm的状态下，蚀刻速率在包含中央部及端部的面内全部区域中是同等的(参照图12)。如此所述，随着间隙变宽，蚀刻速率逐渐变得均一。所以，通过在此种蚀刻速率均一的条件下进行半导体基板W的等离子体处理，就可以恰当地，也就是使中央部侧与端部侧的蚀刻速率均一地进行等离子体处理。这里，将变更了间隙时的半导体基板w的蚀刻处理后的状态的一部分表示于图14及图15的电子显微镜照片中。图14是将间隙设为135mm的情况，图15是将间隙设为245mm的情况。参照图14及图15可知，在将间隙设为245而进行了蚀刻处理的情况下，突状部的头端的形状一致，是均一的，然而在将间隙设为135mm而进行了蚀刻处理的情况下，其形状紊乱，是不均一的。而且，虽然在上述的实施方式中，是将保持半导体基板W的保持台沿上下方向移动而变更保持台与电介质板的间隔，然而并不限定于此，也可以设为其他的构成，例如使电介质板侧可以沿上下方向移动，来变更保持台与电介质板的间隔。另外，也可以设为使保持台及电介质板都可以沿上下方向移动的构成，来变更保持台与电介质板的间隔。另外，虽然在上述的实施方式中，对进行利用等离子体的蚀刻处理的情况进行了说明，然而并不限定于此，也可以适用于进行等离子体CVD等处理的情况。以上虽然参照附图对本发明的实施方式进行了说明，然而本发明并不限定于图示的实施方式的内容。对于图示的实施方式，可以在与本发明相同的范围内，或者在等价的范围内，施加各种修正或变形。权利要求1.一种等离子体处理装置，具备处理容器，在其内部对待处理基板进行等离子体处理；反应气体供给单元，向所述处理容器内供给等离子体处理用的反应气体；保持台，被配置于所述处理容器内，在其上保持所述待处理基板；微波发生器，产生等离子体激发用的微波；电介质板，被配置于与所述保持台相面对的位置，将微波导入所述处理容器内；等离子体点火单元，在利用被导入的微波在所述处理容器内产生了电场的状态下进行等离子体点火，在所述处理容器内产生等离子体；以及控制单元，进行如下控制将所述保持台与所述电介质板的间隔变更为第一间隔，使所述等离子体点火单元动作，将所述保持台与所述电介质板的间隔变更为与所述第一间隔不同的第二间隔，对所述待处理基板进行等离子体处理。2.根据权利要求l所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述控制单元具备升降单元，该升降单元使所述保持台升降而变更所述保持台与所述电介质之间的间隔。3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所更所述第一间隔。P4.根据权利要求1~3中任意一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述反应气体供给单元供给具有解离性的反应气体，所述控制单元使所述第二间隔小于所述第一间隔。5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，由所述控制单元对所述待处理基板所进行的等离子体处理是对氧化物系覆盖膜的蚀刻处理。6.根据权利要求1~3中任意一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述反应气体供给单元供给不具有解离性的反应气体，所述控制单元使所述第二间隔大于所述第一间隔。7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，由所述控制单元对所述待处理基板所进行的等离子体处理是对多晶硅系覆盖膜的蚀刻处理。8.—种等离子体处理方法，用于对待处理基板进行等离子体处理，包括在设于处理容器内的保持台上保持待处理基板的工序；产生等离子体激发用的微波的工序；经由在与所述保持台相面对的位置配置的电介质板，向所述处理容器内导入微波，在所述处理容器内产生电场的工序；将保持台与电介质的间隔设为第一间隔，在所述处理容器内产生了电场的状态下进行等离子体点火，在所述处理容器内产生等离子体的工序；在产生了等离子体后，将保持台与电介质的间隔设为与所述第一间隔不同的第二间隔，进行所述待处理基板的等离子体处理的工序。全文摘要本发明涉及等离子体处理装置，可以提高等离子体点火性，适于进行等离子体处理。等离子体处理装置(11)具备保持台(14)，配置于处理容器(12)内，在其上保持半导体基板(W)；电介质板(16)，配置于与保持台(14)相面对的位置，将微波导入处理容器(12)内；等离子体点火单元，在利用所导入的微波在处理容器(12)内产生了电场的状态下进行等离子体点火，在处理容器(12)内产生等离子体；控制部(20)，包含升降机构(18)，以进行将保持台(14)与电介质板(16)的间隔变更为第一间隔，使等离子体点火单元动作，将保持台(14)与电介质板(16)的间隔变更为与第一间隔不同的第二间隔，进行对半导体基板(W)的等离子体处理。文档编号H05H1/46GK101521980SQ200910005390公开日2009年9月2日申请日期2009年2月24日优先权日2008年2月26日发明者佐佐木胜,吉川润,松本直树,西塚哲也申请人:东京毅力科创株式会社