专利名称：电子部件和挠性薄膜基板的接合方法及接合装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及在与电子产品的轻量化、小型化相伴随的电路图案的高精度化时，在粘合于增强板上的挠性薄膜基板上将电子部件经热硬化型树脂接合的接合方法和接合装置。作为本发明的应用产品，可举出后述的COF以及MEMS、图像传感器等。
背景技术：
随着电子产品的轻量化、小型化，而要求印刷电路基板的图案的细微间距(高精度)化。特别地，虽然用于将电子部件(例如ICantegrated Circuit))向液晶显示面板接合的C0F(Chip on Film)技术可用卷盘方式加工长条化聚酰亚胺薄膜基板来得到微细图案，但关于细微化的进展正在接近极限。作为与更加细微化对应的方法，提出了在用可剥离的粘接剂粘贴在增强板上的挠性薄膜上形成非常细微的电路图案的方案(例如，专利文献1)。在灵活使用卷盘方式的现有设备的情况下，在电路图案形成后将挠性薄膜基板从增强板剥离，经粘接材料将其短边端部连接而成为长条薄膜基板(例如，参照专利文献2)。于是，由于挠性薄膜因温度、湿度而使尺寸变化，因此基于细微间距化的要求，在从增强板剥离前进行IC接合较理想。在挠性薄膜基板中，在IC侧的金凸部(金〃 > )和挠性薄膜基板内的安装区域的电路图案即内导线之间通过热压接接合。在热压接时，用电镀法在内导线表面形成的锡和凸部表面的金共晶接合。在内导线成为细微间距时，内导线表面的锡在内导线表面和内导线端部流动而成为瘤状，相邻的内导线成为短路的原因。这里，虽然使锡的厚度变薄以避免内导线的短路，但由于有助于接合的锡的绝对量和内导线上的堆积面积减小，所以金-锡共晶的形成变得不均勻，接合强度不足。虽然也有为使金-锡共晶的形成均勻而提高接合载荷的处理方法，但在锡的薄膜化上存在载荷过大所导致的凸部损坏等问题。因此，进行了经被称为 ACF(Anisotropic Conductive Film)、NCP(Non Conductive Paste)或NCF(Non Conductive Film)的材料而使挠性薄膜基板和IC接合的技术研究。ACF是利用薄膜中的导电粒子来使IC和挠性薄膜基板接合的材料。例如，提出了在形成于玻璃板上的布线图案上利用ACF来接合IC的技术(参照专利文献3)。在使用ACF的接合中，通过在凸部和内导线间存在导电粒子来确保两者的导通。 但是，在通过细微间距化来使内导线间的距离变小时，导电粒子与相邻的内导线接触，所以存在产生布线的短路不良的可能。因此，在将ACF适用于配置于细微间距的电子部件的凸部和细微电路图案的内导线的接合的情况下，需要缩小ACF的薄膜内的导电粒子直径。但是，缩小ACF的薄膜内的导电粒子直径从金属粒子直径的稳定化和均勻分散性方面来看是困难的，此外，内导线间的导电粒子数增多，因此在内导线间迁移耐性下降，使可靠性降低。因此，在适用于细微间距的安装的接合材料中优选使用不含导电性材料的NCP和 NCF。NCP和NCF是使热硬化型树脂成为浆料状或薄膜状的材料，在电子部件和电路图案间形成，在压接后使树脂硬化以接合电子部件。通过树脂硬化收缩而将凸部和内导线更牢固地接合。再有，与金-锡共晶的接合相比可进行低温接合且装置载荷也小。但是，具有在按压时因IC的凸部和内导线两者的滑动而使位置偏差增大，而成为导通不良的可能。另一方面，这些热硬化型树脂的硬化可通过对IC从电路图案侧进行加热器加热或电磁波加热来进行(例如，参照专利文献幻。通常，在挠性薄膜上形成的电路图案上除了安装用的热硬化型树脂层之外还形成有用于保护电路图案的树脂层(被称为抗焊剂层)。 在使IC正下的热硬化型树脂硬化时，考虑到向IC和将IC向挠性薄膜基板按压的加压工具的放热，而供给比热硬化型树脂的硬化温度高的热量。虽然抗焊剂树脂的耐热温度通常为230°C到260°C，但使NCP和NCF等热硬化型树脂在200°C到250°C温度硬化。即，在考虑上述放热时，硬化所需的温度比抗焊剂的耐热温度高。因此，在对挠性薄膜基板从增强板侧通过例如电磁波加热来加热挠性薄膜基板整体时，抗焊剂因耐热温度以上的加热而变色，在外观上或性能上出现问题。现有技术文献专利文献专利文献1 特开2003-298194号公报；专利文献2 特开2006-295143号公报；专利文献3 专利第3627011号公报
发明内容
发明所要解决的问题如上所述，以细微间距来使IC和薄膜电路基板良好地接合是困难的。特别地，在利用热硬化型树脂时，仅在一个步骤进行压接，此时，在IC的凸部和内导线之间产生滑动的可能性特别高。此外，由于热硬化型树脂需要硬化，所以与金属接合相比接合时间较长， 存在生产性下降的问题。再有，将在挠性薄膜上形成电路图案的挠性薄膜基板粘贴到增强板上的状态下使上述电路图案和电子部件经热硬化型树脂而压接的方法中，在从载置带增强板挠性薄膜基板的工作台侧加热上述热硬化型树脂时，当作为电路图案上的保护膜的抗焊剂层的耐热温度比上述加热温度低时抗焊剂层变色。该变色成为外观不良，此外，抗焊剂层根据情况而劣化，绝缘可靠性有可能下降。用于解决问题的手段S卩，本发明的接合方法，在经能剥离的有机物层将增强板和挠性薄膜粘合的挠性薄膜基板上接合电子部件，其特征在于，在挠性薄膜基板上形成热硬化型树脂层之后，具有(1)第一步骤，将电子部件按压在形成于挠性薄膜基板上的热硬化型树脂上，在该状态下将热硬化型树脂加热到小于硬化温度，使电子部件配置在挠性薄膜基板上的接合位置； 和( 第二步骤，在电子部件上作用载荷的同时将所述热硬化型树脂的接合位置加热到硬化温度以上以使电子部件接合。此外，本发明的优选方式是在方案1记载的接合方法中，在所述第二步骤中，具有从所述挠性薄膜基板的下方将电子部件接合位置的所述热硬化型树脂层有选择地加热到硬化温度以上的工序。再有，本发明的另一方式的接合装置，在具有多个形成抗焊剂的区域和形成热硬化型树脂的区域的挠性薄膜基板上接合电子部件，其特征在于，具有工作台，其保持所述挠性薄膜基板；加压构件，其在所述工作台配置在保持所述挠性薄膜基板的位置的上方，且
5将所述电子部件按压在所述挠性薄膜基板上；和加热构件，其在所述工作台配置在保持所述挠性薄膜基板的位置的下方，且将已涂敷所述热硬化型树脂的区域有选择地加热。根据本发明，可提供在压接时电子部件和电路图案的位置偏差较小的稳定的接合方法。此外，根据本发明的优选实施方式，在挠性薄膜基板上形成的抗焊剂不会受到热所导致的损伤，可将电子部件和挠性薄膜基板接合。
图1是带增强板的挠性薄膜基板的剖视图。图2是本发明的电子部件安装方法的概要图。图3是表示本发明第二步骤的接合装置的整体形状的概要图。图4是表示本发明第二步骤的接合装置的另一优选方式整体形状的概要图。图5是在本发明第二步骤的接合装置中使用加热屏蔽掩模和热源来作为加热构件的情况下的概要图。图6是在本发明第二步骤的接合装置中使用激光器光源来作为加热构件的情况下的概要图。图7是在本发明第二步骤的接合装置中使用灯和导光路来作为加热构件的情况下的概要图。图8是在本发明第二步骤的接合装置中使用工作台上的突起部配以发热电阻来作为加热构件的情况下的概要图。图9是在本发明第二步骤的接合装置中单独调整电子部件的加压量和/或平行度的情况下的概要图。图10是在本发明第二步骤的接合装置中单独调整电子部件的加压量和/或平行度的情况下的另一方式的概要图。附图标记说明1挠性薄膜2可剥离的有机物层3增强板4电路图案5抗焊剂6热硬化型树脂7、24电子部件8加热、加压工具9、20 工作台10对准标记识别用照相机11位置控制用控制器12电磁波照射部13反射板14支承块
15控制单元
16换热器
17电磁波
21加压工具
22隔热、缓冲材料
23支柱
26框架
27,30热源
28加热屏蔽掩模
29(a)工作台上表面
29(b)工作台下表面
31半导体激光器
32灯
34工作台的突起
35加热器
36加热器加热用电源
37缓冲袋体
38液体
100挠性薄膜基板
具体实施例方式下面对本发明的接合方法及接合装置进行详细说明。首先，使用图1对在增强板上粘贴的挠性薄膜基板100进行说明。在单张的增强板3上形成可剥离的有机物层2，在有机物层2上使用层叠装置来粘合挠性薄膜1。作为增强板3，优选能效率良好地传递向用于与电子部件接合的热硬化型树脂施加的热的材料，可使用碱石灰玻璃、硼硅酸系玻璃、石英玻璃等无机玻璃类。这些材料对电磁波是透明的，因此较理想。这是因为，可使用电磁波作为加热方式。在使用红外线作为热源的情况下，硅也具有透射性，可用作增强板。此外，作为可剥离的有机物层2，使用例如丙烯系或氨基甲酸乙酯系的被称为再剥离型的粘接剂。挠性薄膜1是在绝缘性薄膜的单面上通过溅射或真空蒸镀法形成金属覆膜的材料。作为绝缘性薄膜的材料，可使用聚碳酸酯、聚酯硫化物(^j - 一〒 > 寸> 7 7 ^ K )、聚对苯二甲酸乙酯、聚乙烯苯二甲酸盐、聚亚苯基硫醚、聚酰亚胺、聚酰胺、液晶聚合体等塑料薄膜。金属覆膜可设置用于提高与基体绝缘性薄膜的密接性的基体层。例如，在聚酰亚胺薄膜上通过溅射法形成的镍铬合金的密接性良好。在该镍铬合金层上通过溅射法形成铜膜。这是因为，该铜膜的电阻值小，作为布线材料优良，而且与在电路图案4的形成中使用的铜镀层的粘接力也十分牢固。其次，在增强板上粘合的挠性薄膜上形成电路图案4。电路图案4通常以铜为主体，通过除去法、半添加法等形成。形成细微间距适于使用半添加法。半添加加工法通常采用以下步骤。在没有形成电路图案的导体的地点形成光致抗蚀剂图案之后，通过电解镀铜来在没有光致抗蚀剂图案的地点析出铜膜。然后，在除去光致抗蚀剂图案之后，蚀刻除去形成有光致抗蚀剂图案的部分的金属覆膜。然后，形成作为导体而形成的部分的保护层。保护层通过析出锡镀层、金镀层等或在铜表面吸附防锈剂而形成。 因此，电路图案4的导体部分由金属覆膜、电镀所形成的铜膜、保护层形成。将这些结构统称为“金属层”。在本说明书中，电路图案4作为包括具有此类构成的金属层的区域来进行说明。但是，金属层当然也可适当地采用除此之外的构成。在电路图案中，有安装电子部件的安装区域、输出区域、测试用衰减器区域等。在安装区域，用于与电子部件的接合用的凸部接合的电路图案(在COF的情况下称为内导线) 大多并排地形成多个。随着电子部件的性能提高，输入输出数增加，因此内导线宽度为十几 μπι，此外，相邻的内导线间隔也为十几μπι。在形成电路图案4之后，接着，通过在电路图案 4上形成金属层保护用的抗焊剂膜5，而得到在增强板上粘合的挠性薄膜基板。其次，在挠性薄膜基板上涂敷用于使电子部件和内导线接合的热硬化型树脂层6。 作为热硬化型树脂的组成，适于使用环氧树脂、聚酰胺亚胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚氨基甲酸酯树脂、酚醛树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂等来作为主剂，并添加用于促进硬化反应的硬化剂。硬化剂使用与主剂的树脂反应性高的物质，多使用环氧系的树脂。为简化工序，优选使用将硬化剂在主剂中预先混合的一液性的物质，但是，也可采用在涂敷前将主剂和硬化剂搅拌使用的二液性的物质。为了在电子部件安装部分形成热硬化型树脂层，而使用分配器和印刷来作为涂敷方法。可一次在多个电路图案上形成热硬化型树脂层6，在生产性高的方面，印刷法较理想。 在采用印刷法的情况下，为维持已涂敷的热硬化型树脂的印刷形状而以在电子部件接合前在热硬化型树脂表面上不固定异物的方式在热硬化型树脂的硬化点温度以下短时间干燥以使溶剂蒸发较理想。此外，在电子部件接合后在内导线和电子部件的凸部附近的热硬化型树脂存在空隙时，成为使接合可靠性、绝缘可靠性下降的原因。在分配器和印刷法中形成的热硬化型树脂多为粘度高的物质，流动性较小。因此，在内导线间隔狭窄时，有可能产生孔隙。为了避免产生孔隙，以提高热硬化型树脂的流动性的方式加热挠性薄膜基板较理想。具体地，在电子部件接合时，加热装载挠性薄膜基板的工作台，从而可加热已涂敷的热硬化型树脂层。只要是能得到树脂的流动性的加热温度即可，另一方面，使加热温度处于小于硬化温度的范围内。在使用例如少^ ,々^制8364-160 (Tg: 120°C、硬化温度 2000C )来作为热硬化型树脂的情况下，加热温度为100°C左右较理想。此外，挠性薄膜基板内的水分也是热硬化型树脂产生孔隙的原因之一。在将电子部件向热硬化型树脂接合之前，将挠性薄膜基板加热，以除去挠性薄膜基板内的水分较理想。只要是能够除去挠性薄膜基板内的水分的加热温度即可，适于使用80°C到130°C。在已涂敷热硬化型树脂的情况下，加热温度设定成小于热硬化型树脂的硬化温度。用于避免产生孔隙的加热时间设定成能够充分除去挠性薄膜基板内的水分的时间。再有，可在涂敷热硬化型树脂前进行加热以除去挠性薄膜基板内的水分。该情况下，可与热硬化型树脂的硬化温度无关地确定加热条件。但是，在加热干燥后，在到达第一步骤之
8前的待机中挠性薄膜吸湿，所以采取设定待机时间上限或将保管环境保持在低湿度的对策较理想。参照图2来说明本发明的第一步骤的接合方法。图2表示在小于热硬化型树脂的硬化温度时按压电子部件的第一步骤。这里，硬化温度是树脂的功能基的结合在进行、有助于反应的成分的85%以上进行反应(硬化度为85%以上)的温度。对于热硬化型树脂的硬化度，可通过例如FT_IR(Fourier Transform infrared Spectrometer)分析，而从有助于结合的反应性基的最大强度的减小比例定量地求出。在以双苯酚型环氧树脂为例时，在硬化的前后消耗环氧基。另一方面，由于苯环的比例不变化，所以如果环氧基所产生的最大强度相对于苯环所产生的最大强度的比例在硬化后减小 85%以上，则硬化度将为85%以上。将在增强板3上粘合的挠性薄膜基板在工作台9上固定。固定方法适于使用工作台9所产生的真空吸附。此外，可将挠性薄膜基板端部与增强板一同以机械方式用卡盘按压。如上所述，为提高热硬化型树脂的流动性，并防止热硬化型树脂内产生孔隙，将上述工作台预先加热较理想。加热、加压工具8具有吸附机构较理想。这是因为，通过在多孔质陶瓷和电子部件接触面上留有微细孔，可容易地吸附、保持电子部件。使电子部件向电路图案的安装区域移动的工具可与加热、加压工具8不同地单独设置。其次，将电子部件7临时压焊在内导线部。在该第一步骤中，使电子部件高精度地对位，目的是以在后面的工序中不产生位置偏差的程度进行固定。作为电子部件，可举出IC 和电容器、电阻等电子部件。在这些电子部件中，接合用的凸部和衬垫在电子部件的接合面设置。加热、加压工具8从在装置内设定的电子部件的存放盘(未图示)吸附一个电子部件7。用对准标记识别用照相机10从在加热、加压工具8上吸附的电子部件7侧读取在电子部件的对准标记(未图示)和工作台9上的电路图案的内导线周围形成的对准标记 (未图示)。加热、加压工具8的位置控制用控制器11计算两个对准标记的位置偏差量，为修正该位置偏差量而调整加热、加压工具8的位置。然后，加热、加压工具8下降以将已吸附的电子部件向内导线按压。此时，在将电子部件向内导线按压的状态下将热硬化型树脂加热到小于硬化温度，通过使热硬化型树脂的硬化以某种程度进行来临时压焊，可防止精度良好地对位的电子部件在到达下一工序的处理时位置偏差。在接合时，至少将安装区域的热硬化型树脂加热。第一步骤的临时压焊可与将多个电子部件吸附到一个吸附头上来同时实施，但是，为实现高精度接合，一个个地进行临时压焊较理想。作为第一步骤，通过夹持热硬化型树脂地使电子部件的凸部和电路图案的内导线间的距离接近，可减小第二步骤中的按压力。在第二步骤中，具有电子部件的凸部难以在内导线上滑动，且难以发生接合偏差的效果。以往，仅在第一步骤中完成热硬化型树脂的硬化以使电子部件接合，热硬化型树脂硬化时的按压力大，且易于产生位置偏差，但是，本发明通过如上述那样将接合的步骤分为两个，可避免位置偏差的问题。此外，通过将接合的步骤分为两个，可具有使第一步骤的临时压焊温度下降，且可简单地实现高精度位置对齐和第一步骤的接合装置的防止热传递对策或放热对策的效果。为了提高热硬化型树脂的流动性，第一步骤中的加热温度在小于热硬化型树脂的硬化温度的范围内越高越好。但是，确认没有热硬化型树脂的性能劣化地设定加热温度。可从加热、加压工具8，经电子部件将热硬化型树脂加热。在加热、加压工具8中采用多孔质陶瓷，通过内装陶瓷加热器，可得到具有加热机构和电子部件的吸附机构的加热、加压工具。考虑在第二步骤中添加的载荷来决定将电子部件向内导线按压的压力。在第一步骤中施加使电子部件7与内导线精度良好地对位以固定的稍弱的压力。此外，在第二步骤中施加能使电子部件7位置不偏差地与内导线接合的稍强的压力。如以往那样，在仅第一步骤的加热、加压中，通常使用15 30gf/(电子部件的一个凸部)。但是，根据本发明，在第一步骤中，3 IOgf/(电子部件的一个凸部)左右较好。此外，在本发明中，在第一步骤之后在电子部件凸部和内导线之间存在热硬化型树脂，未导通的情况较多。在第一步骤中，加热、加压时间设定成能使电子部件和电路图案稳定地对齐，且能在下一工序之前保持精度。根据加热器的升温速度和温度稳定性，优选是从0. 3秒到3秒， 更优选是从0. 5秒到1秒。作为将电子部件的接合分为第一和第二步骤的其他优点，有生产性的提高。电子部件的接合所用的热硬化型树脂的热硬化时间是从5秒到几十秒，与现在作为主流的金-锡共晶等所形成的金属接合的接合时间0. 1 1.5秒左右相比较长。因此，在将电子部件一个个加压、加热时生产效率下降。但是，使用具备多个电路图案的大面积挠性薄膜基板，通过对多个电子部件同时进行热硬化型树脂的硬化可提高生产性，使用接合时间长的热硬化型树脂也可保持生产效率。本发明的一个优选方式是在第二步骤中将电子部件与挠性薄膜基板接合时从增强板侧加热挠性薄膜基板。在使热硬化型树脂硬化时，可通过使按压电子部件的机构和加热热硬化型树脂以使其硬化的机构分离来大幅减小装置设计上的负荷。即，可使设备结构简单，并降低设备费用。同时进行多个电子部件的接合的设备时，使机构分离的效果特别大。其次，参照图3来说明第二步骤的优选方式的一例。再有，图3(a)是装置的主视图，图3(b)表示装置的侧视图。在图3中，表示在第一步骤中使在装载电子部件的增强板 3上粘贴的挠性薄膜基板100向用于进行第二步骤的工作台20移动之后的状态。当然，也可在图2的工作台9上进行第二步骤。可在用图2的工作台9吸附、保持在增强板3上粘贴的挠性薄膜基板100的状态下使第二步骤中使用的加压工具21移动，并可使在第二步骤的加压工具21中使用的在下部粘贴在增强板3上的挠性薄膜基板100在每个工作台9移动。虽然图3表示本发明第二步骤的接合装置的整体构成，但本发明的接合装置并不限于此。本发明的接合装置具有保持在增强板3上粘贴的挠性薄膜基板100的工作台20 和按压在挠性薄膜基板上配置的电子部件的加压工具21。与电子部件相对的加压工具下表面的面积没有特别限定，只要能正常地按压电子部件即可。优选的是，比电子部件上表面的面积大。但是，比电子部件上表面的面积小当然也能可靠地将电子部件均勻按压在挠性薄膜基板上。此外，在同时按压多个电子部件的情况下，采用具有可按压全部上述电子部件的
10面积的加压工具较理想。为更高效地接合多个电子部件，将挠性薄膜基板的电路图案形成为阵列状，将每列或每行的电子部件同时接合较理想。再有，如上所述，“同时按压多个电子部件”或“同时实施多个电子部件的接合”是指用可一次按压成为对象的多个电子部件的大小的加压工具将电子部件按压在挠性薄膜电路基板上、进行接合。而且，还包括，在将成为对象的多个电子部件用与各电子部件对应数量的多个加压工具按压在挠性薄膜电路基板上之时，同步地实施各加压工具的加压动作。即，在使用多个加压工具的情况下，如果是不影响预定的接触时间的范围，则也可在加压动作中存在偏差。此外，将电路图案形成为阵列状是指相对于挠性薄膜基板配置的电子部件在加压工具的宽度范围内直线地相邻形成的状态。这是因为，要实现的目的是可通过加压工具所进行的一次加压来同时接合多个电子部件。因此，阵列状配置的电子部件的配置不但可由多列或多行构成，也可由单列或单行构成。此外，在单列或单行配置电子部件的情况下，也可称为“列状配置”。在同时加压多个电子部件的情况下，通过将每一个电子部件的加压乘以电子部件数量而求出载荷。加压工具21在前端配置有隔热、缓冲材料22。此外，加压工具21固定在支柱23 上，该支柱固定在空气驱动的加压装置(未图示)上。通过加压装置的动作使支柱23向下方向移动，加压工具可与电子部件M抵接并加压。支柱23等由工作台20上方的臂25支承。臂25还固定在装置框架上。对于加压工具下表面的凹凸形状，通过与电子部件相对的部分具有凸形状而能可靠地将电子部件按压在挠性薄膜基板上。但是，从(1)与加压工具下表面粘贴的缓冲材料和耐热材料易于贴住，易于更换以及O)即使在改变电子部件对挠性薄膜基板的接合位置的情况下也不需要更换加压工具这两方面来看，平坦较理想。作为将热硬化型树脂加热的构件，可举出在加压工具中安装加热构件和设置从工作台侧加热的构件以及将两者组合的构件。如上所述，本发明的一个优选方式在第二步骤中从增强板侧(即工作台侧)加热挠性薄膜基板。在没有将加压工具加热的情况下，在加压工具上设置冷却机构，以使第二步骤的接合温度条件不依赖装置工作时间和接合的时间周期而为一定较理想。加压工具21不具有加热构件，且在工作台20的上部配置热源的情况下，为了将安装区域的热硬化型树脂均勻地加热，需要以与加压工具21的动作不干涉的方式在加压工具21的四处周围配置热源。但是，该配置增加了确保足够的热源配置空间且将从热源到驱动机构和定位机构的导热隔断的对策，使设备变得复杂，因而不理想。图3的接合装置具有用于使热硬化型树脂硬化的电磁波所形成的加热构件。加热构件配置在工作台20的下方。标记12是电磁波产生源，标记13是使电磁波朝向热硬化型树脂的反射板，标记14是支承块，标记15是电磁波产生控制器，标记16是换热器，标记17 是电磁波。加热构件并不限于此，也可使用电热线加热器，还可使用卤素加热器、紫外线灯等电磁波。图4的接合装置具有用于有选择地使热硬化型树脂硬化的加热构件27。加热构件配置在工作台20的下方，在图4中表示作为加热构件的一个方式的激光器光源的情况。在本说明书中，“有选择地”是指加热到在挠性薄膜上形成的热硬化型树脂硬化的程度，而并不加热到作为电路图案的保护材料的抗焊剂变质或变色的程度。抗焊剂层的变色成为外观上的不良，此外，抗焊剂层因情况而劣化，绝缘可靠性有可能下降。加热构件没有限定，可使用电热线加热器，还可使用卤素加热器、紫外线灯等电磁波。图5 8表示电子部件M从在第一步骤中经热硬化型树脂层6而与内导线精度良好地临时压焊的状态到在第二步骤中完成接合的实施方式。在以后的说明中上方向、下方向是图中箭头的方向。由于在第一步骤中将电子部件和内导线精度良好地对位并临时压焊，所以在第二步骤中不需要对位机构。此外，在由工作台20下的加热构件从下侧加热时，按压电子部件 M的工具可省去加热功能而仅具有加压功能。为了抑制向加压工具21侧的传热，并使热硬化型树脂高效地升温，在加压工具21的与电子部件M的接触面上配置隔热、缓冲材料22。此外，在同时接合多个电子部件的情况下，为了吸收电子部件和内导线的高度波动，在加压工具的表面22上具有缓冲性是有效的。作为具备隔热性和缓冲性的材料，适于使用在具有耐热性的芯上浸渗氟橡胶和/或玻璃丝网和/或耐热尼龙的氟橡胶、硅片材、氟片材以及将硅片材和氟片材层叠的片材。在第二步骤中，由于在按压电子部件M的加压工具中省去加热功能而仅具有加压功能不需要经该隔热材料来加热电子部件和热硬化型树脂，所以可抑制该隔热材料的热劣化，并减小更换频率。图5表示在增强板和加热构件之间插入具有与电子部件大体相同型号的开口的加热屏蔽掩模观以有选择地加热热硬化型树脂。这样，工作台20下部的热源30所产生的热量仅通过开口部而使热硬化型树脂硬化。作为加热屏蔽掩模，可通过在玻璃板上形成将热反射到上述开口部以外的材料而形成。此外，可通过使在整个面上形成反射材料的金属板形成与电子部件大体相同型号的通孔来制作加热屏蔽掩模。此外，加热屏蔽掩模也可以通过吸收热或电磁波而不通过开口部以外的部分。加热屏蔽掩模也可以是半透明的，将挠性薄膜基板整体加热到小于热硬化型树脂的硬化温度，并将电子部件接合部分加热到热硬化型树脂硬化温度以上。重要的是，工作台20的材料选择使上述热源高效地传递或投射的材料。在使用电磁波产生源来作为热源的情况下，优选采用使电磁波透射的无机玻璃或石英来作为工作台材料。在使用红外线产生源来作为热源的情况下，可采用使红外线透射的硅。对于加热屏蔽掩模材料的配置地点，虽然在图5中位于工作台20和热源30之间， 但也可在工作台20的上表面四(a)配置加热屏蔽掩模材料，还可在工作台20的背面四(b) 形成反射材料以作为掩模使用。此外，可在工作台20的内部埋入加热屏蔽掩模。在工作台 20自身具有加热屏蔽掩模功能时，有可能为每个工件品种都准备工作台20，因而有可能使生产性下降。图6是为了有选择地加热热硬化型树脂而采用激光器31所进行的加热的实例。作为激光器，可举出固体激光器和气体激光器、半导体激光器。基于在工业上价格低、体积小方面，在半导体激光器中，特别适于使用频率为650nm的红色激光器和780nm及830nm的红外激光器。选择热硬化型树脂吸收的波长区域的激光波长是重要的。为将热硬化型树脂高效地加热，考虑在激光器和热硬化型树脂层之间配置的材料的透射率和激光器与热硬化型树脂层间的距离，而使激光的会聚最适当。位于在激光器和热硬化型树脂之间的材料是工作台9、增强板、挠性薄膜。测定各材料的透射率，考虑激光器的聚光透镜的曲率，来决定激光器的设置位置。从一个激光器的输出区域面积求出所需的激光器的设置数量，通过在应加热范围高效地移动，从而可生产性高地使热硬化型树脂硬化。在使多个电子部件同时接合的情况下，以同时接合的电子部件的个数多少来设置激光器组较理想。在能使激光器的配置位置移动时，即时挠性薄膜上的热硬化型树脂的涂敷位置出现变化，也能容易地应对，因而是理想的方式。图7表示使用灯32来作为加热构件以有选择地将热硬化型树脂加热的情况下的实例。作为灯，可举出卤素灯、卤素点状加热器(〃口7卜一夕一)、高亮度LED 灯、金属卤化物灯、高压钠灯、水银灯等。采用具有使用的热硬化型树脂的吸收的波长区域。从灯32用导光路33来导光，从工作台20的下侧向在挠性薄膜上涂敷的热硬化型树脂照射光，从而可有选择地仅将热硬化型树脂加热。导光路33适于使用光纤，但是，也可将小型反射镜组合。可用反射板和聚光透镜等使光会聚，并向光纤入射。此外，可取代灯而使用应用了半导体激光器的光纤输出型半导体激光器单元。在本例的情况下，工作台20由光透射性的材料构成是重要的。图8中表示用于有选择地将热硬化型树脂加热的另一方式。在工作台20设置突起部34并在突起部设置加热器35，将突起部34加热。将该突起与临时压焊电子部件的位置对齐地配置。图9、图10表示具有在边将多个电子部件加压边将热硬化型树脂加热时对每个电子部件进行加压量和平行度的调整的加压构件的实例。图9表示由相对于每个电子部件独立的加压工具构成的加压构件。各加压工具可独立地调整电子部件相对于工作台的平行度。此外，各加压工具可单独调整压入压力。因此，通过限定电子部件加压时的压入压力上限，而可对每个电子部件调整接合时的加压量。接合的电子部件的凸部高度没有制造成全部相同高度的情况也存在，此外，出现挠性薄膜基板的布线厚度不勻、增强板厚度不均的情况也有，在同时加压的情况下，也会产生没有充分加压的电子部件。因此，通过在每个电子部件设置加压工具，即便在出现上述波动的情况下也能可靠地将全部电子部件接合。图10是表示用于将相同高度的不同的多个电子部件同时接合的加压构件的另一实施方式。通过将缓冲袋体37放置于臂25和电子部件之间来对电子部件单独地进行加压量和/或平行度的调整。缓冲袋体中装满油等液体38。配置有高度不同的多个电子部件的挠性薄膜基板的表面是凹凸不平的。但是，缓冲袋体的表面沿该凹凸变形，可对接触的电子部件施加大体相等的压力。此外，可将缓冲袋体中的液体加热，以辅助第二步骤中的热硬化型树脂的硬化。再有，在使缓冲袋体的液体在外部的冷却、加热装置之间循环，以将缓冲袋体中的液体保持在一定的温度时，第二步骤的接合温度条件可不依赖于装置工作时间和接合的时间周期而成为一定，因而较理想。实施例虽然下面还要举实施例来具体说明本发明，但本发明并不限于此。再有，作为本发明的第二步骤所进行的热硬化型树脂形成的接合的评价项目，有电子部件的全部凸部和全部内导线的导通能够实现以及没有在热硬化型树脂内与内导线接触的空隙(孔隙)和裂纹等性能恶化这两个项目。此外，作为接合后的抗焊剂的评价项目，为有无外观检查所发现的变色。(实施例1)作为挠性薄膜，准备厚度38μπι的长条聚酰亚胺薄膜(“力卜 >”15(^则商品名)東>#-#> (株)制)。在长条薄膜对应的卷盘方式的溅射装置中，在聚酰亚胺薄膜上依次层叠厚度150nm的铬镍=20 80 (重量比)的合金膜和厚度 1200nm的铜膜。在作为增强板的厚度1. Imm,370X470mm的碱石灰玻璃上用金属型涂料机来涂敷将紫外线硬化型粘接剂“SK ￥ λ >”SW-IIA(综研化学(株)制)和硬化剂L45(综研化学 (株)制)以100 3 (重量比)混合而成的物质，以80°C干燥2分钟，得到可剥离的有机物层。使干燥后的可剥离的有机物层厚度为3 μ m。其次，在有机物层上粘贴空气隔断用薄膜(聚酯薄膜上设置拔模容易的硅树脂层的薄膜)之后放置一星期。将设有金属层的上述聚酰亚胺薄膜切成370X470mm。在剥离玻璃上的空气隔断用薄膜之后，用能以不在薄膜上作用应力的方式粘贴的层叠装置(未图示)来粘贴在可剥离的有机物层上设置金属层的聚酰亚胺薄膜。然后，从玻璃基板侧照射lOOOmJ/cm2，来使有机物层硬化。用缝模涂料机在铜膜上涂敷正型光致抗蚀剂之后以80°C干燥10分钟。经光掩膜使光致抗蚀剂曝光、显像，以在不需要电镀膜的部分形成厚度12 μ m的光致抗蚀剂层。用于形成电路图案的光掩膜图案成为以下所示的形状。在19. 3mmX2. 5mm的长方形的两个长边上，以25 μ m间距在每个边排列772条布线(宽度10 μ m、长度5mm)以作为内导线。以与上述19. 3mmX 2. 5mm的长方形相同中心地使最外端接触38. 6mmX 23. 75mm的长方形的两个长边的方式，以50 μ m间距在每个边排列772条布线(宽度25 μ m、长度100 μ m) 以作为外导线。将内导线和外导线一对一地用10 μ m的布线连接以成为一个单元。将该单元在玻璃基板的370mm长度的方向上从中心以40. 6mm间距均勻配置8列。在玻璃基板的470mm长度的方向上从中心以24. Omm间距均勻配置18个。在该挠性薄膜基板上安装8列X 18行共144个IC芯片。其次，以上述铜膜为电极而在硫酸铜电镀液中以电解电镀来形成厚度8μπι的铜层。将光致抗蚀剂用光致抗蚀剂剥离液剥离，接着，用过氧化氢-硫酸系水溶液所进行的软蚀刻来除去位于抗蚀剂层下的铜膜和铬-镍合金膜。然后，在铜电镀膜上用电解电镀形成厚度0.4μπι的锡层，得到电路图案。之后，为保护电路图案而用丝网印刷机在电路图案上形成抗焊剂NPR-3300NH(日本^J〒7夕(株)制)。用烤箱以120°C进行90分钟固化， 在电路图案上得到10 μ m厚的抗焊剂层。用长度测量机DR-800 (大日本^夕彡一 >(株)制)对聚酰亚胺薄膜上的单元测定最外端内导线的宽度方向中心间距离(设计值19. 3mm)，此时，在整个单元中，相对于设计值在士lym(0.005% )以内，位置精度非常良好。将f S 7夕7制NCP树脂的8364-160 (Tg 120°C、硬化温度200°C (5秒))作为热硬化型树脂，使用武藏工> ^ 二 7 U >々'制的分配器装置FAD-320S在电路图案的内导线部内侧涂敷后，在烤炉中以80°C加热30秒的条件下进行半硬化。其次，用IC接合装置FC_2000(東> 工 > 夕二 U W (株)制，加热、加压工具为一个)进行将作为电子部件的20. OmmX 3. Omm的硅IC芯片定位的第一步骤。用多孔质陶瓷制成的加热、加压工具保持IC芯片，通过陶瓷加热器将加热、加压工具加热以按压在 NCP树脂上。将装载挠性薄膜基板的工作台温度设定为100°C。作为FC-2000的设定条件， 设定温度为120°C、加热、加压工具的按压压力为^g/芯片(3. 2g/凸部)、加热、加压时间为1. 0秒(芯片的输送、对位也包括在内为3. 0秒)。该情况下，每一个挠性薄膜基板的作业时间是432秒。接着，用图3所示的顶联接器来进行第二步骤。加压工具与IC芯片的接触面积为360mmX4mm以同时按压一列的8个IC芯片。设定输出以从增强板侧通过近红外线照射机构进行加热来使NCP部分为200°C。加压工具以Kkg/芯片(9. 7g/凸部)的载荷按压5 秒。压焊后的基板输送需要2秒，因此每一个挠性薄膜基板的作业时间是18列X (5+2)秒共126秒。这样，每一个挠性薄膜基板的IC芯片安装时间为558秒，相对于比较例1(加热、 加压工具为一个的情况)的作业时间1008秒为55. 3%，缩短44.7(%。其次，调查IC的凸部和内导线的位置偏差所产生的导通不良数量、热硬化型树脂的硬化情况。对于已接合的10个挠性薄膜基板的1440个IC，进行开/短路测试，从发生开路不良的电路图案的挠性薄膜面观察IC的凸部和内导线的位置偏差。其结果，没有出现因两者的较大位置偏差而发生开路不良的电子部件。此外，将10个挠性薄膜基板从玻璃剥离，从挠性薄膜侧观察热硬化型树脂。在全部挠性薄膜基板中，看不到内导线周围的孔隙、裂纹的不良情况。但是，在与挠性薄膜基板接合的IC周边，出现抗焊剂的发黑变色，外观检查不良。(实施例2)与实施例1同样地准备挠性薄膜基板。第二步骤的加热、加压构件与 IC芯片的接触面积为360mmX 2mm，将该接触面积以24mm间距平行地排列2列、8个/列，并将2列同时进行加热、加压，除此以外，与实施例1同样地安装IC芯片。第一步骤中的每个挠性薄膜基板的作业时间是432秒。在第二步骤中，每个挠性薄膜基板的作业时间为9行X (5+2)秒共63秒。这样，每一个挠性薄膜基板的IC芯片安装时间为495秒，相对于比较例1(加热、 加压工具为一个的情况)的作业时间1008秒为49. !^，缩短日。^1^。其次，调查电子部件的凸部和内导线的位置偏差所产生的导通不良数量、热硬化型树脂的硬化情况。对于已接合的10个挠性薄膜基板的1440个电子部件，进行开/短路测试，从发生开路不良的电路图案的挠性薄膜面观察电子部件的凸部和内导线的位置偏差。其结果，没有出现因两者的较大位置偏差而发生开路不良的电子部件。此外，将10个挠性薄膜基板从玻璃剥离，从挠性薄膜侧观察热硬化型树脂。在全部挠性薄膜基板中，看不到内导线周围的孔隙、裂纹的不良情况。但是，在与挠性薄膜基板接合的IC周边，出现抗焊剂的发黑变色，外观检查不良。(实施例3)除了在第一步骤中使用的IC接合装置FC-2000的加热、加压工具为2个以外，与实施例1同样地安装IC芯片。配置2个加热、加压工具，以两个加热、加压工具不干涉的方式设定程序，以高效地将电子产品从专用托盘取出、定位的方式将FC-2000改造。第一步骤中的每个挠性薄膜基板的作业时间是216秒。在第二步骤中，每个挠性薄膜基板的作业时间为18行X (5+2)秒共1 秒。这样，每一个挠性薄膜基板的IC芯片安装时间为342秒，相对于比较例2 (加热、加压工具为两个的情况)的作业时间504秒为 67. 9%，缩短 32. 1% ο其次，调查电子部件的凸部和内导线的位置偏差所产生的导通不良数量、热硬化型树脂的硬化情况。对于已接合的10个挠性薄膜基板的1440个电子部件，进行开/短路测试，从发生开路不良的电路图案的挠性薄膜面观察电子部件的凸部和内导线的位置偏差。其结果，没有出现因两者的较大位置偏差而发生开路不良的电子部件。此外，将10个挠性薄膜基板从玻璃剥离，从挠性薄膜侧观察热硬化型树脂。在全部挠性薄膜基板中，看不到内导线周围的孔隙、裂纹的不良情况。但是，在与挠性薄膜基板接合的IC周边，出现抗焊剂的发黑变色，外观检查不良。(实施例4)在第一步骤中使用的IC接合装置FC-2000的加热、加压工具为2个， 第二步骤的加热、加压构件与IC芯片的接触面积为360mmX2mm，将该接触面积以24mm间距平行地排列2列、8个/列，并将2列同时进行加热、加压，除此以外，与实施例1同样地安装 IC芯片ο第一步骤中的每个挠性薄膜基板的作业时间是216秒。在第二步骤中，每个挠性薄膜基板的作业时间为9行X (5+2)秒共63秒。这样，每一个挠性薄膜基板的IC芯片安装时间为279秒，相对于比较例2 (加热、 加压工具为两个的情况)的作业时间504秒为55. 4%，缩短44. 6%。其次，调查电子部件的凸部和内导线的位置偏差所产生的导通不良数量、热硬化型树脂的硬化情况。对于已接合的10个挠性薄膜基板的1440个电子部件，进行开/短路测试，从发生开路不良的电路图案的挠性薄膜面观察电子部件的凸部和内导线的位置偏差。 其结果，没有出现因两者的较大位置偏差而发生开路不良的电子部件。此外，将10个挠性薄膜基板从玻璃剥离，从挠性薄膜侧观察热硬化型树脂。在全部挠性薄膜基板中，看不到内导线周围的孔隙、裂纹的不良情况。但是，在与挠性薄膜基板接合的IC周边，出现抗焊剂的发黑变色，外观检查不良。(比较例1)与实施例1同样地准备挠性薄膜基板，与实施例1同样地用分配器在 IC芯片安装区域涂敷形成NCP树脂8463-160。其次，用IC接合装置FC-2000 (東〉工> ” 二 7 U > 7 (株)制)在第一步骤中使热硬化型树脂硬化。IC芯片与实施例1同样，为 20. OmmX3. 0mm，用多孔质陶瓷制成的加热、加压工具保持IC芯片，通过陶瓷加热器来将加热、加压工具加热以按压在NCP树脂上。作为FC-2000的设定条件，设定温度为120°C、加热、 加压工具的按压压力为30kg/芯片(19. 4g/凸部)、加热、加压时间为5. 0秒(芯片的输送、 对位也包括在内为7. 0秒)。该情况下，每一个挠性薄膜基板的作业时间是144个X (5+2) 秒共1008秒。其次，调查电子部件的凸部和内导线的位置偏差所产生的导通不良数量、热硬化型树脂的硬化情况。对于已接合的10个挠性薄膜基板的1440个电子部件，进行开/短路测试，从发生
16开路不良的电路图案的挠性薄膜面观察电子部件的凸部和内导线的位置偏差。其结果，因两者的较大位置偏差而发生开路不良的电子部件有2个。此外，将10个挠性薄膜基板从玻璃剥离，从挠性薄膜侧观察热硬化型树脂。在全部挠性薄膜基板中，看不到内导线周围的孔隙、裂纹的不良情况。但是，在与挠性薄膜基板接合的IC周边，出现抗焊剂的发黑变色，外观检查不良。(比较例2)除了在IC接合装置FC-2000(東 > 工 > 夕二 7 1J >夕’(株)制)中有 2个加热、加压工具之外，与比较例1同样地在第一步骤中使安装IC芯片。作为FC-2000的设定条件，设定温度为120°C、加热、加压工具的按压压力为30kg/芯片(19. 4g/凸部)、加热、加压时间为5.0秒(芯片的输送、对位也包括在内为7.0秒)。该情况下，每一个挠性薄膜基板的作业时间是72个X (5+2)秒共504秒。其次，调查电子部件的凸部和内导线的位置偏差所产生的导通不良数量、热硬化型树脂的硬化情况。对于已接合的10个挠性薄膜基板的1440个电子部件，进行开/短路测试，从发生开路不良的电路图案的挠性薄膜面观察电子部件的凸部和内导线的位置偏差。 其结果，因两者的较大位置偏差而发生开路不良的电子部件有3个。此外，将10个挠性薄膜基板从玻璃剥离，从挠性薄膜侧观察热硬化型树脂。在全部挠性薄膜基板中，看不到内导线周围的孔隙、裂纹的不良情况。在与挠性薄膜基板接合的 IC周边，没有出现抗焊剂的变色。(比较例3)与实施例1同样地准备挠性薄膜基板，在IC芯片安装区域形成NCP树脂少S , ” 7制8463-160，除了使第一步骤的加热温度为热硬化型树脂的硬化温度以上的 200°C来进行加热之外，与实施例1同样地在第二步骤中将电子部件和挠性薄膜基板接合。对于已接合的10个挠性薄膜基板的1440个电子部件，进行开/短路测试，从发生开路不良的电路图案的挠性薄膜面观察电子部件的凸部和内导线的位置偏差。其结果，虽然没有出现因两者的较大位置偏差而发生开路不良的电子部件，但是，没有发生位置偏差但却发生短路不良的电子部件有23个片段(C一 7 )。此外，将10个挠性薄膜基板从玻璃剥离，从挠性薄膜侧观察热硬化型树脂。在全部挠性薄膜基板中，看不到内导线周围的孔隙、裂纹的不良情况。但是，在与挠性薄膜基板接合的IC周边，出现抗焊剂的发黑变色，外观检查不良。在表1中概括表示以上的实施例1至比较例2的作业时间。实施例1至4将多个 IC芯片一次加压，所以与比较例1至2相比可缩短每一个挠性薄膜基板的作业时间。再有， 由于比较例1、2用一次加压进行接合，所以观测到电子部件的凸部和内导线的位置偏差， 与之相对，通过两个阶段的加压来进行接合的实施例没有观测到位置偏差。事实证明，本发明的接合方法能以高精度进行接合对位。表权利要求
1.一种接合方法，在经能剥离的有机物层将增强板和挠性薄膜粘合的挠性薄膜基板上接合电子部件，其特征在于在挠性薄膜基板上形成热硬化型树脂层之后， 具有(1)第一步骤，将电子部件按压在形成于挠性薄膜基板上的热硬化型树脂上，在该状态下将热硬化型树脂加热到小于硬化温度，使电子部件配置在挠性薄膜基板上的接合位置； 和(2)第二步骤，在电子部件上作用载荷的同时将所述热硬化型树脂的接合位置加热到硬化温度以上以使电子部件接合。
2.根据权利要求1所述的接合方法，其特征在于 在第二步骤中同时实施多个电子部件的接合。
3.根据权利要求2所述的接合方法，其特征在于在第一步骤中将多个电子部件列状地配置，在第二步骤中同时实施该已配置的列状的多个电子部件的接合。
4.根据权利要求2所述的接合方法，其特征在于在第二步骤中同时接合多个电子部件时，单独调整电子部件的加压量和/或平行度。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的接合方法，其特征在于 第二步骤的热源相对于增强板在与电子部件相反侧存在。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的接合方法，其特征在于 增强板是电磁波透射性材料。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的接合方法，其特征在于 增强板是无机玻璃。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的接合方法，其特征在于 第二步骤的热源是电磁波产生源。
9.根据权利要求8所述的接合方法，其特征在于 电磁波产生源所产生的电磁波是近红外线。
10.根据权利要求1所述的接合方法，其特征在于在第二步骤中，具有从所述挠性薄膜基板的下方将电子部件接合位置的所述热硬化型树脂层有选择地加热到硬化温度以上的工序。
11.一种接合装置，在具有多个形成抗焊剂的区域和形成热硬化型树脂的区域的挠性薄膜基板上接合电子部件，其特征在于，具有工作台，其保持所述挠性薄膜基板；加压构件，其在所述工作台配置在保持所述挠性薄膜基板的位置的上方，且将所述电子部件按压在所述挠性薄膜基板上；和加热构件，其在所述工作台配置在保持所述挠性薄膜基板的位置的下方，且将已涂敷所述热硬化型树脂的区域有选择地加热。
12.根据权利要求11所述的接合装置，其特征在于 所述加压构件将多个电子部件同时加压。
13.根据权利要求11所述的接合装置，其特征在于所述加热构件在所述工作台配置在保持所述挠性薄膜基板的位置的下方，所述加热构件包括加热屏蔽掩模，其屏蔽向已涂敷所述热硬化型树脂的区域以外的加热；和热源，其配置在所述加热屏蔽掩模的下方。
14.根据权利要求11所述的接合装置，其特征在于所述加热构件配置在所述工作台的下方；所述加热构件包括激光器光源，其在已涂敷所述热硬化型树脂的区域具有出射面。
15.根据权利要求11所述的接合装置，其特征在于所述加热构件配置在所述工作台的下方；所述加热构件包括导光路，其在已涂敷所述热硬化型树脂的区域具有出射面；和光源，其使光向所述导光路入射。
16.根据权利要求12所述的接合装置，其特征在于将所述多个电子部件按压到所述挠性薄膜基板上的加压构件配置有多个，用于对所述多个电子部件的每个调整电子部件的加压量和/或平行度。
17.根据权利要求11所述的接合装置，在具有多个涂敷抗焊剂的区域和涂敷热硬化型树脂的区域的挠性薄膜基板上接合电子部件，其特征在于，具有工作台，其保持所述挠性薄膜基板，且在与已涂敷所述热硬化型树脂的区域对应的地点具有突起部；加压工具，其配置在所述工作台的上方，且具有缓冲材料，该缓冲材料具有包含已涂敷所述热硬化型树脂的全部区域的面积；和热源，其将所述突起部加热。
全文摘要
本发明的接合方法，在经增强板和能剥离的有机物层地粘合挠性薄膜的挠性薄膜基板上接合电子部件，其特征在于，在挠性薄膜基板上形成热硬化型树脂层之后，具有(1)第一步骤，将电子部件按压在形成于挠性薄膜基板上的热硬化型树脂上，在该状态下将热硬化型树脂加热到小于硬化温度，使电子部件配置在挠性薄膜基板上的接合位置；和(2)第二步骤，在电子部件上作用载荷的同时将所述热硬化型树脂的接合位置加热到硬化温度以上以使电子部件接合。通过上述方法，可防止在挠性薄膜基板的电路图案上接合电子部件之际当在第一步骤中加热、加压时电子部件的位置偏差。再有，通过有选择地加热安装区域，抗焊剂不会产生热所导致的损伤。
文档编号H05K3/32GK102204419SQ20098014331
公开日2011年9月28日 申请日期2009年10月28日 优先权日2008年10月31日
发明者寺田胜美, 平田肇, 苫米地重尚, 藤信男, 赤松孝义, 野上义生 申请人:东丽工程株式会社, 东丽株式会社