专利名称：改进的石墨坩埚的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及改进的石墨坩埚。
背景技术：
生长硅单晶的装置一般是采用保持原料硅熔体的石英坩埚，其中该坩埚被石墨坩 埚包围，该石墨坩埚用来支撑石英坩埚并实现对石英坩埚进行均匀加热，但是现有的石墨坩埚由于结构简单，存在着传热效率低，加热缓慢，加热时间长，能耗消耗大，浪费资源等缺点，不能满足使用者的使用需求。因此，应该提供一种新的技术方案解决上述问题。
实用新型内容本实用新型的目的是针对上述不足，提供一种结构合理、传热效率高、加热迅速的改进的石墨坩埚。为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是改进的石墨坩埚，包括坩埚本体，所述坩埚本体的侧表面设有凹槽，所述坩埚本体的底部设有ー层保温层，所述坩埚本体的底部设有排气孔。所述凹槽间隔均匀设置于坩埚本体的侧表面。所述排气孔至少为I个。所述排气孔为2个。本实用新型改进的石墨坩埚，坩埚本体的侧表面设有凹槽，设置凹槽是通过增加石墨坩埚外表面积来提高传热面积，可使石墨坩埚的外表面积增加一倍，达到加大传热量，快速加热的目的。坩埚本体的底部设有ー层保温层，它对坩埚本体的侧面和底部均起到保温作用，使坩埚内部的材料温度达到一致，从而提高坩埚内材料产品的品质。坩埚本体的底部设有排气孔，其可以排出坩埚内部产生的有害气体，避免其发生变形，延长其使用寿命。本实用新型的优点是结构合理、传热效率高、加热迅速、使用寿命久。
以下结合附图
和具体实施方式
对本实用新型作进ー步详细叙述。图I为本实用新型结构示意图。其中1、坩埚本体，2、凹槽，3、保温层，4、排气孔。
具体实施方式
如图I所示，本实用新型改进的石墨坩埚，包括坩埚本体1，坩埚本体I的侧表面设有凹槽2，坩埚本体I的底部设有ー层保温层3，坩埚本体I的底部2个设有排气孔4，凹槽2间隔均匀设置于坩埚本体I的侧表面。本实用新型改进的石墨坩埚，坩埚本体I的侧表面设有凹槽2，设置凹槽2是通过増加石墨坩埚外表面积来提高传热面积，可使石墨坩埚的外表面积增加一倍，达到加大传热量，快速加热的目的。坩埚本体的底部设有ー层保温层3，它对坩埚本体I的侧面和底部均起到保温作用，使坩埚内部的材料温度达到一致，从而提高坩埚内材料产品的品质。坩埚 本体I的底部设有排气孔4，其可以排出坩埚内部产生的有害气体，避免其发生变形，延长其使用寿命。
权利要求1.改进的石墨坩埚，包括坩埚本体，其特征在于所述坩埚本体的侧表面设有凹槽，所述坩埚本体的底部设有ー层保温层，所述坩埚本体的底部设有排气孔。
2.根据权利要求I所述的改进的石墨坩埚，其特征是所述凹槽间隔均匀设置于坩埚本体的侧表面。
3.根据权利要求I所述的改进的石墨坩埚，其特征是所述排气孔至少为I个。
4.根据权利要求I所述的改进的石墨坩埚，其特征是所述排气孔为2个。
专利摘要本实用新型公开了改进的石墨坩埚，包括坩埚本体，其特征在于所述坩埚本体的侧表面设有凹槽，所述坩埚本体的底部设有一层保温层，所述坩埚本体的底部设有排气孔。本实用新型的优点是结构合理、传热效率高、加热迅速、使用寿命久。
文档编号C30B35/00GK202390582SQ201120435289
公开日2012年8月22日 申请日期2011年11月7日 优先权日2011年11月7日
发明者周兵 申请人:周兵