专利名称：发光二极管电路,驱动发光二极管电路的方法及显示器的制作方法
技术领域：
本发明关于ー种发光二极管电路，尤指一种应用在有机发光二极管显不器的发光ニ极管电路。
背景技术：
液晶显示器(LiquidCrystal Display,简称LCD)及发光二极管(light emitting diode, LED)显示器是目前最为普遍的显示器类型，其因具有外型轻薄、耗电量少以及无辐射污染等特性，已逐渐取代传统桌上型电脑的CRT监视器，且被广泛地应用在笔记型电脑(notebook)、个人数字助理(PDA)等携带式资讯产品。不同的是，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称0LED)显示器因具有自发光性、广视角、高对比、低操作电压、动态反应时间短、色彩鲜艳、制作过程简单面板体积小以及面板厚度薄等优点而有逐渐取代LCD的趋势。OLED外加ー偏压，使内部的电子空穴分别经过空穴传输层(Hole Transport Layer)与电子传输层(ElectronTransport Layer)后,加入一具有发光特性的有机物质,在其内再结合时,形成一"激发光子"(exciton)后，再将能量释放出来而回到基态(ground state),而这些被释放出来的能量中，由于所选择的发光材料的不同，可使部份能量以不同顔色的光的形式释放出来，而形成发光现象。然而，相较于LCD显示器及LED显示器，现阶段的OLED显示器的使用寿命仍然相对短暂。请參考图1，图I为公知的发光二极管电路100的示意图，如图I所示，发光二极管电路100包含第一晶体管Ml、第二晶体管M2、储存电容Cst及发光二极管D1，第一晶体管Ml的第一端电性耦接至数据线DATA，及控制端电性耦接至扫描线SCAN。第二晶体管M2的第一端电性耦接至第一电源VDD，及控制端电性耦接至第一晶体管Ml的第二端。储存电容Cst第一端耦接至第一电源VDD，第二端耦接至第一晶体管Ml的第二端。发光二极管Dl的阳极电性耦接至第二晶体管M2的第二端，及阴极电性耦接至第二电源VSS。第一电源VDD的电位是高电位，且第二电源VSS的电位是低电位。当第一晶体管Ml被扫描线SCAN导通后，会自数据线DATA接收信号并将电压存入储存电容Cst，尔后在发光周期根据接收到的信号控制第二晶体管M2，使发光二极管Dl开始工作。然而，在此设置下，发光二极管Dl的阳极的电位将逐渐偏高，使自第一电源VDD流过发光二极管Dl的电流ID下降，进而使影像残留(image retention)的情况更趋严重，若发光二极管Dl以自发光二极管取代，则采用此种设计的自发光二极管显示器的使用寿命更将大幅缩短。
发明内容
本发明的ー实施例关于ー种发光二极管电路，该发光二极管电路包含第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、储存电容、第五晶体管、第六晶体管及发光二极管。该第一晶体管具有一用以接收第一控制信号的控制端，用以电性耦接于第一电源的第一端，以及ー第二端。该第二晶体管具有用以接收第二控制信号的控制端，电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，以及ー第二端。该第三晶体管具有电性耦接于该第二晶体管的第二端的控制端，电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，以及ー第二端。该第四晶体管具有用以接收数据信号的第一端，用以接收第三控制信号的控制端，及电性耦接于该第三晶体管的第二端的第二端。该储存电容具有电性耦接于该第二晶体管的第二端的第一端，以及ー第二端。该第五晶体管具有电性耦接于该储存电容的第二端的第一端，用以接收第四控制信号的控制端，及用以电性耦接于參考电压源的第二端。该第六晶体管具有电性耦接于该第四晶体管的第二端的第一端，用以接收第五控制信号的控制端，及电性耦接于该储存电容的第二端的第二端。该发光二极管具有电性耦接于该第六晶体管的第二端的第一端，及用以电性耦接于第二电源的第二端。本发明的另ー实施例关于ー种发光二极管电路及其周边电路，包含第一控制信号线、第二控制信号线、第三控制信号线、第四控制信号线、第五控制信号线、第一电源线、第ニ电源线、參考电压源线、数据信号线、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、储存电容、第五晶体管、第六晶体管及发光二极管。该第一晶体管具有电性耦接该第一控制信号线的控制端，用以电性耦接于第一电源线的第一端，及第ニ端。该第二晶体管具有电性耦接该第ニ控制信号线的控制端，电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，及第ニ 端。该第三晶体管具有电性耦接于该第二晶体管的第二端的控制端，电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，及第ニ端。该第四晶体管具有电性耦接该数据信号线的第一端，电性耦接该第三控制信号线的控制端，及电性耦接于该第三晶体管的第二端的第二端。该储存电容具有电性耦接于该第二晶体管的第二端的第一端，及第ニ端。该第五晶体管具有电性耦接于该储存电容的第二端的第一端，电性耦接该第四控制信号线的控制端，及用以电性耦接于參考电压源线的第二端。该第六晶体管具有电性耦接于该第四晶体管的第二端的第一端，电性耦接该第五控制信号线的控制端，及电性耦接于该储存电容的第二端的第二端。该发光二极管具有电性耦接于该第六晶体管的第二端的第一端，及用以电性耦接于第ニ电源线的第二端。上述的发光二极管电路，其中该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管、该第四晶体管、该第五晶体管及该第六晶体管为薄膜晶体管。上述的发光二极管电路，其中该发光二极管的第一端为阳极，该发光二极管的第ニ端为阴扱。本发明的另ー实施例关于ー种驱动发光二极管电路的方法，该发光二极管电路包含第一晶体管，第二晶体管，第三晶体管，第四晶体管，第五晶体管，第六晶体管，储存电容及发光二极管，该第一晶体管的第一端电性耦接于第一电源，该第一晶体管的第二端电性耦接于该第二晶体管的第一端及该第三晶体管的第一端，该第二晶体管的第二端电性耦接于该储存电容的第一端及该第三晶体管的控制端，该第四晶体管的第一端电性耦接于数据源，该第三晶体管的第二端电性耦接于该第四晶体管的第二端及该第六晶体管的第一端，该储存电容的第二端电性耦接于该第六晶体管的第二端及该第五晶体管的第一端，该第五晶体管的第二端电性耦接于參考电压源，该发光二极管电性耦接于该第六晶体管的第二端及第ニ电源之间，该方法包含当该第一晶体管导通且该第四晶体管截止时，截止该第六晶体管，并导通该第二晶体管及该第五晶体管，以重置该储存电容；当重置该储存电容后，截止该第一晶体管，并导通该第四晶体管，以将该数据源输入的数据信号写入该储存电容 '及当将该数据信号写入该储存电容后，导通该第一晶体管及该第六晶体管，并截止该第二晶体管、该第四晶体管及该第五晶体管，以使该发光二极管根据该数据信号发光。上述的驱动发光二极管电路的方法，其中当该第一晶体管导通且该第四晶体管截止吋，截止该第六晶体管，并导通该第二晶体管及该第五晶体管为当该第一晶体管导通且该第四晶体管截止时，先导通该第五晶体管及截止该第六晶体管，再导通该第二晶体管。上述的驱动发光二极管电路的方法，其中当重置该储存电容后，截止该第一晶体管，并导通该第四晶体管为当重置该储存电容后，先截止该第一晶体管，再导通该第四晶体管。 上述的驱动发光二极管电路的方法，其中当将该数据信号写入该储存电容后，导通该第一晶体管及该第六晶体管，并截止该第二晶体管，该第四晶体管及该第五晶体管为当将该数据信号写入该储存电容后，先截止该第四晶体管，再截止该第二晶体管，最后导通该第一晶体管及该第六晶体管，并截止该第五晶体管。本发明的另ー实施例关于ー种显示器，该显示器包含电源供应器、參考电压源产生単元、扫描驱动器、数据驱动器、时序控制器及复数个发光二极管电路。该电源供应器用以提供第一电源及第ニ电源。该參考电压源产生单元用以提供參考电压源。该扫描驱动器用以提供第一控制信号、第二控制信号、第三控制信号、第四控制信号及第五控制信号。该数据驱动器用以提供数据信号。该时序控制器电性耦接该扫描驱动器及该数据驱动器，用以控制该扫描驱动器及该数据驱动器。这些发光二极管电路电性耦接该电源供应器、该參考电压源产生単元、该扫描驱动器及该数据驱动器。每ー发光二极管电路包含第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、储存电容、第五晶体管、第六晶体管及发光二极管。该第一晶体管具有用以接收该第一控制信号的控制端，及电性耦接于该第一电源的第一端，及第ニ端。该第二晶体管具有用以接收该第二控制信号的控制端，及电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，及第ニ端。该第三晶体管具有电性耦接于该第二晶体管的第ニ端的控制端，及电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，及第ニ端。该第四晶体管具有用以接收该数据信号的第一端，用以接收该第三控制信号的控制端，及电性耦接于该第三晶体管的第二端的第二端。该储存电容具有一电性耦接于该第二晶体管的第二端的第一端，及第ニ端。该第五晶体管具有电性耦接于该储存电容的第二端的第一端，用以接收该第四控制信号的控制端，及电性耦接于该參考电压源的第二端。该第六晶体管具有电性耦接于该第四晶体管的第二端的第一端，用以接收该第五控制信号的控制端，及电性耦接于该储存电容的第二端的第二端。该发光二极管具有电性耦接于该第六晶体管的第二端的阳极，及电性耦接于该第二电源的阴极，该发光二极管用以根据该第六晶体管的第二端的电位发光。上述的显示器，其中该发光二极管的第一端为阳极，该发光二极管的第二端为阴扱。透过上述本发明诸实施例所掲示的装置及方法，可以降低显示器的影像残留的情况，同时显示器的使用寿命也大幅増加。此外发光二极管的亮度受到晶体管元件临界电压影响的程度，亦可以降低。
图I为公知的发光二极管电路的示意图；图2为本发明第一实施例发光二极管电路的示意图；图3为本发明对图2的发光二极管电路进行操作的时序图；图4为本发明第二实施例发光二极管电路的示意图；图5为本发明第三实施例显示器的示意图。其中，附图标记
Dl发光二极管SCAN扫描线
VDD第一电源vss 第二电源
VREF 参考电压源Cst 储存电容
DATA数据信号M1 第一晶体管
M2第二晶体管M3 第三晶体管
M4第四晶体管M5 第五晶体管
M6第六晶体管S1 第一控制伯号
S2第二控制信号S3 第三控制信号
S4第四控制信号S5第五控制信号
LI第一控制信号线L2第二控制信号线
L3 .第三控制信号线L4第四控制信号线 L5 第五控制信号线LVl 第一电源线
LV2第二电源线LV3 参考电压源线
L-DATA数据信号线Vgs栅极■ 源极电压
VDATA数据信号DATA的电位Vth 晶体管的临界电压
VVREF参考电压源VREF的电位ID电流
100、200、400发光二极管电路500显示器
具体实施例方式在说明书及权利要求书当中使用了某些词汇来指称特定的元件。所属领域中技术
人员应可理解，制造商可能会用不同的名词来称呼同样的元件。本说明书及权利要求书并
不以名称的差异来作为区别元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区别的基准。
在通篇说明书及权利要求书中所提及的“包含”为ー开放式的用语，故应解释成“包含但不
限定干”。此外，“电性耦接”一词在此包含任何直接及间接的电气连接手段。因此，若文中
描述ー第一装置电性耦接于ー第二装置，则代表该第一装置可直接连接于该第二装置，或透过其他装置或连接手段间接地连接至该第二装置。下文依本发明移位暂存器电路特举实施例配合所附附图作详细说明，但所提供的实施例并非用以限制本发明所涵盖的范围。请參照图2，图2为本发明第一实施例发光二极管电路200的示意图。发光二极管电路200包含第一晶体管Ml、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、储存电容Cst、第五晶体管M5、第六晶体管M6及发光二极管Dl。第一晶体管Ml具有用以接收第一控制信号SI的控制端，用以电性耦接于第一电源VDD的第一端，及第ニ端。第二晶体管M2具有用以接收第二控制信号S2的控制端，电性耦接于第一晶体管Ml的第二端的第一端，及第ニ端。第三晶体管M3具有电性耦接于第二晶体管M2的第二端的控制端，电性耦接于第一晶 体管Ml的第二端的第一端，及第ニ端；第四晶体管M4具有用以接收数据信号DATA的第一端，用以接收第三控制信号S3的控制端，及电性耦接于第三晶体管M3的第二端的第二端。储存电容Cst具有电性耦接于第二晶体管M2的第二端的第一端，及第ニ端。第五晶体管M5具有电性耦接于储存电容Cst的第二端的第一端，用以接收第四控制信号S4的控制端，及用以电性耦接于參考电压源VREF的第二端。第六晶体管M6具有电性耦接于第四晶体管M4的第二端的第一端，用以接收第五控制信号S5的控制端，及电性耦接于储存电容Cst的第ニ端的第二端。发光二极管Dl具有电性耦接于第六晶体管M6的第二端的第一端，及用以电性耦接于第二电源VSS的第二端，且发光二极管Dl的第一端为阳极，第二端为阴扱。发光二极管Dl用以根据第六晶体管M6的第二端的电位发光。此外，第一晶体管Ml、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5及第六晶体管M6可为N型金属氧化物半导体场效晶体管(N type zmetal oxide semiconductor transistor)、场效晶体管、薄膜晶体管、双极结型晶体管(Bipolar junction transistor)或薄膜场效晶体管,而本实施例中以N型场效晶体管为例，且发光二极管Dl可以是有机发光二极管。又，第一电源VDD的电位是高电位，且第二电源VSS的电位是低电位。在本案另ー实施例中，发光二极管电路包含了一第一控制信号线；一第二控制信号线；一第三控制信号线；一第四控制信号线；一第五控制信号线；一第一电源线；一第二电源线；一參考电压源线；ー数据信号线；一第一晶体管，具有ー电性耦接该第一控制信号线的控制端，一用以电性耦接于ー第一电源线的第一端，及一第二端；一第二晶体管，具有ー电性耦接该第二控制信号线的控制端，一电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，及一第二端；一第三晶体管，具有一电性耦接于该第二晶体管的第二端的控制端，一电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，及一第二端；一第四晶体管，具有一电性耦接该数据信号线的第一端，ー电性耦接该第三控制信号线的控制端，及一电性耦接于该第三晶体管的第二端的第二端；ー储存电容，具有一电性耦接于该第二晶体管的第二端的第一端，及一第二端；一第五晶体管，具有一电性耦接于该储存电容的第二端的第一端，一电性耦接该第四控制信号线的控制端，及一用以电性耦接于一參考电压源线的第二端；一第六晶体管，具有一电性耦接于该第四晶体管的第二端的第一端，ー电性耦接该第五控制信号线的控制端，及一电性耦接于该储存电容的第二端的第二端；及ー发光二极管，具有一电性耦接于该第六晶体管的第二端的第一端，及一用以电性耦接于一第二电源线的第二端。请ー并參考图2及图3，图3为本发明对发光二极管电路200进行操作的时序图。如图3所示，在重置阶段下，当第一晶体管Ml被第一控制信号SI导通且第四晶体管M4被第三控制信号S3截止时，第五控制信号S5会截止第六晶体管M6，第二控制信号S2会导通第二晶体管M2，及第四控制信号S4会导通第五晶体管M5，以重置储存电容Cst，因此储存电容Cst的第一端根据第一电源VDD的电位被重置，而储存电容Cst的第二端根据參考电压源VREF的电位被重置。当重置储存电容Cst后，进入写入阶段时，第一控制信号SI会截止第一晶体管M1，且第三控制信号S3会导通第四晶体管M4，以将数据源输入的数据信号DATA写入储存电容Cst，详言之，储存电容Cst第一端的电压将会由重置后的电位经由第二晶体管M2、第三晶体管M3与第四晶体管M4放电而使准位下降直到第三晶体管M3截止。当将数据信号DATA写入储存电容Cst后，进入读取阶段时，第一控制信号S I会导通第一晶体管M1，第五控制信号S5会导通第六晶体管M6，第二控制信号S2会截止第二晶体管M2、第三控制信号S3会截止第四晶体管M4，及第四控制信号S4会截止第五晶体管M5，以使发光二极管Dl根据自第三晶体管M3流向发光二极管Dl的电流发光。当读取阶段结束后，再进入重置阶段，据此对发光二极管电路200反复进行操作。在重置阶段中，当第一晶体管Ml导通且第四晶体管M4截止时，先导通第五晶体管M5及截止第六晶体管M6，再导通第二晶体管M2。此外，在写入阶段中，重置储存电容Cst 后，先截止第一晶体管M1，再导通第四晶体管M4。又，在读取阶段中，数据信号写入储存电容Cst后，先截止第四晶体管M4，再截止第二晶体管M2，最后导通第一晶体管Ml及第六晶体管M6，并截止第五晶体管M5。在写入阶段吋，当将数据信号DATA写入储存电容Cst后，此时储存电容Cst会储存到的电位(亦即储存电容Cst第一端与第二端的电位差)为数据信号DATA的电位VDATA加上晶体管的临界电压Vth再减去參考电压源VREF的电位VVREF，亦即(V-DATA+Vth-VVREF)，VVREF为偏负的电位。因此在读取阶段时，储存电容Cst所储存到的电位必然将第三晶体管M3导通，使第三晶体管M3工作在饱和区，此时自第三晶体管M3流向发光二极管Dl的电流为(Vgs-Vth)2，Vgs是晶体管晶体管的栅扱-源极电压。第三晶体管M3的栅扱-源极电压Vgs是第三晶体管M3的控制端电位减去其第二端的电位，故第三晶体管 M3 的栅扱-源极电压 Vgs 为(V-DATA+Vth-VVREF)，将(V-DATA+Vth-VVREF)代入(Vgs-Vth)2。因此，当发光二极管Dl工作在饱和区，流向发光二极管Dl的电流为(V-DATA-VVREF)2，亦即发光二极管Dl的第一端所接收到的电流仅受到所提供的数据信号DATA的电位VDATA及參考电压源VREF的影响，而不受到发光二极管Dl的阳极的电位的影响，因此可有效避免公知技术中，因流至自发光二极管的电流的下降或呈现不稳定的状态而发生影像残留的问题，亦可増加采用此本发明实施例的设计的显示器的使用寿命。请參照图4，图4为本发明第二实施例发光二极管电路400的示意图。发光二极管电路400电性耦接第一控制信号线LI、第二控制信号线L2、第三控制信号线L3、第四控制信号线L4、第五控制信号线L5、第一电源线LV1、第二电源线LV2、參考电压源线LV3与数据信号线L-DATA，发光二极管电路400包含第一晶体管Ml、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、储存电容Cst、第五晶体管M5、第六晶体管M6及发光二极管D1。第一晶体管Ml具有电性耦接第一控制信号线LI的控制端，用以电性耦接于第一电源线LVl的第一端，及第ニ端。第二晶体管M2具有电性耦接第二控制信号线L2的控制端，电性耦接于第一晶体管Ml的第二端的第一端，及第ニ端。第三晶体管M3具有电性耦接于第二晶体管M2的第二端的控制端，电性耦接于第一晶体管Ml的第二端的第一端，及第ニ端。第四晶体管M4具有电性耦接数据信号线LDATA的第一端，电性耦接第三控制信号线L3的控制端，及电性耦接于第三晶体管M3的第二端的第二端。储存电容Cst具有电性耦接于第二晶体管M2的第二端的第一端，及第ニ端。第五晶体管M5具有电性耦接于储存电容Cst的第二端的第一端，电性耦接第四控制信号线L4的控制端，及用以电性耦接于參考电压源线LV3的第二端。第六晶体管M6具有电性耦接于第四晶体管M4的第二端的第一端，电性耦接第五控制信号线L5的控制端，及电性耦接于储存电容Cst的第二端的第二端。发光二极管Dl具有电性耦接于第六晶体管M6的第二端的第一端，及用以电性耦接于第二电源线LV2的第二端，且发光二极管Dl的第一端为阳极，第二端为阴扱。发光二极管Dl用以根据第六晶体管M6的第二端的电位发光。此外，第一晶体管Ml、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5及第六晶体管M6可为N型金属氧化物半导体场效晶体管、场效晶体管、薄膜晶体管、双极结型晶体管(Bipolar junction transistor)或薄膜场效晶体管,而本实施例中以N型场效晶体管为例，且发光二极管Dl可以例如是有机发光二极管。
第二实施例与第一实施例的差别在于，发光二极管电路400更包含第一控制信号线LI、第二控制信号线L2、第二控制信号线L2第三控制信号线L3、第四控制信号线L4、第五控制信号线L5、数据信号线LDATA、第一电源线LV1、第二电源线LV2以及參考电压源线LV3，此外，第一晶体管Ml电性耦接至第一控制信号线LI、第二晶体管M2电性耦接至第ニ控制信号线L2、第四晶体管M4电性耦接至数据信号线LDATA、第五晶体管M5电性耦接至第四控制信号线L4、第六晶体管M6电性耦接至第五控制信号线L5，除此之外，第一控制信号线LI、第二控制信号线L2、第二控制信号线L2第三控制信号线L3、第四控制信号线L4、第五控制信号线L5、数据信号线LDATA、第一电源线LV1、第二电源线LV2以及參考电压源线LV3可以分别用来提供第一控制信号SI、第二控制信号S2、第二控制信号S3、第三控制信号S4、第四控制信号S5、第五控制信号S6、数据信号DATA、第一电源VDD、第二电源VSS以及參考电压源VREF。同样地，发光二极管电路400亦可根据如图3所示的时序进行操作。因此，当发光二极管Dl工作在饱和区，流向发光二极管Dl的电流为(V-DATA-VVREF)2，亦即发光ニ极管Dl的第一端所接收到的电流仅受到所提供的数据信号DATA的电位VDATA及參考电压源VREF的影响，而不受到发光二极管Dl的阳极端的电位的影响，因此可有效避免公知技术中，因流至自发光二极管的电流的下降或呈现不稳定的状态而发生影像残留的问题，亦可増加采用此本发明实施例的设计的显示器的使用寿命。请參照图5，图5为本发明第三实施例显示器500的示意图。显示器500包含电源供应器520、參考电压源产生単元530、扫描驱动器540、数据驱动器560、时序控制器580及多个发光二极管电路200。电源供应器520用以提供第一电源VDD及第ニ电源VSS。參考电压源产生単元530用以提供參考电压源VREF。扫描驱动器540用以提供第一控制信号SI、第二控制信号S2、第三控制信号S3，第四控制信号S4及第五控制信号S5。数据驱动器560用以提供数据信号DATA。时序控制器580电性耦接扫描驱动器540及数据驱动器560，用以控制扫描驱动器540及数据驱动器560。发光二极管电路200电性耦接电源供应器520、參考电压源产生单元530、扫描驱动器540及数据驱动器560。此外，电源供应器520、參考电压源产生単元530可以是直流电源转换器、切換式直流电源转换器、电荷泵(charge pump)或是任何公知的直流电源产生方式以产生直流电压源；扫描驱动器540、数据驱动器560及时序控制器580可以是特殊应用集成电路(Application specific integrated circuit)、现场可编程门阵列(FPGA, Field Programmable Gate Array)或微控制单元(MQJ)等可以产生信号输出的处理单兀。发光二极管电路200包含第一晶体管Ml、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、储存电容Cst、第五晶体管M5、第六晶体管M6及发光二极管Dl。第一晶体管Ml具有用以接收第一控制信号SI的控制端，用以电性耦接于第一电源VDD的第一端，及第ニ端。第二晶体管M2具有用以接收第二控制信号S2的控制端，电性耦接于第一晶体管Ml的第二端的第一端，及第ニ端。第三晶体管M3具有电性耦接于第二晶体管M2的第二端的控制端，电性耦接于第一晶体管Ml的第二端的第一端，及第ニ端；第四晶体管M4具有用以接收数据信号DATA的第一端，用以接收第三控制信号S3的控制端，及电性耦接于第三晶体管M3的第二端的第二端。储存电容Cst具有电性耦接于第二晶体管M2 的第二端的第一端，及第ニ端。第五晶体管M5具有电性耦接于储存电容Cst的第二端的第一端，用以接收第四控制信号S4的控制端，及用以电性耦接于參考电压源VREF的第二端。第六晶体管M6具有电性耦接于第四晶体管M4的第二端的第一端，用以接收第五控制信号S5的控制端，及电性耦接于储存电容Cst的第二端的第二端。发光二极管Dl具有电性耦接于第六晶体管M6的第二端的第一端，及用以电性耦接于第二电源VSS的第二端，且发光二极管Dl的第一端为阳极，第ニ端为阴扱。发光二极管Dl用以根据第六晶体管M6的第二端的电位发光。此外，第一晶体管Ml、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5及第六晶体管M6可为N型金属氧化物半导体场效晶体管、场效晶体管、薄膜晶体管、双极结型晶体管(Bipolarjunction transistor)或薄膜场效晶体管,而本实施例中以N型场效晶体管为例,且发光ニ极管Dl可以是有机发光二极管。第三实施例与第一实施例的差别在于，显示器500更包含电源供应器520、參考电压源产生単元530、扫描驱动器540、数据驱动器560、时序控制器580耦接于第一实施例的发光二极管电路200，使发光二极管电路200可根据接收到的第一控制信号SI、第二控制信号S2、第三控制信号S3、第四控制信号S4及第五控制信号S5，而对发光二极管电路200进行如第一实施例中所述的操作。因此，当发光二极管Dl工作在饱和区，流向发光二极管Dl的电流为(V-DATA-VVREF)2，亦即发光二极管Dl的第一端所接收到的电流仅受到所提供的数据信号DATA的电位VDATA及參考电压源VREF的影响，而不受到发光二极管Dl的阳极的电位的影响，因此可有效避免公知技术中，因流到自发光二极管的电流的下降或呈现不稳定的状态而发生影像残留的问题，亦可増加采用此本发明实施例的设计的显示器的使用寿命。透过上述本发明诸实施例所掲示的装置及方法，显示器不会有严重的影像残留的情況，同时显示器的使用寿命也大幅増加。以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求书所做的均等变化，皆应属本发明的涵盖范围。因此本发明的保护范围当视权利要求书所要求的为准。
权利要求
1.ー种发光二极管电路，其特征在于，包含 一第一晶体管，具有一用以接收一第一控制信号的控制端，一用以电性耦接于ー第一电源的第一端，及一第二端； 一第二晶体管，具有一用以接收一第二控制信号的控制端，一电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，及一第二端； 一第三晶体管，具有一电性耦接于该第二晶体管的第二端的控制端，一电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，及一第二端； 一第四晶体管，具有一用以接收ー数据信号的第一端，一用以接收一第三控制信号的控制端，及一电性耦接于该第三晶体管的第二端的第二端； ー储存电容，具有一电性耦接于该第二晶体管的第二端的第一端，及一第二端； 一第五晶体管，具有一电性耦接于该储存电容的第二端的第一端，一用以接收一第四控制信号的控制端，及ー用以电性耦接于ー參考电压源的第二端； 一第六晶体管，具有一电性耦接于该第四晶体管的第二端的第一端，一用以接收一第五控制信号的控制端，及一电注耦接于该储存电容的第二端的第二端；及 ー发光二极管，具有一电性耦接于该第六晶体管的第二端的第一端，及ー用以电性耦接于ー第二电源的第二端。
2.ー种发光二极管电路，其特征在于，包含 一第一控制信号线； 一第二控制信号线； 一第三控制信号线； 一第四控制信号线； 一第五控制信号线； 一第一电源线； 一第二电源线； 一參考电压源线； ー数据信号线； 一第一晶体管，具有一电性耦接该第一控制信号线的控制端，一用以电性耦接于ー第一电源线的第一端，及一第二端； 一第二晶体管，具有ー电性耦接该第二控制信号线的控制端，一电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，及一第二端； 一第三晶体管，具有一电性耦接于该第二晶体管的第二端的控制端，一电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，及一第二端； 一第四晶体管，具有一电性耦接该数据信号线的第一端，一电性耦接该第三控制信号线的控制端，及一电性耦接于该第三晶体管的第二端的第二端； ー储存电容，具有一电性耦接于该第二晶体管的第二端的第一端，及一第二端； 一第五晶体管，具有一电性耦接于该储存电容的第二端的第一端，一电性耦接该第四控制信号线的控制端，及一用以电性耦接于一參考电压源线的第二端； 一第六晶体管，具有一电性耦接于该第四晶体管的第二端的第一端，一电性耦接该第五控制信号线的控制端，及一电性耦接于该储存电容的第二端的第二端；及ー发光二极管，具有一电性耦接于该第六晶体管的第二端的第一端，及ー用以电性耦接于ー第二电源线的第二端。
3.如权利要求I或2所述的发光二极管电路，其特征在于，其中该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管、该第四晶体管、该第五晶体管及该第六晶体管为薄膜晶体管。
4.如权利要求I或2所述的发光二极管电路，其特征在于，其中该发光二极管的第一端为阳极，该发光二极管的第二端为阴扱。
5.—种驱动发光二极管电路的方法,其特征在于，该发光二极管电路包含一第一晶体管，一第二晶体管，一第三晶体管，一第四晶体管，一第五晶体管，一第六晶体管，ー储存电容及ー发光二极管，该第一晶体管的第一端电性耦接于ー第一电源，该第一晶体管的第二端电性耦接于该第二晶体管的第一端及该第三晶体管的第一端，该第二晶体管的第二端电性耦接于该储存电容的第一端及该第三晶体管的控制端，该第四晶体管的第一端电性耦接于ー数据源，该第三晶体管的第二端电性耦接于该第四晶体管的第二端及该第六晶体管的第一端，该储存电容的第二端电性耦接于该第六晶体管的第二端及该第五晶体管的第一端，该第五晶体管的第二端电性耦接于ー參考电压源，该发光二极管电性耦接于该第六晶体管的第二端及一第二电源之间，该方法包含 当该第一晶体管导通且该第四晶体管截止时，截止该第六晶体管，并导通该第二晶体管及该第五晶体管，以重置该储存电容； 当重置该储存电容后，截止该第一晶体管，并导通该第四晶体管，以将该数据源输入的数据信号写入该储存电容；及 当将该数据信号写入该储存电容后，导通该第一晶体管及该第六晶体管，并截止该第ニ晶体管、该第四晶体管及该第五晶体管，以使该发光二极管根据该数据信号发光。
6.如权利要求5所述的驱动发光二极管电路的方法，其特征在于，其中当该第一晶体管导通且该第四晶体管截止时，截止该第六晶体管，并导通该第二晶体管及该第五晶体管为 当该第一晶体管导通且该第四晶体管截止时，先导通该第五晶体管及截止该第六晶体管，再导通该第二晶体管。
7.如权利要求5所述的驱动发光二极管电路的方法，其特征在于，其中当重置该储存电容后，截止该第一晶体管，并导通该第四晶体管为 当重置该储存电容后，先截止该第一晶体管，再导通该第四晶体管。
8.如权利要求5所述的驱动发光二极管电路的方法，其特征在于，其中当将该数据信号写入该储存电容后，导通该第一晶体管及该第六晶体管，并截止该第二晶体管，该第四晶体管及该第五晶体管为 当将该数据信号写入该储存电容后，先截止该第四晶体管，再截止该第二晶体管，最后导通该第一晶体管及该第六晶体管，并截止该第五晶体管。
9.一种显不器,包含 ー电源供应器，用以提供一第一电源及一第二电源； 一參考电压源产生単元，用以提供ー參考电压源； ー扫描驱动器，用以提供一第一控制信号，一第二控制信号，一第三控制信号，一第四控制信号及一第五控制信号；一数据驱动器，用以提供ー数据信号； 一时序控制 器，电性耦接该扫描驱动器及该数据驱动器，用以控制该扫描驱动器及该数据驱动器 '及 复数个发光二极管电路，电性耦接该电源供应器、该參考电压源产生单元、该扫描驱动器及该数据驱动器，每ー发光二极管电路包含 一第一晶体管，具有ー用以接收该第一控制信号的控制端，一电性耦接于该第一电源的第一端，及一第二端； 一第二晶体管，具有ー用以接收该第二控制信号的控制端，一电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，及一第二端； 一第三晶体管，具有一电性耦接于该第二晶体管的第二端的控制端，一电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，及一第二端； 一第四晶体管，具有一用以接收该数据信号的第一端，一用以接收该第三控制信号的控制端，及一电性耦接于该第三晶体管的第二端的第二端； ー储存电容，具有一电性耦接于该第二晶体管的第二端的第一端，及一第二端； 一第五晶体管，具有一电性耦接于该储存电容的第二端的第一端，一用以接收该第四控制信号的控制端，及一电性耦接于该參考电压源的第二端； 一第六晶体管，具有一电性耦接于该第四晶体管的第二端的第一端，一用以接收该第五控制信号的控制端，及一电性耦接于该储存电容的第二端的第二端；及 ー发光二极管，具有一电性耦接于该第六晶体管的第二端的阳极，及一电性耦接于该第二电源的阴极，该发光二极管用以根据该第六晶体管的第二端的电位发光。
10.如权利要求9所述的显示器，其特征在于，其中该发光二极管的第一端为阳极，该发光二极管的第二端为阴扱。
全文摘要
一种发光二极管电路，驱动发光二极管电路的方法及显示器，包含第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、储存电容、第五晶体管、第六晶体管及发光二极管。第一晶体管用以接收第一控制信号，第二晶体管用以接收第二控制信号，第三晶体管电性耦接于该第二晶体管及该第一晶体管，第四晶体管用以接收数据信号及第三控制信号，储存电容电性耦接于该第二晶体管，第五晶体管用以接收第四控制信号，第六晶体管用以接收第五控制信号，发光二极管电性耦接于该第六晶体管及电源。
文档编号H05B37/02GK102665321SQ20121008949
公开日2012年9月12日 申请日期2012年3月27日 优先权日2011年12月30日
发明者施立伟 申请人:友达光电股份有限公司