专利名称：一种粒状多晶硅的除尘装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及太阳能电池生产技术领域，更具体的涉及一种粒状多晶硅的除尘
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背景技术：
随着传统能源的日益枯竭，新能源的开发受到了人们越来越多的重视。在新能源领域中，太阳能电池具有广阔的开发前景。目前，粒状多晶硅是太阳能电池的重要原料，粒状多晶硅采用流化床反应器生·产，一般从流化床反应器的顶端连续加入细小晶种，底部连续通入反应气体，过程中利用CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)法在晶种表面不断沉积多晶娃，晶种不断长大，最后从底部流出。根据反应条件不同，一般粒状多晶硅大部分分布在一定的范围之内，但部分反应生成的多晶硅未在晶种表面沉积而是形成了尺寸更小的多晶硅粉尘。且在粒状多晶硅运输的过程中，由于颗粒之间的相互摩擦也会有一定多晶硅粉尘形成。多晶硅粉尘由于尺寸小重量轻，在直拉单晶硅棒生长过程中的熔料阶段不容易完全熔化，可能会在后续的晶体生长阶段随着熔体流动至固液生长界面，导致单晶硅棒断棱的发生。在进行多次加入粒状多晶硅料时，多晶硅粉尘可能会粘附到单晶炉内部器件表面，晶体生长过程由于气流的带动，也可能流动至固液界面处，导致断棱的发生。断棱发生后一般进行回熔、提段、拉料等处理方法，导致单炉次运行时长增加，耗电量增加，晶棒利用率降低等问题，增加生产成本。请参考图1，图I为现有技术中粒状多晶硅的除尘装置结构示意图。现有技术中的除尘装置包括壳体01和真空源装置02，其中，壳体01的顶端开设有入口 011，底端开设有出口 012，壳体01内部设有多级阻导流板013，各级阻导流板013包括连接端和自由端，其连接端与壳体01的内壁固定连接，且各级阻导流板013的连接端高于其自由端，任意相邻的两个阻导流板013的连接端分别连接于壳体内相对的两个侧壁上。真空源装置02与壳体01的入口 011相连通。如此设置，粒状多晶硅由壳体01的入口 011落下，并在各级阻导流板013的导流作用下，逐级下落，直至由壳体01的出口 012落出。粒状多晶硅的下落过程中，真空源装置02开启，在压力气体的作用下，下落过程中的粒状多晶硅中夹杂的粉尘由入口 011处吸入真空源装置02内。然而，现有技术中的除尘装置由于真空端口设置在壳体01的入口 011附近，由于重力作用，粒状多晶硅携带着粉尘下落过程中较难快速分离，这将导致只有部分粉尘能被真空抽吸作用带走，进而导致粒状多晶硅中的粉尘含量较高。因此，如何有效降低多晶硅中的粉尘含量，成为本领域技术人员所要解决的重要技术问题
实用新型内容
[0010]为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种粒状多晶硅的除尘装置，其能够有效降低多晶硅中的粉尘含量。本实用新型提供的粒状多晶硅的除尘装置，包括壳体和真空源装置，所述壳体的顶部设有入料口，底部设有出料口，所述壳体的侧壁由上至下开设有一个或多个吸附口 ；且所有所述吸附口均与所述真空源装置相连接。优选地，所述壳体内设有至少两级导流板，各级所述导流板包括与所述壳体的内侧壁固定连接的连接端和自由端，且各级所述导流板的连接端高于其自由端，任意相邻的两个所述导流板的连接端分别连接于所述壳体的相对的内侧壁上。优选地，任意相邻的两个所述导流板之间均设置至少一个所述吸附口。优选地，任意相邻的两个所述导流板之间的所述吸附口，设置于所述壳体内侧壁的靠近所述自由端的一侧。优选地，最上面的所述导流板的上方还设有一个所述吸附口，且该吸附口设于所述壳体的内侧壁的靠近所述连接端的一侧。优选地，所述吸附口沿所述壳体的外侧壁至内侧壁方向向下倾斜。优选地，所述吸附口的侧壁与所述壳体的内侧壁之间的夹角为15-75度。优选地，所述导流板与所述壳体的内侧壁之间的夹角为15-75度。本实用新型提供的粒状多晶硅的除尘装置，包括壳体和真空源装置，所述壳体的顶部设有入料口，底部设有出料口，所述壳体的侧壁由上至下开设有一个或多个吸附口 ；且所有所述吸附口均与所述真空源装置相连接。如此设置，相对于现有技术中的除尘装置，本实用新型提供的除尘装置，其吸附口开设于壳体的侧壁，吸附过程中，受重力影响较小，粉尘易被真空源装置所吸附。因此，本实用新型提供的粒状多晶硅的除尘装置，其吸附效果较好，能够有效降低多晶硅中的粉尘含量。本实用新型的优选方案中，所述壳体内设有至少两级导流板，各级所述导流板包括与所述壳体的内侧壁固定连接的连接端和自由端，且各级所述导流板的连接端高于其自由端，任意相邻的两个所述导流板的连接端分别连接于所述壳体的相对的内侧壁上。如此设置，本实用新型提供的除尘装置，粒状多晶硅由壳体的入料口落入壳体内，粒状多晶硅落在最上层的导流板上，由于导流板的连接端高于自由端，故粒状多晶硅可沿着导流板流下。导流板可有效延长粒状多晶硅在壳体内的时间，进而有效延长了吸附时间，进一步提高了吸尘效果。此外，粒状多晶硅由上一层导流板落至下一层的导流板时，由于粉尘相对粒状多晶硅的密度较小，粉尘下落速度较慢，经过多级导流板的导流作用，真空源装置可有效吸附粉尘。
图I为现有技术中粒状多晶硅的除尘装置结构示意图；图2为本实用新型具体实施方式
中粒状多晶硅的除尘装置结构示意图；图 I 中壳体-01、真空源装置-02、入口 -011、出口 -012、导流板-013 ；图2 中壳体-11、真空源装置-12、入料口 -13、吸附口 -14、出料口 _15、导流板-16。
具体实施方式
本实用新型提供了一种粒状多晶硅的除尘装置，其能够有效降低多晶硅中的粉尘含量。下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。请参考图2，图2为本实用新型具体实施方式
中粒状多晶硅的除尘装置结构示意图。本具体实施方式
所提供的粒状多晶硅的除尘装置，包括壳体11和真空源装置12。 其中壳体11的顶部设有入料口 13，底部设有出料口 15，且壳体11的侧壁由上至下开设有一个或多个吸附口 14 ;所有的吸附口 14均与真空源装置12相连接。如此设置，相对于现有技术中的除尘装置，本具体实施方式
所提供的除尘装置，其吸附口 14开设于壳体11的侧壁，吸附过程中，受重力影响较小，粉尘易被真空源装置12所吸附。因此，本实用新型提供的粒状多晶硅的除尘装置，其吸附效果较好，能够有效降低多晶硅中的粉尘含量。本具体实施方式
所提供的优选方案中，壳体11内设有至少两级导流板16，各级导流板16包括与壳体11的内侧壁固定连接的连接端和自由端，且各级导流板16的连接端高于其自由端，任意相邻的两个导流板16的连接端分别连接于壳体11的相对的内侧壁上。需要说明的是，上述壳体11、导流板16、吸附口 14、入料口 13、出料口 15的材质可以为石英、表面覆盖硅涂层或特氟龙不锈钢等材质，但不限于上述列举的几种材质，只要其能够防止粒状多晶硅与之接触过程中造成二次污染即可。如此设置，本具体实施方式
所提供的除尘装置，粒状多晶硅由壳体11的入料口 13落入壳体11内，粒状多晶硅落在最上层的导流板16上，由于导流板16的连接端高于自由端，故粒状多晶娃可沿着导流板16流下。导流板16可有效延长粒状多晶娃在壳体11内的时间，进而有效延长了吸附时间，进一步提高了吸尘效果。此外，粒状多晶硅由上一层导流板16落至下一层的导流板16时，由于粉尘相对粒状多晶硅的密度较小，粉尘下落速度较慢，经过多级导流板16的导流作用，真空源装置12可有效吸附粉尘。为了更好的对粒状多晶硅中的粉尘进行吸附，任意相邻的两个导流板16之间均设置至少一个吸附口 14。如此设置，当粒状多晶硅由上一级的导流板16落入下一级的导流板16时，由于粉尘下落的速度相对粒状多晶硅的下落速度较慢，粉尘与粒状多晶硅相脱离。鉴于此，本具体实施方式
在任意相邻的两个导流板16之间均设置一个吸附口 14，每次粒状多晶硅由上一级的导流板16落入下一级的导流板16时，其含有的粉尘均可被充分吸收一次。如此，有效提闻了除尘效果。进一步地，任意相邻的两个导流板16之间的吸附口 14，设置于壳体11内侧壁的靠近自由端的一侧。[0040]如此设置，粒状多晶硅由上一级的导流板16落至下一级的导流板16的过程中，由于吸附口 14设置于靠近粒状多晶硅的一侧，吸附力较强，故进一步提高了真空源装置12的吸附效果。此外，当粒状多晶硅由壳体11的入料口 13进入壳体11内部时，为了使得粒状多晶硅落在靠近最上层的导流板16的靠近其连接端的一端，延长粒状多晶硅在导流板16上流动时间，进而对粉尘进行充分吸附。本具体实施方式
提供的粒状多晶硅的除尘装置，最上面的导流板16的上方还设有一个吸附口 14，且该吸附口 14设于壳体11的内侧壁的靠近连接端的一侧。如此设置，在吸附口 14的吸附作用下，粒状多晶硅落在靠近最上层的导流板16的靠近其连接端的一端，有效延长了粒状多晶硅在导流板16上流动时间，进而对粉尘进行充分吸附。·[0044]为了避免粒状多晶硅由吸附口 14被吸出，本具体实施方式
所提供的吸附口 14沿壳体11的外侧壁至内侧壁方向向下倾斜。如此设置，当粒状多晶硅由上一层的导流板16落至下一层的导流板16时，由于吸附口 14沿壳体11的外侧壁至内侧壁方向向下倾斜，故重量较大的粒状多晶硅可避免被吸附至吸附口 14内，而重量较轻的粉尘可充分被吸附至吸附口 14内。需要说明的是，本具体实施方式
中吸附口 14的侧壁与壳体11的内侧壁之间的夹角可为15-75度，比如可具体为15、30、50、75度等。此外，导流板16与壳体11的内侧壁之间的夹角为15-75度，比如，可具体为15、30、50、75度等。以上对本实用新型所提供的一种粒状多晶硅的除尘装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以对本实用新型进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本实用新型权利要求的保护范围内。
权利要求1.一种粒状多晶硅的除尘装置，包括壳体和真空源装置，所述壳体的顶部设有入料口，底部设有出料口，其特征在于，所述壳体的侧壁由上至下开设有一个或多个吸附口 ；且所有所述吸附口均与所述真空源装置相连接。
2.如权利要求I所述的粒状多晶硅的除尘装置，其特征在于，所述壳体内设有至少两级导流板，各级所述导流板包括与所述壳体的内侧壁固定连接的连接端和自由端，且各级所述导流板的连接端高于其自由端，任意相邻的两个所述导流板的连接端分别连接于所述壳体的相对的内侧壁上。
3.如权利要求2所述的粒状多晶硅的除尘装置，其特征在于，任意相邻的两个所述导流板之间均设置至少一个所述吸附口。
4.如权利要求3所述的粒状多晶硅的除尘装置，其特征在于，任意相邻的两个所述导流板之间的所述吸附口，设置于所述壳体内侧壁的靠近所述自由端的一侧。
5.如权利要求4所述的粒状多晶硅的除尘装置，其特征在于，最上面的所述导流板的上方还设有一个所述吸附口，且该吸附口设于所述壳体的内侧壁的靠近所述连接端的一侧。
6.如权利要求1-5任一项所述的粒状多晶硅的除尘装置，其特征在于，所述吸附口沿所述壳体的外侧壁至内侧壁方向向下倾斜。
7.如权利要求6所述的粒状多晶硅的除尘装置，其特征在于，所述吸附口的侧壁与所述壳体的内侧壁之间的夹角为15-75度。
8.如权利要求7所述的粒状多晶硅的除尘装置，其特征在于，所述导流板与所述壳体的内侧壁之间的夹角为15-75度。
专利摘要本实用新型公开了一种粒状多晶硅的除尘装置，包括壳体和真空源装置，所述壳体的顶部设有入料口，底部设有出料口，所述壳体的侧壁由上至下开设有一个或多个吸附口；且所有所述吸附口均与所述真空源装置相连接。如此设置，本实用新型公开的粒状多晶硅的除尘装置，其能够有效降低多晶硅中的粉尘含量。
文档编号C30B25/02GK202744657SQ20122043267
公开日2013年2月20日 申请日期2012年8月28日 优先权日2012年8月28日
发明者乔松, 司佳勇, 周浩, 唐磊, 尹东坡, 郭凯 申请人:英利能源(中国)有限公司