专利名称：一种多晶铸锭炉的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种多晶硅铸锭设备领域，特别是一种多晶硅铸锭炉。
背景技术：
晶体娃太阳电池是太阳电池中的王导广品，市场占有率闻达90%。多晶娃在生长的过程中，大多以太阳能级硅或电子级硅的头尾料和碎料为原料，因此，多晶硅锭中含有较多的杂质，这些杂质中的硬质杂质(主要成分碳化硅)的出现，使得在硅锭切割过程中硅片出现线痕而报废，甚至由于硬质点存在而造成包括切片断线、硅块报废等损失，也造成了铸锭多晶硅的成品率降低。为此，降低多晶硅锭中的硬质点对多晶硅铸锭成品率的提高有重大意义。现有多晶硅铸锭炉的型号为DSS500kgR13500-l/UM。
实用新型内容为了解决目前某些多晶铸锭炉生产出来的晶锭硬质点含量高，影响晶锭质量及得率，本实用新型在现有技术的基础上加以改进，旨在研究出一种能降低多晶硅锭中的硬质点的多晶硅铸锭炉。为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是一种多晶铸锭炉，包括底部基座和与该底部基座盖合的保温隔热笼体；所述保温隔热笼体的内腔侧壁下部设有保温带，该保温带包括多层保温条。所述保温带 的高优选为85 mm -95mm,宽优选为40 mm -50mm。所述保温带优选由两层贴合的保温条构成。下面对本实用新型做进一步的解释和说明本实用新型的原理是晶体的生长方向是由下向上的，保温带的作用是使熔体边角的温度不会下降得太快，晶体边角生长速度变慢，有利于碳杂质向硅锭边角移动，从而降低晶锭可利用部分中硬质点的含量。与未改进热场前相比，加上多层保温条后，熔体底部边角放热量变小，边角长晶变慢，晶体生长的固液界面呈“凸”形，硅料中碳等杂质向硅锭的边角移动，使得生产出来的晶锭可利用部分硬质点减少，提高了铸锭的成品率。与现有技术相比，本实用新型的优势在于本实用新型的一种多晶铸锭炉，边角长晶速度变慢，晶体生长的固液界面呈“凸”形，有利于杂质碳在长晶过程中向晶锭边角扩散，使得生产出来的晶锭中有效部分硬质点含量降低。
图1是本实用新型的一种多晶铸锭炉保温隔热笼体处于向上打开状态时的内部结构示意图；图2是保温带的结构示意图；其中，I是底部基座，2是保温隔热笼体，3是保温带，4是保温条，5是石墨护板，6是石墨DS块，7是石英坩埚，8是加热器，a是保温带的高，b是保温带的宽。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型做进一步的说明。如图1所示，一种多晶铸锭炉，包括底部基座I和与该底部基座I盖合的保温隔热笼体2 ;所述保温隔热笼体2的内腔侧壁下部设有保温带3，该保温带3包括多层保温条4。该保温隔热笼体2内腔顶部和侧面设有加热器8，内腔中有用于装料的石英坩埚7，石英坩埚7顶部有一盖板，石英坩埚7外部有石墨护板5，石墨护板5设置在石墨DS块6上，且该石墨DS块6设置在底部基座I上。如图2所示，本实施例中所述保温带3由两层贴合的保温条4构成。保温带的高a 为 85 mm -95mm,宽 b 为 40 mm -50mmo在熔化阶段，保温隔热笼体2向下关闭，形成加热坩埚中硅料的热场内腔。长晶阶段，隔热笼向上慢慢打开，保温隔热笼体2底部的保温带3使得坩埚中熔体边角晶体生长变慢，中间晶体生长相对较快，晶体呈“凸”形生长，晶锭中硬质点的含量降低，从单支小锭硬质点平均长度7 9mm降低到l_2mm。
权利要求1.一种多晶铸锭炉，包括底部基座(I)和与该底部基座(I)盖合的保温隔热笼体(2)；其特征是，所述保温隔热笼体(2)的内腔侧壁下部设有保温带(3)，该保温带(3)包括多层保温条(4)。
2.根据权利要求1所述一种多晶铸锭炉，其特征是，所述保温带的高(a)为85mm_95mm,宽(b)为 40 mm _50mm。
3.根据权利要求1所述一种多晶铸锭炉，其特征是，所述保温带(3)由两层贴合的保温条(4)构成。
专利摘要本实用新型公开了一种多晶硅铸锭炉，包括底部基座(1)和与该底部基座(1)盖合的保温隔热笼体(2)；所述保温隔热笼体(2)的内腔侧壁下部设有保温带(3)，该保温带(3)包括多层保温条(4)。该多晶硅铸锭炉的保温效果得到了加强，熔化阶段硅料得到充分地熔化，长晶阶段边角生长速度变慢，长晶过程中大多数杂质会慢慢聚集在硅锭的边角四周，从而晶锭中可利用部分的硬质点含量相对减少。通过本装置的运用，可以有效地降低铸造多晶生产过程中硬质点的含量，进一步提高铸造多晶硅锭生产的成品率。
文档编号C30B29/06GK202865392SQ201220495849
公开日2013年4月10日 申请日期2012年9月26日 优先权日2012年9月26日
发明者段金刚, 瞿海斌, 杨晓生 申请人:湖南红太阳光电科技有限公司