氧化铝单晶生长设备的底盘的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种氧化铝单晶生长设备的底盘，包含由上底板、下底板、筒节构成的底盘主体；所述上底板、所述下底板与所述筒节之间形成腔体；所述氧化铝单晶生长设备的底盘还包含：设置在所述腔体内的导流板，所述导流板抵在所述上底板和所述下底板之间；所述氧化铝单晶生长设备的底盘还包含：插入所述下底板的进水管和出水管，所述进水管通过所述腔体与所述出水管导通。同现有技术相比，由于在腔体内设置了导流板，导流板是抵在上底板和下底板之间，通过导流板可对底盘的内部进行支撑，从而加强了底盘的强度，进一步防止底盘由于长期因氧化铝单晶生长设备的重力影响产生应力变形。
【专利说明】氧化铝单晶生长设备的底盘
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种氧化铝单晶生长设备，特别涉及一种氧化铝单晶生长设备的
ο
【背景技术】
[0002]半导体照明亦称固态照明，具有耗电量少、寿命长、可控性强等特点，目前产品光效已超过传统光源，价格快速下降，正在成为照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一场照明光源的革命。在全球能源危机、环保要求不断提高的情况下，低功耗、长寿命的半导体照明已被世界公认为一种节能环保的重要途径。面对半导体照明产业巨大的市场空间与节能潜力，很多发达国家都将半导体照明列为战略性高技术产业。从全球来看，半导体照明产业已形成以美国、亚洲、欧洲三大区域为主导的三足鼎立的产业分布与竞争格局。而我国的LED产业起步于20世纪70年代，现已基本形成较为完整的产业链。
[0003]氧化铝单晶作为半导体照明的重要材料，是一种用途广泛的单晶基片，是当前蓝、紫、白光发光二极管(LED)工业的首选基片。目前在市场上，人工生长低成本、高质量的氧化铝单晶，一般都是依托于先进的设备与成熟的生产工艺。氧化铝单晶的合成是一个高温真空过程，对其生长设备的承载能力与导热能力要求较高。同时，产业化的进程需要设备的结构简单、加工方便。所以，导致氧化铝单晶生长设备的底盘结构对于整个氧化铝单晶生长设备而言是其承载和换热的重要部件，其底盘导热性能和耐压强度对整台设备而言具有重大影响。
[0004]而根据目前现有的氧化铝单晶生长设备，一般是在底盘的腔体内填充冷却介质，通过冷却介质对设备进行换热，而对设备的承载一般是依靠底盘自身的强度。由于这种结构较为简单 ，已无法满足现在氧化铝单晶生长设备的使用要求。
实用新型内容
[0005]本实用新型的目的在于提供一种换热效率高、承载能力强的氧化铝单晶生长设备的底盘。
[0006]为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种氧化铝单晶生长设备的底盘，包含由上底板、下底板、筒节构成的底盘主体；所述上底板、所述下底板与所述筒节之间形成腔体；
[0007]所述氧化铝单晶生长设备的底盘还包含:设置在所述腔体内的导流板，所述导流板抵在所述上底板和所述下底板之间；
[0008]所述氧化铝单晶生长设备的底盘还包含:插入所述下底板的进水管和出水管，所述进水管通过所述腔体与所述出水管导通。
[0009]本实用新型的实施方式相对于现有技术而言，由于在底盘上设置了进水管和出水管，通过进水管可将冷却介质引入腔体内，从而对氧化铝单晶生长设备进行换热，经换热后的冷却介质再由出水管排出，从而达到对氧化铝单晶生长设备的循环换热过程。另外，由于在腔体内设置了导流板，导流板是抵在上底板和下底板之间，通过导流板可对底盘的内部进行支撑，从而加强了底盘的强度，进一步防止底盘由于长期因氧化铝单晶生长设备的重力影响产生应力变形。
[0010]另外，所述导流板在所述腔体内呈螺旋形向外延伸，直至截止在所述筒节的内壁上；所述进水管的出口靠近所述导流板螺旋段的中心处，所述出水管的进口靠近所述导流板螺旋段的截止处。由于导流板呈螺旋形向外延伸，所以使得导流板在腔体内形成螺旋形的流道，并且由于进水管的出口是设置在导流板螺旋段的中心处，而出水管的进口是设置在靠近导流板螺旋段的截止处。所以当冷却介质通过进水管流入腔体内时，冷却介质是通过导流板形成的螺旋形流道，从腔体的中心逐渐向腔体的四周进行流动，最后从出水管排出。所以可进一步增大冷却介质在腔体中流动的范围，从而增加对氧化铝单晶生长设备的换热面积，消除介质流动时的死区，改善冷却的效果。另外，由于导流板是呈螺旋形向外延伸的，所以可进一步增大导流板与上底板和下底板之间的接触面积，进一步增强了底盘的承载强度。
[0011]并且，所述导流板的螺旋段每环绕半圈，其弯曲半径比上半圈增加0.5倍。由于导流板螺旋段每半圈的弯曲半径都要比上半圈增加0.5倍，所以可保证由导流板构成的螺旋流道具有较大的宽度，从而使冷却介质在螺旋形流道内具有较高的流动性，经换热后的冷却介质能够顺利的从出水管中排出。
[0012]进一步的，所述进水管至少有部分插入所述腔体内，使其所述进水管的出口靠近所述上底板；所述出水管的进口与所述下底板的上表面齐平。由于进水管的出口靠近上底板，而出水管的进口与下底板的上表面齐平，从而导致进水管的出口高于出水管的进口，并保证冷却介质从进水管流入腔体后，能够顺利的从出水管流出，以避免已流入腔体内的冷却介质再倒流回进水管内，从而影响换热的效果。
[0013]另外，所述导流板与所述上底板和所述下底板之间通过焊接进行固定。由于导流板与上底板和下底板之间采用焊接进行固定，所以可增强导流板与上底板和下底板之间连接的牢固性，进一步提高了底盘的承载力。
[0014]其中，所述上底板是直接与所述导流板进行焊接。而所述下底板对应所述导流板的位置，分布有焊接孔；所述下底板通过所述焊接孔与所述导流板进行焊接。由于下底板对应导流板的位置分别分布有焊接孔，在进行焊接时，只要将导流板对应到下底板上的焊接孔的位置即可，然后直接对下底板上的焊接孔进行电焊即可将导流板固定在上底板和下底板之间，在不影响导流板支撑强度的前提下，不但节省了焊接所需的时间，而且节省了焊接所需要的材料，降低了生产成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1是本实用新型第一实施方式的氧化铝单晶生长设备的底盘的结构示意图；
[0016]图2为图1中A-A处的剖视图；
[0017]图3为本实用新型第三实施方式的氧化铝单晶生长设备的底盘的结构示意图。【具体实施方式】
[0018]为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本实用新型各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请各权利要求所要求保护的技术方案。
[0019]本实用新型的第一实施方式涉及一种氧化铝单晶生长设备的底盘，如图1所示，包含由上底板1、下底板3、筒节2构成的底盘主体。且上底板1、下底板3与筒节2之间还形成有腔体7。
[0020]本实施方式的氧化铝单晶生长设备的底盘还包含:设置在腔体7内的导流板6，其该导流板6是抵在上底板I和下底板3之间。
[0021]另外，本实施方式的氧化铝单晶生长设备的底盘还包含:插入下底板3的进水管5和出水管4，进水管5是通过腔体7与出水管4导通。
[0022]在本实施方式中，由于在底盘上设置了进水管5和出水管4，通过进水管5可将冷却介质引入腔体7内，从而对氧化铝单晶生长设备进行换热，经换热后的冷却介质再由出水管4排出，从而达到对氧化铝单晶生长设备的循环换热过程。另外，由于在腔体7内设置了导流板6，导流板6是抵在上底板I和下底板3之间，通过导流板6可对底盘的内部进行支撑，从而加强了底盘的强度，进一步防止底盘由于长期因氧化铝单晶生长设备的重力影响产生应力变形。
[0023]具体的说，如图2所示，导流板6在腔体7内呈螺旋形向外延伸，直至截止在筒节2的内壁上。且进水管5的出口靠近导流板6螺旋段的中心处，而出水管4的进口靠近导流板6螺旋段的截止处。
[0024]在本实施方式中，由于导流板6呈螺旋形向外延伸，所以使得导流板6在腔体7内形成螺旋形的流道，并且由于进水管5的出口是设置在导流板6螺旋段的中心处，即靠近螺旋形流道的中心处；而出水管4的进口是设置在靠近导流板螺旋段的截止处，即靠近螺旋形流道的尾端。所以当冷却介质通过进水管5流入腔体内7时，冷却介质是通过导流板6形成的螺旋形流道，从腔体的中心逐渐向腔体的四周进行流动，最后从出水管4排出。所以可进一步增大冷却介质在腔体7中流动的范围，从而增加对氧化铝单晶生长设备的换热面积，消除介质流动时的死区，改善冷却的效果。另外，由于导流板6是呈螺旋形向外延伸的，所以可进一步增大导流板6与上底板I和下底板3之间的接触面积，进一步增强了底盘的承载强度。
[0025]另外，值得一提的是，在本实施方式中，导流板6的螺旋段每环绕半圈，其弯曲半径比之前增加0.5倍。通过这种方式可保证由导流板6构成的螺旋流道具有较大的宽度，从而使冷却介质在螺旋形流道内具有较高的流动性，经换热后的冷却介质能够顺利的从出水管中排出。
[0026]本实用新型的第二实施方式涉及一种氧化铝单晶生长设备的底盘，第二实施方式是在第一实施方式的基础上做了进一步改进。主要改进在于:在本实施方式中，有部分进水管5是插入腔体7内的，从而保证进水管5的出口靠近上底板I，而出水管4的进口是与下底板3的上表面齐平。从而导致进水管5的出口高于出水管4的进口，使其保证冷却介质从进水管5流入腔体7后，能够顺利的从出水管4流出，以避免已流入腔体7内的冷却介质再倒流回进水管5内，以至于无法达到预期的换热效果。[0027]本实用新型的第三实施方式涉及一种氧化铝单晶生长设备的底盘，第三实施方式是在第二实施方式的基础上做了进一步改进。主要改进在于:如图3所示，在本实施方式中，导流板6与上底板I和下底板3之间是通过焊接进行固定连接的。所以可增强导流板6与上底板I和下底板3之间连接的牢固性，进一步提高了底盘的承载力。
[0028]具体的说，上底板I是直接与导流板进行焊接，而下底板3对应导流板6的位置，分布有焊接孔8，下底板3是通过焊接孔8与导流板6进行焊接。
[0029]由此可知，由于下底板3对应导流板6的位置分别分布有焊接孔，在进行焊接时，只要将导流板6对应到下底板3上的焊接孔8的位置即可，然后直接对下底板3上的焊接孔8进行电焊即可将导流板6固定在上底板I和下底板3之间，在不影响导流板6支撑强度的前提下，不但节省了焊接所需的时间，而且节省了焊接所需要的材料，降低了生产成本。
[0030]并且，为了满足市场的需求，焊接孔形状可采用方形、圆形或长槽结构。在实际制作时，可根据用户的需求进行选择。
[0031]本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本实用新型的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本实用新型的精神和范围。
【权利要求】
1.一种氧化铝单晶生长设备的底盘，包含由上底板、下底板、筒节构成的底盘主体；所述上底板、所述下底板与所述筒节之间形成腔体，其特征在于: 所述氧化铝单晶生长设备的底盘还包含:设置在所述腔体内的导流板，所述导流板抵在所述上底板和所述下底板之间； 所述氧化铝单晶生长设备的底盘还包含:插入所述下底板的进水管和出水管，所述进水管通过所述腔体与所述出水管导通。
2.根据权利要求1所述的氧化铝单晶生长设备的底盘，其特征在于:所述导流板在所述腔体内呈螺旋形向外延伸，直至截止在所述筒节的内壁上: 所述进水管的出口靠近所述导流板螺旋段的中心处，所述出水管的进口靠近所述导流板螺旋段的截止处。
3.根据权利要求1所述的氧化铝单晶生长设备的底盘，其特征在于:所述导流板的螺旋段每环绕半圈，其弯曲半径比上半圈增加0.5倍。
4.根据权利要求1所述的氧化铝单晶生长设备的底盘，其特征在于:所述进水管至少有部分插入所述腔体内，使其所述进水管的出口靠近所述上底板； 所述出水管的进口与所述下底板的上表面齐平。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的氧化铝单晶生长设备的底盘，其特征在于:所述导流板与所述上底板和所述下底板之间通过焊接进行固定。
6.根据权利要求5所述的氧化铝单晶生长设备的底盘，其特征在于:所述下底板对应所述导流板的位置，分布有焊接孔； 所述下底板通过所述焊接孔与所述导流板进行焊接。
7.根据权利要求6所述的氧化铝单晶生长设备的底盘，其特征在于:所述焊接孔的形状为方形、圆形或长槽结构。
8.根据权利要求1至4中任意一项所述的氧化铝单晶生长设备的底盘，其特征在于:所述上底板直接与所述导流板进行焊接。
【文档编号】C30B29/20GK203530498SQ201320624206
【公开日】2014年4月9日 申请日期:2013年10月10日 优先权日:2013年10月10日
【发明者】程佳彪, 茅陆荣, 那日萨, 李严州, 祖林 申请人:上海森松新能源设备有限公司