1. 层叠体，其至少具有：
由聚合物材料构成的基材；以及
部分氧化薄层石墨小片层，所述部分氧化薄层石墨小片层形成于基材上且包含介由化学键与基材键合的部分氧化薄层石墨小片，并且平均厚度ta为3.0nm以上且10000nm以下。
2.根据权利要求1所述的层叠体，其中，部分氧化薄层石墨小片的氧化度(O/C)为0.07~0.85。
3.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述部分氧化薄层石墨小片层实质上不含粘接剂。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的层叠体，其中，所述化学键选自离子键、氢键和共价键。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的层叠体，其中，介由所述化学键的键合通过键合剂形成，所述键合剂具有与所述基材之间形成的第一化学键以及与所述部分氧化薄层石墨小片之间形成的第二化学键。
6.根据权利要求5所述的层叠体，其中，所述键合剂具有碱性官能团和选自羟基、氨基、铵基、羧基和烷氧基甲硅烷基的官能团。
7.根据权利要求5或6所述的层叠体，其中，所述键合剂为聚合物系键合剂。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的层叠体，其中，所述部分氧化薄层石墨小片层的表面电阻率Ra的变异系数CV为10%以下。
9.根据权利要求1~7中任一项所述的层叠体，其中，所述部分氧化薄层石墨小片层具有氧化度(O/C)为0.15以上的绝缘性部分和氧化度(O/C)小于0.15的导电性部分。
10.电极材料，其为使用权利要求1~9中任一项所述的层叠体而得到。
11.放热材料，其为使用权利要求1~9中任一项所述的层叠体而得到。
12.气体阻隔材料，其为使用权利要求1~9中任一项所述的层叠体而得到。
13.气罐，其为使用权利要求12的气体阻隔材料而得到。
14.层叠体的制造方法，在由聚合物材料构成的基材上担载具有能够与所述基材形成化学键的第一键合性官能团和能够与部分氧化薄层石墨小片形成化学键的第二键合性官能团的键合剂，使所述基材与所述第一键合性官能团化学键合，然后进一步在所述键合剂上涂布含有部分氧化薄层石墨小片的涂剂从而使其担载，使所述第二键合性官能团与部分氧化薄层石墨小片化学键合，进一步在液体中对所述部分氧化薄层石墨小片的至少一部分进行还原处理。
15.部分氧化石墨用易粘接膜，其为在由聚合物材料构成的基材上设置具有碱性官能团和选自羟基、氨基、铵基、羧基和烷氧基甲硅烷基的官能团的键合剂而得到。