一种适用于激光焊接石英晶体封装的上盖及其制备方法与流程

本发明涉及电子元器件生产技术领域，具体涉及一种适用于激光焊接石英晶体封装的上盖及其制备方法。

背景技术：

石英晶体封装盖板的传统的焊接生产工艺是采用电阻平行焊接，使用的基料为可阀(kovar)4j29合金材料，表面电镀镍(ni)，镀镍的金属盖板焊接温度高，金属镍的瞬间焊接熔点需要1440℃；另外，平行焊接工艺对产品要求形状规范，焊接使用的机器价格昂贵，产能不高，能耗大，效率低，工艺落后，国内目前很多石英晶体生产厂家在使用此方法。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种适用于激光焊接石英晶体封装的上盖及其制备方法，其解决了石英晶体封装上盖的传统生产工艺成本高、产能低、能耗大、效率低的缺点，并且，制备出的封装上盖可适用于石英晶体激光焊接工艺。

本发明通过以下技术方案来实现上述目的：

一种适用于激光焊接石英晶体封装的上盖，包括

基料；

金属镍层，所述金属镍层有两层，分别镀在基料的两表面；

金属铜层，所述金属铜层镀在其中一层金属镍层的表面；

金属银层，所述金属银层镀在金属铜层的表面。

进一步改进在于，所述基料选用可伐合金4j29材料。

进一步改进在于，所述基料的厚度为0.07-0.10mm。

进一步改进在于，两层金属镍层的厚度均为3-5μm。

进一步改进在于，所述金属铜层的厚度为25-28μm。

进一步改进在于，所述金属银层的厚度为5-8μm。

一种适用于激光焊接石英晶体封装的上盖的制备方法，步骤包括：选用可伐合金4j29材料作为基料，在基料的两个表面均电镀一层金属镍，然后在其中一层金属镍的外表面复合电镀上金属铜和金属银。

本发明的有益效果在于：本发明先在母材上电镀金属镍，增加母材的硬度强度和与母材匹配融洽，再镀一层银铜合金，这样焊接温度由单纯的镍金属熔点，改为镍铜银合金焊接熔点，熔接温度由1440℃降低到840℃，材料经过物理的变通处理方法后，这样合金材料更适用于激光焊接。激光焊接工艺适应各种形状，焊接效率高，能耗低，同等焊接效率的激光焊接设备投入是平行焊接机器投入的1/3价格。

附图说明

图1为本发明的剖面结构示意图；

图中：1-基料，2-金属镍层，3-金属铜层，4-金属银层。

具体实施方式

下面结合附图对

本技术：
作进一步详细描述，有必要在此指出的是，以下具体实施方式只用于对本申请进行进一步的说明，不能理解为对本申请保护范围的限制，该领域的技术人员可以根据上述申请内容对本申请作出一些非本质的改进和调整。

如图1所示，一种适用于激光焊接石英晶体封装的上盖的实施例结构，其包括

基料1：基料1选用可伐(kovar)合金4j29材料，基料1的厚度为0.07-0.10mm；

金属镍层2：金属镍层2有两层，分别镀在基料1的两表面，两层金属镍层2的厚度均为3-5μm；

金属铜层3：金属铜层3镀在其中一层金属镍层2的表面，金属铜层3的厚度为25-28μm；

金属银层4：金属银层4镀在金属铜层3的表面，金属银层4的厚度为5-8μm。

上述适用于激光焊接石英晶体封装的上盖的制备方法，步骤包括：选用可伐合金4j29材料作为基料，在基料的两个表面均电镀一层金属镍，然后在其中一层金属镍的外表面复合电镀上金属铜和金属银。

采用先电镀镍，再复合镀纯银+纯铜，这样焊接温度由单纯的镍金属熔点，改为镍铜银合金焊接熔点，熔接温度由1440℃降低到840℃，材料经过物理的变通处理方法后，这样合金材料更适用于激光焊接。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种适用于激光焊接石英晶体封装的上盖及其制备方法，上盖包括基料；金属镍层，所述金属镍层有两层，分别镀在基料的两表面；金属铜层，所述金属铜层镀在其中一层金属镍层的表面；金属银层，所述金属银层镀在金属铜层的表面。本发明先在基料上电镀金属镍，增加基料的硬度强度和与母材匹配融洽，再镀一层银铜合金，这样焊接温度由单纯的镍金属熔点，改为镍铜银合金焊接熔点，熔接温度由1440℃降低到840℃，材料经过物理的变通处理方法后，这样合金材料更适用于激光焊接。激光焊接工艺适应各种形状，焊接效率高，能耗低，同等焊接效率的设备投入是平行焊接机器投入的1/3价格。

技术研发人员：侯诗益;郑善发;汪鑫
受保护的技术使用者：安徽晶赛科技股份有限公司
技术研发日：2018.07.13
技术公布日：2018.11.30