专利名称：一种半导体薄膜电热元件及其制法的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体薄膜电热元件及其制法。
常用的电热膜元件是在耐热绝缘衬底材料表面简单覆着一层半导体薄膜，薄膜分子与衬底材料分子之间结合力较弱，薄膜中不可避免地出现杂质或缺陷，影响了电热膜元件的热稳定性、耐电压能力等使用性能，而成膜的方法有物理方法和化学方法两种，物理方法形成的薄膜与底衬结合不牢固，在急冷急热冲击下薄膜易脱落，用化学喷涂方法形成的一般半导体薄膜，成膜速度慢，且存在附着力差、抗酸碱腐蚀能力差等不足之处。
本发明旨在提出一种稀土复合物半导体薄膜电热元件法，增强电热膜元件的使用性能，缩短制作过程。
本发明提出的半导体薄膜电热元件，其特征是在绝缘耐热的底衬上有一层致密的稀土复合物半导体薄膜，电热元件两端是电极，其制法是通过化学溶液制备、衬底清洗及预热、高温化学喷涂、反应沉淀结晶成膜、退火并制作电极等过程，在加热的衬底上生长一层具有钙钛矿结构的稀土复合物半导体薄膜，再制成电热元件，其步骤如下1、化学溶液制备--将A氧化物溶入硝酸溶剂中，形成浓度为1M的溶液C，A为稀土元素和Sr、Ca、Ba、Mg等元素，将B氧化物溶入硝酸溶剂中，形成1M的溶液D，B为Cr、Fe、Co、Mn、Ni、Ti、Sn、Bi和Sb等元素，将C与D按1∶1的比例混和，加入适量活性剂，调节PH值在2左右；2、对衬底进行常规清洗，然后放入700-900度的炉中预热；3、以高压空气为动力，通过喷枪将化学溶液与高压气体一起混和雾化，喷射在衬底表面；4、反应结晶--反应方程式如5、退火并制作电极由于本发明使稀土复合物半导体材料。采用化学喷涂沉淀工艺，在绝缘耐热的底衬上生长一层具有钙钛矿结构的稀土复合物半导体薄膜，电热元件两端是电极，薄膜生长速度比CVD法快得多，缩短了制作过程，且半导体薄膜材料本身是氧化物，有很好的抗氧化性和抗酸碱腐蚀能力，薄膜与衬底之间分子结合力强，使热稳定性好，在急冷急热冲击下薄膜不易脱落，在高温下不蒸发减薄，克服了现有半导体薄膜电热元件的使用性能差、制作过程复杂等缺点。
以下结合附图及实施例对本发明作进一步描述。
图1为本发明实施例电热元件的结构示意图；图2为本发明实施例的制作框图。
参照图1、图2，在绝缘耐热的底衬1上有一层致密的稀土复合物半导体薄膜2，电热元件两端是电极3，其制法是通过化学溶液制备、衬底清洗及预热、高温化学喷涂、反应沉淀结晶成膜、退火并制作电极等过程，在加热的衬底上生长一层具有钙钛矿结构的稀土复合物半导体薄膜、再制成电热元件，其步骤如下1、化学溶液制备--将A氧化物溶入硝酸溶剂中，形成浓度为1M的溶液C，A为稀土元素和Sr、Ca、Ba、Mg等元素，将B氧化物溶入硝酸溶剂中，形成1M的溶液D，B为Cr、Fe、Co、Mn、Ni、Ti、Sn、Bi和Sb等元素，将C与D按1∶1的比例混和，加入适量活性剂，调节PH值在2左右2、对衬底进行常规清洗，然后放入700-900度的炉中预热；3、以高压空气为动力，通过喷枪将化学溶液与高压气体一起混和雾化，喷射在衬底表面；4、反应结晶--反应方程式如5、退火并制作电极在绝缘耐热的底衬上生长一层具有钙钛矿结构的稀土复合物半导体薄膜，电热元件两端是电极，薄膜生长速度比CVD法快得多，缩短了制作过程，且半导体薄膜材料本身是氧化物，有很好的抗氧化性和抗酸碱腐蚀能力，薄膜与衬底之间分子结合力强，使热稳定性好，在急冷急热冲击下薄膜不易脱落，在高温下不蒸发减薄，克服了现有半导体薄膜电热元件的使用性能差、制作过程复杂等缺点。
权利要求
1.一种半导体薄膜电热元件，其特征是在绝缘耐热的底衬(1)上有一层致密的稀土复合物半导体薄膜(2)，电热元件两端是电极(3)。
2.一种制造权利要求1描述的半导体薄膜电热元件的方法，是通过化学溶液制备、衬底清洗及预热、高温化学喷涂、反应沉淀结晶成膜、退火并制作电极等过程，在加热的衬底上生长一层具有钙钛矿结构的稀土复合物半导体薄膜，再制成电热元件，其步骤如下1、化学溶液制备--将A氧化物溶入硝酸溶剂中，形成浓度为1M的溶液C，A为稀土元素和Sr、Ca、Ba、Mg等元素，将B氧化物溶入硝酸溶剂中，形成1M的溶液D，B为Cr、Fe、Co、Mn、Ni、Ti、Sn、Bi和Sb等元素，将C与D按1∶1的比例混和，加入适量活性剂，调节PH值在2左右；2、对衬底进行常规清洗，然后放入700-900度的炉中预热；3、以高压空气为动力，通过喷枪将化学溶液与高压气体一起混和雾化，喷射在衬底表面；4、反应结晶--反应方程式如5、退火并制作电极。
全文摘要
本发明公开了一种半导体薄膜电热元件,是在绝缘耐热的底衬上有一层致密的稀土复合物半导体薄膜,电热元件两端是电极,其制法是通过化学溶液制备、衬底清洗及预热、高温化学喷涂、反应沉淀结晶成膜、退火并制作电极等过程,缩短了制作过程,且半导体薄膜材料有很好的抗氧化性和抗酸碱腐蚀能力,薄膜与衬底之间分子结合力强,使热稳定性好,在急冷急热冲击下薄膜不易脱落,在高温下不蒸发减薄,克服了现有半导体薄膜电热元件的使用性能差、制作过程复杂等缺点。
文档编号H05B3/26GK1180288SQ9611295
公开日1998年4月29日 申请日期1996年10月3日 优先权日1996年10月3日
发明者黄文德 申请人:黄文德