减反射膜及减反射玻璃的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种减反射膜及减反射玻璃。
【背景技术】
[0002]随着智能触控手机、平板的畅销，越来越多的人养成使用触摸电子产品的习惯，触摸电子产品的屏幕上方具有盖板玻璃。但由于玻璃具有反射光的作用，在室外阳光或室内强光强于LCD背光源的透射光时，玻璃的每个表面都会存在4.2%左右的反射光线反射进人眼，导致眼睛看不清屏幕上显示内容，影响产品的使用。
[0003]现有的减反射玻璃在玻璃基板的单面或者双面制备减反射膜，从而在室外阳光或者室内强光下，光的反射率较低，创造清晰透明的视觉空间，提升触摸电子产品在阳光下或者强光下的可读性。
[0004]然而，现有的减反射膜表面硬度不够高，在使用过程中容易划伤，从而影响产品的美观；同时现有的减反射膜的绝缘阻值在IGQ以下，绝缘性能不佳。
【实用新型内容】
[0005]基于此，有必要提供一种硬度较高且绝缘性能较好的减反射膜及减反射玻璃。
[0006]—种减反射膜，包括依次层叠的四氮化三硅层、第一二氧化硅层、第一一氮化硅层、第二二氧化硅层及第二一氮化硅层；
[0007]所述四氮化三娃层的厚度为1nm?15nm ；
[0008]所述第一二氧化娃层的厚度为50nm?65nm ；
[0009]所述第--氮化娃层的厚度为35nm?45nm ；
[0010]所述第二二氧化娃层的厚度为90nm?105nm ；
[0011]所述第二一氮化娃层的厚度为5nm?1nm0
[0012]在一个实施例中，所述四氮化三娃层的厚度为1nm ;所述第一二氧化娃层的厚度为62nm ;所述第--氮化娃层的厚度为38nm ;所述第二二氧化娃层的厚度为102nm ;所述第二一氮化娃层的厚度为5nm。
[0013]—种减反射玻璃，包括玻璃基板及层叠于所述玻璃基板表面的上述的减反射膜。
[0014]在一个实施例中，所述四氮化三硅层层叠于所述玻璃基板的表面。
[0015]在一个实施例中，所述玻璃基板的材料为高铝玻璃，厚度为0.5 μ m?0.56 μ m。
[0016]在一个实施例中，还包括形成于所述玻璃基板与所述减反射膜之间且依次层叠的第一导电层、第一感光胶层、第二导电层及第二感光胶层，所述第一导电层层叠于所述玻璃基板表面，所述四氮化三硅层层叠于所述第二感光胶层的表面。
[0017]在一个实施例中，还包括形成于所述玻璃远离所述第一导电层的一侧表面的上述的减反射膜。
[0018]在一个实施例中，所述第一导电层为ITO层，厚度为30nm?45nm ;所述第二导电层为ITO层，厚度为200nm?250nm。
[0019]在一个实施例中，所述第一感光胶层的厚度为1.2μπι?1.5μπι ;所述第二感光胶层的厚度为1.2 μ m?1.5 μ m。
[0020]这种减反射膜，包括四氮化三娃层、第一二氧化娃层、第氮化娃层、第二二氧化硅层及第二一氮化硅层，透过率高低结合的合适厚度的膜层结构，使得减反射膜减反射效果较好，应用于电子产品时，在室外阳光或室内强光下光的反射率为1%?2.5% ;通过Si3N4^SiN及3102的结合，使得减反射膜的硬度较好，绝缘电阻大于IG Ω，绝缘性能较好，从而能保证电子产品的绝缘性能。
【附图说明】
[0021]图1为一实施方式的减反射膜的结构示意图；
[0022]图2为一实施方式的减反射玻璃的结构示意图。
【具体实施方式】
[0023]为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受下面公开的具体实施的限制。
[0024]请参阅图1，一实施方式减反射膜100，包括依次层叠的四氮化三硅层20、第一二氧化娃层30、第氮化娃层40、第二二氧化娃层50及第二一氮化娃层60。
[0025]四氮化三硅层20的材料为氮化硅(Si3N4)。Si3N4的折射率为1.7?1.8。采用Si3N4作为四氮化三硅层20的材料，使得四氮化三硅层20的透过率相对较低。
[0026]四氮化三硅层20的厚度1nm?15nm。优选的，四氮化三硅层20的厚度为10nm。
[0027]第一二氧化硅层30的材料为Si02。S12的折射率为1.48。采用S12作为第一二氧化硅层30的材料，使得第一二氧化硅层30的透过率相对四氮化三硅层20较高。
[0028]第一二氧化娃层30的厚度为50nm?65nm。优选的，第一二氧化娃层30的厚度为62nm0
[0029]第一一氮化硅层40的材料为一氮化硅(SiN)。SiN的折射率为2.0。采用SiN作为第一一氮化硅层40的材料，使得第一一氮化硅层40的透过率相对第一二氧化硅层30较低。
[0030]第--氮化娃层40的厚度为35nm?45nm。优选的，第--氮化娃层40的厚度为
38nm。
[0031]第二二氧化硅层50的材料为Si02。S12的折射率为1.48。采用S12作为第二二氧化硅层50的材料，使得第二二氧化硅层50的透过率相对较高。
[0032]第二二氧化娃层50的厚度为90nm?105nm。优选的，第二二氧化娃层50的厚度为 102nm。
[0033]第二一氮化硅层60的材料为SiN。SiN的折射率为2.0。采用SiN作为第二一氮化硅层60的材料，使得第二一氮化硅层60的透过率相对较低。
[0034]第二一氮化娃层60的厚度为5nm?10nm。优选的，第二一氮化娃层60的厚度为5nm0
[0035]上述减反射膜，包括四氮化三娃层20、第一二氧化娃层30、第氮化娃层40、第二二氧化硅层50及第二一氮化硅层60，透过率高低结合的合适厚度的膜层结构，使得减反射膜100减反射效果较好，应用于电子产品时，在室外阳光或室内强光下光的反射率为
1.0%?2.5% ;通过Si3N4、SiN及S12的结合，使得减反射膜100的硬度较好，绝缘电阻大于IG Ω，绝缘性能较好，从而能保证电子产品的绝缘性能。
[0036]上述减反射膜100的制备方法，包括如下步骤:
[0037]S10、提供基底。
[0038]需要说明的是，基底可以为玻璃基板、硅片或者PET膜等，根据需要使用减反射膜100的情况而定。
[0039]优选的，先对基底进行清洗并干燥。
[0040]S20、在基底表面依次沉积四氮化三娃层20、第一二氧化娃层30、第氮化娃层
40、第二二氧化娃层50及第二一氮化娃层60。
[0041]四氮化三硅层20的材料为氮化硅(Si3N4)。Si3N4的折射率为1.7?1.8。采用Si3N4作为四氮化三硅层20的材料，使得四氮化三硅层20的透过率相对较低。
[0042]四氮化三娃层20的厚度1nm?15nm。优选的，四氮化三娃层20的厚度为10nm。
[0043]具体在本实施方式中，四氮化三硅层20由磁控溅射制备，磁控溅射制备四氮化三硅层20的参数为:本底真空度为4.8 X 10 3?5.0 X 10 3Pa,镀膜腔的真空度为2.3X10 3?
2.6X10 3Pa,功率为 3 ?4Kw。
[0044]第一二氧化硅层30的材料为Si02。S12的折射率为1.48。采用S1 2作为第一二氧化硅层30的材料，使得第一二氧化硅层30的透过率相对四氮化三硅层20较高。
[0045]第一二氧化娃层30的厚度为50nm?65nm。优选的，第一二氧化娃层30的厚度为62nm0
[0046]具体在本实施方式中，第一二氧化硅层30由磁控溅射制备，磁控溅射制备第一二氧化硅层30的参数为:本底真空度为4.8 X 10 3?5.0X 10 3Pa,镀膜腔的真空度为2.3X10 3?2.6X10 3Pa,功率为10?12Kw，载气为氮气和氧气的混合气体，氮气和氧气的流量比例为8:1。
[0047]第一一氮化硅层40的材料为一氮化硅(SiN)。SiN的折射率为2.0。采用SiN作为第一一氮化硅层40的材料，使得第一一氮化硅层40的透过率相对第一二氧化硅层30较低。
[0048]第--氮化娃层40的厚度为35nm?40nm。优选的，第--氮化娃层40的厚度为
38nm。
[0049]具体在本实施方式中，第一一氮化硅层40由磁控溅射制备，磁控溅射制备第一一氮化硅层40的参数为:本底真空度为4.8X10 3?5.0X10 3Pa,镀膜腔的真空度为2.3X10 3?2.6X 10 3Pa,功率为5?6Kw，载气为氮气和氧气的混合气体，氮气和氧气的流量比例为9:1。
[0050]第二二氧化硅层50的材料为Si02。S12的折射率为1.48。采用S12作为第二二氧化硅层50的材料，使得第二二氧化硅层50的透过率相对较高。
[0051]第二二氧化娃层50的厚度为90nm?105nm。优选的，第二二氧化娃层50的厚度为 102nm。
[0052]具体在本实施方式中，第二二氧化硅层50由磁控溅射制备，磁控溅射制备第二二氧化硅层50的参数为:本底真空度为4.8 X 10 3?5.0X 10 3Pa,镀膜腔的真空度为2.3 X 10 3?2.6 X 10 3Pa,功率为 18 ?23Kw。
[0053]第二一氮化硅层60的材料为SiN。SiN的折射率为2.0。采用SiN作为第二一氮化硅层60的材料，使得第二一氮化硅层60的透过率相对较低。
[0054]第二一氮化娃层60的厚度为5nm?10nm。优选的，第二一氮化娃层60的厚度为5nm0
[0055]具体在本实施方式中，第二一氮化硅层60由磁控溅射制备，磁控溅射制备第二一氮化硅层60的参数为:本底真空度为4.8X10 3?5.0X10 3Pa,镀膜腔的真空度为
2.3X10 3?2.6X 10 3Pa,功率为2?3Kw，载气为氮气和氧气的混合气体，氮气和氧气的流量比例为100%氮气。
[0056]需要说明的是，四氮化三娃层20、第一二氧化娃层30、第氮化娃层40、第二二氧化硅层50及第二一氮化硅层60不限于采用磁控溅射的方法制备，也可以采用离子束镀膜及蒸镀等其他业内常用的镀膜方法。
[0057]上述减反射膜100的制备方法工艺较为简单，镀膜时均使用硅靶材，一方面工艺简单，另一方面避免了多种靶材相互干扰的情况，因此膜层的颜色和均匀性均较佳。
[0058]请参阅图2，一实施方式的减反射玻璃1000包括依次层叠的第一减反射膜100、玻璃基板200、第一导电层300、第一感光胶层400、第二导电层500、第二感光胶层600及第二减反射膜700。
[0059]第一减反射膜100的结构如图1所示，包括依次层叠的四氮化三硅层20、第一二氧化娃层30、第氮化娃层40、第二二氧化娃层50及第二一氮化娃层