EDOT) !polystyrene sulfonate (PSS))、纳米碳管、纳米银或以上材料的组合。有机导体涂料使用直径为5?100nm，长度小于20um的纳米碳管、纳米银。
[0043]该保护层4，以贴覆于该透明导电层2的一侧及该透明塑料基板I的另一侧上，以包覆该透明导电膜卷材，有利于热压成型作业。在图1中，该保护层4为聚乙烯(polyethylene，PE)、聚酰亚胺(Polyimide，PI)或聚乙稀对苯二甲酸酯(PolyethyleneTerephthalate, PET)，保护层的厚度为50um至250um，可耐热经热压后剥离移除。
[0044]参见图3所示，其中该塑料透明导电膜10的凹陷部内透光率与面电阻变化率大于
0.1%，且小于25%，在透明导电膜10经热压加工后的前述延伸率范围内透光率与面电阻变化率仍维持在10%以内。
[0045]图2是本实用新型的透明导电膜卷材经模具的热压示意图。如图2所示:在本实用新型的透明导电膜10卷材在热压时，先备有一模具5，该模具5具有一母模模仁51及一公模模仁52，将该透明导电膜10卷材置于该母模模仁51及该公模模仁52之间，在加热模压(molding)过程中以模具5热压条件为加温度250?400度，压力8?15Bar，加压时间10?30秒后，进行脱模，再脱模后形成一 3D透明塑料导电层结构20。在图2中，该模具热压条件为加温度350度，压力lOBar，加压时间15秒。
[0046]图3及图4分别是本实用新型的经热压制作形成3D透明塑料导电层结构及图3的侧剖视示意图。如图3所示:在上述经过热压处理后的3D透明塑料导电层结构20成型后，将该保护层4剥离。该3D透明塑料导电层结构20经热压加工后的凹陷部201内透光率与面电阻变化率仍可维持在10%以内，3D透明塑料导电层结构20的立体结构中具有一凹陷部201，该凹陷部201周围具有一弯曲区域202，该弯曲区域202的侧边具有一垂直深度203，该弯曲区域202面积小于5mm2且倒角为半径为Imm的倒角或该弯曲区域202面积大于5mm2且倒角为半径大于2mm的倒角。
[0047]当3D透明塑料导电层结构20的厚度小于150um，该3D透明塑料导电层结构20的弯曲区域202的侧边的垂直深度203小于30mm。
[0048]当3D塑料透明导电层结构20的厚度小于250um，该3D塑料透明导电层结构20的弯曲区域202的侧边的垂直深度203小于50mm。
[0049]上述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用来限定本实用新型的实施范围。即凡依本实用新型的技术构思所做的同等变化与修饰，皆为本实用新型所涵盖。
【主权项】
1.一种3D透明塑料导电层结构，以塑料透明导电膜经热压形成3D透明塑料导电层结构，包括: 一透明塑料基板； 一硬化层，设于该透明塑料基板的一侧； 一透明导电层，设于该硬化层的一侧； 其特征在于，该3D透明塑料导电层结构上具有一凹陷部，该凹陷部周围具有一弯曲区域，该弯曲区域的侧边具有一垂直深度。2.根据权利要求1所述的3D透明塑料导电层结构，其特征在于，该3D透明塑料导电层结构的凹陷部内透光率与面电阻变化率在10%以内。3.根据权利要求1所述的3D透明塑料导电层结构，其特征在于，该弯曲区域面积小于5mm2且倒角为半径为Imm的倒角或该弯曲区域面积大于5mm2且倒角为半径大于2mm的倒角。4.根据权利要求1所述的3D透明塑料导电层结构，其特征在于，该透明塑料基板为聚乙烯、聚酰亚胺、聚乙烯对苯二甲酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯材质，该透明塑料基板的厚度为50 ?200umo5.根据权利要求4所述的3D透明塑料导电层结构，其特征在于，该透明塑料基板的厚度为125um。6.根据权利要求1所述的3D透明塑料导电层结构，其特征在于，该硬化层为紫外线硬化型压克力胶涂料。7.根据权利要求6所述的3D透明塑料导电层结构，其特征在于，该硬化层的厚度为I ?1um08.根据权利要求7所述的3D透明塑料导电层结构，其特征在于，该硬化层的厚度为3um，表面硬度I?3H。9.根据权利要求1所述的3D透明塑料导电层结构，其特征在于，该透明导电层为有机导电涂料，其厚度为10?500nmo10.根据权利要求9所述的3D透明塑料导电层结构，其特征在于，该有机导电涂料为聚3，4-乙撑二氧噻吩、纳米碳管或纳米银。11.根据权利要求10所述的3D透明塑料导电层结构，其特征在于，该有机导体涂料使用直径为5?lOOnm，长度小于20um的纳米碳管、纳米银。12.根据权利要求9所述的3D透明塑料导电层结构，其特征在于，该透明导电层的厚度为10?lOOnm，表面电阻率100?300 Ω / 口，透光率80?95 %。13.根据权利要求9所述的3D透明塑料导电层结构，其特征在于，进一步包含有一保护层，该保护层贴于该透明导电层的一侧及该透明塑料基板的另一侧上。14.根据权利要求13所述的3D透明塑料导电层结构，其特征在于，该保护层为聚乙烯、聚酰亚胺或聚乙烯对苯二甲酸酯。15.根据权利要求14所述的3D透明塑料导电层结构，其特征在于，该保护层的厚度为50um 至 250um。16.根据权利要求1所述的3D透明塑料导电层结构，其特征在于，该3D透明塑料导电层结构的厚度小于150um，该3D透明塑料导电层结构的弯曲区域的侧边的垂直深度小于30mmo17.根据权利要求1所述的3D透明塑料导电层结构，其特征在于，该3D塑料透明导电层结构的厚度小于250um，该3D塑料透明导电层结构的弯曲区域的侧边的垂直深度小于50mmo
【专利摘要】一种3D透明塑料导电层结构，以塑料透明导电膜经热压形成3D透明塑料导电层结构，包括：一透明塑料基板、一硬化层及一透明导电层。硬化层设于该透明塑料基板的一侧。该透明导电层设于该硬化层的一侧。其中，该3D透明塑料导电层结构上具有一凹陷部，该凹陷部周围具有一弯曲区域，该弯曲区域的侧边具有一垂直深度，且该3D透明塑料导电层结构的凹陷部内透光率与面电阻变化率在10％以内。
【IPC分类】B32B27/06
【公开号】CN204936386
【申请号】CN201520415383
【发明人】张裕洋, 刘修铭, 陈耀宗, 丁定国
【申请人】位元奈米科技股份有限公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2015年6月16日