专利名称：一种多通道电极微芯片、其制备方法及应用的制作方法
技术领域：
本发明涉及微芯片领域。具体地说，本发明涉及一种集分离、分析和检测于一体的多通道电极微芯片。
背景技术：
自1995年DNA芯片的诞生后，各种基因芯片以微电子学的并行处理和高密度集成技术为特征、以高通量、微型化、智能化等为鲜明优点已在疾病诊断与预测、药物筛选、基因表达谱分析、新基因的发现、基因突变检测及多态分析、基因组文库作图及基因测序等领域获得了引人注目的成就，包括从学术研究到商业应用的全方位的空前发展。通过寡聚核苷酸原位合成、显微打印等技术目前已经可以实现二维乃至三维分辨的快速、并行、高效的检测或诊断，国内外均已出现多家专业从事DNA芯片研究和生产的公司，据估计到2010年基因芯片的全球销售额将高达1400亿美元。基因芯片技术不仅使人类基因组计划缩短了若干年，同时促使后基因组时代和蛋白质组学的迅速到来。将分析检测系统微型化后集成到一块微小芯片上，可望实现分析量少、测试速度快、灵敏度高、检测极限低、多通道、高通量等多项特点。这种分析芯片在微小的空间内集成了大量的敏感元，结合微芯片相关的测试及数据处理手段，将可进一步发展可实现原位、在线的微全分析系统，给传统生物分析和临床检测带来根本变革。
微芯片由为特定分析而设计的微型管道(包括微型通道、微型反应池等)和相应介质组成。目前的微芯片的检测方法主要是基于激光诱导产生荧光或化学发光两种手段，两者都需要借助光谱仪测定相关识别反应产生的发光强度，尤为重要的是这两种方法均需在体系中加入荧光试剂或发光试剂对反应物或产物作标记才能进行后续检测。而该标记过程极易对检测对象的测定带来干扰，使目标物的测定的准确性产生误差，同时产生的干扰信号会影响测定的特异性。
发明内容
本发明的一个目的是提供了一种微芯片，它由分离液进样口和微电极反应池、检测液进样口、各进样口和反应池之间的通道引线和电极组成；分离液进样口和微电极反应池一一对应，分别处于分离管道的两端，由分离管道相通；检测液进样口通过进样管道与每一根分离管道相通；每个进样口分别与一个可外接电压控制设备的电极相连；每个微电极反应池中都含有一个由对电极、工作电极和参比电极组成的三电极系统。
本发明的另一个目的是提供了上述微芯片的制备方法，它包括以下步骤1.在一块基质上制作出各进样口和反应池口；2.在另一块基质上制作出各进样口和反应池之间通道并嵌入引线和电极；3. 合并两块基质。
本发明的再一个目的是提供了上述微芯片的的应用，将芯片与控制设备连接，加入分离液和样品，通过控制电压完成样品的分离、分析和检测。
本发明提供了一种微芯片，它由分离液进样口和微电极反应池、检测液进样口、各进样口和反应池之间的通道引线和电极组成；分离液进样口和微电极反应池一一对应，分别处于分离管道的两端，由分离管道相通；检测液进样口通过进样管道与每一根分离管道相通；每个进样口分别与一个可外接电压控制设备的电极相连；每个微电极反应池中都含有一个由对电极、工作电极和参比电极组成的三电极系统。
作为基质的材料可以是硅、普通玻璃、优质石英以及有机高聚物等。在本发明的一个实施例中，采用玻璃作为基质。
该芯片的尺寸和分离液进样口、检测液进样口、分离通道、进样通道的数量均可根据集成度和实际需要确定。
微芯片在进样口、检测池与外接控制设备之间通过引线和电极连接。该引线和电极可采用各种金属材料制成。在本发明的一个实施例中采用了鉻金材料制作了引线和电极。
本发明的微芯片可以由两块基质加工而成，一块含有进样口和测试池孔，称为A片；另一块含有各进样口和反应池之间的通道以及与进样口相连的电极，称为B片。
A片和B片的厚度可根据实际需要确定。经过我们的测试发现，就玻璃材料而言，0.1～0.2mm厚是A片的首选，1～2mm厚是B片的首选。
A片表面结构包括分离液进样口(1)、待测液进样口(2)及检测池(3)。其中分离液进样口(1)为直径为1mm、高为A片厚度的圆孔；待测液进样口(2)为直径为1mm、高为A片厚度的圆孔；检测池(3)为直径为3mm、高为A片厚度的圆孔。
B片结构包含各种电极、引线、分离通道(4)和进样通道(5)。其中从每一分离液进样口(1)至对应的检测池(3)之间为直径约50～80μm的分离通道(4)；与分离通道(4)交叉的连接检测液进样口(2)之间的直径约50～80μm的进样通道(5)；用于分离液进样口(1)的电渗流加电压的电极(6)；用于待测液进样口(2)的电渗流加电压的电极(7)；用于检测池电渗流加电压的电极(8)；用于样品信号检测的三电极系统。每只电极的尺寸为长5mm，宽1mm。
用于样品信号检测的三电极系统的结构如图2所示。工作电极(11)直径为0.5～0.8mm，金膜厚度200-400nm；对电极(12)直径0.7～1.1mm，金膜厚度200～400nm；银参比电极(13)直径0.7～1.1mm，底层金膜厚度150～350nm，加表面50nm银膜；对电极(12)引出线(14)，工作电极(11)引出线(9)，参比电极(13)引出线(10)。三根引出线的尺寸均为长2～3mm，宽0.2～0.3mm，厚度200～400nm的金膜。
上述微芯片可通过以下步骤制备1.在一块基质上制作出各进样口和反应池口；2.在另一块基质上制作出各进样口和反应池之间通道并嵌入引线和电极；3.合并两块基质。
如前所述，作为基质的材料可以是硅、普通玻璃、优质石英以及有机高聚物等。在本发明的一个实施例中，采用玻璃作为基质。
制作各进样池和通道的方法也有多种，在本发明的一个实施例中，采用紫外蚀刻法。蚀刻A片和B片前，要先设计、制作相应掩膜。制作掩膜要考虑以下几个因素进样泳道和分离泳道的宽度、长度、管道的形状(包括弯道、弧度、不规格形状等)、管道的距离等进行芯片图形设计，将设计好的图形制作成掩膜版。
1.A片的制作过程。A片制作包括分离液进样口(1)、待测液进样口(2)及检测池(3)的制作。在用紫外光蚀刻方法蚀刻A片时，除了常规技术，我们还在玻璃片底下垫一张黑色的吸光纸并降低曝光时间以降低漫反射。具体制作过程为(1)清洗把玻璃片在鉻酸里浸泡12小时，取出后用去离子水冲洗干净。在红外灯下烘干，然后放入温度为120℃的烘箱烘烤15分钟，全面去除表面水分，使涂胶时不至于脱胶。
(2)涂胶。采用负胶，使用两次旋转涂胶方式，尽可能的保护玻璃片表面不被HF侵蚀。
(3)前烘20分钟，75℃。
(4)曝光一般来说，对于负胶，清洗之后不需要再打膜；但我们做实验的时候发现负胶清洗后表面有一层薄膜致使玻璃腐蚀受到阻碍。该薄膜在被刮后肉眼可见，表明其实并非是一般去胶后需要打膜的残留物。为此，我们在玻璃片底下垫一张黑色的吸光纸并降低曝光时间。
(5)显影。显影时间为8分钟，然后在清洗液中清洗1-1.5分钟。
(6)坚膜。坚膜之前先让清洗完毕的玻璃片自然晾干。坚膜时间为30分钟。
(7)腐蚀为了较好的保护玻璃片，我们选择在较高的温度，浓度较大的HF中腐蚀。另外，在没有涂光刻胶的背面，我们用黑蜡或者黄蜡保护。
我们采用了以下两种腐蚀方法(1)蜡+生料带用黑蜡涂布于玻璃片背面，趁其未干，包裹上生料带，并且玻璃片边缘也用生料带保护好。玻璃片正面中心区域有光刻胶的地方也用黑蜡做一下保护，使得针孔减少到最低限度。
(2)黄蜡用黄蜡保护玻璃片背面，同时也保护玻璃片正面中心区域减少针孔。
玻璃在腐蚀完成后在其孔中充满着反应产物，应该马上将其取出来，冲洗后将其放在另一平整的玻璃片(或者其他平整的面片上)，用刷子刷洗反应残留物，防止其干后固化。然后将其放置在甲苯溶液中去除黄蜡或者黑蜡。对于有黄蜡保护的光刻胶区域，不易去除光刻胶，可用H2O2∶H2SO4约为1∶4的混合液加热去除，同时也起到清洗玻璃片表面的作用。
2.B片的制作方法和过程。B片结构包含各种电极、引线、分离通道(4)和进样通道(5)，制作过程为B片共有4×8+8+6＝46个引出脚，采用200-400nm厚的鉻金材料。引出脚分别为分离液进样口(1)对应的电渗流加电压的电极(6)，待测液进样口(2)的电渗流加电压的电极(7)；用于检测池电渗流加电压的电极(8)和用于样品信号检测的三电极系统。每只电极的尺寸为长5mm，宽1mm。
三电极系统的结构如图2所示。工作电极(11)直径为0.5～0.8mm，金膜厚度200-400nm；对电极(12)直径0.7～1.1mm，金膜厚度200～400nm；银参比电极(13)直径0.7～1.1mm，底层金膜厚度150～350nm，加表面50nm银膜；还包括对电极引出线(14)，工作电极引出线(9)，参比电极引出线(10)。三根引出线的尺寸均为长2～3mm，宽0.2～0.3mm，厚度200～400nm的金膜。多进样通道和多分离通道保证了本芯片的高通量性能。
电极制作的基本要求是电极和引线“镶嵌”在衬底中，使得在接下来的A、B片粘合中不至于由于引线而使衬底和覆盖层接触不良。其主要制作步骤包括刻槽、刻引线凹陷和蒸金去胶成引线。
作为衬底的材料可以是硅、普通玻璃、优质石英以及有机高聚物等。在本发明的一个实施例中，采用了玻璃和硅作为衬底，其中硅衬底又分为表面带氧化层的硅以及未氧化的硅。
下面以制版玻璃片为例说明制作过程(1)清洗。因为制版片子表面有涂层，所以放置在浓硫酸中除去涂层。同样放置在鉻酸中浸泡12小时，取出在去离子水中冲洗干净。放置在红外灯下照射干，然后放进120℃烘箱去除表面吸附水份。
(2)涂负胶。前烘20分钟。
(3)曝光，显影，清洗，坚膜。此过程与制作A片相同。
(4)腐蚀在40％浓HF中40℃下腐蚀速率约为100um/10min，该速率会随着厚度增加而减小。此次腐蚀背面是用黑蜡来保护的，同时将玻璃衬底放置平整的腐蚀方式，消除了因热产生的流体取向性造成的槽的边缘不平整性。
(5)腐蚀完成后，在去离子水的冲洗下用刷子刷掉腐蚀的反应产物，将玻璃片冲洗干净，防止残余HF造成的额外腐蚀。
(6)蒸鉻金形成电极和引线。
首先，清洗已经刻好槽的玻璃片，重新用手工的方式在槽的区域涂布上一层厚的光刻胶，从而消除了金在槽边缘的积累。烘干，涂正胶，前烘，曝光，显影，清洗，坚膜。
其次，测量玻璃在H2O∶HF＝20∶1中的腐蚀速率。我们测量得到是2970A/5min，也就是说约为600A/min。而蒸的金的厚度一般也为500～600A左右。所以，我们把坚膜好的玻璃衬底在20∶1的HF中漂了1分钟，清洗烘干后蒸鉻蒸金。
然后，在甲苯溶液中通过振动将光刻胶去除，从而把引线留下来了。
3.芯片接合。
该步骤是芯片制作的最后的一步，也是最关键的一步。对于玻璃与玻璃接合，一般可用热接合，也可以使用阳极接合。我们在本发明的一个实施例中是采用热接合。热接合一般可以分为两种亲水表面接合和憎水表面接合。亲水表面是表面带有OH-，并且OH-极化。所以对于双极性分子，如水分子，将会被吸引。而憎水表面不存在极性微粒，所以水分子将不会被吸引。
对于亲水表面，主要是OH-之间建立起的氢键促使接合形成；对于憎水表面，主要是存在的H原子，它在几小时内阻止表面氧化物的生成；而H原子和H原子之间的范德华力促使了接合的形成。
具体的制作步骤(1)洗涤。首先放在丙酮溶液中擦洗，这个主要是清洗有机物杂质。然后可以用甲醇或者乙醇擦洗干净残留的丙酮。然后将盖玻片和玻璃衬底放置在H2SO4∶H2O2约为4∶1的清洗液中加热清洗。由于对于玻璃和玻璃的接合，亲水基OH-并非必需，所以可以不进行表面的水解。当然，如前所述，为了有助于接合，我们使用了NH4OH加热作为表面水解，以使其产生亲水基OH-。
(2)真空。少量的水份是有助于接合，但是过多的水分子会阻碍接合。所以在加热接合之前，要在将接触的玻璃之间的水份尽可能的抽真空抽掉。一方面是防止水的破坏作用，另一方面也是利用大气压将需要接合的两块玻璃紧紧的合在一起，并且充分接触。
(3)热接合。尽可能的使玻璃产生一个较“软”的状态，也就是适当的要把温度抬高一点，但是又不能使玻璃熔化。在本发明的一个实施例中，采用了在615～620℃下退火半小时，自然冷却，同时在接合玻璃上面压上重物促进接合。
从检测结果上来讲，按上述热接合方法的芯片总体接合效果很好，所有的通道和电极均达到设计要求。本发明采用的检测系统为集成的微三电极系统，测定的信号为特异性识别反应产生的电化学参数(如电流、电位、电导、电容或阻抗等)的变化，在整个测定过程中无需加入标记化合物，因此，本发明是一种无标记的直接检测方法，因而呈现了与目前方法的相比更高的灵敏度和选择性， 同时这种集多路进样、分离和检测于一体的微芯片分析系统可以高效率、高通量地分析多种样品。
本发明还提供了上述微芯片的应用，即将芯片与控制设备连接，加入分离液和样品，控制电压完成样品的分离、分析和检测。其原理是，在电场的作用下，利用样品中各成分在缓冲液中迁移率的不同而实现分离，分离后的样品中的待测离子依次通过设在微芯片一端的检测池检出。多进样通道和多分离通道保证了本芯片的高通量性能。
具体检测步骤如下1)将所有芯片上三电极的引出极(14、9、10)连接到电化学分析仪(如C8-1040，上海辰华仪器公司)的相应的工作电极接线、对极接线和参比电极接线端口。
2)将微流控芯片高压电源(如CDY-500L，山东省化工研究院仪器仪表研究所)的加电压接线分别连接分离液进样口、待测液进样口及检测池的引出极(6、7和8)。
3)将电化学分析仪的方法设置和参数设置按需要进行设定。
4)将微流控芯片高压电源的电压施加方式按需要在CDY-500L的控制程序中进行设定。
5)取预先配置好的分离缓冲液用微蠕动泵注入分离液进样口1，开启CDY-500L设定的分离电压运行程序，分离液以缓慢的速度进入分离通道d1-d8。待分离液充满通道并进入检测池(3)后，用微量注射器将被分析样品注入待测液进样口(2)，开启CDY-500L设定的进样电压运行程序，样品将缓慢进入进样通道并与各检测通道交叉汇合，并被分离缓冲液带入检测池(3)。开启已设定完毕的C8-1040的运行软件，对进入检测池的样品进行测定。
本发明可用于分离、分析和检测化工、生物、医药等行业的样品。本发明的芯片使用后可以清洗管道以便重复使用。
图1为多道进样、分离、检测集成型分析芯片设计示意图。其中1为分离液进样口、2为待测液进样口，3为检测池，4为分离通道、5为进样通道、6为用于分离液进样口的电渗流加电压的电极、7为用于待测液进样口的电渗流加电压的电极、8为用于样品信号检测的对电极引出线，9为用于样品信号检测的工作电极引出线，10为用于样品信号检测的参比电极引出线。
图2为用于样品信号检测的三电极系统示意图。11为工作电极直径为0.5～0.8mm，金膜厚度200-400nm；12为对电极直径0.7～0.9mm，金膜厚度200～400nm；13为银参比电极直径0.7～0.9mm，底层金膜厚度150～350nm，加表面50nm银膜；14为对电极引出线，9为工作电极引出线，10为参比电极引出线。三根引出线的尺寸为长2～3mm，宽0.2～0.3mm，厚度200～400nm的金膜。
图3为B片表面引线和通道的平面示意图。其中，4为分离通道、5为进样通道、6为用于分离液进样口的电渗流加电压的电极、7为用于待测液进样口的电渗流加电压的电极、14为用于样品信号检测的对电极引出线，9为用于样品信号检测的工作电极引出线，10为用于样品信号检测的参比电极引出线，15为连接电极和通道引线。
具体实施例方式
实施例1A片的制作A片制作包括分离液进样口、待测液进样口及检测池的制作，制作过程为(1)清洗取一块4cm*3.5cm，厚度为0.1毫米的玻璃片，在鉻酸里浸泡12小时，取出后用去离子水冲洗干净。在红外灯下烘干，然后放入温度为120℃的烘箱烘烤15分钟，全面去除表面水分，使涂胶时不至于脱胶。
(2)涂胶。采用负胶，使用两次旋转涂胶方式，尽可能的保护玻璃片表面不被HF侵蚀。
(3)前烘20分钟，75℃。
(4)曝光为了保证曝光显影的质量，我们在通常的曝光步骤前在玻璃片底下垫一张黑色的吸光纸并降低了曝光时间。
(5)显影。在显影液中显影8分钟，然后在清洗液中清洗1.5分钟。
(6)坚膜。坚膜之前先让清洗完毕的玻璃片自然晾干，避免在进行高温坚膜的时候水汽蒸发而使得光刻胶脱胶。坚膜时间为30分钟。
(7)腐蚀我们选择在40％浓HF中40℃下腐蚀10分钟。另外，在没有涂光刻胶的背面，我们用黑蜡或者黄蜡保护。
A片玻璃表面结构包括分离液进样口、待测液进样口及检测池。其中包括8个分离液进样口(1)，分别为直径为1mm、高为A片厚度的圆孔；6个待测液进样口(2)，分别为直径为1mm、高为A片厚度的圆孔；8个检测池(3)，分别为直径为3mm、高为A片厚度的圆孔。
实施例2B片的制作(1)清洗。取一块4cm*3.5cm，厚度为1毫米的制版玻璃，先放置在浓硫酸中除去涂层；然后放置在鉻酸中浸泡12小时，取出在去离子水中冲洗干净；随后，放置在红外灯下照射干，再放进120℃烘箱去除表面吸附水份。
(2)涂负胶。前烘20分钟。
(3)曝光，显影，清洗，坚膜。此过程与制作A片相同。
(4)腐蚀在40％浓HF中40℃下腐蚀4分钟。
(5)腐蚀完成后，在去离子水的冲洗下用刷子刷掉腐蚀的反应产物，将玻璃片冲洗干净，防止残余HF造成的额外腐蚀。
(6)蒸鉻金形成电极和引线。其具体过程如下首先，清洗已经刻好槽的玻璃片，重新用手工的方式在槽的区域涂布上一层厚的光刻胶。烘干，涂正胶，前烘，曝光，显影，清洗，坚膜。
其次，把坚膜好的玻璃衬底在20∶1的HF中漂了1分钟，清洗烘干后蒸鉻蒸金。
然后，在甲苯溶液中通过振动将光刻胶去除，从而把引线留下来了。
最后得到的B片如图3所示。B片共有4×8+8+6＝46个引出脚，采用300nm厚的鉻金材料。引出脚分别为分离液进样口对应的电渗流加电压的电极(6)，待测液进样口的电渗流加电压的电极(7)；用于检测池电渗流加电压的电极(8)和用于样品信号检测的三电极系统。每只电极的尺寸为长5mm，宽1mm。B片结构还包含各种电极、引线、分离通道(4)、进样通道(5)。横通道为为检测样品输送通道，竖通道为缓冲液输送通道。用于样品信号检测的三电极系统如图2所示。11为工作电极直径为0.6mm，金膜厚度300nm；12为对电极直径0.9mm，金膜厚度300nm；13为银参比电极直径0.9mm，底层金膜厚度250nm，加表面50nm银膜；14为对电极引出线，9为工作电极引出线，10为参比电极引出线。三根引出线的尺寸为长3mm，宽0.2mm，厚度300nm的金膜。
实施例3A片和B片的接合(1)洗涤。首先，放在丙酮溶液中擦洗。然后，可以用甲醇或者乙醇擦洗干净残留的丙酮。随后，将盖玻片和玻璃衬底放置在H2SO4∶H2O2约为4∶1的清洗液中加热清洗。为了有助于接合，我们使用了NH4OH加热作为表面水解。
(2)真空。少量的水份是有助于接合，但是过多的水分子会阻碍接合。所以在加热接合之前，要在将接触的玻璃之间的水份尽可能的抽真空抽掉。
(3)热接合。采用在615～620℃下退火半小时，自然冷却，同时在接合玻璃上面压上重物促进接合。
实施例4微芯片的应用多泳道内铅离子浓度的同时测定(1)将芯片上三电极的引出极(即14、9、10)连接到8通道电化学分析仪(如C8-1040，上海辰华仪器公司)的相应的8个工作电极接线、8个对极接线和8个参比电极接线端口。将微流控芯片高压电源(如CDY-500L，山东省化工研究院仪器仪表研究所)的加电压接线(共22根)分别连接分离液进样口、待测液进样口及检测池的引出极(6、7和8)。
(2)将8通道电化学分析仪的方法设置和参数设置按需要进行设定，包括每个检测池内工作电极电沉积铅离子的预富集电压Vi(-0.5～-0.8V vs.Ag/AgCl)，反向溶出扫描速度v(0.01V/s 0.05V/s)，扫描终点电压Vh(-0.2V～-0.1V)电压扫描范围，扫描脉冲幅值(30～60mV)，扫描脉宽(0.03～0.07s)；将微流控芯片高压电源的电压施加方式按需要在CDY-500L的控制程序中进行设定(一般为200～300V)；取预先配置好的分离缓冲液用8通道微蠕动泵注入分离液进样口(1)，开启CDY-500L设定的分离电压运行程序，分离液以缓慢的速度进入分离通道(4)。
(3)待分离液充满通道并进入检测池(3)后，用微量注射器将被分析样品(不同浓度的铅离子标准溶液)注入待测液进样口(2)，开启CDY-500L设定的进样电压运行程序，样品缓慢进入进样通道并与各检测通道交叉汇合，并被分离缓冲液带入检测池(3)。开启已设定完毕的C8-1040的运行软件，对进入8个检测池的样品进行测定。
(4)经过一系列的优化，检测池的实验条件为控制工作电压-0.7v条件下电镀120秒，静止15秒后，反向扫描至-0.2v。其中扫描速度0.02V/s，脉冲幅值amp＝0.05V，脉宽pw＝0.05s。在待测液进样口(2)进样不同浓度的铅离子，8个检测池中可得到8组良好的标准溶液溶出峰。测定这些溶出峰的峰电流，即可建立峰电流与铅离子浓度所对应的线性相关关系，从而达到快速检测多个泳道内待测铅离子的浓度。结果表明，进样5×10-5mg/L的标准浓度的铅离子，8个检测器的得到的平均检测浓度为4.97±0.15×10-5mg/L，相对标准偏差为3.1％；进样8×10-4mg/L的标准浓度的铅离子，8个检测器的得到的平均检测浓度为7.96±0.14×10-5mg/L，相对标准偏差为1.8％。
权利要求
1.一种微芯片，其特征在于，它由分离液进样口和微电极反应池、检测液进样口、各进样口和反应池之间的通道引线和电极组成；分离液进样口和微电极反应池一一对应，分别处于分离管道的两端，由分离管道相通；检测液进样口通过进样管道与每一根分离管道相通；每个进样口分别与一个可外接电压控制设备的电极相连；每个微电极反应池中都含有一个由对电极、工作电极和参比电极组成的三电极系统。
2.如权利要求1所述的微芯片，其特征在于，它是由玻璃作为基质的。
3.如权利要求1所述的微芯片，其特征在于，在进样口、检测池与外接控制设备之间通过引线和电极相连。
4.如权利要求2所述的微芯片，其特征在于，它是由两块玻璃接合而成，一块含有进样口和测试池孔，另一块含有各进样口和反应池之间的通道以及与进样口相连的电极。
5.如权利要求4所述的微芯片，其特征在于，含有进样口和测试池孔的玻璃厚度为90-200微米，而含有各进样口和反应池之间的通道以及与进样口相连的电极的玻璃的厚度为1-2毫米。
6.一种如权利要求1所述微芯片的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤(1)在一块基质上制作出各进样口和反应池口；(2)在另一块基质上制作出各进样口和反应池之间通道并嵌入引线和电极；(3)合并两块基质。
7.一种如权利要求1所述微芯片的制备方法，其特征在于，它是由玻璃作为基质的。
8.一种如权利要求7所述微芯片的制备方法，其特征在于，在制作各进样口、反应池口和通道时，用紫外线进行光蚀刻，并在与紫外线光源相对的玻璃侧面垫上一张黑色吸光纸，以减少漫反射。
9.一种如权利要求1所述微芯片的应用，其特征在于，将芯片与控制设备连接，加入分离液和样品，控制电压完成样品的分离、分析和检测。
全文摘要
目前，各种基因芯片以微电子学的并行处理和高密度集成技术为特征、以高通量、微型化、智能化等为鲜明特点已在疾病诊断与预测、药物筛选、基因表达谱分析、新基因的发现、基因突变检测及多态分析、基因组文库作图及基因测序等领域获得了引人注目的成就。本发明的微芯片将多路进样、分离和检测集于一体并采用集成的微三电极检测系统，通过测定特异性反应所产生的电化学参数变化来实现样品的分离、分析和检测。在整个测定过程中无需加入标记化合物，消除了目前基于激光诱导产生荧光或化学发光手段进行检测而导致的目标物测定的准确性或特异性的降低。本发明不仅可以高效率、高通量地分析多种样品，而且，与目前方法的相比具有更高的灵敏度和选择性。
文档编号C12Q1/68GK1563420SQ200410017098
公开日2005年1月12日 申请日期2004年3月22日 优先权日2004年3月22日
发明者孔继烈, 史绵红, 林茵殷, 刘宝红, 张松, 黄宜平 申请人:复旦大学