24]图5B更加详细地示出了单矩阵支路504，示出了该单矩阵支路504具有双弯曲结构，其被配置用来插入至后管壶腹内。端部榖5041包括定位指示器5047和塞端部5046。塞轴环5044在单矩阵支路504的远端处从塞端部5046以第一离散角α弯曲，用以在前庭入口位置处刺入前庭结构内。内-前庭电极矩阵5042在后跟端部5045处从塞轴环5044以第二离散角β弯曲，并且具有外表面，该外表面带有一个或多个电极触头5043，用于将刺激信号传输至前庭结构内目标位置处的前庭神经组织。
[0025]第一和第二离散角α和β构成了塞轴环5044和内-前庭电极矩阵5042的几何结构，该几何结构限制了内-前庭电极矩阵5042超过前庭结构内目标位置的插入。内-前庭电极矩阵5042具有至少三个电极触头5043，用来从植入之后进行选择，用以提供补偿变化的解剖和植入深度变化的能力。单矩阵支路504的双弯曲结构不仅限制了过度插入，还防止了植入后的移动，并确保了在植入之后内-前庭电极矩阵5042将平行于所插入的管。单矩阵支路504的机械特性和其双弯曲结构能够通过将其它控制材料嵌入至硅树脂主体材料进行定制。
[0026]在优选的实施例中，端部榖5041在电极矩阵5042插入至后管中之后基本上平行于后管延伸。进一步地，端部榖5041和前庭电极矩阵5042可以相对于彼此基本平行。在另一个优选的实施例中，后跟端部5045可以超过塞轴环5044，但是沿相反的方向延伸到前庭电极矩阵5042。
[0027]图5C更加详细地示出了双矩阵支路505，该双矩阵支路505包括基部榖5051和塞桥5052，其构成了具有两个内-前庭支路矩阵5053的叉形，该内-前庭支路矩阵5053具有一个或多个电极触头5054，该电极触头5054被配置用于插入至彼此相邻的横向且上管壶腹。端部隆起部5055限制了电极支路5053外科手术后从管壶腹向外退出。双矩阵支路505的几何结构预先限定两个内-前庭支路矩阵5053之间的距离为解剖学上的优选值，其在手术插入期间简化了处理，并防止了超过预期目标位置的过度插入。
[0028]单支路内-前庭电极矩阵5042和双支路内-前庭支路矩阵5053是符合任意工程学地预先-成型，它们适合前庭结构的解剖学。这还改善了手术处理，一旦植入矩阵当中的一个，其它矩阵将自动地靠近其预期的插入位置。还可以在没有手征性的情况下施加电极500，用以避免对于特定的左耳和右耳版本的需求。单支路内-前庭电极矩阵5042与双支路内-前庭支路矩阵5053之间分叉的120°设计优化了电极500的整体机械特性，并使其更加易于在分叉处断线。
[0029]图6示出了根据本发明的实施例的前庭刺激电极的照片，该前庭刺激电极已经植入至颞骨处的前庭结构内。人体工程学设计最小化了从电极引线的外-前庭部分向植入的电极矩阵的转矩和力。
[0030]图7示出了根据本发明的实施例的参考前庭电极700的实例。在该实例中，参考前庭电极700是普通的胫电极，该胫电极适合插入至前庭迷路或颞肌下的头盖骨。参考电极引线701的远端702具有双弯曲几何结构，类似于源自前庭刺激电极的有效部分的单支路内-前庭电极矩阵的几何结构。远端702包括塞端部7021和塞轴环7022，该塞轴环从远端以第一离散角弯曲。内-前庭电极支路7024在后跟端部7023从塞轴环7022以第二离散角弯曲，并且具有端部尖端电极触头7025，用来在外科植入之后构成与附近组织的电连接。并且与有效内-前庭电极支路一样，远端702的双弯曲几何结构防止了内-手术过度插入和手术后的移动，并且确保了远端702的植入部分将在植入之后平行于前庭管。
[0031]在特定的实施例中，双弯曲几何结构不必平行于前庭管或外-前庭引线端结。而是，取决于优选的插入角度可以实现任意预期的角度。双弯曲几何结构的角度能够通过设计，通过形状记忆，或者通过由外科医生根据他或她的需求手工弯曲进行调整。
[0032]根据申请人的知识，目前不存在已经使用了该类双弯曲结构的前庭刺激电极。图8A示出了单弯曲刺激电极支路804的实例，其插入穿过钻在目标壶腹803与相邻的半规管801之间的骨802上的孔。图8B示出了另一个刺激电极支路805的另一个实例，其插入穿过钻在半规管801的骨802进一步靠后的骨802中的孔。在这两个实例中，电极支路插入的部分将不再与半规管801平行。这使得任何声称该电极几何结构简单地凭借具有细小直径电极不会压缩膜状迷路变得可疑。具有在半规管801的骨802中相对大的钻孔，电极支路的插入角度能够被减小，而且最小化了插入创伤和手术后炎症的风险，更小的孔可能是优选的。
[0033]如图9所示的双弯曲结构电极904允许平行于管901插入通过管901的骨902中相对小的孔至目标壶腹903。值得注意的是，管901中孔的位置将限定双弯曲结构电极904的插入深度，并且任何手术上的孔的位置变化直接影响插入深度。另一方面，在良好的手术技术和清楚限定的解剖标志的帮助下，手术差异能够得以降低至导致清楚限定的插入深度的小值。手术差异和解剖公差能够通过在插入的电极支路的不同电极触头之间(至少部分地)得到补偿。
[0034]尽管已经公开了本发明各种不同的实例实施例，但对所属领域技术人员来说在不脱离本发明真正范围的情况下做出将实现本发明一些有益效果的各种改变和变型应当是显而易见的。
【主权项】
1.一种前庭刺激电极引线，用于传导由植入的前庭刺激模块产生的电刺激信号，所述电极引线包括: 外-前庭引线支路，所述外-前庭引线支路用于从所述刺激模块向前庭入口位置传送所述刺激信号； 塞轴环，所述塞轴环从所述外-前庭引线支路的远端以第一离散角弯曲，以在所述入口位置处刺入前庭结构内；以及 内-前庭电极矩阵，所述内-前庭电极矩阵从所述塞轴环以第二离散角弯曲，并且具有外表面，所述外表面带有一个或多个电极触头，用于将所述刺激信号传输至所述前庭结构内目标位置处的前庭神经组织。2.根据权利要求1所述的电极引线，其中，所述离散角构成了所述塞轴环和内-前庭电极矩阵的几何结构，所述几何结构限制了所述内-前庭电极矩阵超过所述前庭结构内目标位置的插入。3.根据权利要求1所述的电极引线，其中，所述内-前庭电极矩阵具有至少三个电极触头。4.根据权利要求1所述的电极引线，其中，所述前庭结构包括前庭管壶腹。5.根据权利要求4所述的电极引线，其中，所述前庭管壶腹包括后管壶腹。6.根据权利要求1所述的电极引线，其中，所述电极引线构成非对掌的形状。7.一种前庭植入系统，具有至少一个根据权利要求1至6中任一项所述的电极引线。8.一种前庭植入系统，具有多个根据权利要求1至6所述的电极引线。
【专利摘要】描述了前庭刺激电极引线，用于传导由植入的前庭刺激模块产生的电刺激信号。外-前庭引线支路从刺激模块向前庭入口位置传送刺激信号。塞轴环从外-前庭引线支路的远端以第一离散角弯曲，用以在入口位置处刺入前庭结构内。内-前庭电极矩阵从塞轴环以第二离散角弯曲，并且具有外表面，该外表面带有一个或多个电极触头，用于将刺激信号传输至前庭结构内目标位置处的前庭神经组织。第一和第二离散角构成了塞轴环和内-前庭电极矩阵的几何结构，该几何结构限制了内-前庭电极矩阵超过前庭结构内目标位置的插入。
【IPC分类】A61N1/05
【公开号】CN105188836
【申请号】CN201480007647
【发明人】查尔斯·科尔曼·德拉圣纳, 安德烈亚斯·马克斯
【申请人】Med-El电气医疗器械有限公司, 约翰斯霍普金斯大学
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2014年2月14日
【公告号】EP2956209A1, US9289598, US20140228926, WO2014127187A1