制造化合物半导体器件的方法和洗涤剂的制作方法

专利名称：制造化合物半导体器件的方法和洗涤剂的制作方法
技术领域：
在此讨论的实施方案涉及制造化合物半导体器件的方法和洗涤剂。
背景技术：
近年来，已积极地开发出电子器件(化合物半导体器件)，其中GaN层和AlGaN层顺序设置在衬底上，GaN层用作电子传输层。所述化合物半导体器件的实例是基于GaN的高电子迁移晶体管(HEMT)。在基于GaN的HEMT中，利用AlGaN和GaN之间异质结面上产生的高浓度二维电子气(2DEG)。GaN的带隙是3. 4eV并大于Si的带隙(I. IeV)和GaAs的带隙(I. 4eV)。也就是说，GaN具有高击穿场强。另外，GaN还具有高饱和电子速度。因此，GaN是能够高电压 操作和高输出生产的化合物半导体器件的非常有前途的材料，例如用于电源的半导体器件的材料。因此，使用GaN基化合物半导体器件的化合物半导体器件期望是高效开关元件、电车等的高击穿电压功率器件。关于GaN基的HEMT，用于栅电极的材料不同于源电极和漏电极的材料。所以，通过不同于源电极和漏电极的方法形成栅电极。栅电极、源电极和漏电极例如通过剥离(lift-off)方法形成。也就是说，进行电极的形成、抗蚀剂图案的形成、电极材料的形成和抗蚀剂图案的去除。同时，在GaN基的HEMT的制备中，凹部或开口部分可以在待设置化合物半导体层的栅电极、源电极和漏电极的区域内形成。在这种情况下，使用抗蚀剂图案蚀刻化合物半导体层，从而形成凹部或开口部分，之后除去抗蚀剂。另外，形成源电极和漏电极之后，可以用钝化膜覆盖源电极和漏电极，并在栅电极形成之前，可以使用抗蚀剂图案来干法-蚀刻钝化膜。在这种情况下，在干法蚀刻之后除去抗蚀剂。在这些方法中，尽管除去了抗蚀剂，仍可能保留抗蚀剂残留物。此外，在干法蚀刻钝化膜之后，可能保留蚀刻残留物。就这一点而言，这些残留物甚至不能用有机物质来清洁而有效地除去。这是因为在抗蚀剂图案的形成中实施的显影和干法蚀刻之后，后烘焙期间改变的效果。同时，通过使用例如硫酸和双氧水的混合物进行酸处理来除去残留物时，此时暴露的电极将受损。例如，在形成源电极和漏电极之后形成用于栅电极的凹部情况下，在形成凹部期间源电极和漏电极是暴露的。所以，如果使用上述混合物，源电极和漏电极将受损。或者，即使电极没有受损，化合物半导体层的暴露的表面可能受到氧化、表面粗糙化等，从而可能改变其特性。在存在上述残留物的情况下，出现漏电流增加，由于电荷陷阱导致的阈值电压波动等，从而明显降低产率。下面是参考文件[文件I]日本公开专利公告号2003-167360和[文件2]日本公开专利公告号2007-128038。

发明内容
根据实施方案的一个方面，制造化合物半导体器件的方法包括形成化合物半导体叠层结构；除去一部分上述化合物半导体叠层结构，以便形成凹形部分；使用洗涤剂清洁上述凹形部分的内部，其中上述洗涤剂包含与上述凹形部分中存在的残留物相容的基础树脂和溶剂。


图IA至IC是按照步骤说 明根据第一实施方案的用于制造化合物半导体器件的方法的截面图；图2是说明清洁方法的一个实例的流程图；图3A至3J是按照步骤说明根据第二实施方案的用于制造GaN基HEMT的方法的截面图；图4A至4F是按照步骤说明根据第三实施方案的用于制造GaN基HEMT的方法的截面图；图5是说明高输出放大器的外观实例的图；和图6A和6B是说明电源装置的图。图7说明用于实验的各种洗涤剂。图8说明n-AlGaN电子供应层表面的颗粒数和氧浓度比。
具体实施例方式下面参考附图具体描述实施方案。(第一实施方案)下面描述第一实施方案。图IA至IC是按照步骤说明根据第一实施方案的用于制造化合物半导体器件的方法的截面图。在如图IA说明的第一实施方案中，形成包括化合物半导体层2和在其上的化合物半导体层3的叠层物I。叠层物I是化合物半导体叠层结构的实例。化合物半导体层2和3是氮化物半导体层，例如GaN层、AlGaN层和AlN层。随后，如图IB中说明的，通过除去一部分叠层物I形成凹部4。凹槽4是凹形部分的实例。不特别限制形成凹槽4的方法，实例包括使用抗蚀剂图案作为蚀刻掩模进行干法蚀亥lj。形成凹槽4之后，在凹槽4中可能存在残留物5。残留物5是例如抗蚀剂图案的残留物和化合物半导体层3的残留物。从这点来说，在图IB中凹槽4延伸到化合物半导体层2的表面。然而，凹槽4可以侵入化合物半导体层2的内部，或者凹槽4不可延伸到化合物半导体层2的表面。也就是说，凹槽4的深度可以大于或小于化合物半导体层3的厚度。之后，如图IC中所示，使用洗涤剂清洁凹槽4的内部。本实施方案中所用的洗涤剂包含与残留物5相容的基础树脂和溶剂。由此移除残留物5。作为基础树脂可以使用例如聚乙烯醇、聚乙烯醇缩醛、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸、聚环氧乙烷、含酚式羟基的树脂、含羧基的树脂和环氧树脂。还可以使用它们的共聚物或混合物。洗涤剂中基础树脂的含量没有特殊限制，优选为O. I质量％至50质量％。如果基础树脂的含量小于O. I质量％，与残留物5相容的组分将不足，不能有效地除去残留物5。另一方面，如果该基础材料的含量大于50质量％，洗涤剂的粘度太高，则洗涤剂不容易润温和铺展在叠层物I的表面上。所以，基础树脂的含量优选为O. I质量％至50质量％溶剂优选使用水。然而，可以使用有机溶剂，例如基于醇的有机溶剂、基于链酯的有机溶剂、基于环酯的有机溶剂、基于酮的有机溶剂、基于链醚的有机溶剂、基于环醚的有机溶剂和基于胺的有机溶剂。基于醇的有机溶剂的实例包括异丙醇。基于链酯的有机溶剂的实例包括乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、丙二醇甲醚(PGME)和丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)。基于环酯的有机溶剂的优选实例包括基于内酯的有机溶剂，特别优选Y-丁内酯。基于酮的有机溶剂的实例包括丙酮、环己酮和庚酮。基于链醚的有机溶剂的实例包括乙二醇二甲醚。基于环醚的有机溶剂的实例包括四氢呋喃和二噁烷。基于胺的有机溶剂的实例包括N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、二甲基甲酰胺(DMF)、N，N-二甲基乙酰胺(DMAC)和氨基醇。根据第一实施方案，可以有效地除去残留物5而不进行酸处理。所以可以高产率地产生具有期望特性的化合物半导体器件。在此将描述使用洗涤剂清洁凹槽4内部的方法实例，但是清洁方法不限于所述实例。图2是说明清洁方法的实例的流程图。首先，将洗涤剂施用在具有凹槽4的叠层物I的表面(步骤SI)。随后，加热洗涤齐U，使得基础树脂和残留物5互溶，另外，蒸发洗涤剂中的溶剂(步骤S2)。结果是，形成表面-处理膜。之后，用预定的液体溶解并移除所述表面-处理膜(步骤S3)。施用洗涤剂的处理实例包括浸溃处理、旋涂处理和喷涂处理。加热温度没有特殊限制，但是优选50°C至250°C。如果温度低于50°C，可能很难使得基础树脂和残留物5充分地互溶。另一方面，如果温度高于250°C，洗涤剂的成分可能分解。因此，加热温度优选为50°C至250°C。从这点来说，移除所述表面-处理膜的液体实例包含与洗涤剂中所含相同的溶剂。同时，除了基础树脂和溶剂外，优选在洗涤剂中包含还原剂。这是因为叠层物I的表面可能在清洁之前被氧化，并且叠层物I的表面可能在清洁期间被氧化。还原剂例如可以使用有机酸，例如羧酸和醛。羧酸的实例包括草酸和甲酸。还原剂在洗涤剂中的含量没有特殊限制，但是优选为O. I质量％至40质量％。如果还原剂的含量低于O. I质量％,不能获得有效的还原效果。另一方面,如果还原剂的含量高于40质量％,则可能难溶解到溶剂中。因此，还原剂的含量优选为O. I质量％至40质量％。除了基础树脂和溶剂外，洗涤剂中可以包含交联剂。通过交联剂的作用在残留物5和基础树脂之间发生交联反应，并更容易除去残留物5。交联剂的实例包括三聚氰胺及其衍生物，脲及其衍生物，和Uril及其衍生物。三聚氰胺的实例包括烷氧基甲基三聚氰胺。脲的实例包括脲、烷氧基亚甲基脲、N-烷氧基亚甲基脲、亚乙基脲和亚乙基脲羧酸。Uril的实例包括苯并胍胺和甘脲。交联剂在洗涤剂中的含量没有特殊限制，根据基础树脂的类型、含量等适当地确定。除了基础树脂和溶剂之外，洗涤剂中可以包含表面活性剂。例如利用表面活性剂改进基础树脂和残留物5之间的相容性。作为表面活性剂，可以使用例如非离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、阴离子表面活性剂和两性表面活性剂。洗涤剂中可以包含其中一类，或者可以包含至少两类。其中因为不包含金属粒子而优选非离子表面活性剂。非离子表面活性剂的实例包括基于醇的表面活性剂，例如基于烷氧化物的表面活性剂、基于脂肪酸酯的表面活性剂、基于酰胺的表面活性剂，和基于天然醇的表面活性剂、基于乙二胺的表面活性剂和基于仲醇乙氧化物的表面活性剂。它们的具体实例包括基于聚氧乙烯-聚氧丙烯缩合物的表面活性剂、基于聚氧化烯烷基醚的表面活性剂、基于聚氧乙烯烷基醚的表面活性剂、基于聚氧乙烯衍生物的表面活性剂、基于山梨聚糖脂肪酸酯的表面活性剂、基于甘油脂肪酸酯的表面活性剂、基于伯醇乙氧化物的表面活性剂、基于酚乙氧化物的表面活性剂和基于乙炔二醇的表面活性剂。另外，还有基于乙氧基化壬基酚的表面活性剂、基于乙氧基化辛基酚的表面活性剂、基于月桂醇乙氧化物的表面活性剂和基于油醇乙氧化物的表面活性剂。阳离子表面活性剂的实例包括烷基阳离子表面活性剂、酰胺类季阳离子表面活性 剂和酯类季阳离子表面活性剂。两性表面活性剂的实例包括基于氧化胺的表面活性剂和基于甜菜碱的表面活性剂。洗涤剂中表面活性剂的含量没有特殊规定，但是优选为50ppm或更少。如果表面活性剂的含量大于50ppm，基础树脂和交联剂可以穿透界面并且可能保留在半导体器件中。此时，如果残留基础树脂和交联剂，可能发生短路、泄漏等并可能削弱其特性。因此，表面活性剂的含量优选为50ppm或更少。从这点上来说，可以任选地通过调整基础树脂、溶剂、还原剂和表面活性剂的类型和比例来控制残留物5的去除性能和所处理表面的还原程度。(第二实施方案)下面描述第二实施方案。图3A至3J是按照步骤说明根据第二实施方案的用于制造GaN基HEMT (化合物半导体器件)的方法的截面图。如图3A所示在第二实施方案中，在衬底11上形成未掺杂的i-GaN层12、未掺杂的 i-AlGaN 层 13、η-型 n-AlGaN 层 14 和 η-型 n-GaN 层 15。i-GaN 层 12、i-AlGaN 层 13、n-AlGaN层14和n_GaN层15的形成通过晶体生长方法来进行，例如金属有机气相外延(MOVPE)方法。在这种情况下，可以通过选择原料气体连续地形成这些层。作为铝(Al)和镓(Ga)的原料，例如可以分别使用三甲基铝(TMA)和三甲基镓(TMG)。作为氮(N)的材料可以使用例如氨气(NH3)。作为n-AlGaN层14和n_GaN层15中包含的杂质的硅(Si)的材料例如可以使用硅烷(SiH4)。i-GaN层12的厚度例如为约3 μ m，且i_GaN层12起电子传输层的作用。i-AlGaN层13的厚度例如为约5nm，且i-AlGaN层13起间隔层的作用。n-AlGaN层14的厚度例如为约30nm，且n-AlGaN层14起电子供应层的作用。n_GaN层15的厚度例如为约10nm，且n-GaN层15起覆盖层的作用。i-AlGaN层13和n-AlGaN层14的Al组成例如为约O. 2。n-AlGaN层14和η-GaN层15例如掺杂有约5X IO18CnT3的作为η型杂质的Si。如图3Β所示，在n-GaN层15上形成抗蚀剂图案21，它具有暴露将设置源电极的区域的开口部分和暴露将设置漏电极的区域的开口部分。如图3C所示，使用抗蚀剂图案21作为蚀刻掩模来干法蚀刻n-GaN层15，以形成用于源电极的开口部分15s和用于漏电极的开口部分15d。开口部分15s和15d是凹形部分的实例。在所述干法蚀刻中，例如使用基于氯气的气体作为蚀刻气体。同样地，如图3C中所示，通过灰化等除去抗蚀剂图案21。关于开口部分15s和15d的深度，可以保留一部分n-GaN层15或者可以除去一部分n-AlGaN层14。也就是说，开口部分15s和15d的深度不是必须与n_GaN层15的厚度一致。使用与第一实施方案中相同的洗涤剂清洁开口部分15s和15d的内部。因此，有效地清洁了开口部分15s和15d的内部。如图3D所示，在n-GaN层15上形成抗蚀剂图案22，它具有暴露将设置源电极的区域的开口部分和暴露将设置漏电极的区域的开口部分。使用抗蚀剂图案22作为成膜的掩模来形成导电膜，并且与抗蚀剂图案22 —起除去附着在抗蚀剂图案22上的导电膜。因此，如图3E中所示，形成源电极16s和漏电极16d。如上所述，在本实施方案中，通过剥离方法形成源电极16s和漏电极16d。关于导电膜的形成，例如形成厚度为约20nm的Ta膜，并在其上形成厚度为约200nm的Al膜。例如可以通过蒸发方法形成Ta膜和Al膜。之后在氮气氛中在400°C至1000°C (例如550°C )进行热处理，从而建立欧姆接触。使用与第一实施方案中相同的洗涤剂清洁n-GaN层15的表面。因此，有效地清洁了 n-GaN层15的表面。在这点上，可以省略所述处理。如图3F所示，在n-GaN层15、源电极16s和漏电极16d上形成抗蚀剂图案23，它具有暴露将设置栅电极的区域的开口部分。如图3G所示，使用抗蚀剂图案23作为蚀刻掩模来干法蚀刻n-GaN层15和n_AlGaN层14，从而形成栅电极的凹槽17。凹槽17是凹形部分的实例。在干法蚀刻中，例如使用基于氯气的气体作为蚀刻气体。同样地，如图3G所示，通过灰化等除去抗蚀剂图案23。关于凹槽17的深度，可以保留一部分n-GaN层15，或者凹槽17的底部可以与n-AlGaN层14的表面一致。也就是说，凹槽17的深度不是必须大于n_GaN层15的厚度。使用与第一实施方案中相同的洗涤剂来清洁凹槽17的内部。因此，有效地清洁了凹槽17的内部。如图3H中所示,在整个表面上形成绝缘膜18。作为绝缘膜18的材料优选Si、Al、Hf、Zr、Ti、Ta或W的氧化物、氮化物或氧氮化物。绝缘膜18例如是氧化铝膜。绝缘膜18的厚度没有特殊限制，具体为2nm至200nm(例如IOnm)。另外，形成绝缘膜18的方法没有特殊限制，但优选原子层沉积(ALD)方法、化学气相沉积(CVD)方法或溅射方法。使用与第一实施方案中相同的洗涤剂来清洁绝缘膜18的表面。因此，有效地清洁了绝缘膜18的表面。 如图31所示，在绝缘膜18上形成抗蚀剂图案24，它具有暴露将设置栅电极的区域的开口部分。使用抗蚀剂图案24作为成膜的掩模来形成导电膜，并且与抗蚀剂图案24 —起除去附着在抗蚀剂图案24上的导电膜。因此，如图3J中所示，形成栅电极16g。如上所述，在本实施方案中，通过剥离方法形成栅电极16g。关于导电膜的形成，例如形成厚度为约30nm的Ni膜，并在其上形成厚度为约400nm的Au膜。例如可以通过蒸发方法形成Ni膜和Au膜。如上所述，可以制造GaN基HEMT。当发明人实际上通过根据第二实施方案的方法制造GaN基HEMT时，获得96 %的产率。另一方面，省略使用上述洗涤剂进行清洁来制造GaN基HEMT时，产率只有72%。(第三实施方案)下面描述第三实施方案。图4A至4F是按照步骤说明根据第三实施方案的用于制造GaN基HEMT (化合物半导体器件)的方法的截面图。在第三实施方案中，如图4A中所示，与第二实施方案中相同的方式来进行处理，直至形成抗蚀剂图案21。随后，如图4B中所示，形成用于源电极的开口部分15s和用于漏电极的开口部分15d，并与第二实施方案中相同的方式通过灰化等除去抗蚀剂图案21。使用与第一实施方案中相同的洗涤剂来清洁开口部分15s和开口部分15d的内部。结果，有效地清洁了开口部分15s和开口部分15d的内部。如图4C中所示，用与第二实施方案中相同的方式在n-GaN层15上形成抗蚀剂图案22。然后，如图4D中所示，形成源电极16s和漏电极16d，并进行热处理，从而与第二实施方案中相同的方式建立欧姆接触。使用与第一实施方案中相同的洗涤剂来清洁n-GaN层15的表面。结果，有效地清洁了 n-GaN层15的表面。如图4E中所示，在整个表面上形成绝缘膜28。形成与第二实施方案中绝缘膜18相同的绝缘膜28。使用与第一实施方案中相同的洗涤剂来清洁绝缘膜28的表面。因此，有效地清洁了绝缘膜28的表面。如图4F中所示，用与第二实施方案相同的方式通过剥离方法在绝缘膜28上形成栅电极16g。如上所述，可以制造GaN基HEMT。当发明人实际通过根据第三实施方案的方法制造GaN基HEMT时，获得97%的产率。另一方面，省略使用上述洗涤剂进行清洁来制造GaN基HEMT时，产率只有75%。同时，在第二实施方案和第三实施方案中，可以在形成抗蚀剂图案21之前形成元件隔离区。例如可以通过干法蚀刻来形成元件隔离区，使用在将设置元件隔离区的区域中具有开口部分的抗蚀剂图案。在这种情况下，作为蚀刻气体可以使用例如基于氯气的气体。在除去抗蚀剂图案之后，优选使用上述洗涤剂进行清洁。作为选择，还可以通过Ar离子的注入等代替干法蚀刻来形成元件隔离区。另外，可以在衬底11上安装电阻器、电容器等，以便制造单片微波集成电路(MMIC)。这些GaN基HEMT可以用作例如高输出放大器。图5是说明高输出放大器的外观实例的图。在本实施例中，与源电极连接的源端子81s设置在封装的表面上。同时，与栅电极连接的栅端子81g和与漏电极连接的漏端子81d从封装的侧表面伸出。根据这些实施方案的GaN基HEMT还可以例如用于电源装置。图6A是说明功率因子校正(PFC)电路的图。图6B是说明包括图6A中说明的PFC电路的服务器电源(电源装置)的图。如图6A所示，在PFC电路90中，设置电容器92，该电容器92与连接至交流电源(AC)的二极管桥91相连接。电容器92的一端与扼流圈93的一端相连，扼流圈93的另一端与开关元件94的一端和二极管96的阳极相连。开关元件94对应上述实施方案中的HEMT，一端对应HEMT的漏电极。开关元件94的另一端对应HEMT的源电极。二极管96的阴极与电容器95的一端相连。电容器92的另一端、开关兀件94的另一端以及电容器95的另一端是接地的。从电容器95的两端之间接直流电(DC)。如图6B所示，通过结合到服务器电源100等而使用PFC电路90。还可以构建与这类服务器电源100类似的并能够高速运行的电源装置。类似于开关元件94的开关元件可以用于开关电源或电子设备。这些半导体器件还可以用作全桥电源电路例如服务器电源电路的组件。在各个实施方案中，作为衬底可以使用碳化硅(SiC)衬底、蓝宝石衬底、硅衬底、GaN衬底、GaAs衬底等。所述衬底可以是导电的、半绝缘和绝缘的衬底的任意一种。栅电极、源电极和漏电极的结构不限于上述实施方案中的那些结构。例如，它们可 以由单个层形成。这些形成方法不限于剥离方法。只要获得欧姆特性，可以忽略源电极和漏电极形成之后的热处理。栅电极可以经过热处理。单个层的厚度、材料等不限于上述实施方案中所述的那些。下面描述发明人进行的实验。在本实验中制造图7中说明的各种洗涤剂。图7中的术语“PVA”代表聚乙烯醇，术语“PVP”代表聚乙烯吡咯烷酮，术语“PHS”代表多羟基苯乙烯。术语“URIL”代表四甲氧基甲基甘脲，术语“UREA”代表N，N' - 二甲氧基甲基二甲氧基亚乙基脲，术语“MELAMINE”代表六甲氧基甲基三聚氰胺，术语“EL”代表乳酸乙酯，术语“IPA”代表异丙醇。“TN-80”的成分是基于醇乙氧化物的表面活性剂(非离子表面活性剂)，“PC-8”的成分是多核表面活性剂(非离子表面活性剂)。“TN-801P“PC_8”是由ADEKA CORPORATION生产的表面活性剂。通过MOVPE方法在Si衬底上沉积厚度为3 μ m的i_GaN电子传输层，厚度为5nm的i-AlGaN间隔层，厚度为30nm和掺杂浓度为5 X IO18CnT3的n-AlGaN电子供应层，以及厚度为IOnm和掺杂浓度为5 X IO18CnT3的n_GaN覆盖层。之后，通过旋涂法在n_GaN覆盖层上施用酚醛清漆抗蚀剂。通过曝光和显影形成开口部分。使用基于氯气的气体通过干法蚀刻除去抗蚀剂和n-GaN覆盖层。将图7中描述的洗涤剂施用在n-AlGaN电子供应层的表面，并在图8中描述的温度下加热2分钟，从而形成表面-处理膜。然后，施用实施例I至14中的水或施用实施例15中64. 7质量％的乳酸乙酯和35. 3质量％的异丙醇的混合溶液来除去所述表面-处理膜。表面-处理膜的除去时间为I分钟。分别用颗粒计数器和X光光电子光谱(XPS)测量n-AlGaN电子供应层表面的颗粒数和氧浓度比率。为了进行比较，还测量没有进行清洁情况下(对比例)的颗粒数目和氧浓度比。结果在图8中示出。如图8所示，实施例I至15的颗粒数小于对比例的颗粒数。另外，氧浓度比在大多数情况下下降。所有实施例和在此引用的条件语言是出于教导目的，帮助阅读者理解发明和发明人发展技术的观念，并没有限制于特定说明的实施例和条件，更不是用说明书中这些实施例来表现发明的优劣。尽管详细描述了本发明的实施方案，但应理解在不违背本发明精神和范围的条件下可以进行各种改变、替换和选择。
权利要求
1.一种制造化合物半导体器件的方法，所述方法包括 形成化合物半导体叠层结构； 除去所述化合物半导体叠层结构的一部分，以形成凹形部分；和 使用洗涤剂清洁所述凹形部分的内部， 其中所述洗涤剂包含溶剂以及与所述凹形部分中存在的残留物相容的基础树脂。
2.根据权利要求I的制造化合物半导体器件的方法， 其中所述基础树脂包含选自聚乙烯醇、聚乙烯醇缩醛、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸、聚环氧乙烷、含酚式羟基的树脂、含羧基的树脂和环氧树脂中的至少一种。
3.根据权利要求I的制造化合物半导体器件的方法， 其中所述基础树脂相对于所述洗涤剂的比例是O. I质量％至50质量％。
4.根据权利要求I的制造化合物半导体器件的方法， 其中所述溶剂包含选自水、基于醇的有机溶剂、基于链酯的有机溶剂、基于环酯的有机溶剂、基于酮的有机溶剂、基于链醚的有机溶剂、基于环醚的有机溶剂和基于胺的有机溶剂中的至少一种。
5.根据权利要求I的制造化合物半导体器件的方法， 其中所述洗涤剂包含还原剂。
6.根据权利要求I的制造化合物半导体器件的方法， 其中所述洗涤剂包含交联剂。
7.根据权利要求I的制造化合物半导体器件的方法， 其中所述洗涤剂包含表面活性剂。
8.根据权利要求I的制造化合物半导体器件的方法， 其中所述清洁包括 施用所述洗涤剂； 通过加热蒸发所述洗涤剂中的所述溶剂来形成膜；和 移除所述膜。
9.一种制造化合物半导体器件的方法，所述方法包括 在衬底上形成电子传输层； 在所述电子传输层上形成电子供应层； 至少在所述电子供应层中形成用于栅电极的凹部；和 使用洗涤剂清洁所述凹部的内部， 其中所述洗涤剂包含溶剂以及与所述凹部中存在的残留物相容的基础树脂。
10.根据权利要求9的制造化合物半导体器件的方法， 其中所述基础树脂包含选自聚乙烯醇、聚乙烯醇缩醛、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸、聚环氧乙烷、含酚式羟基的树脂、含羧基的树脂和环氧树脂中的至少一种。
11.根据权利要求9的制造化合物半导体器件的方法， 其中所述基础树脂相对于所述洗涤剂的比例是O. I质量％至50质量％。
12.根据权利要求9的制造化合物半导体器件的方法， 其中所述溶剂包含选自水、基于醇的有机溶剂、基于链酯的有机溶剂、基于环酯的有机溶剂、基于酮的有机溶剂、基于链醚的有机溶剂、基于环醚的有机溶剂和基于胺的有机溶剂中的至少一种。
13.根据权利要求9的制造化合物半导体器件的方法， 其中所述洗涤剂包含还原剂。
14.根据权利要求9的制造化合物半导体器件的方法， 其中所述洗涤剂包含交联剂。
15.根据权利要求9的制造化合物半导体器件的方法， 其中所述洗涤剂包含表面活性剂。
16.根据权利要求9的制造化合物半导体器件的方法， 其中所述清洁包括 施用所述洗涤剂； 通过加热蒸发所述洗涤剂中的所述溶剂来形成膜；和 移除所述膜。
17.一种用于清洁化合物半导体层的洗涤剂，包含 溶剂； 基础树脂，所述基础树脂与由所述化合物半导体层的加工产生的残留物相容；和 还原剂，所述还原剂溶解到所述溶剂中以还原所述化合物半导体层的表面。
18.根据权利要求17的洗涤剂， 其中所述基础树脂包含选自聚乙烯醇、聚乙烯醇缩醛、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸、聚环氧乙烷、含酚式羟基的树脂、含羧基的树脂和环氧树脂中的至少一种。
19.根据权利要求17的洗涤剂， 其中所述基础树脂相对于所述洗涤剂的比例是O. I质量％至50质量％。
20.根据权利要求17的洗涤剂，其中所述还原剂是有机酸。
全文摘要
本发明涉及一种制造化合物半导体器件的方法和洗涤剂，所述方法包括形成化合物半导体叠层结构；除去化合物半导体叠层结构的一部分，以便形成凹形部分；使用洗涤剂清洁凹形部分的内部，其中所述洗涤剂包含与凹形部分中存在的残留物相容的基础树脂和溶剂。
文档编号C11D7/32GK102646587SQ20121003772
公开日2012年8月22日 申请日期2012年2月17日 优先权日2011年2月18日
发明者今纯一 申请人:富士通株式会社