专利名称：一种镀膜产品的制作方法
一种镀膜产品
技术领域：
本发明涉及一种镀膜产品，尤其涉及到一种可进行高温热处理的汽车镀膜玻璃。背景技术：
随着人们节能意识的增强，越来越多的建筑物或汽车都将使用低辐射镀膜玻璃或热反射镀膜玻璃，这些镀膜玻璃可以起到很好的隔热效果，使建筑物内部或车内的舒适度增加。现在生产离线低辐射镀膜玻璃，大都是使用纯银作为反射红外线的功能膜层，由于纯金属银在空气中很容易与硫化物气体反应使银的性能退化，在高温热处理过程中银容易被氧化而丧失低辐射功能，因此，目前的低辐射镀膜玻璃的制作都是使用多层介质层来保护银层，即便这样当膜层暴露在大气中时，银功能层也多少会受到大气有害气体的腐蚀作用。中国专利CN201010177547.0公开了一种高稳定性汽车镀膜玻璃膜系，该膜系与常用的汽车镀膜玻璃膜系的核心总差异是将金属纯银材料改变为银、铜、锌、铬四种金属的合金材料Agl_x_y_zCuxZnyCrz，其中0彡x+y+z彡10%, Zn能够阻止银与邻近的氧化物层的相互作用，防止膜系性能退化，Cr和Cu能够提高Ag层的化学稳定性，不易受环境的影响。但是在银中掺杂铜会使膜系在后续加工处理过程中银膜层易出现红斑缺陷。
发明内容本发明的目的是为了解决以上低辐射膜的不足，使用银、钇、镁、硼四种元素组成的合金材料代替纯银材料作为低辐射膜的功能层材料。这种四元合金材料中的掺杂元素Y 能够使银层具有良好的抗硫化变色特性；掺杂元素Mg能够使银层具有抗硫化特性和阻止银与氧的相互作用；掺杂元素B能够阻止氧与银的相互作用，提高膜系在高温热处理的稳定性；这几个元素共同作用可提高低辐射膜功能层的化学稳定性和改善其机械性能。本发明的低辐射功能膜层Agl_a_b_。YaMgbB。中的Mg元素可以被Ca、&元素替代或者共用，B元素可以被Al、Ga、Sn、Zn、Ti替换或共用，Y元素也可以被其它的稀土元素所替代。本发明针对现有低辐射镀膜产品中银膜层的不稳定性，用金属银掺杂为四元合金替代高纯的银材料作为低辐射膜的功能膜层材料，使得低辐射镀膜产品具有低的辐射率和面电阻，同时使膜层在后续的加工处理过程中不会出现红斑缺陷。本发明的一种低辐射镀膜产品的制备按如下步骤进行1)在玻璃基板上生长底层电介质膜层，底层电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn, ZrOx, NbOx，其膜层厚度为 20 50nmo2)在底层电介质膜层上生长第一牺牲层，第一牺牲层可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCr0x、Sb，其膜层厚度为1 5nm。；3)在第一牺牲层上生长掺杂钇、镁和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜层，其中0 < a+b+c彡9. 5wt %，优选的为0. Iwt %彡a+b+c彡7wt %，更优选的为0. 6wt % 彡a+b+c彡5wt% ；其膜层厚度为6 25nm。4)在掺杂钇、镁和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜层上生长第二牺牲层，第二牺牲层可以是附0、11、恥、附0(^、513，其膜层厚度为1 5nm。5)在第二牺牲层上生长顶层电介质膜层，顶层电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn、ZrOx、NbOx、SiOx,其膜层厚度为 10 35nm。6)在顶层电介质膜层上生长保护层，保护层选用以下的一种或多种材料组合 Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x、SiN0x，其膜层厚度为 5 25nm。7)最后将低辐射镀膜玻璃做成中空或夹层玻璃。本发明的另一种低辐射镀膜产品的制备按如下步骤进行1)在玻璃基板上生长底层电介质膜层，底层电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn, ZrOx, NbOx，其膜层厚度为 20 50nmo2)在底层电介质膜层上生长第一牺牲层，第一牺牲层可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCr0x、Sb，其膜层厚度为1 5nm。幻在第一牺牲层上生长掺杂钇、镁和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜层，其中 0 < a+b+c彡9. 5wt %，优选的为0. Iwt %彡a+b+c彡7wt %，更优选的为0. 6wt % 彡a+b+c彡5wt% ；其膜层厚度为6 25nm。4)在掺杂钇、镁和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜层上生长第二牺牲层，第二牺牲层可以是附0、11、恥、附0(^、513，其膜层厚度为1 5nm。5)在第二牺牲层上生长第二电介质膜层，第二电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x，其膜层厚度为 40 95nm。6)在第二电介质膜层上生长第三牺牲层，第三牺牲层可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCr0x、Sb，其膜层厚度为1 5nm。7)在第三牺牲层上生长掺杂钇、镁和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜层，其中 0 < a+b+c彡9. 5wt %，优选的为0. Iwt %彡a+b+c彡7wt %，更优选的为0. 6wt % 彡a+b+c彡5wt% ；其膜层厚度为6 25nm。8)在掺杂钇、镁和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜层上生长第四牺牲层，第四牺牲层可以是附0、11、恥、附0(^、513，其膜层厚度为1 5nm。9)在第四牺牲层上沉积顶层电介质膜层，顶层电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn、ZrOx、NbOx、SiOx,其膜层厚度为 10 35nm。10)在顶层电介质膜层上生长保护层，保护层选用以下的一种或多种材料组合 Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x、SiN0x，其膜层厚度为 5 25nm。11)最后将低辐射镀膜玻璃做成中空或夹层玻璃。本发明的第三种低辐射镀膜产品的制备按如下步骤进行1)在玻璃基板上生长底层电介质膜层，底层电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn, ZrOx, NbOx，其膜层厚度为 20 50nmo 2)在底层电介质膜层上生长第一牺牲层，第一牺牲层可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCr0x、Sb，其膜层厚度为1 5nm。 幻在第一牺牲层上生长掺杂钇、镁和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜层，其中 0 < a+b+c彡9. 5wt %，优选的为0. Iwt %彡a+b+c彡7wt %，更优选的为0. 6wt % 彡a+b+c彡5wt% ；其膜层厚度为6 25nm。4)在掺杂钇、镁和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜层上生长第二牺牲层，第二牺牲层可以是附0、11、恥、附0(^、513，其膜层厚度为1 5nm。5)在第二牺牲层上生长第二电介质膜层，第二电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x，其膜层厚度为 40 95nm。6)在第二电介质膜层上生长第三牺牲层，第三牺牲层可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCr0x、Sb，其膜层厚度为1 5nm。7)在第三牺牲层上生长掺杂钇、镁和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜层，其中 0 < a+b+c彡9. 5wt %，优选的为0. Iwt %彡a+b+c彡7wt %，更优选的为0. 6wt % 彡a+b+c彡5wt% ；其膜层厚度为6 25nm。8)在掺杂钇、镁和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜层上生长第四牺牲层，第四牺牲层可以是附0、11、恥、附0(^、513，其膜层厚度为1 5nm。9)在第四牺牲层上沉积第三电介质膜层，第三电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x，其膜层厚度为 40 95nm。10)在第三电介质膜层上生长第五牺牲层，第五牺牲层可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCrOx,釙，其膜层厚度为1 5nm。11)在第五牺牲层上生长掺杂钇、镁和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜层，其中0 < a+b+c彡9. 5wt %，优选的为0. Iwt %彡a+b+c彡7wt %，更优选的为0. 6wt % 彡a+b+c彡5wt% ；其膜层厚度为6 25nm。12)在掺杂钇、镁和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜层上生长第六牺牲层，第六牺牲层可以是附0、11、恥、附0(^、513，其膜层厚度为1 5nm。13)在第六牺牲层上生长顶层电介质膜层，顶层电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、TiOx、ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn、ZrOx、NbOx、SiOx,其膜层厚度为 10 35nm。14)在顶层电介质膜层上生长保护层，保护层选用以下的一种或多种材料组合 Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x、SiN0x，其膜层厚度为 5 25nm。15)最后将低辐射镀膜玻璃做成中空或夹层玻璃。在上述膜系结构中，可以将沉积在Agl-a-b-cYaMgbBc膜层之前的第一层牺牲层、 第三牺牲层和第五牺牲层中的任一层去除或全部去除。与现有技术相比本发明具有以下优点采用在纯银中掺杂钇、镁和硼元素形成的四元银合金作为靶材沉积膜层，在沉积膜层的过程中，掺杂元素Y能够使银层具有良好的抗硫化变色特性；掺杂元素Mg能够使银层具有抗硫化特性和阻止银与氧的相互作用；掺杂元素B能够阻止氧与银的相互作用，提高膜系在高温热处理的稳定性；采用在纯银中掺杂钇、镁和硼元素形成的四元合金作为靶材比纯银靶材便宜，对于大规模生产降低成本有积极作用。当有氧气存在时，银在热力学上不稳定，易被大气中的氧气氧化，生成氧化银。由于大气中存在02、S02、H2S等气体，这些气体对银膜层具有强的腐蚀作用，从而使银膜层的光学、电学、力学等性能下降。当在氧气存在的条件下，H2S会使银与之反应生成硫化银， 使银膜层变色，其反应式为4Ag+2H2S+02 — 2Ag2S+2H20 ；在02存在的条件下，银膜层会与 S02气体反应生成白色物质Ag2S04，其反应式为2Ag+S02+02 — Ag2S04 ；银膜层会与氧反应生成氧化银等，特别是将膜层进行热处理(如630°C)时上述的反应更加激烈。用Agl-a-b-cYaMgbBc膜层替换纯银膜层，Agl-a-b-cYaMgbBc膜层中的Y能够阻止Ag与邻近的氧化层相互作用同时能够提高Ag的抗硫化变色的性能，使其不易受环境的影响。当有氧气参与反应时，Agl-a-b-cYaMgbBc膜层中的Y相对于Ag来说，会优先与氧反应，从而减轻Ag受02的腐蚀；当有S02气体参与反应时，Agl-a-b-cYaMgbBc膜层中的Y相对于Ag来说，会优先与S02气体反应，从而减轻Ag受S02气体的腐蚀；当有H2S气体参与反应时，Agl-a-b-cYaMgbBc膜层中的Y相对于Ag来说，会优先与H2S气体反应，从而减轻 Ag受H2S气体的腐蚀。Ag中掺杂有Y后，Y以固溶形式存在于Ag基体中。Y加入Ag中，可与Ag产生共晶反应，显著细化银合金晶粒，从而改善整个膜层的力学性能。当有氧渗透进入银膜层时，Agl-a-b-cYaMgbBc膜层中的Mg相对于Ag来说，会优先与氧反应，从而避免Ag与氧的反应使银层性能下降，Mg同时具有提高Ag抗硫化变色的性能使其不易受周围环境的影响。当有S02气体参与反应时，Agl-a-b-cYaMgbBc膜层中的 Mg相对于Ag来说，会优先与S02气体反应，从而减轻Ag受S02气体的腐蚀；当有H2S气体参与反应时，Agl-a-b-cYaMgbBc膜层中的Mg相对于Ag来说，会优先与H2S气体反应，从而减轻Ag受H2S气体的腐蚀。由于B的原子半径小，电负性较大，而Ag的电负性比B的电负性要小。因此在有氧存在的情况下，在Agl-a-b-cYaMgbBc膜层中的相对于Ag来说，B会优先与氧反应，从而避免银与氧的反应导致银膜层的性能恶化。
具体实施方式在此先定义1) “Agl_a_b_。YaMgbB。”表示在纯Ag中掺杂￥、1%和8元素，其中￡1、13、 c分别表示元素Y、Mg、B的重量百分比含量，在整个说明书中都用“wt%”表示。2) “烘弯加热”是指镀膜玻璃经受620°C以上的高温热处理，并在此高温下停留2 5min。3)Sn0x、 TiOx、ZrOx和SiOx中χ的取值为0 < χ彡2 ；ZnOx中χ的取值为0 < χ彡1 ；SiNx中χ的取值为0 < χ彡4/3 ；ZnxSnyOn和SixTiyOn中η的取值为0 < r!彡x+2y，其中χ和y取任意正值；NbOx中χ的取值为0 < χ彡5/2 ；SiNOx中χ的取值为0 < χ彡1/2 ；NiCrOx中χ 的取值为0 < χ < 3. 5。在这一整篇发明当中都用以上的表示方法。下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下涉及实施例及对比例，均是在干净的、厚度为2. Omm的透明浮法玻璃原片(标记为玻璃基板2. 0C)的空气面上依次镀上各膜层。单片玻璃基板镀膜烘弯后，镀膜玻璃基板的最外镀膜层为最外保护层，最外保护层向外依次和厚度为0. 76mm的PVB、另外一片没有镀膜的厚度为2. Omm的透明浮法玻璃基板层压在一起，形成低辐射镀膜夹层玻璃。而形成的低辐射镀膜夹层玻璃需要通过敲击实验——最重要的物理性能测试之一，该实验是衡量膜层与PVB、玻璃之间粘结性能的检测方法。Solutia Europe s. a.公司将夹层玻璃敲击标准分为9级。根据敲击后碎玻璃粘在PVB 上的量从少到多，规定标准等级为第1级至第9级。满足国标GB9656-2003要求的汽车夹层玻璃需要符合的敲击等级为第3级<敲击等级<第6级。敲击实验步骤为a.从整个低辐射镀膜夹层玻璃上切下两块100 X 300mm的试验片；b.将两试样放置在_18°C 士2°C下保存至少2小时；c.将试样从上述低温处取出放置在常温下1-2分钟， 便放在试样箱上用铁锤敲击；d.敲击后试样允许恢复到室温再与标准样片对照，但要等到冷凝水挥发后；e.将试样认真与标准样片比较，就可以判断出敲击实验的等级。实施例1在玻璃基板2. OC上依次镀上厚度为38nm的SiSr^2膜层；厚度为3nm的Ti膜层； 厚度为12nm的Ag1^cYaMgbBc膜层，其中a+b+c = 9. 5wt% ；厚度为3nm的Ti膜层；厚度为 27nm的SiSnO2膜层；厚度为12nm的Si3N4膜层作为保护层，得到可热处理低辐射镀膜玻璃。光学性能测试在热处理之前，单片低辐射镀膜玻璃的辐射率为0. 051，可见光透过率80. 5% ；烘弯加热后检测，单片低辐射镀膜玻璃的辐射率为0. 038，可见光透过率为82. 4%，面电阻为 10. 8 Ω/square ；然后洗涤、合片等工序后获得的低辐射镀膜夹层玻璃，经检测，其可见光透过率为76. 1%，太阳能直接透过率48%。物理性能按照GB9656-2003，冲击实验、耐辐照实验、湿热循环实验等均能满足要求。经检测，敲击实验等级为3级，说明膜层与玻璃和PVB的附着力都很好。实施例2在玻璃基板2. OC上依次镀上厚度为33nm的SiSnOu膜层；厚度为2nm的Ti膜层；厚度为IOnm的Agl_a_b_。YaMgbB。膜层，其中a+b+c = 3wt% ；厚度为2nm的Ti膜层；厚度为70nm的ZnSnO18膜层膜层；厚度为3nm的Ti膜层；厚度为12nm的Agl_a_b_。YaMgbB。膜层， 其中a+b+c = 3wt% ；厚度为3nm的Ti膜层；厚度为^nm的SiSnOu膜层；厚度为8nm的 TiO2膜层作为保护层，得到可热处理低辐射镀膜玻璃。光学性能测试在热处理之前，单片低辐射镀膜玻璃的辐射率为0. 045，可见光透过率78. 2% ；烘弯加热后检测，单片低辐射镀膜玻璃的辐射率为0. 038，可见光透过率为79. 8%，面电阻为 4. 3 Ω/square ；然后洗涤、合片等工序后获得的低辐射镀膜夹层玻璃，经检测，其可见光透过率为75%，太阳能直接透过率41.9%。物理性能按照GB9656-2003，冲击实验、耐辐照实验、湿热循环实验等均能满足要求。经检测，敲击实验等级为3级，说明膜层与玻璃和PVB的附着力都很好。
实施例3在玻璃基板2. OC上依次镀上厚度为35nm的SiSnO2.3膜层；厚度为2nm的Ti膜层； 厚度为12nm的Agl_a_b_。YaMgbB。膜层，其中a+b+c = 0. 05wt% ；厚度为2nm的Ti膜层；厚度为70nm的ZnSn02.3膜层膜层；厚度为2nm的Ti膜层；厚度为IOnm的Agl_a_b_。YaMgbB。膜层， 其中a+b+c = ο. 05wt% ；厚度为3nm的Ti膜层；厚度为65nm的SiSnO2.3膜层；厚度为3nm 的Ti膜层；厚度为9nm的Agl_a_b_。YaMgbB。膜层，其中a+b+c = 0. 05wt% ；厚度为3nm的Ti膜层；厚度为25nm的aiSn02.3膜层膜层；厚度为IOnm的膜层作为保护层，得到可热处理低辐射镀膜玻璃。光学性能测试在热处理之前，单片低辐射镀膜玻璃的辐射率为0. 021，可见光透过率76. 3% ；烘弯加热后检测，单片低辐射镀膜玻璃的辐射率为0. 015，可见光透过率为78. 9%，面电阻为 2.0 Ω/square ；然后洗涤、合片等工序后获得的低辐射镀膜夹层玻璃，经检测，其可见光透过率为70.2%，太阳能直接透过率36.5%。物理性能按照GB9656-2003，冲击实验、耐辐照实验、湿热循环实验等均能满足要求。经检测，敲击实验等级为3级，说明膜层与玻璃和PVB的附着力都很好。实施例4 (与例2做对比)在玻璃基板2. OC上依次镀上厚度为33nm的SiSnOu膜层；厚度为2nm的Ti膜层； 厚度为IOnm的Ag膜层；厚度为2nm的Ti膜层；厚度为70nm的SiSnOu膜层膜层；厚度为 3nm的Ti膜层；厚度为12nm的Ag膜层；厚度为3nm的Ti膜层；厚度为^nm的SiSnOu膜层膜层；厚度为8nm的TW2膜层作为保护层，得到可热处理低辐射镀膜玻璃。光学性能测试在热处理之前，单片低辐射镀膜玻璃的辐射率为0. 048，可见光透过率78. 8% ；烘弯加热后检测，单片低辐射镀膜玻璃的辐射率为0. 036，可见光透过率为80. 7%，面电阻为 4. 8 Ω/square ；然后洗涤、合片等工序后获得的低辐射镀膜夹层玻璃，经检测，其可见光透过率为75.7%，太阳能直接透过率43. 1%0物理性能按照GB9656-2003，冲击实验、耐辐照实验、湿热循环实验等均能满足要求。经检测，敲击实验等级为3级，说明膜层与玻璃和PVB的附着力都很好。实施例5将实施例2制得的镀膜玻璃进行高温热处理，使其在620°C的烘弯炉内停留 15min，然后测试单片低辐射镀膜玻璃的辐射率为0. 049，面电阻为5. 8 Ω/square。将该单片低辐射镀膜玻璃通过合片等工序后获得的低辐射镀膜夹层玻璃按照 GB9656-2003，冲击实验、耐辐照实验、湿热循环实验等均能满足要求。经检测，敲击实验等级为3级，说明膜层与玻璃和PVB的附着力都很好。实施例6将实施例4制得的镀膜玻璃进行高温热处理，使其在620°C的烘弯炉内停留 15min，然后测试单片低辐射镀膜玻璃的辐射率为0. 2，面电阻为观.5 Ω/square。将该单片低辐射镀膜玻璃通过合片等工序后获得的低辐射镀膜夹层玻璃按照GB9656-2003，冲击实验、耐辐照实验、湿热循环实验等均不能满足要求。经检测，敲击实验等级为1级，说明膜层与玻璃和PVB的附着力变差。 实施例5与实施例6的比较可以看出实施例5的面电阻与实施例2的面电阻相差不大，而实施例6的面电阻比实施例4的面电阻增大了一倍多，说明经过实施例6的热处理后其银膜层受到一定程度的氧化、硫化等破坏；从另一方面讲，采用Agl_a_b_。YaMgbB。膜层替代纯Ag膜层可以提高整个膜层的耐高温性能、耐机械性能和化学稳定性。
权利要求
1.一种镀膜产品，其特征在于该镀膜产品膜系结构中含有至少一层AghitTaMgbBc^j 會邑M。
2.根据权利要求1所述的镀膜产品，其特征在于该镀膜产品膜系结构中含有一层Agl_a_b_。YaMgbB。功能层，从玻璃基板表面往外依次为底层电介质层、第一牺牲层、 Ag1-^b-CYaMgbBc膜层、第二牺牲层、顶层电介质层、保护层。
3.根据权利要求1所述的镀膜产品，其特征在于该镀膜产品膜系结构中含有两层Agl_a_b_。YaMgbB。功能层，从玻璃基板表面往外依次为底层电介质层、第一牺牲层、 AgmYaMgbBe膜层、第二牺牲层、第二电介质层、第三牺牲层、A^ibJaMgbBc膜层、第四牺牲层、顶层电介质层、保护层。
4.根据权利要求1所述的镀膜产品，其特征在于该镀膜产品膜系结构中含有三层Agl_a_b_。YaMgbB。功能层，从玻璃基板表面往外依次为底层电介质层、第一牺牲层、 AgmYaMgbBe膜层、第二牺牲层、第二电介质层、第三牺牲层、A^ibJaMgbBc膜层、第四牺牲层、第三电介质层、第五牺牲层、Agl_a_b_。YaMgbB。膜层、第六牺牲层、顶层电介质层、保护层。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的镀膜产品，其特征在于Agl_a_b_。YaMgbB。膜层中，Y、Mg 和B的含量为0 < a+b+c彡9. 5wt%，该膜层厚度为6 25nm。
6.根据权利要求2、3或4所述的镀膜产品，其特征在于底层电介质层选用以下的一种或多种材料组合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn, ZrOx, NbOx，底层电介质层厚度为20 50nm。
7.根据权利要求2、3或4所述的镀膜产品，其特征在于第一牺牲层、第二牺牲层、第三牺牲层、第四牺牲层、第五牺牲层和第六牺牲层选用以下的至少一种材料NiCr、Ti、Nb、 NiCr0x、Sb，牺牲层厚度为1 5nm。
8.根据权利要求3或4所述的镀膜产品，其特征在于第二电介质层和第三电介质层选用以下的一种或多种材料组合Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x， 第二电介质层和第三电介质层厚度为40 95nm。
9.根据权利要求2、3或4所述的镀膜产品，其特征在于顶层电介质层选用以下的一种或多种材料组合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx、ZnxSnyOn、ZnxTiyOn、ZrOx、NbOx、SiOx,顶层电介质层厚度为10 35nm。
10.根据权利要求2、3或4所述的镀膜产品，其特征在于保护层选用以下的一种或多种材料组合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx、ZnxSnyOn、ZnxTiyOn、ZrOx, NbOx、SiNOx，保护层厚度为5 25nm。
11.根据权利要求1、2、3或4所述的镀膜产品，其特征在于该镀膜产品可以制作成夹层玻璃。
全文摘要
本发明公开了一种镀膜产品，尤其涉及到一种可进行高温热处理的汽车镀膜玻璃。该镀膜产品的膜层结构中用银、钇、镁、硼四种元素组成的合金材料代替原有的金属纯银作为低辐射功能层的材料，沉积膜层后，功能层材料表达式为Ag1-a-b-cYaMgbBc，其中0＜a+b+c≤9.5wt％，由于合金银的使用使得其不易受到环境的影响，另一方面降低了工业大规模生产的材料成本。本发明中的合金材料的使用，使得膜层中的功能膜层的抗氧化、抗硫化变色、抗机械性能和抗化学攻击性能得到很好的改善。本发明的镀膜产品主要应用于汽车挡风玻璃。
文档编号C03C17/22GK102515562SQ201110437779
公开日2012年6月27日 申请日期2011年12月23日 优先权日2011年12月23日
发明者尚贵才, 李艺明 申请人:福建省万达汽车玻璃工业有限公司, 福耀玻璃工业集团股份有限公司