具有uv处理的低辐射涂层的窗以及制备其的方法
【专利摘要】本发明的实施例涉及一种在窗中使用的由基片(例如玻璃基片)支撑的含有低辐射(low-E)涂层的涂层制品，其中，低辐射涂层被暴露于紫外线(UV)辐射，来提高涂层以及涂层制品的电、光、和/或热切断的性质。低辐射涂层包括至少一个含有银的红外(IR)反射层，其位于接触/种子层上并与其直接接触，该接触/种子层含有类似氧化锌和/或锡酸锌的金属氧化物。将低辐射涂层暴露于类似UV灯和/或UV激光器所放射的紫外辐射中，来局部加热接触/种子层，然后将热能转移到邻近的IR反射层。加热含有银的层可提高银层的电、光、和/或热切断的性质。具有提高的性质的UV处理的涂层制品，可用于单片的或绝缘玻璃(IG)窗单元的制备。
【专利说明】具有UV处理的低辐射涂层的窗以及制备其的方法
[0001] 本发明的实施例涉及一种在窗中使用的含有低辐射（Iow-E)涂层的涂层制品，其 中，低辐射涂层被暴露于强烈的紫外线（UV)辐射，来提高涂层以及涂层制品的电、光、和/ 或热切断的性质。低辐射涂层包括至少一个红外（IR)反射层，其基本上由银构成或包括 银，其中含有银的层位于（例如，通过溅射生成）接触/种子层上并与其直接接触，该接触/ 种子层基本上由类似氧化锌和/或锡酸锌的材料构成或包括上述材料。IR反射层和接触/ 种子层可位于低辐射涂层中的介质层之间。将低辐射涂层暴露于类似UV灯和/或UV激光 器所放射的紫外辐射中，来局部加热接触/种子层（例如，氧化锌和/或锡酸锌的层），然后 将热能转移到邻近的含有银的IR反射层。加热含有银的层可提高银层的电、光、和/或热 切断的性质。例如，通过将低辐射涂层暴露于UV辐射由此加热银层，来增加银层的导电性 (降低其电阻），从而增加其切断（例如，反射）不需要的IR辐射的性能。作为另一例子， 通过将低辐射涂层暴露于UV辐射由此加热银层，来增加银层的可见光透射率，从而提高其 的光学性质。具有提高的电、热切断，和/或光学性质的UV处理涂层制品，可用于单片的或 绝缘玻璃（IG)窗单元的制备，例如办公室大楼和/或公寓大楼的建筑窗，住宅的窗、冷冻箱 的门窗、和/或车窗。
[0002] 发明背景
[0003] 绝缘玻璃窗单元在本领域中为已知技术。例如，参照美国专利 Nos. 6, 632, 491, 6, 014, 872 ；5, 800, 933 ；5, 784, 853 ；5, 557, 462 ；5, 514, 476 ；5, 308, 662 ； 5, 306, 547 ;和5, 156, 894,其全部内容被纳入此处作为参考。绝缘玻璃窗单元通常包括至 少第一基片和第二基片，经至少一个隔离片和/或密封互相被隔开。在不同的实施中，隔开 的基片之间的间隙或空间可填入气体（例如，氩）或不填入气体，和/或被排空至低于大气 压的压力。太阳能控制涂层，例如，低辐射涂层，有时被用于绝缘玻璃窗单元中，来防止红外 线进入使用绝缘玻璃窗单元的建筑内部。
[0004] 玻璃上的溅射沉积的薄膜太阳能控制（例如，低辐射）涂层在本领域中为已知技 术。例如，参照美国专利 Nos. 8, 173, 263, 8, 142, 622, 8, 124, 237, 8, 101，278, 8, 017, 243, 7, 9 98, 320, 7, 964, 284, 7, 897, 260, 7, 879, 448, 7, 858, 191，7, 267, 879, 6, 576, 349, 7, 217, 461， 7, 153, 579, 5, 800, 933, 5, 837, 108, 5, 557, 462, 6, 014, 872, 5, 514, 476, 5, 935, 702, 4, 965, 1 21，5, 563, 734, 6, 030, 671，4, 898, 790, 5, 902, 505, 3, 682, 528,其全部内容被纳入此处作为 参考。低辐射涂层的溅射沉积在室温下进行，不使用特意加热的基片，因此优势在于低成本 的非加热真空涂抹器、高沉积速率、沉积期间的节能、和较低的维修成本。
[0005] 溅射沉积的低辐射涂层通常包括一些层，包括银层，直接沉积在类似氧化锌或锡 酸锌（ZnSnO x)材料的接触/种子层上，例如，银具有适当厚度的可见光谱中的透射率和红 外光谱中的反射率。接触/种子层和银上的层的沉积条件决定银的光和电的性质，例如太 阳能得热系数、辐射、片电阻，和可见光透射率。室温溅射沉积的薄银层的质量较弱，且经常 需要热处理来将银的光和电的性质提高至可接受的水平。该热处理（HT)通常在对流炉中 被执行，例如，与玻璃回火相结合执行用于可回火产品。但是，非可回火和非回火产品，其没 有回火过程期间银被热处理所具有的优点。
[0006] 因此，需要提高溅射沉积的银层的质量，例如，鉴于低辐射涂层，无须针对含有涂 层的涂层制品执行热回火过程。试图通过IR辐射来提高低辐射层中室温溅射沉积的银的 质量，已被证明具有问题。这是由于当大量的IR辐射从玻璃的涂层侧照射时会被银反射， 或是从涂层制品的玻璃侧照射时，会在到达涂层之前被玻璃第一吸收，并会在温度上升到 足够的水平来提高银质量之前损坏玻璃基片。在此发现，根据本发明的示例性实施例，UV照 射对于提高溅射沉积的银层质量具有高度优势，例如，鉴于低辐射涂层。作为例子，涂层制 品（例如，具有低辐射涂层的玻璃基片）可从涂层侧面照射，从而UV被部分涂层吸收，不会 损坏玻璃基片，且大量的UV可穿过银层，不会在通过加热其他层而执行所需的加热之前被 反射，其可将热转移至银，来提高其光和电的性质。因此，在本发明的示例性实施例中，低辐 射涂层的UV照射可有效地提高银层的光和/或电的性质，并可提高整个涂层的性质，例如， 太阳能得热系数、辐射、片电阻、和可见光透射率中的一个或多个。
[0007] 发明的示例性实施例概述
[0008] 本发明的实施例涉及一种在窗中使用的含有低辐射（Iow-E)涂层的涂层制品，使 低辐射涂层暴露于强烈的紫外线（UV)辐射，来提高涂层以及涂层制品的电、热切断、和/或 光的性质。低辐射涂层可包括至少一个红外（IR)反射层，其基本上由银构成或包括银，其 中含有银的层位于（例如，通过溅射生成）接触/种子层上并与其直接接触，该接触/种子 层基本上由类似氧化锌和/或锡酸锌的材料构成或包括上述材料。IR反射层和接触/种 子层可位于低辐射涂层中的介质之间。将低辐射涂层暴露于类似UV灯和/或UV激光器所 放射的紫外辐射中，来局部加热接触/种子层（例如，氧化锌和/或锡酸锌的层），然后将 热能转移到邻近的含有银的IR反射层。经接触/种子层吸收的UV和产生的发热，来生成 热从而加热含有银的层的方法，可提高银层的电、光、和/或热切断的性质。例如，通过将低 辐射涂层暴露于UV辐射由此加热银层，来增加银层的导电性（降低其电阻），从而增加其 切断（例如，反射）不需要的IR辐射的性能。作为另一例子，通过将低辐射涂层暴露于UV 辐射由此加热银层，来增加银层的可见光透射率，从而提高其的光学性质。在示例性实施例 中，整个或基本上整个涂层被暴露于（针对从上面观察到的区域）UV辐射，从而整个或基本 上整个银层的电、光、和/或热切断的性质得到提高。在示例性实施例中，接触/种子层的 能带隙，使接触/种子层比涂层中的任何其他层吸收更多的UV辐射，从而由主要层来生成 热。强烈的UV辐射使接触/种子层和银层在照射区域中被升温。在UV照射区域中，接触 /种子层的加热导致邻近的银层也被加热，从而物理性地改变该区域中的银层，使银层增加 密度并更具导电性和更具可见光透射性。该UV处理可在整个低辐射涂层被沉积在基片上 之后执行，和/或在接触/种子层和银层被沉积期间或之后但其他覆盖层被沉积之前执行。 具有提高的电、光、和/或热切断性质的UV处理涂层制品，可用于单片的或绝缘玻璃（IG) 窗单元的制备，例如办公室大楼和/或公寓大楼的建筑窗，住宅的窗、冷冻箱的门窗、和/或 车窗。
[0009] 在示例性实施例中，提出一种制备在窗中使用的涂层制品的方法，所述方法包括： 制备含有基片的涂层制品，所述基片支撑含有至少一个层的涂层，所述至少一个层含有银， 位于含有金属氧化物的层之上并直接与其接触，所述金属氧化物用于吸收紫外线UV辐射； 将来自至少一个紫外源的紫外线辐射指向所述涂层，并使所述涂层暴露于紫外线辐射，来 减少所述涂层的片电阻和/或增加所述涂层的可见光透射率。
[0010] 在示例性实施例中，提出一种制备在窗中使用的涂层制品的方法，所述方法包括： 制备含有玻璃基片的涂层制品，所述玻璃基片支撑含有至少一个金属层（例如，基于金或 银的层）的涂层（例如，低辐射涂层），所述至少一个金属层位于含有金属氧化物的层之上 并直接与其接触，所述含有金属氧化物的层具有3. 2-3. 4eV的能带隙；将来自至少一个紫 外源的紫外线辐射指向所述涂层，并使所述涂层暴露于紫外线辐射，来减少所述涂层的片 电阻，以及增加所述涂层的可见光透射率。
[0011] 附图简要说明
[0012] 图1是示出根据本发明的示例性实施例的制备在窗中使用的涂层制品的技术的 横截面图。
[0013] 图2是示出使用至少图1的技术所制备的绝缘玻璃（IG)窗单元的部分横截面图。
[0014] 示例性实施例的具体说明
[0015] 以下参照附图进行更详细的说明，附图中的相同符号表示相同的部件。
[0016] 参照图1-2,本发明的示例性实施例涉及一种涂层制品，包括低福射（Iow-E)涂层 5,其位于用于窗的基片（例如，玻璃基片）1之上，其中，使低辐射涂层5暴露于强烈的紫外 线（UV)辐射21，用来提高涂层以及涂层制品的电、热切断、和/或光的性质。辐射源20可 用来将涂层暴露至从中放射的UV辐射。在示例性实施例中，辐射源20可以是紫外线（UV) 激光和/或灯，用来放射UV辐射21，例如，UV准分子或UV固态激光器。低辐射涂层5可包 括至少一个金属的和/或基本金属的红外（IR)反射层11，其含有银或基本上由银构成，其 中含有银的层11位于（例如，通过溅射生成）接触/种子层9上并与其直接接触，该接触/ 种子层9基本上由类似氧化锌和/或锡酸锌的材料构成或包括上述材料。IR反射层11和 接触/种子层9可位于低辐射涂层中的介质7和5之间。将低辐射涂层5暴露于类似UV 灯和/或UV激光器20所放射的紫外辐射21中，来局部加热接触/种子层9 (例如，氧化锌 和/或锡酸锌的层），然后将热能转移到邻近的含有银的IR反射层11。经接触/种子层吸 收的UV和产生的发热，来生成热从而加热含有银的层11的方法，可提高银层的电、光、和/ 或热切断的性质。例如，通过将低辐射涂层5暴露于UV辐射21由此加热银层，来增加银层 的导电性（降低其电阻），从而增加其切断（例如，反射）不需要的IR辐射的性能。作为另 一例子，通过将低辐射涂层暴露于UV辐射21由此加热银层11，来增加银层11的可见光透 射率，从而提高其的光学性质。在示例性实施例中，整个或基本上整个涂层被暴露于（针对 从上面观察到的区域）UV辐射，从而整个或基本上整个银层11的电、光、和/或热切断的性 质得到提高。在示例性实施例中，接触/种子层9的能带隙，使接触/种子层9比涂层中的 任何其他层7、11、13、15吸收更多的UV辐射，从而由主要层来生成热。强烈的UV辐射使接 触/种子层9和银层11在照射区域中被升温。在UV照射区域中，接触/种子层9的加热 导致邻近的银层11也被加热，从而物理性地改变该区域中的银层11，使银层11增加密度 并更具导电性和更具可见光透射性。使用来自源20的UV辐射21可局部加热接触/种子 层9 (其可以是半导体），随后将热能转移到邻近的银层11 (与IR辐射相反，其在玻璃上将 很大程度上被浪费）。优选是，种子/接触层9的材料为氧化锌和/或锡酸锌半导体，其具 有3. 2-3. 4eV的能带隙，使接触/种子层9吸收364-387nm的UV波长。例如，UV准分子或 UV固态激光器中常见的，355nm的光谱线，被种子/接触层材料吸收，且玻璃吸收较弱（玻 璃仅吸收355nm UV辐射的15% )，从而玻璃没有明显被加热。UV处理可在整个低辐射涂层 5被沉积在基片上之后执行，和/或在接触/种子层9和银层11被沉积期间或之后但其他 覆盖层13、15被沉积之前执行。经UV照射被用来提高银层11的质量的能量，为常规对流 炉中热回火过程期间加热涂层制品时导致基本相同变化所要求的能量的一小部分，在常规 对流炉中大部分能量被浪费在加热玻璃上。在此，UV照射并不热回火用于支撑涂层5的玻 璃基片1。因此，在本发明的示例性实施例中，玻璃基片1没有被热回火。
[0017] 具有提高的电、光、和/或热切断性质的UV处理涂层制品，其可用于单片的或绝缘 玻璃（IG)窗单元的制备，例如办公室大楼和/或公寓大楼的建筑窗，住宅的窗、冷冻箱的门 窗、和/或车窗。在绝缘玻璃窗单元示例中（见图2)，该绝缘玻璃窗单元包括第一基片1 和第二基片3,被互相隔开，其中，至少一个基片1支撑UV处理的太阳能涂层5,类似低辐射 (Iow-E)涂层。在单片窗的示例中，基片（例如，玻璃基片）1支撑UV处理的涂层5。
[0018] 无须在热回火期间以常规的对流炉来加热用于支撑涂层5的玻璃基片1，而是通 过UV照射来提高银的质量具有众多优点。玻璃基片1(例如，热回火期间在对流炉中）的 加热与玻璃中流失的一些扩散性元素相关，例如钠和钾。当迀移至玻璃表面时，这些元素可 能会折衷玻璃和/或涂层的质量，并随时间流逝造成一些位置中的腐蚀。因此，优选是通过 UV21来加热银11，而无须明显地来加热用于支撑涂层5的玻璃基片1。在此，紫外源20可 位于涂层5所在的玻璃基片1的相同侧，由于UV辐射在到达玻璃基片1之前相当数量被种 子/接触层9吸收，因此进一步减少玻璃的加热。虽然，根据本发明的示例性实施例，在UV 照射之前和/或之后，玻璃基片1可被热回火，但其被指出，由于UV照射，没有必要使用热 回火来提高银的质量。此外，如果银的质量可通过UV被提高，没有必要使用热回火，且可回 火和非可回火的低辐射产品可通过基本相同的方法或层被制备，在这种情况下，针对非可 回火的产品，可通过在此所述的UV照射来提高银的质量，且针对可回火的产品，可通过对 流回火和/或通过非热能（例如，化学的）回火与在此所述的UV照射的结合，来提高银的 质量。此外，与类似热回火的常规加热相比，使用UV照射来提高银的质量时仅使用一小部 分能源便可被完成。
[0019] 图1是示出根据本发明的示例性实施例的制备在窗中使用的涂层制品的技术的 横截面图。如图1所示的，提供一种涂层制品，包括玻璃基片1，其支撑太阳能控制涂层5。 优选是基片1为玻璃，当然其也可以是其他材料。配置在基片1上的示例性太阳能管理/控 制涂层（例如，低辐射涂层）5在美国专利Nos. 8, 173, 263, 8, 142, 622, 8, 124, 237, 8, 101，2 78, 8, 017, 243, 7, 998, 320, 7, 964, 284, 7, 897, 260, 7, 879, 448, 7, 858, 191，7, 267, 879, 6, 57 6, 349, 7, 217, 461，7, 153, 579, 5, 800, 933, 5, 837, 108, 5, 557, 462, 6, 014, 872, 5, 514, 476, 5 ，935, 702, 4, 965, 121，5, 563, 734, 6, 030, 671，4, 898, 790, 5, 902, 505, 3, 682, 528 中被说明， 其全部内容被纳入此处作为参考。在示例性实施例中，太阳能管理涂层5可具有0. 12以下 的辐射（En)，更优选是0. 10以下，和/或10欧姆/平方以下的片电阻（Rs)，更优选是8欧 姆/平方以下。当然，在此所述的太阳能管理涂层（例如，低辐射涂层）5不局限于上述特 定的涂层，任何其他能够切断一定数量的IR辐射的适当太阳能管理涂层都可被替代使用。 在此所述的太阳能管理涂层5可通过任何合适的方式被沉积在基片1上，包括溅射（例如， 约室温）、气相沉积、和/或任何其他合适的技术，但并不仅局限于此。
[0020] 低辐射涂层通常包括至少一个含有银的IR反射层11，被夹在下部介质7和上部 介质15之间。图1的示例性低辐射涂层5可包括：含有氧化钛或氮化硅的下部介质层7 ; 接触/种子层9,其含有氧化锌（例如，ZnO)、锌氧化铝、锡酸锌（例如，ZnSnO)、氧化锡，和 /或上述的组合；含有银或金的IR反射层11 ;含有Ni和/或Cr (例如，NiCr、NiCrOx、NiOx 等）的上接触层13,位于银层11之上并直接与其接触；和含有氮化硅和/或氧化锡的上部 介质层15。基于金属氧化物的接触/种子层9可选择性地掺杂类似Al、Ni或Ti的材料。 在示例性实施例中，介质层15可由含有氧化锡的下层或和含有氮化硅和/或氮氧化硅的上 层组成。选择性地，可在介质层15上配置含有氧化锆的外层。薄膜涂层5中的层可通过任 何合适的方式被沉积，例如在室温下通过溅射法。虽然图1中示出低辐射涂层5只有一个 含有银的IR反射层11，但是应注意，用作为涂层5的其他低辐射涂层可包括多个基于银的 IR反射层，如上面指出的一些专利中示出和/或说明的。当涂层具有形成在相应的种子层 上的两个基于银的层，当紫外源20位于如图1所示的玻璃的涂层侧时，由于UV在到达下部 银层之下的种子/接触层之前相当数量被上部银层之下的种子/接触层吸收，因此，最上面 的银层相比下面的银层，可更多地提高银的质量。但是，由于一些UV将到达下部银层和下 部种子/接触层，因此取决于两个银层的UV处理的强度和持续时间可实现质量改进。
[0021] 一个或多个辐射源20按次序被提供，基本上将涂层5的整个区域（从上面观察） 暴露于UV辐射。例如，在图1的实施例中，源20可以是一个或多个UV灯，向涂层制品放射 UV辐射，和/或可以是一个或多个UV激光器，向涂层制品放射UV辐射。在示例性实施例 中，UV可以是约300-400nm的辐射，或约为300-380nm。在示例性实施例中，源20位于玻 璃基片1的涂层5侧，从而玻璃基片1自身在紫外线照射期间被加热的量（例如，使玻璃不 会经源20被加热）。从源20中发射的UV辐射21使涂层5中的接触/种子层9和/或银 层11被加热。例如，种子层9吸收UV辐射并由此产生加热的接触/种子层9,致使至少邻 近的含有银（或金）的IR反射层11也在照射区域中被加热，从而至少物理性地改变银层 11，从而变得密集并使银层11变得更具导电性和更具可见光透射性。UV照射使涂层5 (i) 其片电阻（Rs)，下降至少1欧姆/平方；和/或（ii)其可见光透射率增加至少1%。例如， 当UV照射之前涂层的片电阻为9欧姆/平方时，UV照射之后，涂层将具有8欧姆/平方以 下的片电阻。
[0022] 接触/种子层9 (例如包括氧化锌和/或锡酸锌）可具约3.0-3. 45eV的能带隙，更 优选是约3. 15-3. 45eV，甚至更优选是约3. 2-3. 4eV，且最优选是约3. 2eV，由于该能带隙， 接触/种子层9从源20 (例如，约355nm和/或308nm)吸收UV辐射21并被加热。种子层 9可以是半导体或介质。UV照射区域的层11中的银至少相邻于被加热的层9,从而被加热， 并在加热区域中物理性地改变，密度增加以及更具导电性，更具可见光透射性，和/或不同 的颜色。如此，由于UV被种子/接触层9吸收随后释放热能给至少邻近的银（或金）层11 并有可能至堆栈中的其他层，从而层堆栈的特征被引入。因此，IR反射银层11的物理性和 光学性质经UV照射被改变。照射区域将具有更高的可见光透射率且IR切断被提高。
[0023] 图1示出，在涂层5被完全沉积（例如，溅射沉积）在基片1之后，将涂层5暴露于 UV辐射。但是，其可替换成在层11被沉积之后（或是层11的沉积期间）且层13和/或15 被沉积之前，立即执行UV辐射来至少照射层9和11。在本发明的不同的实施例中，该UV辐 射可在真空室中被执行。如图1中所示出的，在被照射之后，图1的单片涂层制品可用作为 单片的窗，或是如图2所示出的，与一个或多个玻璃基片一起在绝缘玻璃窗单元中被使用。
[0024] 图2是示出根据本发明的实施例的绝缘玻璃窗单元的一部分的横截面图。其中， 含有UV处理的涂层制品的绝缘玻璃窗单元根据图1被制成。如图2所示，绝缘玻璃窗单元 包括第一基片1和第二基片3 (例如，都可以是玻璃基片），通过一个或多个边缘密封或隔离 片26被互相隔开。选择性地，一组隔离片可配置在窗可视区域中的基片之间，使基片互相 隔开来用于真空的绝缘玻璃窗单元。隔离片26、其他隔离片、和/或边缘密封将两个基片1 和3互相隔开，从而基片不会互相接触，并在其之间定义空间/间隙27。在示例性实施例 中，基片1、3之间的空间/间隙27可被排空至低于大气压的压力，和/或在示例性实施例 中被填入气体（例如，氩）。作为选择，基片1、3之间的空间27无需被填入气体和/或无 需被排空至低压。在示例性实施例中，可在该空间中悬挂箔或其他辐射反射片（未示图）。 当基片1和/或3为玻璃，每个玻璃基片可以是钠钙硅类型的玻璃，或是其他类型的玻璃， 且在本发明的示例性实施例中，示例性厚度可以是l-l〇mm。UV处理的涂层5,根据图1如上 所述被形成，并可贯穿整个支撑基片被连续形成，并可如图2所示，位于基片1的内侧来面 对间隙/空间27,或可选择地，位于基片3的内侧来面对间隙/空间27。涂层5(例如，低 辐射涂层）切断（例如，反射和/或吸收）一定数量的IR辐射，并防止其进入至建筑内部。 在此，本领域中的技术人员应理解，涂层5的IR切断/反射层11无须切断所有的IR辐射， 但仅需切断显著数量的IR辐射。
[0025] 鉴于存在的IR切断/反射涂层（即，太阳能管理涂层）5,如图2所示，根据本发 明的示例性实施例的绝缘玻璃窗单元可具有以下太阳能特性（例如，涂层的玻璃基片1为 基本透明的钠钙玻璃基片，厚度约为l_6mm，更优选是约2-3. 2mm，且另一个钠钙玻璃基片3 基本透明，厚度约l_6mm，更优选是约2-3. 2mm)。在以下的表1中，RgY是从窗/建筑的外侧 或外部的可视反射（即，从太阳的所在位置），且R fY是从内部侧（例如，从建筑物内部中） 的可视反射。
[0026] 表I: IG单元太阳能特性
[0027] 特性 一般 优选是 更优选是 Tvis TY)(III. C, 2 deg.): >=50% >=60% >=68% RgY (III. C, 2 deg.): 5-17% 7-13% 9-11% RfY (111. C, 2 deg.): 5 -20% 7-14% 10-12% 传热系数： 0.10-0.40 0.20 -0.30 0.22 -0.25
[0028] 应注意，通过调整层厚度，一些参数可被调整。例如，通过增加银层11的厚度和/ 或通过向涂层提供另外的银层，片电阻可被减少且可见光透射率被降低。在示例性实施例 中，在图1-2实施例中的涂层5可具有10个欧姆/平方以下的片电阻（R s)，更优选是8欧 姆/平方以下，且最优选是6欧姆/平方以下。
[0029] 在本发明的示例性实施例中，提供一种制备在窗中使用的涂层制品的方法，所述 方法包括：制备含有基片的涂层制品，所述基片支撑含有至少一个层的涂层，所述至少一个 层含有银，位于含有金属氧化物的层之上并直接与其接触，所述金属氧化物用于吸收紫外 线（UV)辐射；将来自至少一个紫外源的紫外线辐射指向所述涂层，并将所述涂层暴露至紫 外线辐射，来减少所述涂层的片电阻和/或增加所述涂层的可见光透射率。
[0030] 如前段落所述的方法，其中，所述紫外源可包括：至少一个紫外线放射灯。
[0031] 如前两个段落中任何一项的方法，其中，所述紫外源包括：至少一个紫外线放射激 光。
[0032] 如前三个段落中任何一项的方法，其中，将所述涂层暴露至紫外线辐射，可减少所 述涂层的片电阻至少1欧姆/平方，更优选是至少1. 5或2欧姆/平方。
[0033] 如前四个段落中任何一项的方法，其中，所述含有金属氧化物的层，可具有 3. 2-3. 4eV的能带隙。
[0034] 如前五个段落中任何一项的方法，其中，所述含有金属氧化物的层，可包括氧化 锌。
[0035] 如前六个段落中任何一项的方法，其中，所述含有金属氧化物的层，可包括锡酸 锌。
[0036] 如前七个段落中任何一项的方法，其中，所述涂层可以是低辐射涂层。
[0037] 如前八个段落中任何一项的方法，其中，在所述紫外线辐射之后，所述涂层的片电 阻艮为10欧姆/平方以下。
[0038] 如前九个段落中任何一项的方法，其中，将所述涂层暴露至紫外线辐射，可增加所 述涂层制品的可见光透射率至少1 %，更优选是至少1. 5 %或2 %
[0039] 如前十个段落中任何一项的方法，其中，在所述辐射之后，所述涂层制品可具有至 少50 %的可见光透射率。
[0040] 如前十一个段落中任何一项的方法，其中，所述基片可以是玻璃基片。
[0041] 如前十二个段落中任何一项的方法，进一步包括，在所述辐射之后，将具有所述涂 层的所述基片与另一个基片耦合，来制备绝缘玻璃IG窗单元。
[0042] 如前十三个段落中任何一项的方法，其中，从所述源中放射的辐射可基本上由紫 外线辐射构成。
[0043] 如前十四个段落中任何一项的方法，其中，所述涂层进一步包括：(a)含有氧化镍 或铬的层，位于所述含有银的层上并直接与其接触；和/或（b)含有氮化硅的介质层，位于 所述含有银的层之上。
[0044] 如前十五个段落中任何一项的方法，其中，所述源和所述涂层可位于所述基片的 相同侧。
[0045] 在此所使用的用语"在…之上"，"由…支撑"，以及类似等，除非有明确声明，不应 解释为两个元件直接彼此相邻。也就是说，就算第一个层和第二个层之间具有一个或多个 其他层，第一个层也可被解释为在第二个层之上或是由第二层支撑。
[0046] 如上所述，本发明虽然已参照最实用和优选的实施例进行了说明，但是本发明并 不局限于所述实施例，相反可在上述说明的范围内进行各种修改和变形，修改将由后附的 权利要求范围定义。
【权利要求】
1. 一种制备在窗中使用的涂层制品的方法，所述方法包括： 制备含有基片的涂层制品，所述基片支撑含有至少一个层的涂层，所述至少一个层含 有银，位于含有金属氧化物的层之上并直接与其接触，所述金属氧化物用于吸收紫外线UV 辐射； 将来自至少一个紫外源的紫外线辐射指向所述涂层，并将所述涂层暴露至紫外线辐 射，来减少所述涂层的片电阻和/或增加所述涂层的可见光透射率。
2. 如权利要求1所述的方法，其中，所述紫外源包括：至少一个紫外线放射灯。
3. 如权利要求1所述的方法，其中，所述紫外源包括：至少一个紫外线放射激光。
4. 如上述权利要求中任何一项所述的方法，其中，将所述涂层暴露至紫外线辐射，减少 所述涂层的片电阻至少1欧姆/平方。
5. 如上述权利要求中任何一项所述的方法，其中，所述含有金属氧化物的层，具有 3. 2-3. 4eV的能带隙。
6. 如上述权利要求中任何一项所述的方法，其中，所述含有金属氧化物的层，包括氧化 锌。
7. 如上述权利要求中任何一项所述的方法，其中，所述含有金属氧化物的层，包括锡酸 锌。
8. 如上述权利要求中任何一项所述的方法，其中，所述涂层为低辐射涂层。
9. 如上述权利要求中任何一项所述的方法，其中，在所述紫外线辐射之后，所述涂层的 片电阻艮为10欧姆/平方以下。
10. 如上述权利要求中任何一项所述的方法，其中，将所述涂层暴露至紫外线辐射，增 加所述涂层制品的可见光透射率至少1%。
11. 如上述权利要求中任何一项所述的方法，其中，在所述辐射之后，所述涂层制品具 有至少50%的可见光透射率。
12. 如上述权利要求中任何一项所述的方法，其中，所述基片为玻璃基片。
13. 如上述权利要求中任何一项所述的方法，进一步包括，在所述辐射之后，将具有所 述涂层的所述基片与另一个基片耦合，来制备绝缘玻璃IG窗单元。
14. 如上述权利要求中任何一项所述的方法，其中，从所述源中放射的辐射由紫外线辐 射构成。
15. 如上述权利要求中任何一项所述的方法，其中，所述涂层进一步包括：含有氧化镍 和/或铬的层，位于所述含有银的层上并直接与其接触。
16. 如上述权利要求中任何一项所述的方法，其中，所述涂层进一步包括：含有氮化硅 的介质层，位于所述含有银的层之上。
17. 如上述权利要求中任何一项所述的方法，其中，所述源和所述涂层位于所述基片的 相同侧。
18. -种制备在窗中使用的涂层制品的方法，所述方法包括： 制备含有玻璃基片的涂层制品，所述玻璃基片支撑含有至少一个金属层的涂层，所述 至少一个金属层位于含有金属氧化物的层之上并直接与其接触，所述含有金属氧化物的层 具有3. 2-3. 4eV的能带隙； 将来自至少一个紫外源的紫外线辐射指向所述涂层，并将所述涂层暴露至紫外线辐 射，来减少所述涂层的片电阻，以及增加所述涂层的可见光透射率。
19. 如权利要求18所述的方法，其中，所述紫外源包括至少一个紫外线放射灯和/或激 光。
20. 如权利要求18-19中任何一项所述的方法，其中，将所述涂层暴露至紫外线辐射， 减少所述金属层的片电阻至少1欧姆/平方。
【文档编号】C03C17/36GK104507886SQ201380040892
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2013年5月22日 优先权日:2012年5月31日
【发明者】阿列克谢·克拉斯诺夫, 穆罕默德·伊姆兰, 威廉·邓·波尔, 凯文·奥康纳 申请人:葛迪恩实业公司