陶瓷与塑料的复合体及应用该复合体的电子装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种陶瓷与塑料的复合体。该复合体包括陶瓷件及与陶瓷件相结合的塑料件，所述陶瓷件的一表面形成有一纳米硅涂层，该纳米硅涂层部分渗入该陶瓷件的内部，在该陶瓷件与塑料件之间还设置有一硅烷偶联剂层和一胶水层，其中硅烷偶联剂层与所述纳米硅涂层直接结合，胶水层与塑料件直接结合。所述复合体中陶瓷件与塑料件的结合力强。本发明还提供一种应用所述复合体的电子装置。
【专利说明】陶瓷与塑料的复合体及应用该复合体的电子装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种陶瓷与塑料的复合体及应用该复合体的电子装置。
【背景技术】
[0002] 壳体作为电子装置主要零组件之一，其品质越来越受到消费者的关注。随着玻璃外壳在手机上的运用，陶瓷外壳于手机等电子装置上的运用也逐步引起业内的关注，但鉴于陶瓷材料的特殊性，其与其他塑料零部件的结合力较弱，容易产生结合不良。
[0003]现有的一种方法为先在陶瓷件的与塑料件结合的表面涂上一层热敏性胶水层，再通过模内注塑成型技术注塑塑料件于胶水层的表面，将陶瓷件与塑料件结合。然而，由于陶瓷材料具有高致密度，所述胶水与陶瓷件的结合力并不强，因此即使在陶瓷件与塑料件之间设置胶水层，该陶瓷件与塑料件的结合力还是较弱，难以满足电子产品的要求。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，有必要提供一种结合牢固的陶瓷与塑料的复合体。
[0005]另外，还有必要提供一种应用上述复合体的电子装置。
[0006]一种陶瓷与塑料的复合体，其包括陶瓷件及与陶瓷件相结合的塑料件，所述陶瓷件的一表面形成有一纳米硅涂层，该纳米硅涂层部分渗入该陶瓷件的内部，在该陶瓷件与塑料件之间还设置有一硅烷偶联剂层和一胶水层，其中硅烷偶联剂层与所述纳米硅涂层直接结合，胶水层与塑料件直接结合。
[0007]一种电子装置，其包括本体及与该本体组装为一体的陶瓷与塑料的复合体，该复合体包括陶瓷件及与陶瓷件相结合的塑料件，所述陶瓷件的一表面形成有一纳米硅涂层，该纳米硅涂层部分渗入该陶瓷件的内部，在该陶瓷件与塑料件之间还设置有一硅烷偶联剂层和一胶水层，其中硅烷偶联剂层与所述纳米硅涂层直接结合，胶水层与塑料件直接结合。
[0008]本发明陶瓷与塑料的复合体，由于陶瓷件的表面形成有纳米硅涂层，极大地增加了陶瓷件的表面能，因而可以很好地与硅烷偶联剂层、胶水层以及塑料件相结合，且由于纳米硅涂层部分渗入到了陶瓷件的内部，相当于该纳米硅涂层与陶瓷件一体化，使得陶瓷件、纳米硅涂层及硅烷偶联剂层之间的结合更牢固。另外，硅烷偶联剂层的设置在纳米硅涂层与胶水层之间起到一个桥接的作用，进一步增强了陶瓷件与塑料件之间的结合力。因此，本发明复合体的陶瓷件与塑料件结合牢固。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1是本发明较佳实施例的电子装置的示意图。
[0010]图2是本发明较佳实施例的陶瓷与塑料的复合体的部分剖面示意图。
[0011]主要元件符号说明
【权利要求】
1.一种陶瓷与塑料的复合体，其包括陶瓷件及与陶瓷件相结合的塑料件，其特征在于:所述陶瓷件的一表面形成有一纳米硅涂层，该纳米硅涂层部分渗入该陶瓷件的内部，在该陶瓷件与塑料件之间还设置有一硅烷偶联剂层和一胶水层，其中硅烷偶联剂层与所述纳米硅涂层直接结合，胶水层与塑料件直接结合。
2.如权利要求1所述的复合体，其特征在于:所述纳米硅涂层为纳米二氧化硅层。
3.如权利要求1所述的复合体，其特征在于:所述纳米硅涂层包括渗入陶瓷件内的渗入部分和附着于陶瓷件表面的表层部分，其中该渗入部分的厚度为1-3微米，表层部分的厚度为1-3微米。
4.如权利要求1所述的复合体，其特征在于:该硅烷偶联剂层为含环氧基团的硅烷偶联剂层，该胶水层为含有氨基官能团的胶水层，所述环氧基团与氨基发生交联反应。
5.如权利要求3所述的复合体，其特征在于:所述纳米硅涂层的表层部分的表面含有硅羟基，所述硅烷偶联剂层中也含有硅羟基，两者之间的硅羟基基团缩聚形成S1-O-Si基团。
6.一种电子装置，其包括本体及与该本体组装为一体的陶瓷与塑料的复合体，其特征在于:该复合体包括陶瓷件及与陶瓷件相结合的塑料件，所述陶瓷件的一表面形成有一纳米硅涂层，该纳米硅涂层部分渗入该陶瓷件的内部，在该陶瓷件与塑料件之间还设置有一硅烷偶联剂层和一胶水层，其中硅烷偶联剂层与所述纳米硅涂层直接结合，胶水层与塑料件直接结合。
7.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于:所述纳米硅涂层为纳米二氧化硅层。
8.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于:所述纳米硅涂层包括渗入陶瓷件内的渗入部分和附着于陶瓷件表面的表层部分，其中该渗入部分的厚度为1-3微米，表层部分的厚度为1-3微米。
9.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于:该硅烷偶联剂层为含环氧基团的硅烷偶联剂层，该胶水层为含有氨基官能团的胶水层，所述环氧基团与氨基发生交联反应。
10.如权利要求8所述的电子装置，其特征在于:所述纳米硅涂层的表层部分的表面含有硅羟基，所述硅烷偶联剂层中也含有硅羟基，两者之间的硅羟基基团缩聚形成S1-O-Si基团。
【文档编号】B32B7/12GK103909689SQ201310004393
【公开日】2014年7月9日 申请日期:2013年1月7日 优先权日:2013年1月7日
【发明者】周书祥 申请人:深圳富泰宏精密工业有限公司