技术特征：
1.一种半导体器件，包括：栅极信号线；第一栅极驱动电路，其包括第一到第六晶体管；以及第二栅极驱动电路，其包括第七到第十二晶体管，其中所述栅极信号线电连接到所述第一晶体管的第一端子和所述第二晶体管的第一端子，所述第一晶体管的栅极电连接到所述第三晶体管的第一端子和所述第四晶体管的第一端子，所述第二晶体管的栅极电连接到所述第五晶体管的第一端子和所述第六晶体管的第一端子，所述第六晶体管的第二端子电连接到所述第一晶体管的栅极，所述栅极信号线电连接到所述第七晶体管的第一端子和所述第八晶体管的第一端子，所述第七晶体管的栅极电连接到所述第九晶体管的第一端子和所述第十晶体管的第一端子，所述第八晶体管的栅极电连接到所述第十一晶体管的第一端子和所述第十二晶体管的第一端子，以及所述第十二晶体管的第二端子电连接到所述第七晶体管的栅极。2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括像素部分，所述像素部分包括在所述第一栅极驱动电路和所述第二栅极驱动电路之间的多个像素。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中在像素部分的相同侧上提供所述第一栅极驱动电路和所述第二栅极驱动电路。4.一种半导体器件，包括：栅极信号线；以及第一到第十二晶体管，其中所述栅极信号线电连接到所述第一晶体管的第一端子和所述第二晶体管的第一端子，所述第一晶体管的栅极电连接到所述第三晶体管的第一端子和所述第四晶体管的第一端子，所述第二晶体管的栅极电连接到所述第五晶体管的第一端子和所述第六晶体管的第一端子，所述第六晶体管的第二端子电连接到所述第一晶体管的栅极，所述栅极信号线电连接到所述第七晶体管的第一端子和所述第八晶体管的第一端子，所述第七晶体管的栅极电连接到所述第九晶体管的第一端子和所述第十晶体管的第一端子，所述第八晶体管的栅极电连接到所述第十一晶体管的第一端子和所述第十二晶体管的第一端子，以及所述第十二晶体管的第二端子电连接到所述第七晶体管的栅极。5.如权利要求1或4所述的半导体器件，其中所述第三晶体管是二极管连接的。6.如权利要求1或4所述的半导体器件，其中所述第四晶体管是二极管连接的。7.如权利要求1或4所述的半导体器件，其中所述第五晶体管是二极管连接的。8.如权利要求1或4所述的半导体器件，其中所述第六晶体管是二极管连接的。9.如权利要求1或4所述的半导体器件，其中所述第一到第十二晶体管的其中之一包括其中形成沟道形成区域的氧化物半导体层。