地串联连接于第二节点N12和地电压之间。
[0059]第一比较器311将第二内部节点N22 (第一电阻器RFl和第二电阻器RF2之间的连接点)的电压与第一参考电压VREFl进行比较，并输出第一比较信号CMPl作为比较结果。第三电阻器RF3连接在电源电压VCC和第三内部节点N23之间。第二晶体管TF2连接在第三内部节点N23和地电压之间，并具有连接到第一比较器311的输出的栅电极以接收比较信号CMPl。
[0060]电流控制器320包括第三晶体管TF3、第六电阻器RF6和第二比较器321。第三晶体管TF3连接在第一内部节点N21和第四内部节点N24之间，并具有连接到第二比较器321的输出的栅电极。第六电阻器RF6连接在第四内部节点N24和地电压之间。第二比较器321将第四内部节点N24的电压与第二参考电压VREF2进行比较以输出第二比较信号CMP2。第二比较信号CMP2被提供给第三晶体管TF3的栅电极。
[0061]当第四内部节点N24的电压低于第二参考电压VREF2时，第二比较器321输出第二比较信号CMP2的高电平，从而，第三晶体管TF3被导通。当第四内部节点N24的电压高于第二参考电压VREF2时，第二比较器321输出第二比较信号01^2的低电平。此时，第三晶体管TF3被第二比较信号CMP2的低电平截止。由于第三晶体管TF3的导通时间是根据第四内部节点N24的电压确定的，故电流控制器320调整流经发光二极管串221的电流量。
[0062]图5为示意性地示出图2所示的发光二极管串的电流-电压特性的图。
[0063]参照图2和图5，当正向驱动电压Vf为大约100V时，大约10mA的电流IL流经发光二极管串221，例如，如图5的线I(Ll)所示。当正向驱动电压Vf为大约105V时，大约10mA的电流IL流经发光二极管串222，例如，如图5的线2(L2)所示。为相同的电流量而向不同的发光二极管串221和222施加不同的正向驱动电压Vf，使得第二节点N12(具有相对低的正向驱动电压Vf的发光二极管串221的另一端)和地电压之间的电势增加。倘若第三晶体管TF3的漏电极(参照图4)直接连接到第二节点N12，则第三晶体管TF3的漏-源极电压Vds可能增加。第三晶体管TF3的漏-源极电压Vds的增加可能在第三晶体管TF3中产生热量。这样的产热可能使第三晶体管TF3过热并可能导致非正常操作或损坏。
[0064]图6为示出当发光二极管串的另一端的电压电平处于正常电平时的电流路径的电路图。
[0065]参照图6，第一电阻器RFl和第二电阻器RF2将第二节点N12的电压分压，其中第二节点N12为发光二极管串221的另一端。当第二节点N12的电压电平处于正常电平时，第二内部节点N22的电压低于第一参考电压VREFl，从而第一比较器311输出第一比较信号CMPl的低电平。在第一比较器311输出第一比较信号CMPl的低电平期间，第二晶体管TF2被截止。由于电源电压VCC经由电阻器RF3被提供第一晶体管TFl的栅电极，所以第一晶体管TFl被导通。第一晶体管TFl的漏-源极电阻Rds可小于第四电阻器RF4的电阻。因此，当第一晶体管TFl导通时，提供给第二节点N12的电流通过第一晶体管TFl和第一内部节点N21流入第三晶体管TF3。
[0066]S卩，当第二节点N12的电压电平处于正常电平时，第一晶体管TFl被导通，并且因此电流控制器320的第三晶体管TF3的漏极端子直接连接到第二节点N12。
[0067]图7为示出当发光二极管串的另一端的电压电平处于高于正常电平的电平时的电流路径的电路图。
[0068]参照图7，当第二节点N12的电压电平高于正常电平时，第二内部节点N22的电压高于第一参考电压VREFl，从而第一比较器311输出第一比较信号CMPl的高电平。当第一比较器311输出第一比较信号CMPl的高电平时，第二晶体管TF2被导通。此时，第三内部节点N23的电压经由第二晶体管TF2被放电到地电压，因此第一晶体管TFl被截止。这使得来自第二节点N12的电流经由第四电阻器RF4流入第一内部节点N21。换句话说，若第二节点N12的电压电平高于正常电平，则第一晶体管TFl被截止，从而，提供给第三晶体管TF3的漏极端子的电压通过第四电阻器RF4而降低。这可能意味着，当第二节点N12的电压电平高于正常电平时，能够限制过电压被提供给第三晶体管TF3的漏极端子。
[0069]图8为图4中示出的第一控制器用集成电路实现的例子的图。
[0070]参照图8，第一控制器230A中除了第二电阻器RF2、第四电阻器RF4和第六电阻器RF6之外的剩余元件可被集成在单个芯片330中。这意味着元件RF2、RF4和RF6被放在单个芯片330之外。通过将元件RF2、RF4和RF6配置在单个芯片330之外，可根据发光二极管串221的特性对电阻器RF2、RF4和RF6的电阻进行调整。
[0071]返回参考图3中所示的例子，控制器包括第一控制器230A，第二控制器230B和第三控制器230C。第一控制器230A，第二控制器230B和第三控制器230C可用单个芯片的形式集成。在这种情况下，第一控制器230A的电阻器RF2、RF4和RF6，以及相应于第一控制器的电阻器RF2、RF4和RF6的第二和第三控制器230B和230C的电阻器可被配置在单个芯片之外。
[0072]图9为根据本发明构思的示例性实施例示意性地示出图3所示的第一控制器的电路图。
[0073]参照图9，第一控制器240A具有类似于图4中所示的第一控制器230A的配置。图9中，与图4中所示的组件相同的组件用相同的参考标号标示，且其描述因而被省略。第一控制器240A包括过电压控制器410和电流控制器420。
[0074]第二节点N12和第一内部节点N21与包括二极管DFl、电容器CFl和第五电阻器RF5的无源元件连接。二极管DFl连接在第二节点N12和第一内部节点N21之间。电容器CFl和第五电阻器RF5串联连接在第二节点N12和第一内部节点N21之间，并与二极管DFl并联。
[0075]像图4中所示的第一控制器230A那样，若第二节点N12的电压电平处于正常电平，则第一晶体管TFl被导通。当第一晶体管TFl被导通时，由于第一晶体管TFl的漏-源极电阻Rds小于二极管DFl和第五电阻器RF5中每一个的电阻，故第二节点N12的电流经由第一晶体管TFl流入第一内部节点N21和第三晶体管TF3。
[0076]相反，若第二节点N12的电压电平高于正常电平，第一晶体管TFl被被截止。此时，第二节点N12的电流经由二极管DF1，电容器CFl和第五电阻器RF5流入第三晶体管TF3。如此，当第二节点N12的电压电平高于正常电平时，能够限制过电压被提供给第三晶体管TF3的漏极端子。
[0077]图10为根据本发明构思的示例性实施例示意性地示出图3所示的第一控制器的电路图。
[0078]参照图10，第一控制器250A具有类似于图4中所示的第一控制器230A的配置。图10中，与图4中所示的组件相同的组件用相同的参考标号标示，且其描述因而被省略。第一控制器250A包括过电压控制器510和电流控制器520。
[0079]如图4中所示的第一控制器230A那样，过电压控制器510包括第一至第四电阻器RFl至RF4，第一至第二晶体管TFl至TF2，以及第一比较器311。电流控制器520包括第三晶体管TF3、第六电阻器RF6和第二比较器321。电流控制器520的第三晶体管TF3连接在，连接到发光二极管串221的另一端的第二节点N12和第一内部节点N21之间，并且具有连接到第二比较器321的输出的栅电极。第六电阻器RF6连接在第四内部节点N24和地电压之间。第二比较器321将第四内部节点N24的电压与第二参考电压VREF2进行比较以输出第二比较信号CMP2。第二比较信号CMP2被提供给第三晶体管TF3的栅电极。
[0080]过电压控制器510的第四电阻器RF4连接在第一内部节点N21和第四内部节点N24之间。在示例性实施例中，第四电阻器RF4被用作连接在第一内部节点N21和第四内部节点N24之间的无源元件，但本发明构思不限于此。例如，连接在第一内部节点N21和第四内部节点N24之间的无源元件可包括电容器，电感器，二极管等各项中的至少一个。
[0081]第一晶体管TFl与第四电阻器RF4并联连接于第一内部节点N21和第四内部节点N24之间，并具有连接到第三内部节点N23的栅电极。第一电阻器RFl和第二电阻器RF2顺序地串联连接于第二节点N12和地电压之间。
[0082]第一比较器311将第二内部节点N22(为第一电阻器RFl和第二电阻器RF2之间的连接点)的电压与第一参考