专利名称：：用于被氧化的污染材料的化学还原或污染材料的氧化物还原方法及其调节系统的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种用于光刻设备和一种用于生产器件的方法。
背景技术：
：光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ic)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单独的衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向("扫描"方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印(imprinting)到所述衬底上，将所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。在光刻设备中，可以成像到所述衬底上的特征尺寸受到辐射束的波长限制。要生产具有更高密度器件的集成电路，以至获得更高的操作速度，就期望能够对更小特征进行成像。然而大部分的现有光刻投影设备采用由汞灯或者准分子激光器产生的紫外光，但是也已提出使用更短波长的辐射，例如，大约13nm。这种辐射称为极紫外(EUV)或者软x射线，其可能的来源包括，例如，激光诱导等离子体源、放电等离子体源或者来自电子存储环的同步加速器辐射。不久之后，EUV源可以使用锡或者其它的金属蒸汽来产生EUV辐射。所述锡可能渗漏到所述光刻设备的其它部分中，并且将以锡或者锡氧化后的锡氧化物沉积在光学元件上，例如，反射镜。
发明内容期望提供一种用于还原在设备中的气体混合物中一定量氧化物的方法。本发明提供了一种用于还原设备中一定量的氧化物的方法，所述设备包括腔体，所述腔体含有一定量的污染材料和一定量的氧化物，所述氧化物是污染材料的氧化物，所述方法包括步骤在该腔体的至少一部分中提供含氢的气体；在该腔体的所述至少一部分中形成预定的最小局部氢气压力；在该腔体的所述至少一部分中形成预定的最大局部氧化剂气体压力；保持在该腔体的所述至少一部分中的温度，以使得所保持的温度至少比在热力学平衡下给定的所形成的预定最大局部氧化剂气体压力和最小局部氢气压力下的温度高，至少局部被氧化的污染材料的量比氧化物的量高至少10倍。本发明还涉及一种器件制造方法，所述方法包括步骤将图案化辐射束投影到衬底上，其中所述方法包括提供光刻设备，所述光刻设备包括辐射源、照射系统和投影系统；采用照射系统提供辐射束；在辐射束的横截面上使辐射束图案化以提供图案化辐射束，其中在光刻设备的使用中，通过根据本发明的方法控制照射系统内的环境。本发明还涉及一种计算机程序产品，所述产品包括要被光刻设备的处理器加载的数据和指令，所述产品被配置使光刻设备在所述光刻设备内实现根据本发明的方法。本发明还涉及一种用于还原一定量的氧化物的调节系统，所述调节系统包括腔体和控制单元，所述腔体内含有一定量的污染材料和一定量的氧化物，所述氧化物是污染材料的氧化物，所述腔体包括入口，所述入口配置用于在腔体的至少一部分中提供含氢的气体；待清洁的元件，设置在所述腔体的所述至少一部分中；温度测量装置，配置用于测量所述腔体的所述至少一部分中的温度；加热元件，用于加热待清洁的单元，其中控制单元配置用于控制加热元件的启动以保持腔体内的温度，所述温度至少比在热力学平衡下给定的所形成的局部氧化剂气体压力和局部氢气压力下的温度高，污染材料的量比氧化物的量高至少10倍。本发明还涉及光刻设备，所述光刻设备包括照射系统，配置用于调节辐射束；支撑件，配置用于支撑图像形成装置，所述图像形成装置配置用于将图案赋予所述辐射束的横截面上，以形成图案化辐射束；衬底台，配置用于保持衬底；以及投影系统，配置用于将图案化辐射束投影到所述衬底的目标部分上，其中所述照射系统包括前面提到的调节系统。本发明还涉及一种半导体器件制造方法，所述方法包括步骤使用光刻设备将图案从图案形成装置转移到衬底上。本发明还涉及一种用于去除置于设备的腔体内的元件上的污染材料的沉积物的方法，所述腔体含有一定量的污染材料和一定量的氧化物，所述氧化物是污染材料的氧化物，所述方法包括步骤在腔体的至少一部分中提供含氢的气体；在该腔体的所述至少一部分中形成预定的最小局部氢气压力；在该腔体的所述至少一部分中形成预定的最大局部氧化剂气体压力；保持在该腔体的至少一部分中的温度，以使得所保持的温度至少比在热力学平衡下给定的所形成的预定局部氧化剂气体压力和局部氢气压力下的温度高，污染材料的量比氧化物的量高至少10倍；提供一种含卤素的气体，所述含卤素的气体用于去除所述元件上的至少一部分沉积物。本发明还涉及一种用于还原光刻设备中的气体混合物中的一定量的锡氧化物的方法，所述光刻设备包括含有气体混合物的腔体，所述气体混合物包含一定量的锡材料和一定量的锡氧化物，所述方法包括在所述腔体的至少一部分中提供氢气；在该腔体的所述至少一部分中形成预定的最小局部氢气压力；在该腔体的所述至少一部分中形成预定的最大局部氧化剂气体压力；保持在该腔体的所述至少一部分中的温度，以使得所保持的温度至少比在热力学平衡下给定的所形成的预定局部氧化剂气体压力和局部氢气压力下的温度高，锡材料的量比锡氧化物的量高至dno倍。在此仅借助示例，参照所附示意图对本发明的实施例进行描述，在所附示意图中，相同的附图标记表示相同的部分，且其中-图l示意性示出根据本发明的实施例的光刻设备；图2示意性更详细地示出图1中的光刻设备的结构；图3示意性地示出根据本发明的实施例的调节系统；图4a-d示出四张仿真图，所述仿真图示出作为对于不同的氢气和氧气的局部气体压力下的温度的函数的锡和锡氧化物的可得到的量；以及图5示意性地示出包括如在本发明的实施例中所使用的处理器的计算机。具体实施例方式图l示意性地示出根据本发明的实施例的光刻设备l。所述设备l包括照射系统(照射器)IL，所述照射系统配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或极紫外(EUV)辐射)。支撑件(例如掩模台)MT，配置用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连。衬底台(例如晶片台)WT，配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连。投影系统(例如折射式投影透镜系统)PL，所述投影系统PL配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。所述支撑件支撑图案形成装置，例如，承担所述图案形成装置的重量。其以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑件可以采用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术保持图案形成装置。所述支撑件可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑件可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语"掩模版"或"掩模"都可以认为与更上位的术语"图案形成装置"同义。这里所使用的术语"图案形成装置"应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上所需的图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例釆用小反射镜的矩阵布置，可以独立地倾斜每一个小反射镜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述己倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。应该将这里使用的术语"投影系统"广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语"投影透镜"可以认为是与更上位的术语"投影系统"同义。如这里所述的，所述光刻设备是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述设备可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多个衬底台(和/或两个或更多个掩模台)的类型。在这种"多台"机器中可以并行地使用附加的台，或可以在将一个或更多个其他台用于曝光的同时，在一个或更多个台上执行预备步骤。所述光刻设备也可以是其中至少一部分衬底可以被具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖的类型，以便填充投影系统和衬底之间的空隙。浸没液也可以被应用到光刻设备中的其他空隙中(例如在所述掩模和投影系统之间)。浸没技术用于增加投影系统的数值孔径是本领域公知的。这里所使用的该术语"浸没"并不意味着结构(例如衬底)必须浸在液体中，而仅仅意味着在曝光过程中，液体位于投影系统和衬底之间。参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射。该源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成光刻设备的组成部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其他情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时的所述束传递系统BD—起称作辐射系统。所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为cT-外部和cT-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其他部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。所述辐射束B入射到保持在支撑件(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过掩模MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和定位传感器IF2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个定位传感器IF1(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)用于将掩模MA相对于所述辐射束B的路径精确地定位。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是他们可以位于目标部分之间的空隙(这些公知为划线对齐标记)上。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。可以将所述设备用于以下模式的至少一种-1.在步进模式中，在将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上的同时，将掩模台MT和所述衬底台WT保持为基本静止(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。2.在扫描模式中，在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，对掩模台MT和衬底台WT同步地进行扫描(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(縮小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一的动态曝光中的所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的掩模台MT保持为基本静止状态，并且在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，对所述衬底台WT进行移动或扫描。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻中。也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。在本说明书的上下文中，"光学元件"包括一个或更多个选自以下元件的元件滤光器，光栅，诸如多层反射镜、掠入射反射镜、正入射反射镜、采集器反射镜等的反射镜，透镜，掩模版，二极管，诸如强度测量传感器、能量传感器、CCD传感器、对准传感器(诸如光学对准传感器)的传感器，以及诸如气体隔离件和翼片阱的碎片减少系统。这样的光学元件可以是平的或弯曲的，并且可以以层、翼片、器件等形式出现。在本发明的实施例中，这样的光学元件可以是发光的或者针对预定波长(像5-20nmEUV辐射，248nm，193nm，157nm，126nm等)的辐射而设计。它们也可以针对波长为A的辐射，在透镜情况下透射，在反射镜情况下反射，在光栅情况下衍射。一些光学元件可以提供一种或更多种这样的光学效应。正如本领域普通技术人员理解的那样，具有5-20nm范围的波长的辐射与具有一定波长带宽的辐射相关，其中至少它的一部分可以在5-20nm范围找到。在本说明书的上下文中，"还原氧化物"包括阻止氧化物的形成和将氧化物通过化学还原到非氧化状态中的至少一种。对在气相中的氧化物，这两种都可以做到，并且对在固相和液相中的氧化物这两种也都可以做到。在本说明书的上下文中，"氧化剂"包括含有氧的材料，所述材料包括氧气(02)，水(H20)，二氧化碳(C02)和一氧化碳(CO)。图2更详细地示出光刻设备1的结构，所述光刻设备1包括辐射系统2、照射光学单元4和投影系统PL。所述辐射系统2包括辐射源SO，所述辐射源SO可以由放电等离子体形成。EUV辐射可以由诸如Xe-气体，Li-蒸汽或者Sn-蒸汽的气体或者蒸汽产生，在所述气体或者蒸汽中，非常热的等离子体被产生以发出在电磁波谱的EUV范围内的辐射。通过造成部分离子化的放电等离子体在光轴O上被破坏，产生非常热的等离子体。对于辐射的有效生成，可能需要Xe，Li，Sn蒸汽或者任何其它合适的气体或者蒸汽的10Pa的局部压力。由辐射源SO发出的辐射从源腔体7通过气体隔离件或者污染物阱9进入采集器腔体8，所述气体隔离件8或者污染物阱9定位在源腔体7的开口里或者之后。气体隔离件/污染物阱9包括通道。采集器腔体8包括辐射采集器10，所述采集器10可以由掠入射采集器构成。穿过采集器10的辐射被光栅光谱滤光器11反射而在采集器腔体8的孔中的虚拟源点12处聚焦。来自采集器腔体8的辐射束16被照射光学单元4通过正入射反射镜13，14反射到定位在掩模版或者掩模台MT上的掩模版或者掩模上。图案化辐射束17被形成，所述图案化辐射束17在投影系统PL中通过反射元件18，19成像到衬底台WT上。通常，在照射光学单元4和投影系统PL中可以存在比显示出的元件更多的元件。正如上面提到的，EUV光源可以使用锡(Sn)蒸汽产生EUV辐射。所述锡可能泄漏到光刻设备中并且将沉积到光刻设备(例如，辐射采集器的反射镜，翼片阱等等)中的光学元件上。这样的辐射采集器的反射镜可能具有钌(Ru)的EUV反射顶层。在Ru反射层上大于将近10nm的锡沉积层将以与锡块相同的方式反射EUV辐射。在以锡为基础的EUV源附近，这种层在有限的时间内沉积而成。因此，辐射采集器需要被周期性地清洁。发现沉积的锡层不单单包括纯锡(Sn)。所述层的一大部分包括锡氧化物(像SnO和Sn02)。锡可以通过使用碘气清洁，不过这不足以去除所述氧化锡。因此氧化锡必须在用碘气清洁之前被还原。化学还原处理可以认为是对于材料极其苛刻的情况。例如，辐射采集器50可能在这种处理中劣化。图3示意性示出了根据本发明实施例的调节系统。所述调节系统被用于将设备中的一定量的氧化物(包括将污染材料的氧化物)还原到非氧化状态。所述调节系统包括腔体20和控制单元21。所述腔体20配备有入口22和出口23，在所述腔体20中实现前面提到的还原。所述入口22被配置用于为所述腔体20的至少一部分提供气体。在实施例中，提供含有H2的气体，不过其它气体，像氧化剂(02，H20，C02，CO等)或者氩(Ar)也可以通过入口22出现在所述腔体20的至少一部分内。入口22的横截面可以通过使用调整装置24(例如，阀)被调整。可替代地，入口22可以配备有化学过滤器，用于过滤提供的通过其中的气体。通过调整入口22的横截面，或者通过化学过滤器过滤所提供的通过其中的气体，不同气体的局部压力比(例如，氢气/氧化剂的局部压力比)，可以被改变。出口23可以基于同样的目的连接到泵25上。所述腔体包括光学元件28(例如，采集器IO)，所述光学元件28连接到加热元件29上，所述加热元件29用于加热光学元件28和/或腔体20和其中一部分。在图3中，加热元件29被绘制在腔体20内邻近光学元件28的位置上。应该理解，所述加热元件29也可以设置在所述腔体20的边缘上或者集成在所述光学元件28内。所述腔体20可以进一步设置有温度测量装置26和/或局部气体压力测量装置27。这样的温度测量装置26配置用于测量所述腔体20或者其中某些部分中的温度。局部气体压力测量装置27配置用于测量所述腔体20或者其中某些部分中的局部气体压力(例如，氢气，氧化剂或者氩气的局部气体压力)。在图3中，绘制了单个的温度测量装置26、局部气体压力测量装置27以及加热元件29。应该理解，在其它的实施例中，在每个腔体20内这些元件中每一种都可以设置多于一个。而且，所述腔体20可以设置有多于一个的入口22和/或出口23。控制单元21配置用于控制加热元件29的启动以形成和保持腔体20内的一定温度。所述启动可以基于从温度测量装置26接收的测量信号。进一步，控制单元21可以基于从局部气体压力测量装置27接收的测量信号控制调节单元24和/或泵25以及所述加热元件29的启动。控制单元21根据这些测量信号，可以发送控制信号到一个或更多个调节装置24、泵25和加热元件29，以形成和/或保持所述腔体20内关于温度和/或局部气体压力的期望的条件。所述控制单元21为了前面提到的目的，可以设置有处理器30和存储器31。在控制单元21的存储器31内，可以存储关于温度和/或局部气体压力的预定的信息。在存储在存储器31中的软件的控制下，控制单元21的处理器30可以被用于通过从温度测量装置26和局部气体压力测量装置27接收的测量信号以及存储在存储器31中的关于温度和局部气体压力的预定的信息计算要发送到调整装置24、泵25和加热元件29中的一个或多个的控制信号。腔体20的示例包括采集器腔体8、照射光学单元4和投影系统PL。在实施例中，所述控制信号不是直接发送到调整装置24、泵25和加热元件29中的一个或多个中，而是发送到显示器上。然后在这种情况下，负责所述光刻设备1的操作的操作者，能够控制将控制信号提供给调整装置24、泵25和加热元件29中的一个或多个。通过热力学计算(已经通过试验验证)，得到当在密闭体积(例如，采集器10)内的温度，要比在热力学平衡下给定的确定的局部氧化剂和局部氢气压力下、一定的材料(例如，锡)主要以材料本身而不是其氧化物(例如，锡氧化物)的形式存在时的温度高时，产生使材料的氧化(例如，锡的氧化)最小化的适当的环境是可行的。能够得出，当所述温度高于最低温度时就是这种情况。在所述的最低温度时，污染材料的量比这种材料的氧化物的量高至少10倍。根据本发明的实施例的调节系统(例如，图3中示意性示出的调节系统)，配置用于在腔体20内形成适当的氢气、氧化剂以及所有导致氧化的气体种类(例如，H20)的局部气体压力，以形成和保持前面提到的最低温度。通过在污染材料和在该材料中主要存在的其氧化物之间建立热力学平衡(例如，氧化物超过至少h10)，可以清洁在所述腔体20内的光学元件28(例如，采集器10)。这里所述的清洁是指全部或者部分地去除前面提到的污染材料的沉积物。整个清洁过程，尤其在部分清洁去除所述污染材料的情况下，可能由多个连续(可能相同的)的步骤构成。在所述情况下，所述过程可能包括被氧化的污染材料的化学还原和/或污染材料的去除。在图4a-d中，示出四幅仿真图，所述仿真图示出作为对于不同的氢气和氧气的局部气体压力下的温度(摄氏度)的函数的热力学稳态的以千摩尔量为单位的锡(Sn;实线)和锡氧化物(SnO和Sn02;分别是上点划线和下点划线)。在图4a和4b中的仿真中，仅包含氧气的局部氧化剂气体压力是10—7mbar。在图4a中，局部氢气压力是l(T4mbar，而在图4b中，局部氢气压力取为l(r3mbar。在图4c和4d中的仿真中，仅包含氧气的局部氧化剂气体压力是10—8mbar。在图4c中，局部氢气压力是10'4mbar，而在图4d中局部氢气压力取为l(T3mbar。表1列出了在特定的氧化剂/H2的比率下对应于存在最少量的锡氧化物的最低温度(以摄氏度表示)。表1在特定的氧化剂/H2的比率下对应于存在最少量的锡氧化物所需要的<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>从前面提到的热力学计算可以看出，当局部氧化剂气体压力比局部氢气压力低至少大约100倍时，能够获得好的结果。在实施例中，局部氧化剂压力选自10—8-10—!bar的范围，局部氢气压力选自l(rM0"bar的范围。类似的调节系统可以被用于提供用于去除元件上的污染材料沉积物的方法。在这种方法中，在向所述腔体的至少一部分中提供含氢的气体之后，在所述腔体的所述部分中形成预定的最小局部氢气压力以及最大的局部氧化剂气体压力，并且进一步保持在所述腔体的所述部分中的温度，使所述温度高于在热力学平衡下给定的预定最小局部氢气压力和最大局部氧化剂气体压力下的温度时，污染材料的量比污染材料的氧化物的量高至少IO倍，含卤素的气体被加到所述腔体20中以去除所述元件上的至少一部分沉积物。在实施例中，含卤素的气体包括含碘的气体。含卤素的气体可以与含氢的气体同时提供。可替代地，还可能在腔体20内提供多次(例如，3或5次)含氢的气体和含卤素的气体，例如，提供含卤素的气体几分钟，提供含氢的气体几分钟，提供含卤素的气体几分钟等等。应当理解，在全文中所使用的处理器30可以在如图5所示的计算机组件40中实现。存储器31可能包括多个存储器部件，例如硬盘41、只读存储器(ROM)42、电可擦除只读存储器(EEPROM)43和/或随机存储器(RAM)44。并不需要上述所有的存储器部件都存在。进而，存储器部件在物理上不必位于处理器30附近或者互相邻近。它们可以位于相互间隔很远的位置上。处理器30也可以被连接到用户接口，例如键盘45和/或鼠标46。也可以使用触摸屏、轨迹球、语言转换器或其他接口。处理器30可以被连接到读取单元47，所述读取单元47设置用于在一定的情况下从数据载体(例如软盘48或CDROM49)上读取数据和将数据存储到所述数据载体上。也可以使用DVD或其它数据载体。处理器30也可以被连接到用于将数据打印到纸上的打印机50以及显示器51，例如监视器或液晶显示器(LCD),或其它任何类型的显示器。处理器30可以通过负责输入/输出(I/O)的发送机/接收机连接到通信网络52，例如公共幵关电话网络(PSTN)、局域网(LAN)、广域网(WAN)等。处理器30能够设置用于经由通信网络52与其他通信系统连通。在本发明的实施例中，外部计算机(未示出)，例如操作者的个人计算机可以经由通信网络52连入处理器30。处理器30可以被实现为独立的系统或并行操作的多个处理单元，其中每个处理单元设置用于执行更大的程序的子任务。所述处理单元也能够被分成具有多个子处理单元的至少一个主处理单元。处理器30的一些处理单元甚至可以位于远离其它处理单元的位置上，并经由通信网络52连通。尽管在本文中可以做出具体的参考，将所述光刻设备用于制造IC，但应当理解，这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如，集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器、薄膜磁头的等制造。对于普通的技术人员，应该理解的是，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语"晶片"或"管芯"分别认为是与更上位的术语"衬底"或"目标部分"同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对己曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语"衬底"也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。尽管以上已经做出了具体的参考，在光学光刻的情况中使用本发明的实施例，但应该理解的是，本发明可以用于其他应用中，例如压印光刻，并且只要情况允许，不局限于光学光刻。在压印光刻中图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。尽管以上已经做出了具体的参考，在浸没式光刻的情况中使用本发明的实施例用于补偿由于浸没液体的蒸发引起的冷却，但应该理解的是，本发明的多个实施例也可以用于传统光学光刻设备(即，没有浸没液体的光学光刻)中，补偿衬底由于辐射引起的加热而导致的热变形。这里使用的术语"辐射"和"束"包含全部类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如具有约365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围内的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。在上下文允许的情况下，所述术语"透镜"可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电式的光学部件。尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例，但是应该理解的是本发明可以以与上述不同的形式实现。例如，本发明可以采取包含用于描述上述公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者采取具有在其中存储的这种计算机程序的数据存储介质的形式(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。以上的描述是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域的技术人员应当理解，在不背离所附的权利要求的保护范围的条件下，可以对本发明进行修改。权利要求1.一种还原设备中的氧化物的方法，所述设备包括腔体，所述腔体内含有污染材料和氧化物，所述氧化物是污染材料的氧化物，所述方法包括步骤在腔体的至少一部分中提供含氢的气体；在腔体的所述至少一部分中形成预定的最小局部氢气压力；在腔体的所述至少一部分中形成预定的最大局部氧化剂气体压力；以及保持在腔体的所述至少一部分中的温度，以使得所保持的温度至少比在热力学平衡下给定的所形成的预定最大局部氧化剂压力和最小局部氢气压力下的温度高，污染材料的量比氧化物的量高至少10倍。2.根据权利要求l所述的方法，其中所形成的局部氧化剂气体压力比所形成的局部氢气压力低至少大约100倍。3.根据权利要求l所述的方法，其中局部氧化剂气体压力选自10—8-10—'bar的范围，局部氢气压力选自10'M0'bar的范围。4.一种器件制造方法，所述方法用于在光刻设备中制造器件，所述光刻设备包括腔体，所述腔体含有污染材料和氧化物，所述氧化物是污染材料的氧化物，所述方法包括步骤在腔体的至少一部分中提供含氢的气体；在腔体的所述至少一部分中形成预定的最小局部氢气压力；在腔体的所述至少一部分中形成预定的最大局部氧化剂气体压力；保持在腔体的所述至少一部分中温度，以使得所保持的温度至少比在热力学平衡下给定的所形成的预定最大局部氧化剂压力和最小局部氢气压力下的温度高，污染材料的量比氧化物的量高至少10倍；以及将图案化辐射束投影到至少部分被辐射敏感材料层所覆盖的衬底上。5.—种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括要被光刻设备的处理器所加载的数据和指令，所述计算机程序产品配置用于控制所述光刻设备以实现方法，所述方法包括步骤在腔体的至少一部分中提供含氢的气体；在腔体的所述至少一部分中形成预定的最小局部氢气压力；在腔体的所述至少一部分中形成预定的最大局部氧化剂气体压力；以及保持在腔体的所述至少一部分中的温度，以使得所保持的温度至少比在热力学平衡下给定的所形成的预定最大局部氧化剂压力和最小局部氢气压力下的温度高，污染材料的量比氧化物的量高至少10倍。6.—种用于还原氧化物的调节系统，所述调节系统包括腔体和控制单元，所述腔体含有污染材料和氧化物，所述氧化物是污染材料的氧化物，所述腔体包括入口，所述入口配置用于在腔体的至少一部分中提供含氢的气体；待清洁的元件，所述待清洁的元件位于所述腔体的所述至少一部分中；加热元件，所述加热元件用于加热所述待清洁的元件，其中控制单元配置用于控制加热元件的启动以保持腔体内的温度，所述温度至少比在热力学平衡下所形成的给定的局部氧化剂气体压力和给定的局部氢气压力下的温度高，污染材料的量比氧化物的量高至少10倍。7.根据权利要求6所述的调节系统，进一步包括温度测量装置，所述温度测量装置配置用于测量腔体内的温度，其中所述控制单元配置用于基于由所述温度测量装置测量的温度控制所述加热元件的启动。8.根据权利要求6所述的调节系统，其中所述腔体内的气体组分由局部气体压力测量装置测量，所述局部气体压力测量装置配置用于测量至少氢气和氧化剂气体的局部气体压力，并且所述控制单元配置用于基于测量的至少氢气和氧化剂气体的局部气体压力控制所述加热元件的启动。9.根据权利要求8所述的调节系统，其中入口包括可调整的横截面，所述控制单元进一步配置用于根据由局部气体压力测量装置所测量的局部氢气压力控制入口横截面的调整。10.根据权利要求6所述的调节系统，其中所述入口设置有化学过滤器，所述化学过滤器用于过滤含氢的气体以使得氢气/氧化剂局部压力比至少为约100。11.根据权利要求8所述的调节系统，进一步包括连接到泵上的出口，用于控制气体从腔体排出，其中所述控制单元进一步配置用于根据由局部气体压力测量装置所测量的局部氧化物气体压力调整泵的泵浦能力。12.根据权利要求ll所述的调节系统，其中局部氧化剂气体压力选自10—8-10"bar的范围，局部氢气压力选自10-M0'bar的范围。13.—种光刻设备，包括照射系统，所述照射系统配置用于调节辐射束；支撑件，所述支撑件配置用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置配置用于将图案赋予所述辐射束的横截面上以形成图案化辐射束；衬底台，所述衬底台配置用于保持衬底；以及投影系统，所述投影系统配置用于将图案化辐射束投影到所述衬底的目标部分上，其中所述照射系统包括调节系统，所述调节系统用于还原氧化物，所述调节系统包括腔体和控制单元，所述腔体含有污染材料和氧化物，所述氧化物是污染材料的氧化物，所述腔体包括入口，所述入口配置用于在腔体的至少一部分中提供含氢的气体；待清洁的元件，所述待清洁的元件设置在所述腔体的所述至少一部分中；加热元件，所述加热元件用于加热所述待清洁的元件，其中控制单元配置用于控制加热元件的启动以保持腔体内的温度，所述温度至少比在热力学平衡下所形成的给定的局部氧化剂气体压力和给定的局部氢气压力下的温度高，污染材料的量比氧化物的量高至少10倍。14.一种去除置于设备的腔体内的元件上的污染材料沉积物的方法，所述腔体含有污染材料和氧化物，所述氧化物是污染材料的氧化物，所述方法包括在腔体的至少一部分中提供含氢的气体；在腔体的所述至少一部分中形成预定的最小局部氢气压力；在腔体的所述至少一部分中形成预定的最大局部氧化剂气体压力；保持在腔体的所述至少一部分中的温度，以使得所保持的温度至少比在热力学平衡下给定的所形成的预定局部氧化剂压力和局部氢气压力下的温度高，污染材料的量比氧化物的量高至少10倍；以及提供一种含卤素的气体，用于去除所述元件上的至少一部分沉积物。15.根据权利要求14所述的方法，其中含氢的气体与含卤素的气体同时提供。16.根据权利要求14所述的方法，其中所形成的局部氧化剂气体压力比所形成的局部氢气压力局部压力低至少大约100倍。17.根据权利要求14所述的方法，其中局部氧化剂气体压力选自10-8-10—'bar的范围，局部氢气压力选自10—M0'bar的范围。18.根据权利要求14所述的方法，其中含卤素的气体是含碘的气体。19.一种用于还原光刻设备中的气体混合物中的锡氧化物的方法，所述光刻设备包括含有气体混合物的腔体，所述气体混合物包含锡材料和锡氧化物，所述方法包括在所述腔体的至少一部分中提供氢气；在腔体的所述至少一部分中形成预定的最小局部氢气压力；在腔体的所述至少一部分中形成预定的最大局部氧化剂气体压力；保持在腔体的所述至少一部分中的温度，以使得所保持的温度至少比在热力学平衡下给定的形成的预定局部氧化剂压力和局部氢气压力下的温度高，锡材料的量比锡氧化物的量高至少10倍。20.根据权利要求19所述的方法，其中局部氧化剂气体压力比局部氢气压力低至少大约100倍。21.根据权利要求19所述的方法，其中局部氧化剂气体压力选自10—S-l(T'bar的范围，局部氢气的气体压力选自10《10Vr的范围。全文摘要设备内的氧化物被还原，所述设备具有腔体，所述腔体含有污染材料和氧化物，所述氧化物是污染材料的氧化物。在所述方法中，至少在腔体的一部分中提供含氢的气体。在腔体内形成预定的最小局部氢气压力和预定的最大局部氧化剂压力。在所述腔体内，保持温度以使得所保持的温度至少比在热力学平衡下给定的所形成的预定最大局部氧化剂压力和最小局部氢气压力下的温度高，污染材料的量比氧化物的量高至少10倍。文档编号G03F7/20GK101371198SQ200780002540公开日2009年2月18日申请日期2007年1月16日优先权日2006年1月17日发明者A·T·W·肯佩申请人:Asml荷兰有限公司