专利名称：横电场模式液晶显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示装置，特别是一种横电场模式液晶显示装置。
背景技术：
近年来，液晶显示装置(Liquid Crystal Display,简称LCD)产品已 应用到多种领域。液晶显示装置的主体结构包括对盒在一起将液晶物质填充 其间的彩膜基板和阵列基板，利用电场控制液晶分子，通过液晶折射率各向 异性使透射率发生变化并进行显示。边缘场开关技术(Fringe Field Switching,简称FFS)通过同一平面内像素电极间产生横向电场，使像素电 极间以及像素电极上方的液晶分子能在平面方向产生旋转，在增大视角的同 时提高液晶层的透光效率。
为使液晶分子得到一样的排列，彩膜基板和阵列基板的内表面上均涂布 有取向膜，通过摩擦(robbing)在取向膜上形成一定角度的沟槽，使液晶分 子在彩膜基板和阵列基板之间以某一初始取向角呈现均匀、 一致的排列。在 LCD生产过程中，液晶分子取向的均匀性十分重要，对LCD的基本性能都有 重要影响，均匀的取向可以减小光漏，提高显示品质。
现有技术取向膜摩擦工艺 一般采用摩擦布按一定方向摩擦取向膜，通常 摩擦工艺所产生的取向角在2。 ~4°左右，这是液晶驱动电压的最小需要。 但由于取向膜划痕、基板表面段差(如栅线高度差异、数据线高度差异)以 及工艺条件限制，现有摩擦工艺不可能形成完全均匀的取向角，取向角不均 匀导致液晶取向状态不均勻，在横电场模式中会造成各区域透过光的相位延 迟差异，导致光漏，尤其在第0阶亮度值(LO)时对比度下降。
发明内容
本发明的目的是提供一种横电场模式液晶显示装置，有效解决现有技术 液晶取向状态不均匀导致光漏和对比度下降等技术缺陷。
为了实现上述目的，本发明提供了一种横电场模式液晶显示装置，包括 对盒在一起将液晶填充其间的彩膜基板和阵列基板，所述彩膜基板和阵列基
板上设置有取向角等于0°的取向膜，所述彩膜基板上设置有使所述液晶具 有2° ~4°初始取向角的取向电极，所述取向电极为间隔设置的条状体。
所述取向电极的宽度为2jam 10|am 。
所述取向电极之间的距离为2 |Li m ~ 5 0 ju m 。
所述取向电极与提供小于10V电压的控制器连接。
所述取向电极为氧化铟锡。
本发明提供了一种横电场模式液晶显示装置，首先采用具有0°取向角 的取向膜，通过对彩膜基板上设置的取向电极施加电压产生均匀的具有2° ~ 4°初始取向角的液晶取向状态。与现有技术相比，本发明可以使摩擦工艺中 的摩擦强度最小化，提高了液晶初始取向状态的均匀性，在横电场模式中不 会造成各区域透过光的相位延迟差异，因此降低了光漏缺陷，提高了对比度。 由于本发明彩膜基板上的取向电极在正常工作前已施加有电压，因此在正常 工作时液晶具有较快的应答速度，提高了本发明横电场模式液晶显示装置的 响应速度。进一步地，本发明可以使各个取向电极所对应区域的液晶具有各 自的取向状态，通过调整各像素的工作状态可进一步提高响应速度。
图l为本发明横电场模式液晶显示装置的结构示意图2为本发明横电场模式液晶显示装置中液晶初始状态的示意图3为本发明横电场模式液晶显示装置中液晶具有初始取向角的示意
4为本发明横电场模式液晶显示装置中液晶正常工作时的示意图； 图5为本发明横电场模式液晶显示装置取向电极的结构示意图。 附图标记iJL明
l一彩膜基板； 2 —阵列基板； 3—取向膜；
4一液晶； ll一彩膜结构层； 12—取向电极；
21 —阵列结构层； 22—像素电极。
具体实施例方式
下面以FFS型液晶显示装置为例，通过附图和实施例，对本发明横电场 模式液晶显示装置的技术方案做进一步的详细描述。
图1为本发明横电场模式液晶显示装置的结构示意图。如图1所示，本 实施例横电场模式液晶显示装置的主体结构包括彩膜基板1和阵列基板2， 彩膜基板1和阵列基板2对盒在一起并将液晶4夹持在其间。彩膜基板1包 括彩膜结构层11和形成在彩膜结构层11上且条形状间隔设置的取向电极12, 阵列基板2包括阵列结构层21和以间隔状形成在阵列结构层21上的像素电 极22，同时，彩膜基板1和阵列基板2上分别设置有取向膜3，液晶4设置 在二层取向膜3之间。进一步地，彩膜基板1上取向膜3的取向角等于0。， 液晶4的初始取向角由被施加0V~ 10V电压的取向电极12提供，使液晶4具 有2° -4°的初始取向角。
本发明横电场模式液晶显示装置由阵列基板、彩膜基板、液晶和驱动装 置构成，阵列基板上形成有栅线、数据线和多个像素，每个像素由一个或两 个TFT驱动，使液晶随电场方向旋转。在阵列基板和彩膜基板制备完成后， 首先在阵列基板和彩膜基板的表面涂布取向膜，之后进行两个基板相贴合的 密封涂布工艺和液晶滴注工艺。图2为本发明横电场模式液晶显示装置中液 晶初始状态的示意图。首先在彩膜基板1和阵列基板2表面上涂布取向膜， 在取向膜上形成0°的取向角，液晶4被滴注在对盒后的彩膜基板1和阵列基板2之间时，液晶4将具有0°的取向方向，如图2所示。本发明选择取 向角等于0°的取向膜， 一方面使摩擦工艺中的摩擦强度最小化，另一方面 使取向膜更加稳定。图3为本发明横电场模式液晶显示装置中液晶具有初始 取向角的示意图。本发明中，彩膜基板1上设置的取向电极12与提供小于 IOV电压的控制器连接，由控制器向取向电极12施加0V-10V的电压，电压 施加使液晶偏转，使液晶具有2。 -4°的初始取向角，如图3所示。图4为 本发明横电场模式液晶显示装置中液晶正常工作时的示意图。正常工作时， 控制像素电极22与公共电极(图中未标记)之间的电场即可实现正常显示， 如图4所示。
本发明提供了一种横电场模式液晶显示装置，首先采用具有0°取向角 的取向膜,通过对彩膜基板上设置的取向电极施加电压产生均匀的具有2° ~ 4°初始取向角的液晶取向状态。现有技术通常是通过摩擦工艺在取向膜上形 成沟槽，通过取向膜上沟槽的锚定作用，使液晶具有2° ~4°的初始取向角， 但现有技术为了形成沟槽的角度，施加在取向膜上的摩擦强度较大，加上基 板表面段差以及工艺条件限制，由此造成不能形成完全均匀的取向角。本发 明与现有技术相比，由于液晶的初始取向状态不由取向膜决定，且取向膜的 取向角等于0° ，所以可以使摩擦工艺中的摩擦强度最小化，提高了液晶初 始取向状态的均匀性，在横电场模式中不会造成各区域透过光的相位延迟差 异，因此降低了光漏缺陷，提高了对比度。此外，本发明液晶的初始取向状 态由取向电极控制，由于彩膜基板上的取向电极在正常工作前已施加有电压， 因此在正常工作时液晶具有较快的应答速度，提高了本发明横电场模式液晶 显示装置的响应速度。进一步地，由于取向电极为间隔设置，可以利用为取 向电极提供电压的控制器根据需要为各个取向电极提供相应的电压，使各个 取向电极所对应区域的液晶具有各自的取向状态，因此可以调整本发明横电 场模式液晶显示装置各像素的工作状态，就像现有技术中使用的过冲(Over driving)概念，可以进一步提高响应速度。图5为本发明横电场模式液晶显示装置取向电极的结构示意图。如图5 所示，取向电极12为长条形，依次间隔设置在彩膜基板l上。彩膜基板l为 传统结构，包括以阵列方式排列的红色树脂R、绿色树脂G和蓝色树脂B，取 向电才及12的宽度为2 |nm~ lOiam，优选的宽度为4 jam~ 6 jlim，取向电才及12 之间的间3巨为2jam~50|Lim，优选的间i 巨为12jam~40|am。同时，本发明可 以通过传统形成氧化铟锡(ITO)图形的方法制备线条状的取向电极，这里不 再赘述。
最后应说明的是以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制， 尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当 理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技 术方案的精神和范围。
权利要求
1.一种横电场模式液晶显示装置，包括，对盒在一起将液晶填充其间的彩膜基板和阵列基板，其特征在于，所述彩膜基板和阵列基板上设置有取向角等于0°的取向膜，所述彩膜基板上设置有使所述液晶具有2°～4°初始取向角的取向电极，所述取向电极为间隔设置的条状体。
2. 根据权利要求1所述的横电场模式液晶显示装置，其特征在于，所述 取向电极的宽度为2|jm~10jum 。
3. 根据权利要求1所述的横电场模式液晶显示装置，其特征在于，所述 取向电才及之间的3巨离为2 jam ~ 50 ju m 。
4. 根据权利要求1所述的横电场模式液晶显示装置，其特征在于，所述 取向电极与提供小于10V电压的控制器连接。
5. 根据权利要求1所述的横电场模式液晶显示装置，其特征在于，所述 取向电极为氧化铟锡。
全文摘要
本发明涉及一种横电场模式液晶显示装置，包括对盒在一起将液晶填充其间的彩膜基板和阵列基板，所述彩膜基板和阵列基板上设置有取向角等于0°的取向膜，所述彩膜基板上设置有使所述液晶具有2°～4°初始取向角的取向电极，所述取向电极为间隔设置的条状体。本发明采用具有0°取向角的取向膜，通过对彩膜基板上设置的取向电极施加电压产生均匀的具有2°～4°初始取向角的液晶取向状态，提高了液晶初始取向状态的均匀性，在横电场模式中不会造成各区域透过光的相位延迟差异，因此降低了光漏缺陷，提高了对比度。
文档编号G02F1/133GK101551550SQ20081010343
公开日2009年10月7日 申请日期2008年4月3日 优先权日2008年4月3日
发明者朴韩俊, 李文兵 申请人:北京京东方光电科技有限公司