专利名称：用于对准目标的衍射元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于对准目标的衍射元件。
背景技术：
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的所需部分上的机器。例 如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模 或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案 转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。 通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行 的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。光刻技术被广泛地看作制造IC或其他装置和/或结构的关键步骤之一。然而， 随着使用光刻技术制造的特征的尺寸不断变小，光刻技术变成实现将要被制造的最小化IC 或其他装置和/或结构的更为关键的因素。图案印刷的限制的理论上的估计由下式(1)给出
权利要求
1.一种对准特征，包括阵列形式的吸收器叠层；以及耦合到对应的吸收器叠层的阵列形式的多层反射器叠层；其中所述吸收器叠层和多层反射器叠层配置成在被具有用于图案形成装置预对准的 波长的光照射时沿预对准系统的预定方向衍射光并加强用于图案形成装置预对准的预定 衍射级。
2.根据权利要求1所述的对准特征，其中，所述吸收器叠层和多层反射器叠层中的每 一个占据所述对准特征的面积的至少一半。
3.根据权利要求1或2所述的对准特征，其中，所述吸收器叠层和多层反射器叠层配置 成在被用于图案形成装置预对准的波长照射时加强第一级或更高级衍射，同时显著地减小 零级衍射和镜面反射。
4.根据权利要求1或2或3所述的对准特征，其中，所述吸收器叠层和多层反射器叠层 布置成棋盘形图案。
5.根据权利要求1-5中任一项所述的对准特征，其中，所述吸收器叠层和多层反射器 叠层是多个方形，每个方形具有尺寸为β /^^的边，其中d是所述对准特征的衍射光栅周期。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的对准特征，其中，所述吸收器叠层和多层反射器 叠层是多个半径为《Α/^的圆，其中d是所述对准特征的衍射光栅周期。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的对准特征，其中，所述吸收器叠层和多层反射器 叠层具有产生倒相的、等于用于图案形成装置预对准的入射波长的一半的高度。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的对准特征，其中，吸收器叠层和多层反射器叠层 的表面被刻槽，以便加强用于图案形成装置预对准的预定衍射级。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的对准特征，其中，用于图案形成装置对准的波长 在大约650nm到IOOOnm的近红外区域中。
10.一种用于预对准图案形成装置的方法，包括步骤在图案形成装置上形成对准目标，所述对准目标具有多个对准特征，每个对准特征包 括配置成加强用于图案形成装置预对准的预定衍射级的衍射元件；使用用于图案形成装置预对准的波长照射所述对准目标；和使用由所述对准目标衍射的辐射以预对准所述图案形成装置。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述衍射元件具有是所述对准特征的衍射光 栅周期的函数的尺寸。
12.根据权利要求10或11所述的方法，其中，所述衍射元件占据每个对准特征的面积 的至少一半。
13.根据权利要求10-13中任一项所述的方法，其中所述衍射元件配置成在被用于图 案形成装置预对准的波长照射时加强第一级或更高级衍射，同时显著地减小零级衍射和镜 面反射。
14.根据权利要求10-14中任一项所述的方法，其中，所述衍射元件以棋盘形图案形式 布置在每个对准特征内。
15.根据权利要求10-14中任一项所述的方法，其中，所述衍射元件是多个方形，每个 方形具有尺寸为
16.根据权利要求10-15中任一项所述的方法，其中，所述衍射元件是多个半径为
17.根据权利要求10-16中任一项所述的方法，其中，所述衍射元件具有产生倒相的、 等于用于图案形成装置预对准的波长的一半的高度。
18.根据权利要求10-17中任一项所述的方法，其中，所述衍射元件的表面被刻槽，以 便加强用于图案形成装置对准的预定衍射级。
19.根据权利要求10-18中任一项所述的方法，其中，用于图案形成装置对准的波长在 大约650nm到IOOOnm的近红外区域内。
20.一种光刻设备，包括照射源，配置成调节辐射束；和反射型图案形成装置，所述反射型图案形成装置包括用于预对准所述图案形成装置的 对准目标，每个对准目标包括对准特征，每个对准特征具有配置成加强用于图案形成装置 预对准的特定衍射级的衍射元件。
21.根据权利要求20所述的光刻设备，其中，所述衍射元件以棋盘形图案布置在每个 对准特征内。
22.根据权利要求20或21所述的光刻设备，其中，所述衍射元件的尺寸是所述对准特 征的衍射光栅周期的函数。
23.根据权利要求20-22中任一项所述的光刻设备，其中，所述衍射元件是多个方形，每个方形具有尺寸为
24.根据权利要求20-23中任一项所述的光刻设备，其中，所述衍射元件是多个半径为
25.根据权利要求20-24中任一项所述的光刻设备，其中，所述衍射元件具有产生倒相 的、等于用于图案形成装置预对准的入射波长的一半的高度。
26.根据权利要求20-25中任一项所述的光刻设备，其中，所述衍射元件的表面被刻 槽，以便加强用于图案形成装置预对准的预定衍射级。
27.根据权利要求20-26中任一项所述的光刻设备，其中，用于图案形成装置的波长在 大约650nm到IOOOnm的近红外区域内。
28.一种具有一面积的对准特征，所述对准特征包括在第一层上的阵列形式的第一轮廓；和在第二层上的阵列形式的第二轮廓，使得所述第一和第二层形成相位光栅，其中所述 第一轮廓占据所述对准特征的所述面积的至少一半。
29.根据权利要求28所述的对准特征，其中，所述第一和第二层包括相同的材料。
30.根据权利要求28所述的对准特征，其中，所述第一和第二层包括不同的材料。
31.根据权利要求28-30中任一项所述的对准特征，其中，所述第一层包括多层叠层。
32.根据权利要求28-31中任一项所述的对准特征，其中，所述第二层包括多层叠层。
33.一种衬底，已经在其上形成根据权利要求1-10或28-32中任一项所述的对准特征。
34.一种器件制造方法，包括步骤使用根据权利要求10-19中任一项所述的方法来预对准衬底和图案形成装置；和 将图像投影到所述衬底的辐射敏感层上。
全文摘要
提供一种图案形成装置，包括具有由多个衍射元件形成的对准特征的对准目标，每个衍射元件包括吸收器叠层和多层反射器叠层。衍射元件配置成在使用具有用于图案形成装置预对准的波长的光进行照射时沿预对准系统的预定方向衍射光并且加强用于图案形成装置预对准的预定衍射级。衍射元件占据每个对准特征的面积的至少一半。衍射元件配置成在使用用于掩模版预对准的波长进行照射时加强第一级或更高级衍射，同时显著地减小零级衍射级和镜面反射。每个衍射元件的尺寸是每个对准特征的衍射光栅周期的函数。
文档编号G03F9/00GK102007456SQ200980113420
公开日2011年4月6日 申请日期2009年4月3日 优先权日2008年4月15日
发明者M·阿力夫, R·A·萨拉尔德森, Y·乌拉迪米尔斯基 申请人:Asml控股股份有限公司