具有空间协调切换的电致变色多层设备的制造方法与工艺

本发明一般涉及可切换电致变色设备（例如，建筑窗），其能够在实质上整个区域或整个区域的选定子区域上协调切换。更具体来说，并且在一个优选实施方案中，本发明涉及可切换电致变色多层设备，尤其是用于建筑应用的大面积矩形窗，其在实质上整个区域或整个区域的选定子区域上以空间协调的方式切换；可选择地，这些设备具有非均匀的形状，可选择地，这些设备在实质上整个区域或整个区域的选定子区域上同步地（即，一致地）切换，或者以协调但非同步的方式（例如，从一边到另一边，或从上到下）从第一光学状态（例如，透明状态）切换为第二光学状态（例如，反射或彩色状态）。

背景技术：
商用可切换上光设备众所周知用作机动车辆、汽车窗、机窗总成、遮阳蓬、天窗、建筑窗中的镜。例如，此类设备可以包括无机电致变色设备、有机电致变色设备、调光镜，以及具有两个导电层的这些设备的混合物，其中一个或多个有源层位于导电层之间。当在这些导电层上施加电压时，在中间的一个或多个层的光学性质变化。此光学性质变化通常为电磁波频谱的可见或太阳能子部分的透射率的调制。为了方便起见，两个光学状态将在下面的讨论中被称为照明状态和黑暗状态，但是应理解这些光学状态仅仅是实例和相关术语（即，两个状态中的一个比另一个状态“更亮”或更能透射），并且可以在可达到特定电致变色设备的极端之间存在一组照明状态和黑暗状态；例如，在这组中的中间照明状态与黑暗状态之间切换是可行的。在相对较小的电致变色设备（例如，电致变色后视镜总成）中的照明状态与黑暗状态之间的切换通常是快速的和均匀的，而在大面积电致变色设备中的照明状态与黑暗状态之间的切换可能是缓慢和空间非均匀的。逐渐地，非均匀着色或切换是与大面积电致变色设备相关联的常见的问题。通常被称为“光圈效果”的这个问题通常是通过将电接触提供到设备的一侧或两侧的透明导电涂层实现电压降的结果。例如，当将电压最初施加到设备时，电势通常在设备边缘的附近（其中施加电压）最大并且在设备中心最小；因此，在设备边缘的附近的透射率与设备中心的透射率之间可能存在显著差异。然而，随着时间的推移，在中心与边缘之间施加的电压差减少，且因此，在设备的中心与边缘处的透射率的差减少。在此类情况下，通过最初改变在施加电势附近的设备的透射率，电致变色介质通常将显示非均匀透射率，其中随着切换进行，透射率循序渐进向设备中心改变。尽管在相对较大的设备中最常观察到光圈效果，但是在具有相应较高电阻率的导电层的较小设备中也可能存在光圈效果。

技术实现要素：
在本发明的各个方面中，提供相对较大面积的电致变色多层设备，所述电致变色多层设备能够在可以容易地制造的实质上整个区域上协调切换和着色。因此，简单地说，本发明涉及一种多层设备，其包括第一衬底以及在第一衬底的表面上的第一导电层。第一导电层能透射具有在红外到紫外的范围中的波长的电磁辐射，并且具有作为第一导电层中的位置函数而变化的使电流流过第一导电层的薄层电阻Rs，其中第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为2。本发明的另一方面为一种多层设备，其包括第一衬底以及在第一衬底的表面上的第一导电层。第一导电层具有作为第一导电层中的位置函数而变化的使电流流过第一导电层的空间变化的薄层电阻Rs，其中第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约1.25。本发明的另一方面为一种多层设备，其包括第一衬底、在此衬底的表面上的第一导电层，以及在第一导电层的表面上的第一电极层。第一导电层具有作为第一导电层中的位置函数而变化的空间变化的薄层电阻Rs，其中第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约1.25。本发明的另一方面为一种多层设备，其包括第一衬底以及在衬底的表面上的第一导电层。第一导电层具有作为第一导电层中的位置函数而变化的空间变化的薄层电阻Rs，其中作为第一导电层内的位置函数而变化的薄层电阻Rs的等高线图含有一组等电阻线和垂直于等电阻线的一组电阻梯度线。沿着这组中的梯度线的薄层电阻一般增加、一般减少、一般增加直到其达到最大值，然后一般减少，或一般减少直到其达到最小值，然后一般增加。在一个实施方案中，例如，薄层电阻中的梯度为常数。通过进一步的实例，在一个实施方案中，薄层电阻中的梯度为常数并且衬底的形状为矩形。本发明的另一方面为一种多层设备，其包括第一衬底、在衬底的表面上的第一导电层，以及在第一导电层的表面上的第一电极层。第一导电层具有作为第一导电层中的位置函数而变化的空间变化的薄层电阻Rs，其中作为第一导电层内的位置函数而变化的薄层电阻Rs的等高线图含有一组等电阻线和垂直于等电阻线的一组电阻梯度线。沿着这组中的梯度线的薄层电阻一般增加、一般减少、一般增加直到其达到最大值，然后一般减少，或一般减少直到其达到最小值，然后一般增加。在一个实施方案中，例如，薄层电阻中的梯度为常数。通过进一步的实例，在一个实施方案中，薄层电阻中的梯度为常数并且衬底的形状为矩形。本发明的另一方面为一种电致变色多层设备，其包括在第一导电层与第二导电层之间并且与第一导电层和第二导电层电接触的电致变色层。第一导电层和/或第二导电层具有作为第一导电层和/或第二导电层中的位置函数而变化的空间变化的薄层电阻Rs，其中作为第一导电层和/或第二导电层内的位置函数而变化的薄层电阻Rs的等高线图含有一组等电阻线和垂直于等电阻线的一组电阻梯度线。沿着第一导电层和/或第二导电层中的梯度线的薄层电阻一般增加、一般减少、一般增加直到其达到最大值，然后一般减少，或一般减少直到其达到最小值，然后一般增加。在一个实施方案中，例如，薄层电阻中的梯度为常数。通过进一步的实例，在一个实施方案中，薄层电阻中的梯度为常数并且衬底的形状为矩形。本发明的另一方面为一种电致变色设备，其包括第一衬底、第一导电层、第一电极层、第二导电层以及第二衬底。第一导电层和第二导电层各自具有分别作为第一导电层和第二导电层中的位置函数而变化的使电流流过第一导电层和第二导电层的薄层电阻Rs，其中第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为2，并且第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为2。第一衬底和第一导电层能透射具有在红外到紫外的范围中的波长的电磁辐射。例如，在一个实施方案中，具有在红外到紫外的范围中的波长的电磁辐射可穿透第一衬底和第一导电层。本发明的另一方面为一种用于调制电致变色多层设备的透射率的工艺，多层设备包括在第一导电层与第二导电层之间并且与第一导电层和第二导电层电接触的电致变色层。工艺包括在第一导电层与第二导电层之间施加电压脉冲，电压脉冲具有至少约2伏特的幅值。电压脉冲引起电致变色层从第一光学状态切换为第二光学状态，其中第一光学状态或第二光学状态比另一光学状态对具有介于紫外线与红外线之间的波长的电磁辐射具有更大的透射率，并且在脉冲后和在缺乏施加在导电层之间的电压时，第二光学状态持续至少1秒。本发明的另一方面为一种用于制备多层设备的工艺，工艺包括在第一衬底的表面上形成第一导电层。第一导电层包括透明导体并且具有作为第一导电层中的位置函数而变化的使电流流过第一导电层的空间变化的薄层电阻Rs，其中第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约1.25。本发明的另一方面为一种用于制备多层设备的工艺。工艺包括形成多层结构，其包括电致变色层、导电层以及衬底，导电层位于第一电极层与衬底之间。第一导电层具有作为第一导电层中的位置函数而变化的使电流流过第一导电层的空间变化的薄层电阻Rs，其中第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约1.25。本发明的另一方面涉及一种用于制备多层设备的工艺。工艺包括形成多层结构，其包括在第一导电层与第二导电层之间并且与第一导电层和第二导电层电接触的电致变色层。第一导电层和/或第二导电层具有分别作为第一导电层和/或第二导电层中的位置函数而变化的使电流流过第一导电层和/或第二导电层的空间变化的薄层电阻Rs，其中分别在第一导电层和/或第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约1.25。其它目的和特征将部分明显并且在下文中被部分指出。附图说明图1为本发明的多层电致变色设备的示意性横截面。图2A至图2E为第一导电层和/或第二导电层中的作为第一导电层和/或第二导电层内的位置（二维）函数而变化的薄层电阻Rs的一系列等高线图，其示出产生于具有正方形和圆形周长的设备的汇流条的各种替代布置的等电阻线（有时也称为等高线）和电阻梯度线（垂直于等电阻线的线）。图3为在衬底上具有分级厚度的导电层的示意性横截面。图4为本发明的多层电致变色设备的替代实施方案的示意性横截面。图5为用于模拟实例1中所述的电致变色设备的动态行为的1-D集总元件电路模型图。图6为如实例1中所述的施加到汇流条的电压波形的曲线图。图7为如实例1中所述的流入设备的电流相对于时间的曲线图。图8为如实例1中所述的在三个位置（接近边缘、接近中心，以及在这两个之间）在电致变色薄膜上的电压的曲线图。图9为如实例1中所述的施加到汇流条的电压波形的曲线图。图10为如实例1中所述的流入设备的电流相对于时间的曲线图。图11为如实例1中所述的在三个位置（接近边缘、接近中心，以及在这两个之间）在电致变色薄膜上的电压的曲线图。图12为用于模拟实例2中所述的电致变色设备的动态行为的1-D集总元件电路模型图。图13为如实例1中所述的施加到汇流条的电压波形的曲线图。图14为如实例1中所述的流入设备的电流相对于时间的曲线图。图15为如实例1中所述的在三个位置（接近边缘、接近中心，以及在这两个之间）在电致变色薄膜上的电压的曲线图。图16为用于模拟实例3中所述的电致变色设备的动态行为的1-D集总元件电路模型图。图17为如实例1中所述的施加到汇流条的电压波形的曲线图。图18为如实例1中所述的流入设备的电流相对于时间的曲线图。图19为如实例1中所述的在三个位置（接近边缘、接近中心，以及在这两个之间）在电致变色薄膜上的电压的曲线图。图20为本发明的多层电致变色设备的替代实施方案的示意性横截面。图21为图1的多层设备的分解图。贯穿图中，对应的参考字符指示对应的零件。另外，在不同图中的层的相对厚度不代表尺寸的真实关系。例如，衬底通常比其它层厚得多。绘制图只是为了说明连接原理，而不是为了提供任何尺寸信息。具体实施方式缩写和定义提供下面的定义和方法以更好地定义本发明并且在本发明的实践中指导本领域的普通技术人员。除非另有说明，否则应根据相关领域的普通技术人员的常规用法理解术语。术语“阳极电致变色层”指的是在去除离子后，从更多透射状态改变为更少透射状态的电极层。术语“阴极电致变色层”指的是在插入离子后，从更多透射状态改变为更少透射状态的电极层。术语“导电的”和“电阻的”指的是材料的电导率和电阻率。术语“凸多边形”指的是简单多边形，其中每个内角小于或等于180度，并且在两个顶点之间的每条线段保持在多边形的内部或在多边形的边界上。示例性凸多边形包括三角形、矩形、五边形、六边形等，其中每个内角小于或等于180度，并且在两个顶点之间的每条线段保持在多边形的内部或在多边形的边界上。术语“电致变色层”指的是包括电致变色材料的层。术语“电致变色材料”指的是由于插入或提取离子和电子而能够可逆地改变其光学性质的材料。例如，电致变色材料可以在彩色状态、半透明状态和透明状态之间改变。术语“电极层”指的是能够导电离子以及电子的层。电极层含有在将离子插入材料中时可以氧化的物质，并且含有在从层提取离子时可以还原的物质。电极层中的物质的氧化状态的这个变化负责设备中的光学性质的变化。术语“电势”或简单地“电势”指的是在包括电极/离子导体/电极叠层的设备上出现的电压。术语“能透射的”用于表示电磁辐射通过材料的透射。术语“穿透的”用于表示电磁辐射通过材料以使得例如可以使用适当的图像传感技术明显看到或成像位于材料之外或后面的主体的大量透射。图1描绘根据本发明的第一实施方案的电致变色设备1的横截面结构图。从中心向外移动，电致变色设备1包括离子导体层10。第一电极层20在离子导体层10的第一表面的一侧上并且与离子导体层10的第一表面接触，并且第二电极层21在离子导体层10的第二表面的另一侧上并且与离子导体层10的第二表面接触。另外，第一电极层20和第二电极层21中的至少一个包括电致变色材料；在一个实施方案中，第一电极层20和第二电极层21各自包括电致变色材料。中央结构（即，层20、10、21）位于第一导电层22与第二导电层23之间，第一导电层22和第二导电层23进而被布置抵靠外衬底24、25。元件22、20、10、21和23统称为电致变色叠层28。导电层22经由汇流条26与电源（未示出）的一个端子电接触，并且导电层23经由汇流条27与电源（未示出）的另一端子电接触，由此可以通过将电压脉冲施加到导电层22和导电层23改变电致变色设备10的透射率。脉冲促使电子和离子在第一电极层20与第二电极层21之间移动，且因此，第一电极层和/或第二电极层中的电致变色材料改变光学状态，从而将电致变色设备1从更多透射状态切换为更少透射状态，或从更少透射状态切换为更多透射状态。在一个实施方案中，电致变色设备1在电压脉冲前是透明的并且在电压脉冲后是更少透射的（例如，更多反射或彩色），或反之亦然。应理解，提及更少透射状态与更多透射状态之间的过渡是非限制性的，并且旨在描述由电致变色材料可达到的对电磁辐射的透射率转换的整个范围。例如，透射率的变化可以是从第一光学状态改变为第二光学状态，第二光学状态(i)比第一状态相对更多吸收（即，更少透射），(ii)比第一状态相对更少吸收（即，更多透射），(iii)比第一状态相对更多反射（即，更少透射），(iv)比第一状态相对更少反射（即，更多透射），(v)比第一状态相对更多反射和更多吸收（即，更少透射），或(vi)比第一状态相对更少反射和更少吸收（即，更多透射）。另外，变化可以在由电致变色设备可达到的两个极端光学状态之间，例如，在第一透明状态与第二状态之间，第二状态为不透明或反射（反光镜）。或者，变化可以在两个光学状态之间，至少一个光学状态为沿着特定电致变色设备可达到的两个极端状态（例如，透明和不透明或透明和反光镜）之间的光谱的中间状态。除非本文另有指定，否则每当提及更少透射和更多透射，或甚至漂白色转换时，对应的设备或工艺涵盖其它光学状态转换，例如，非反射-反射、透明-不透明等。进一步地，术语“漂白的”指的是光学中性状态，例如，未着色的、透明或半透明的。更进一步地，除非本文另有指定，否则电致变色转换的“色彩”不限于任何特定波长或波长范围。如本领域技术人员所理解，适当的电致变色材料和反电极材料的选择管理相关的光学转换。一般而言，透射率的变化优选包括具有在红外到紫外辐射的范围中的波长的电磁辐射的透射率的变化。例如，在一个实施方案中，透射率的变化主要是在红外光谱中的电磁辐射的透射率的变化。在第二实施方案中，透射率的变化是针对具有主要在可见光谱中的波长的电磁辐射。在第三实施方案中，透射率的变化是针对具有主要在紫外光谱中的波长的电磁辐射。在第四实施方案中，透射率的变化是针对具有主要在紫外光谱和可见光谱中的波长的电磁辐射。在第五实施方案中，透射率的变化是针对具有主要在红外光谱和可见光谱中的波长的电磁辐射。在第六实施方案中，透射率的变化是针对具有主要在紫外光谱、可见光谱和红外光谱中的波长的电磁辐射。组成电致变色叠层28的材料可以包括有机材料或无机材料，并且这些材料可以是固体或液体。例如，在某些实施方案中，电致变色叠层28包括无机、固体（即，处于固态），或无机和固体的材料。无机材料在建筑应用中显示更好的可靠性。处于固态的材料也可以提供不具有封闭和泄漏问题的优点，因为处于液态的材料经常具有封闭和泄漏问题。应理解，叠层中的任何一个或多个层可以含有一些数量的有机材料，但是在许多实施中一个或多个层含有很少有机物质或不含有有机物质。这同样也可以适用于可能少量存在于一个或多个层中的液体。在某些其它实施方案中，组成电致变色叠层28的一些或所有的材料为有机材料。有机离子导体可以提供更高的迁移率，因此可能具有更好的设备切换性能。有机电致变色层可以提供更高的对比度和更多样化的色彩选择。下文详细地讨论电致变色设备中的每个层。也应理解，可以通过使用液体组分的工艺（例如，使用溶胶-凝胶法或化学气相沉积的某些工艺）沉积或以其它方式形成固态材料。再次参看图1，连接到汇流条26、27的电源（未示出）通常为具有可选的电流限制或电流控制特征的电压源，并且可以被配置成结合局部热传感器、光敏传感器或其它环境传感器进行操作。电压源也可以被配置成与能量管理系统（例如，根据例如一年的时间、每天的时间和测量环境条件的因素控制电致变色设备的计算机系统）连接。这样的能量管理系统连同大面积电致变色设备（例如，电致变色建筑窗）一起可以显著降低建筑物的能量消耗。衬底24、25中的至少一个优选是透明的，以便向环境显示叠层28的电致变色性质。具有适合的光学、电、热和机械性质的任何材料可以用作第一衬底24或第二衬底25。例如，此类衬底包括玻璃、塑料、金属和金属涂覆玻璃或塑料。可能的塑料衬底的非排他性实例为聚碳酸酯、聚丙烯酸、聚氨酯、氨酯碳酸酯共聚物、聚砜、聚酰亚胺、聚丙烯酸酯、聚醚、聚酯、聚乙烯、聚烯烃、聚酰亚胺、聚硫化物、聚乙烯乙酸酯和纤维素基聚合物。如果使用塑料衬底，那么例如有机玻璃领域中众所周知的，可以使用例如类金刚石保护涂层、二氧化硅/硅酮耐磨涂层等的硬涂层来屏障保护和磨损保护塑料衬底。适合的玻璃包括透明玻璃或有色碱石灰玻璃（包括碱石灰浮法玻璃）。玻璃可以是钢化玻璃或非钢化玻璃。在具有用作第一衬底24和/或第二衬底25的玻璃（例如，碱石灰玻璃）的电致变色设备1的一些实施方案中，在第一衬底24与第一导电层22之间和/或在第二衬底25与第二导电层23之间存在钠扩散阻挡层（未示出）以防止钠离子从玻璃扩散到第一导电层和/或第二导电层23中。在一些实施方案中，省略第二衬底25。在本发明的一个优选实施方案中，第一衬底24和第二衬底25各自为浮法玻璃。在建筑应用的某些实施方案中，该玻璃至少为0.5米×0.5米，并且可以更大，例如，大到约3米×4米。在此类应用中，该玻璃通常至少为约2mm厚并且更常见为4-6mm厚。独立于应用，本发明的电致变色设备可以具有广泛范围的大小。一般而言，优选电致变色设备包括具有表面积至少为0.001m2的表面的衬底。例如，在某些实施方案中，电致变色设备包括具有表面积至少为0.01m2的表面的衬底。通过进一步的实例，在某些实施方案中，电致变色设备包括具有表面积至少为0.1m2的表面的衬底。通过进一步的实例，在某些实施方案中，电致变色设备包括具有表面积至少为1m2的表面的衬底。通过进一步的实例，在某些实施方案中，电致变色设备包括具有表面积至少为5m2的表面的衬底。通过进一步的实例，在某些实施方案中，电致变色设备包括具有表面积至少为10m2的表面的衬底。两个导电层22、23中的至少一个也优选为透明的以便向环境显示叠层28的电致变色性质。在一个实施方案中，导电层23为透明的。在另一实施方案中，导电层22为透明的。在另一实施方案中，导电层22、23各自为透明的。在某些实施方案中，导电层22、23中的一个或两个为无机物和/或固体。导电层22和导电层23可以由许多不同的透明材料制成，包括透明导电氧化物、薄金属涂层、导电纳米粒子（例如，杆、管、点）导电金属氮化物的网络，以及复合导体。透明导电氧化物包括金属氧化物和掺杂一种或多种金属的金属氧化物。此类金属氧化物和掺杂金属氧化物的实例包括氧化铟、氧化铟锡、掺杂氧化铟、氧化锡、掺杂氧化锡、氧化锌、氧化锌铝、掺杂氧化锌、氧化钌、掺杂氧化钌等。透明导电氧化物有时称为(TCO)层。也可以使用实质上透明的薄金属涂层。用于此类薄金属涂层的金属的实例包括金、铂、银、铝、镍以及这些元素的合金。透明导电氮化物的实例包括氮化钛、氮化钽、氮氧化钛和氮氧化钽。导电层22和导电层23也可以是透明复合导体。通过在衬底的一个面上放置高导电陶瓷和金属线或导电层图案，然后用透明导电材料（例如，掺杂氧化锡或氧化铟锡）过量涂覆，可以制造此类复合导体。理想地，此类金属线应该足够薄以使肉眼看不见（例如，约100μm或更薄）。对可见光透明的电子导体22和导电层23的非排他性实例为氧化铟锡(ITO)、氧化锡、氧化锌、氧化钛、n型或p型掺杂氧化锌和氟氧化锌的薄膜。最近也探索基于金属的层（例如，ZnS/Ag/ZnS）和碳纳米管层。取决于特定的应用，导电层22和导电层23中的一个或两个可以由金属格栅制成或包括金属格栅。导电层的厚度可能受在层内包括的材料的组合物和其透明特性影响。在一些实施方案中，导电层22和导电层23为透明的并且各自具有在约1000nm与约50nm之间的厚度。在一些实施方案中，导电层22和导电层23的厚度在约500nm与约100nm之间。在其它实施方案中，导电层22和导电层23各自具有在约400nm与约200nm之间的厚度。一般而言，只要导电层22和导电层23提供必要的电气性质（例如，导电性）和光学性质（例如，透射率），就可以使用更厚或更薄的层。对于某些应用而言，一般地优选导电层22和导电层23尽可能薄以便增加透明度并且降低成本。再次参看图1，导电层的功能为在电致变色叠层28的整个表面上将由电源提供的电势施加到叠层的内部区域。通过与导电层的电连接将电势转移到导电层。在一些实施方案中，汇流条在电压源与导电层22和导电层23之间提供电连接，其中一个汇流条与第一导电层22接触并且一个汇流条与第二导电层23接触。在一个实施方案中，第一导电层22和第二导电层23的薄层电阻Rs为约500Ω/□至1Ω/□。在一些实施方案中，第一导电层22和第二导电层23的薄层电阻为约100Ω/□至5Ω/□。一般而言，第一导电层22和第二导电层23中的每个的薄层电阻大约相同是可取的。在一个实施方案中，第一导电层22和第二导电层23各自具有约20Ω/□至约8Ω/□的薄层电阻。为了促进将电致变色设备1从相对较大透射率的状态快速切换为相对较小透射率的状态，或反之亦然，导电层22、23中的至少一个优选地具有使电子流过非均匀层的薄层电阻Rs。例如，在一个实施方案中，第一导电层22和第二导电层23中只有一个具有使电子流过层的非均匀薄层电阻。或者，并且通常更优选地，第一导电层22和第二导电层23各自具有使电子流过各自的层的非均匀薄层电阻。不受任何特定理论的约束，目前相信通过控制导电层中的电压降以在设备上、在设备的区域上提供均匀电势降或所需的非均匀电势降，导电层22的空间变化的薄层电阻、导电层23的空间变化的薄层电阻，或导电层22和导电层23的空间变化的薄层电阻提高设备的切换性能。一般而言，考虑到电致变色设备的类型、设备形状和尺寸、电极特性以及与电压源的电连接（例如，汇流条）的放置，电路建模可以用于确定提供所需的切换性能的薄层电阻分布。至少部分地通过分级第一导电层和/或第二导电层的厚度、分级第一导电层和/或第二导电层的组合物，或图案化第一导电层和/或第二导电层，或这些操作的某一组合，又可以控制薄层电阻分布。在一个示例性实施方案中，电致变色设备为矩形电致变色窗。再次参看图1，在这个实施方案中，第一衬底24和第二衬底25为矩形玻璃片或其它透明衬底，并且电致变色设备1具有分别位于第一电极层20和第二电极层21的相对侧上的两个汇流条26、27。当以这种方式配置时，一般地优选电子在第一导电层22中流动的电阻随着与汇流条26增加的距离而增加，并且电子在第二导电层23中流动的电阻随着与汇流条27增加的距离而增加。例如，通过随着与汇流条26增加的距离而减少第一导电层22的厚度并且随着与汇流条27增加的距离而减少第二导电层23的厚度，又可能影响上述情况。本发明的多层设备可以具有不同于矩形的形状，可以具有多于两个的汇流条，和/或可以在设备的相对侧上不具有由汇流条。例如，多层设备可以具有更一般为四边形的周长，或具有比例如四边更多或更少的边的形状，多层设备的形状可以是三角形、五边形、六边形等。通过进一步的实例，多层设备可以具有弯曲但缺少顶点的周长，例如，圆形、椭圆形等。通过进一步的实例，多层设备可以包括连接多层设备与电压源的三个、四个或更多个汇流条，或独立于数量的汇流条可以位于非相对的侧上。在此类情况中的每种情况下，导电层中的优选电阻分布可以不同于在矩形、两个汇流条的配置中所述的电阻分布。然而，一般而言，并且独立于多层设备是否具有不同于矩形的形状，存在多于两个的电连接（例如，汇流条），和/或电连接（例如，汇流条）在设备的相对侧上，可以根据第一导电层和/或第二导电层内的（二维）位置绘制第一导电层22、第二导电层23，或第一导电层22和第二导电层23中的薄层电阻Rs以连接相等的薄层电阻的点（即，等电阻线）。这种一般性的曲线图（有时称为等高线图）常规用于制图法以连接相等高程的点。在本发明的上下文中，作为第一导电层和/或第二导电层内的（二维）位置函数的第一导电层和/或第二导电层中的薄层电阻Rs的等高线图优选含有一系列等电阻线（有时也称为等高线）和电阻梯度线（垂直于等电阻线的线）。沿着第一导电层和/或第二导电层中的梯度线的薄层电阻一般增加、一般减少、一般增加直到其达到最大值，然后一般减少，或一般减少直到其达到最小值，然后一般增加。图2A至图2E描绘对于根据本发明的电致变色叠层的几个示例性实施方案，作为导电层内的（二维）位置函数的导电层（即，第一导电层、第二导电层，或第一导电层和第二导电层的每个）中的薄层电阻Rs的等高线图。在图2A至图2E中的每一个中，等高线图50描绘一组薄层等电阻曲线52（即，薄层电阻Rs具有常数值所沿着的曲线）和垂直于等电阻曲线52的一组电阻梯度曲线54，这些曲线产生于具有正方形（图2A、图2B和图2C）或圆形（图2D和图2E）的周长的电致变色叠层以及与电致变色叠层的第一导电层和第二导电层（未标示）接触的汇流条226和227的不同数量和位置。在图2A中，这组梯度54的方向指示导电层内的薄层电阻Rs沿着这组梯度54并且在与汇流条227接触的导电层的西侧55与东侧56之间逐步增加。在图2B中，梯度54A的方向指示与汇流条227接触的导电层内的薄层电阻Rs从西南角57到质心59逐步减少，然后从质心59到东北角58减少。在图2C中，这组梯度54的方向指示与汇流条227接触的导电层内的薄层电阻Rs从西侧60和东侧61到质心59逐步减少，并且从顶侧58和底侧57到质心59逐步增加；换句话说，薄层电阻Rs形成以质心59为中心的鞍状形式。在图2D中，梯度54a和54b的方向指示与汇流条227接触的导电层内的薄层电阻Rs从位置64和65中的每个到质心59逐步减少并且从位置63和62中的每个到质心59逐步增加；换句话说，薄层电阻Rs形成以质心59为中心的鞍状形式。在图2E中，这组梯度54的方向指示与汇流条227接触的导电层内的薄层电阻Rs从西侧55到东侧56逐步减少。在一个实施方案中，例如，薄层电阻中的梯度为常数。通过进一步的实例，在一个实施方案中，薄层电阻中的梯度为常数并且衬底的形状为矩形。在一个目前优选的实施方案中，第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约1.25。在一个示例性实施方案中，第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约1.5。在一个示例性实施方案中，第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约2。在一个示例性实施方案中，第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约3。在一个示例性实施方案中，第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约4。在一个示例性实施方案中，第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约5。在一个示例性实施方案中，第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约6。在一个示例性实施方案中，第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约7。在一个示例性实施方案中，第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约8。在一个示例性实施方案中，第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约9。在一个示例性实施方案中，第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约10。图21图示多层电致变色设备1的第一导电层22的薄层电阻的非均匀性。第一导电层22包括薄层电阻梯度曲线（包括线段X1-Y1的线，其指示导电层22内的薄层电阻Rs逐步增加，如结合图2所述）。在X1与Y1之间，第一导电层22的薄层电阻一般增加、一般减少或一般增加，然后减少。在一个实施方案中，线段X1-Y1具有至少1cm的长度。例如，线段X1-Y1可以具有2.5cm、5cm、10cm或25cm的长度。另外，线段X1-Y1可以是直的或弯曲的。在一个实施方案中，通过对第一导电层的两个不同区域中的平均薄层电阻Ravg的比率进行比较，可以观察第一导电层的薄层电阻的非均匀性，其中第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第一导电层的至少25%的表面积。例如，在一个此实施方案中，第一导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第一导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为1.25，其中第一区域和第二区域中的每个被围成凸多边形，并且各自包括第一导电层的至少25%的表面积。可以参照图21图示这种情况。第一导电层22包括凸多边形A1和凸多边形B1并且各自包围包括第一导电层22的至少25%的表面积的区域；在一个实施方案中，以凸多边形A1为边界的第一导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与以凸多边形B1为边界的第一导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为1.25。如图所示，仅仅为了例证的目的，凸多边形A1为三角形并且凸多边形B1为正方形；实际上，第一区域可能以任何凸多边形为边界并且第二区域可能以任何凸多边形为边界。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第一导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第一导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为1.5，其中第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第一导电层的至少25%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第一导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第一导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为2，其中第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第一导电层的至少25%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第一导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第一导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为3，其中第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第一导电层的至少25%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第一导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第一导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为4，其中第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第一导电层的至少25%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第一导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第一导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为5，其中第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第一导电层的至少25%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第一导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第一导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为6，其中第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第一导电层的至少25%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第一导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第一导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为7，其中第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第一导电层的至少25%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第一导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第一导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为8，其中第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第一导电层的至少25%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第一导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第一导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为9，其中第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第一导电层的至少25%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第一导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第一导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为10，其中第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第一导电层的至少25%的表面积。在一个实施方案中，在上述实例的每个中，第一区域和第二区域为互不相交的区域。在一个实施方案中，通过对第一导电层的四个不同区域中的平均薄层电阻Ravg进行比较，可以观察第一导电层的薄层电阻的非均匀性，其中第一区域与第二区域相邻，第二区域与第三区域相邻，第三区域与第四区域相邻，这些区域中的每个被围成凸多边形，并且各自包括第一导电层的至少10%的表面积。例如，在一个此实施方案中，第一导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第一导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为1.25，第一导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg与第一导电层的第三区域中的平均薄层电阻R3avg的比率至少为1.25，第一导电层的第三区域中的平均薄层电阻R3avg与第一导电层的第四区域中的平均薄层电阻R4avg的比率至少为1.25，其中第一区域与第二区域相邻，第二区域与第三区域相邻，第三区域与第四区域相邻，这些区域中的每个被围成凸多边形，并且各自包括第一导电层的至少10%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第一导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第一导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为1.5，第一导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg与第一导电层的第三区域中的平均薄层电阻R3avg的比率至少为1.5，第一导电层的第三区域中的平均薄层电阻R3avg与第一导电层的第四区域中的平均薄层电阻R4avg的比率至少为1.5，其中第一区域与第二区域相邻，第二区域与第三区域相邻，第三区域与第四区域相邻，这些区域中的每个被围成凸多边形，并且各自包括第一导电层的至少10%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第一导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第一导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为2，第一导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg与第一导电层的第三区域中的平均薄层电阻R3avg的比率至少为2，第一导电层的第三区域中的平均薄层电阻R3avg与第一导电层的第四区域中的平均薄层电阻R4avg的比率至少为2，其中第一区域与第二区域相邻，第二区域与第三区域相邻，第三区域与第四区域相邻，这些区域中的每个被围成凸多边形，并且各自包括第一导电层的至少10%的表面积。在一个实施方案中，在上述实例的每个中，第一区域、第二区域、第三区域和第四区域为互不相交的区域。在一个目前优选实施方案中，第二导电层具有作为第二导电层中的位置函数而变化的使电流流过第二导电层的薄层电阻Rs。在一个此实施方案中，第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约1.25。在一个示例性实施方案中，第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约1.5。在一个示例性实施方案中，第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约2。在一个示例性实施方案中，第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约3。在一个示例性实施方案中，第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约4。在一个示例性实施方案中，第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约5。在一个示例性实施方案中，第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约6。在一个示例性实施方案中，第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约7。在一个示例性实施方案中，第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约8。在一个示例性实施方案中，第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约9。在一个示例性实施方案中，第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约10。图21图示多层电致变色设备1的第二导电层23的薄层电阻的非均匀性。导电层22包括包括线段X-Y的薄层电阻梯度曲线54；在X与Y之间，第二导电层23的薄层电阻一般增加、一般减少或一般增加，然后减少。在一个实施方案中，线段X1-Y1具有至少1cm的长度。例如，线段X-Y可以具有2.5cm、5cm、10cm或25cm的长度。另外，线段X-Y可以是直的或弯曲的。在一个实施方案中，通过对第二导电层的两个不同区域中的平均薄层电阻Ravg的比率进行比较，可以观察第二导电层的薄层电阻的非均匀性，其中第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第二导电层的至少25%的表面积。例如，在一个此实施方案中，第二导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第二导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为1.25，其中第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第二导电层的至少25%的表面积。可以参照图21图示这种情况。第二导电层23包括凸多边形A和凸多边形B并且各自包围包括第二导电层23的至少25%的表面积的区域；在一个实施方案中，以凸多边形A为边界的第二导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与以凸多边形B为边界的第二导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为1.25。如图所示，仅仅为了例证的目的，凸多边形A为三角形并且凸多边形B为正方形；实际上，第一区域可能以任何凸多边形为边界并且第二区域可能以任何凸多边形为边界。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第二导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第二导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为1.5，其中第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第二导电层的至少25%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第二导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第二导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为2，其中第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第二导电层的至少25%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第二导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第二导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为3，其中第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第二导电层的至少25%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第二导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第二导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为4，其中第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第二导电层的至少25%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第二导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第二导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为5，其中第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第二导电层的至少25%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第二导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第二导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为6，其中第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第二导电层的至少25%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第二导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第二导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为7，其中第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第二导电层的至少25%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第二导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第二导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为8，其中第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第二导电层的至少25%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第二导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第二导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为9，其中第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第二导电层的至少25%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第二导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第二导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为10，其中第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第二导电层的至少25%的表面积。在一个实施方案中，在上述实例的每个中，第一区域和第二区域为互不相交的区域。在一个实施方案中，通过对第二导电层的四个不同区域中的平均薄层电阻Ravg进行比较，可以观察第二导电层的薄层电阻的非均匀性，其中第一区域与第二区域相邻，第二区域与第三区域相邻，第三区域与第四区域相邻，这些区域中的每个被围成凸多边形，并且各自包括第二导电层的至少10%的表面积。例如，在一个此实施方案中，第二导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第二导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为1.25，第二导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg与第二导电层的第三区域中的平均薄层电阻R3avg的比率至少为1.25，第二导电层的第三区域中的平均薄层电阻R3avg与第二导电层的第四区域中的平均薄层电阻R4avg的比率至少为1.25，其中第一区域与第二区域相邻，第二区域与第三区域相邻，第三区域与第四区域相邻，这些区域中的每个被围成凸多边形，并且各自包括第二导电层的至少10%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第二导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第二导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为1.5，第二导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg与第二导电层的第三区域中的平均薄层电阻R3avg的比率至少为1.5，第二导电层的第三区域中的平均薄层电阻R3avg与第二导电层的第四区域中的平均薄层电阻R4avg的比率至少为1.5，其中第一区域与第二区域相邻，第二区域与第三区域相邻，第三区域与第四区域相邻，这些区域中的每个被围成凸多边形，并且各自包括第二导电层的至少10%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第二导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第二导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为2，第二导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg与第二导电层的第三区域中的平均薄层电阻R3avg的比率至少为2，第二导电层的第三区域中的平均薄层电阻R3avg与第二导电层的第四区域中的平均薄层电阻R4avg的比率至少为2，其中第一区域与第二区域相邻，第二区域与第三区域相邻，第三区域与第四区域相邻，这些区域中的每个被围成凸多边形，并且各自包括第二导电层的至少10%的表面积。在一个实施方案中，在上述实例的每个中，第一区域、第二区域、第三区域和第四区域为互不相交的区域。在一个目前优选实施方案中，第一导电层22和第二导电层23具有作为第一导电层和第二导电层中的位置函数而变化的使电流流过第二导电层的薄层电阻Rs。尽管一般在这个实施方案中优选第一导电层和第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率近似相同，但是这比率可以具有不同值。例如，在一个此实施方案中，第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率具有至少为第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率两倍大的值。更典型地，然而，第一导电层和第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率将大致相同并且每个比率至少为约1.25。在一个示例性实施方案中，第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率、第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率将大致相同并且每个比率至少为约1.5。在一个示例性实施方案中，第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率、第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约2。在一个示例性实施方案中，第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率、第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约3。在一个示例性实施方案中，第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率、第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约4。在一个示例性实施方案中，第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率、第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约5。在一个示例性实施方案中，第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率、第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约6。在一个示例性实施方案中，第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率、第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约7。在一个示例性实施方案中，第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率、第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约8。在一个示例性实施方案中，第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率、第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约9。在一个示例性实施方案中，第一导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率、第二导电层中的最大薄层电阻Rmax的值与最小薄层电阻Rmin的值的比率至少为约10。在一个实施方案中，通过分别对第一导电层和第二导电层的两个不同区域中的平均薄层电阻Ravg的比率进行比较，可以观察第一导电层和第二导电层的薄层电阻的非均匀性，其中第一导电层的第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第一导电层的至少25%的表面积，并且第二导电层的第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第二导电层的至少25%的表面积。例如，在一个此实施方案中，第一导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第一导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为1.25，并且第二导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第二导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为1.25，其中第一导电层的第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第一导电层的至少25%的表面积，并且第二导电层的第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第二导电层的至少25%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第一导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第一导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为1.5，并且第二导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第二导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为1.5，其中第一导电层的第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第一导电层的至少25%的表面积，并且第二导电层的第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第二导电层的至少25%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第一导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第一导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为2，并且第二导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第二导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为2，其中第一导电层的第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第一导电层的至少25%的表面积，并且第二导电层的第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第二导电层的至少25%的表面积。通过进一步的实例，在一个此实施方案中，第一导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第一导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为3，并且第二导电层的第一区域中的平均薄层电阻R1avg与第二导电层的第二区域中的平均薄层电阻R2avg的比率至少为3，其中第一导电层的第一区域和第二区域各自被围成凸多边形并且各自包括第一导电层的至少25%的表面积，并且第二导电层的第一区域和第二区域...