电子照相用构件、处理盒和电子照相设备的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种能够更可靠地抑制C永久变形图像发生的电子照相用构件。该电子照相用构件具有包含具有由下式(1)所示结构的改性聚硅氧烷的表面层。在式(1)中，G表示包含由式(-O-C2H4-)所示的氧化乙烯链的二价基团，和L表示至少具有SiO4/2(Q)单元或SiO3/2(T)单元的聚硅氧烷。
【专利说明】电子照相用构件、处理盒和电子照相设备
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用于电子照相图像形成设备(以下称作电子照相设备)的电子照相用构件和处理盒，以及电子照相设备。
【背景技术】
[0002]大量用于电子照相设备的充电设备采用接触充电法，该方法中通过向与电子照相感光构件的表面接触或邻近设置的电子照相用构件，即充电构件，施加电压使电子照相感光构件的表面带电。在此方法中，通常向充电构件仅施加DC电压或在DC电压上叠加AC电压的电压。
[0003]为了稳定地进行接触充电，将用于调节导电性的导电剂添加至充电构件中。导电剂的实例包括电子导电剂如炭黑，和离子导电剂如季铵盐。
[0004]如果用于接触充电的充电构件长期保持与电子照相感光构件接触的状态，那么在充电构件与电子照相感光构件的接触部产生不易恢复的变形，即所谓压缩永久变形(以下称作“C永久变形”)。
[0005]如果将导电性构件放置在高温高湿环境中，则变形量变得更加显著。当使用离子导电剂作为导电性构件用导电剂时，离子导电剂不均匀地分布在具有C永久变形的部分(以下称作“C永久变形部”)中，由此，C永久变形部的电阻值变化。结果，在C永久变形部与非C永久变形部间产生电阻值的差。
[0006]由于C永久变形部与非C永久变形部之间变形量和电阻值的差，导致充电构件的充电能力存在差异。从而，有时会导致在对应于C永久变形部的位置具有条纹状不均匀的电子照相图像(以下称作“C永久变形图像”)。
[0007]日本专利申请特开2006-189894和日本专利申请特开H07-121009描述了包含具有特定季铵盐或季铵碱的聚合物的充电构件的实例。
[0008]引用文献列表
[0009]专利文献
[0010]PTLl:日本专利申请特开2006-189894
[0011]PTL2:日本专利申请特开H07-121009
【发明内容】
[0012]发明要解决的问题
[0013]本发明人研究了日本专利申请特开2006-189894和日本专利申请特开H07-121009中记载的充电构件，发现在这些充电构件中，C永久变形部导致的变形量和电阻值的差并未充分下降，有时仍会导致C永久变形图像。近来，要求电子照相设备表现出更高的速度性能和更高的图像品质。从而，甚至在常规的图像形成条件下不会形成C永久变形图像的充电构件也由于处理速度提高可能导致C永久变形图像。
[0014]因此，本发明的一个目的在于提供一种能够更确实地抑制C永久变形图像形成的电子照相用构件。本发明的另一个目的在于提供一种能够稳定形成高品质电子照相图像的处理盒和电子照相设备。
[0015]用于解决问题的方案
[0016]本发明提供一种电子照相用构件，其具有包含具有由下式(I)所示结构的改性聚硅氧烷的表面层:
[0017]
【权利要求】
1.一种电子照相用构件，其包括表面层，其中，所述表面层包含具有下式(I)所示结构的改性聚硅氧烷:
2.根据权利要求1所述的电子照相用构件，其中，所述式(I)的Rl为由所述式(2)表示的基团，在所述式(2)中，j为O或l，k为1，和由R3表示的二价连接基团具有由下式(6)表示的结构:
3.根据权利要求1所述的电子照相用构件，其中所述式(I)的Rl为由所述式(2)表示的基团，和在所述式⑵中，j为l，k为O。
4.根据权利要求1所述的电子照相用构件，其中所述式(I)的Rl为由所述式(3)表示的基团，和在所述式⑶中，P为l，q为1，和R6具有由下式(7)表示的结构:
5.根据权利要求1-4任意一项所述的电子照相用构件，其中，所述式(I)的R2具有由所述式(4)表示的结构，和在所述式(4)中，R9具有由下式(8)或(9)表示的结构:
6.根据权利要求1-4任意一项所述的电子照相用构件，其中，所述式(I)的R2具有由所述式(5)表示的结构，和在所述式(5)中，R13具有由下式(11)或(12)表示的结构:
7.根据权利要求6所述的电子照相用构件，其中所述式(5)的Rll为具有1-10个碳原子的亚烷基。
8.一种处理盒，其包括充电构件和设置为通过所述充电构件可带电的电子照相感光构件，并具有从电子照相设备的主体可除去的结构，其中所述充电构件是根据权利要求1-7任意一项所述的电子照相用构件。
9.一种电子照相设备，其包括充电构件和设置为通过所述充电构件可带电的电子照相感光构件，其中所述充电构件是根据权利要求1-7任意一项所述的电子照相用构件。
【文档编号】G03G15/02GK104011600SQ201280061448
【公开日】2014年8月27日 申请日期:2012年12月6日 优先权日:2011年12月14日
【发明者】谷口智士, 黛博志, 八木泽勇介 申请人:佳能株式会社