缺陷检测方法、缺陷检测装置以及半导体基板的制造方法
【专利摘要】提供即使在检测半导体基板的缺陷所需的电流量被限制的情况下也能检测缺陷的缺陷检测方法。取得表示对多条配线施加电压中的半导体基板的温度分布的红外线图像，确定发热的半导体元件的位置，根据预先判明的多个半导体元件的位置和多条配线的电连接关系的信息，将多条配线中与发热的半导体元件电连接的配线判定为有短路缺陷的缺陷配线。
【专利说明】缺陷检测方法、缺陷检测装置以及半导体基板的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及适于在液晶面板和太阳能电池板等半导体基板上形成的配线的缺陷检测的缺陷检测方法、缺陷检测装置以及半导体基板的制造方法。
【背景技术】
[0002]以往有如下技术:为了检测半导体基板中的配线的缺陷，使用红外线图像观测缺陷的发热。例如，在专利文献I中公开了如下技术:根据发热图案、缺陷的位置、数量等切换施加电压、检测位置、透镜、红外线检测器等，确定缺陷位置。
[0003]现有技术文献_4] 专利文献
[0005]专利文献1:特开平06 - 207914号公报(
【公开日】:1994年7月26日)
【发明内容】
_6] 发明要解决的问题
[0007]在此，在不具有用于向半导体基板施加检查用的电压的检查用配线(检查图案)的半导体基板中，如图6(a)所示，在有短路缺陷的情况下，当对与其连接的栅极线(扫描线)用焊盘51和源极线(信号线)用焊盘52施加电压时，短路缺陷部分发热。因此，通过在施加电压时探测发热，能检测短路缺陷。因此，在不具有检查图案的半导体基板中，能使用专利文献I的技术检测短路缺陷。
[0008]但是，即使使用专利文献I的技术，也难以在具有检查图案的半导体基板中检测缺陷。这是因为:如图6(b)所示，当有缺陷的配线与作为连接到检查图案的晶体管的检查用晶体管(下面称为ASL — TFT)电连接时，缺陷不发热(难以发热)，所以不能由红外线图像检测发热的缺陷。缺陷不发热的(难以发热)理由是因为:ASL — TFT的电阻高，因此流过总线(半导体基板中的用于施加像素部的纵横的配线)的电流量被ASL - TFT限制，不能确保检测缺陷所需的电流量。此外，检查图案是将半导体基板组装为面板后的在通常使用时不使用的配线图案。以检查图案在安装工序前被剪切、或者在通常使用时不施加到检查图案的方式构成面板。
[0009]本发明是鉴于上述的问题完成的，其目的在于提供:即使在根据温度分布图检测半导体基板的缺陷所需的电流量被限制的情况下，也能高精度地检测半导体基板(漏电缺陷基板)上的缺陷的方法和装置、以及半导体基板的制造方法。
[0010]用于解决问题的方案
[0011]为了解决上述问题，本发明的缺陷检测方法的特征在于，包含:电压施加工序，其对形成有多条配线和与该配线电连接的多个半导体元件的半导体基板的上述配线施加电压；取得上述电压施加工序中的上述半导体基板的温度分布信息的工序；位置确定工序，其基于上述温度分布信息确定发热的上述半导体元件的位置；以及缺陷配线判定工序，其根据预先判明的上述多个半导体元件的位置和上述多条配线的电连接关系的信息，将上述多条配线中与上述发热的半导体元件电连接的上述配线判定为有短路缺陷的缺陷配线。
[0012]根据上述的方法，能确定由于向多条配线施加电压而发热的半导体元件的位置，根据预先判明的多个半导体元件的位置和多条配线的电连接关系的信息，将多条配线中与发热的半导体元件电连接的配线判定为有短路缺陷的缺陷配线。因此，根据上述方法，即使在根据温度分布图检测半导体基板的缺陷(使半导体基板的缺陷发热)所需的电流量被限制的(不能确保的)情况下，如果能观测与缺陷配线电连接的半导体元件的发热，则能确定其位置，检测有短路缺陷的缺陷配线。换言之，能与缺陷的发热量(红外线图像的强度)无关地检测半导体基板上的短路缺陷。
[0013]另外，优选本发明的缺陷检测方法还包含:图像检查工序，其执行上述半导体基板的图像检查，确定异物的位置；以及短路缺陷位置判定工序，其在上述图像检查工序中确定的异物的位置位于在上述缺陷配线判定工序中判定为缺陷配线的配线上的情况下，将该异物所在的位置判定为短路缺陷所在的位置。
[0014]根据上述方法，通过进行图像检查能确定异物的位置，在异物的位置位于被判定为缺陷配线的配线上的情况下，将该异物所在的位置判定为短路缺陷所在的位置。因此，能确定缺陷配线上的缺陷的位置。
[0015]另外，也可以是，本发明的缺陷检测方法属于上述方法，并且，上述多个半导体元件是连接到检查图案的检查用晶体管，上述检查图案是形成于上述半导体基板的驱动电路部的用于向上述半导体基板施加检查用的电压的检查用配线。
[0016]连接到检查图案的检查用晶体管的电阻高，检查图案是用于向半导体基板施加检查用的电压的检查用配线，因此当包含于半导体基板时，即使对半导体基板的配线施加电压，缺陷也难以发热，难以根据红外线图像的温度分布图检测缺陷。但是，通过使用本发明的方法，即使是包含检查用晶体管的半导体基板，如果检查用晶体管发热，也能通过确定其位置，判定出与发热的检查用晶体管电连接的配线有缺陷。
[0017]另外，也可以是，本发明的缺陷检测方法属于上述方法，并且，上述多条配线包括并列配置的第I配线组和以与该第I配线组交叉的方式并列配置的第2配线组，在上述位置确定工序中判定出发热的上述第I配线组用的检查用晶体管的位置和发热的上述第2配线组用的检查用晶体管的位置的情况下，在上述缺陷配线判定工序中进一步将发热的上述第I配线组用的检查用晶体管电连接的配线和发热的上述第2配线组用的检查用晶体管电连接的配线的交点判定为短路缺陷所在的位置。
[0018]这样，通过将第I配线组(例如栅极配线)用的检查用晶体管电连接的配线和发热的第2配线组(例如源极配线)用的检查用晶体管电连接的配线的交点判定为短路缺陷所在的位置，能容易判定短路缺陷的位置。
[0019]另外，为了解决上述问题，本发明的缺陷检测装置的特征在于，具备:电压施加单元，其对形成有多条配线和与该配线电连接的多个半导体元件的半导体基板的上述配线施加电压；温度分布信息取得单元，其取得上述电压施加工序中的上述半导体基板的温度分布信息；位置确定单元，其基于上述取得的温度分布信息确定发热的上述半导体元件的位置；存储单元，其存储上述多个半导体元件的位置和上述多条配线的电连接关系的信息；以及缺陷配线判定单元，其基于存储于上述存储单元的上述电连接关系的信息，将上述多条配线中与上述发热的半导体元件电连接的上述配线判定为有短路缺陷的缺陷配线。[0020]根据上述的构成，能确定由于向多条配线施加电压而发热的半导体元件的位置，能根据预先判明的多个半导体元件的位置和多条配线的电连接关系的信息，将多条配线中与发热的半导体元件电连接的配线判定为有短路缺陷的缺陷配线。因此，根据上述方法，即使在根据温度分布图检测半导体基板的缺陷所需的电流量被限制的情况下，如果能观测与缺陷配线电连接的半导体元件的发热，则能确定其位置，能检测有短路缺陷的缺陷配线。换言之，能与缺陷的发热量无关地检测半导体基板上的短路缺陷。
[0021]为了解决上述问题，本发明的半导体基板的制造方法的特征在于，包含:电压施加工序，其对形成有多条配线和与该配线电连接的多个半导体元件的半导体基板的上述配线施加电压；温度分布信息取得工序，其取得上述电压施加工序中的上述半导体基板的温度分布信息；位置确定工序，其基于上述取得的温度分布信息确定发热的上述半导体元件的位置；以及缺陷配线判定工序，其根据预先判明的上述多个半导体元件的位置和上述多条配线的电连接关系的信息，将上述多条配线中与上述发热的半导体元件电连接的上述配线判定为有短路缺陷的缺陷配线。
[0022]根据上述方法，即使在根据温度分布图检测半导体基板的缺陷所需的电流量被限制的情况下，也能检测有短路缺陷的缺陷配线。并且，通过修正该缺陷配线，能制造没有缺陷的高质量的半导体基板。
[0023]发明效果
[0024]如上所述，根据本发明的缺陷检测方法或者缺陷检测装置，即使在根据温度分布图检测半导体基板的缺陷(使半导体基板的缺陷发热)所需的电流量被限制的(不能确保的)情况下，如果能观测与缺陷配线电连接的半导体元件的发热，则能确定其位置，能检测有短路缺陷的缺陷配线。换言之，能与缺陷的发热量(红外线图像的强度)无关地检测半导体基板上的短路缺陷。
【专利附图】
【附图说明】
[0025]图1(a)是示出本发明的实施方式的缺陷检测装置的构成的框图，图1(b)是示出具有液晶面板的母基板的构成的立体图。
[0026]图2是示出上述缺陷检测装置的构成的立体图。
[0027]图3(a)是液晶面板，图3(b)是上述缺陷检测装置具有的探测器的俯视图。
[0028]图4是示出本发明的实施方式的缺陷检测方法的流程图。
[0029]图5(a) (b)是示出液晶面板的温度分布图像的示意图。
[0030]图6(a)是示出包含ASL — TFT的半导体基板的温度分布图像的示意图，图6 (b)是示出包含ASL - TFT的半导体基板的温度分布图像的示意图。
【具体实施方式】
[0031]关于本发明的缺陷检测装置和缺陷检测方法的一实施方式，参照图1?图5进行说明。
[0032](I)缺陷检测装置的构成
[0033]图1的(a)是示出本实施方式中的缺陷检测装置100的构成的框图，图1的(b)是作为使用缺陷检测装置100检测出配线缺陷的对象的母基板(半导体基板)I的立体图。母基板I形成有多个液晶面板(半导体基板)2，液晶面板2形成有:并列配置的扫描线(多条配线、第I配线组)；以与扫描线交叉的方式并列配置的信号线(多条配线、第2配线组)；以及TFT，其形成在扫描线和信号线交叉的各交点。
[0034]液晶面板2还形成有:用于向液晶面板2施加检查用的电压的检查用配线(检查图案)；以及连接到该检查图案的多个检查用晶体管(半导体元件)。检查用晶体管与扫描线或者信号线电连接。下面将该检查用晶体管称为ASL - TFT。
[0035]此外，检查图案是组装液晶面板2后的在通常使用时不使用的配线图案。以检查图案在安装工序前被剪切、或者在通常使用时不施加到检查图案的方式构成面板。
[0036]缺陷检测装置100能在形成于图1的(b)所示的母基板I上的多个液晶面板2中检测配线等的缺陷。因此，如图1的(a)所示，缺陷检测装置100具备用于使其与液晶面板2导通的探测器3和使探测器3在各液晶面板2上移动的探测器移动单元4。另外，缺陷检测装置100具备用于取得表示液晶面板2的温度分布的红外线图像(温度分布图信息)的红外线相机5、以及使红外线相机5在液晶面板2上移动的相机移动单元6。缺陷检测装置100还具备控制探测器移动单元4和相机移动单元6的控制部7 (位置确定单元、缺陷配线判定单元)。
[0037]在探测器3连接着用于在液晶面板2的配线间施加电压的电压施加部9(电压施加单元)。这些电阻测定部8和电压施加部9通过控制部7控制。
[0038]控制部连接到数据存储部10，数据存储部10存储作为液晶面板2具有的ASL —TFT的位置和多条配线的电连接关系的信息的连接关系信息和图像数据。
[0039]图2是示出本实施方式中的缺陷检测装置100的构成的立体图。如图2所示，缺陷检测装置100在基座上设置有对准台11，构成为能在对准台11上载置母基板I。载置有母基板I的对准台11以与探测器移动单元4和相机移动单元6的XY坐标轴平行的方式进行位置调节。此时，对准台11的位置调节使用设于对准台11的上方的、用于确认母基板I的位置的光学相机12。
[0040]上述探测器移动单元4能滑动地设置于配置在对准台11的外侧的导轨13a。另夕卜，在探测器移动单元4的主体侧也设置有导轨13b和13c，设置成安装部14a能沿着这些导轨13在XYZ的各坐标方向移动。该安装部14a搭载有与液晶面板2对应的探测器3。
[0041]相机移动单元6能滑动地设置于配置在探测器移动单元4的外侧的导轨13d。另夕卜，相机移动单元6的主体也设置有导轨13e和13f，3个部位的安装部14b、14c以及14d能分别沿着这些导轨13在XYZ的各坐标方向移动。
[0042]在本实施方式中，缺陷检测装置100所具备的红外线相机5有两种。一种是宏观测定用的红外线相机5a，另一种是微观测定用的红外线相机5b。
[0043]缺陷检测装置100的安装部14c搭载有宏观测定用的红外线相机5a，安装部14b搭载有微观测定用的红外线相机5b,另外,安装部14d搭载有光学相机16。
[0044]宏观测定用的红外线相机5a是能进行视野拓宽至520X405mm程度的宏观测定的红外线相机。宏观测定用的红外线相机5a为了拓宽视野，例如，由4台红外线相机组合而构成。即，每I台宏观测定用的红外线相机的视野为母基板I的大概1/4。
[0045]另外，微观测定用的红外线相机5b是能进行视野小到32 X 24mm程度，但是可进行高分辨率的拍摄的微观测定的红外线相机。[0046]此外，也可以对相机移动单元6追加安装部来搭载用于修正缺陷部位的激光照射装置。通过搭载激光照射装置，能在确定缺陷部的位置后，通过对缺陷部照射激光，连续地进行缺陷修正。
[0047]探测器移动单元4和相机移动单元6分别设置于各个导轨13a和13d。因此，能在X坐标方向相互不干扰地在对准台11的上方移动。由此，能在使探测器3接触液晶面板2的状态下使红外线相机5a、5b和光学相机16在液晶面板2上移动。
[0048]图3(a)是形成于母基板I的多个液晶面板2中的一个液晶面板2的俯视图。如图3(a)所示，各液晶面板2形成有:在扫描线和信号线交叉的各交点形成有TFT的像素部
17、以及分别驱动扫描线和信号线的驱动电路部18。在液晶面板2的边缘部设置有端子部19a?19d，端子部19a?19d与像素部17或者驱动电路部18的配线连接。
[0049]在此，ASL - TFT的配置位置是像素部17的外侧的驱动电路部18。
[0050]图3 (b)是示出用于与设置于液晶面板2的端子部19a?19d导通的探测器3 (电压施加单元)的一例的俯视图。探测器3形成与图3(a)所示的液晶面板2的大小大致相同的大小的框状形状，具备与设置于液晶面板2的端子部19a?19d对应的多个探针21a?21d。
[0051]在图2所示的缺陷检测装置100中，对每个液晶面板2进行缺陷检测检查，但是当每一个母基板I的液晶面板2的倒角数量变多时，按倒角数量进行检查的次数增加，生产节拍变长。因此，探测器3也可以构成为能集中检查多个液晶面板2。这样，当构成为能集中检查时，能以短时间检查多个液晶面板2。
[0052]多个探针21a?21d能通过转换继电器(未图示)使探针21逐个地分别连接到图1(a)所示的电压施加部9。因此，探测器3能选择性地连接到与端子部19a?19d相连的多条配线，或者能集中连接多条配线。
[0053]另外，探测器3形成与液晶面板2大致相同大小的框形状。因此，在使端子部19a?19d和探针21a?21d的位置一致时，能使用光学相机16从探测器3的框的内侧确认该位置。
[0054]如上所述，本实施方式的缺陷检测装置100具备探测器3、与探测器3连接的电压施加部9、以及红外线相机5。并且，在通过探测器3向液晶面板2的配线或者配线间施加电压时，使用红外线相机5测定液晶面板2的温度。
[0055]具体地，在施加电压时使用红外线相机5以动态图像对液晶面板2进行摄像。摄像得到的红外线图像(温度分布图、温度分布信息)保存于数据存储部10。能利用红外线图像取得液晶面板的温度分布信息，但是这能利用以往公知的方法。
[0056]下面，对使用具备上述构成的本实施方式的缺陷检测装置100实施的缺陷检测进行详述。
[0057](2)缺陷检测方法
[0058]图4是本实施方式的缺陷检测方法的流程图。
[0059]本实施方式的缺陷检测方法在下面的步骤中依次对形成于图1 (b)所示的母基板I的多个液晶面板2实施缺陷检测。
[0060]首先，利用探测器移动单元4，使探测器3在成为进行了位置调节的母基板I的检测对象的液晶面板2的上部移动，探针21a?21d与液晶面板2的端子部19a?19d接触。并且，从端子部19a~19d对液晶面板2的配线施加电压(步骤SI:电压施加工序)。
[0061]接着，当利用红外线相机5取得电压施加工序中的液晶面板2的红外线图像(温度分布信息)(步骤S2:温度分布信息取得工序)时，控制部7基于该红外线图像确定发热的ASL - TFT在液晶面板2中的位置(步骤S3:位置确定工序)。
[0062]并且，控制部7根据存储于数据存储部10的连接关系信息，将多条配线中与在步骤S3的位置确定工序中确定的发热的半导体元件电连接的配线判定为有短路缺陷的缺陷配线(步骤S4:缺陷配线判定工序)。
[0063]如果使用上面的本实施方式的缺陷检测装置100或者缺陷检测方法，能确定由于向液晶面板2的多条配线施加电压而发热的ASL - TFT的位置，能根据存储于数据存储部10的连接关系信息，将多条配线中与发热的ASL - TFT电连接的配线判定为有短路缺陷的缺陷配线。
[0064]因此，根据本实施方式的缺陷检测装置100或者缺陷检测方法，即使在根据红外线图像检测液晶面板2的缺陷(使液晶面板2的缺陷发热)所需的电流量被限制的(不能确保的)情况下，如果能观测与缺陷配线电连接的ASL - TFT的发热，则能确定该ASL —TFT的位置，能检测有短路缺陷的缺陷配线。换言之，能与缺陷的发热量(红外线图像的强度)无关地检测液晶面板2上的短路缺陷配线。这样，如果知道发热的半导体元件的配置位置，则可知与该半导体相连的配线的哪里有缺陷。
[0065]而且，优选本实施方式的缺陷检测方法包含以下步骤。在步骤S4的后面执行液晶面板2的图像检查，确定异物的位置(步骤S5:图像检查工序)，判定在步骤S5的图像检查工序中所确定的异物的位置是否位于在S4的缺陷配线判定工序中判定为缺陷配线的配线上(步骤S6:异物位置判定工序)。并且，在判定为异物的位置位于在步骤S4的缺陷配线判定工序中判定为缺陷配线的配线上的情况下(在步骤S6中为“是”)，将异物所在的位置判定为短路缺陷所在的位置(S7:短路缺陷位置判定工序)。通过进行这些步骤S5至步骤S7，能确定缺陷配线上的缺陷的位置。这些步骤S5至步骤S7主要由控制部7执行。
[0066]在步骤S5的图像检查中，识别半导体基板的可视图像(实图像)。基于可视图像的异物的检测能利用公知的方法。
[0067]另外，可以不执行步骤S5至步骤S7，而按照如下确定缺陷配线上的缺陷的位置。
[0068]在步骤S3的位置判定工序中，如图5(a)中示出红外线图像的示意图那样，在判定出发热的扫描线(第I配线组)用的ASL - TFT的位置和发热的信号线(第2配线组)用的ASL - TFT的位置的情况下，在步骤S4的缺陷配线判定工序中判定如下。此外，图5(a)的黑圆的位置是发热的位置。
[0069]在步骤S4中，如图5(b)所示，求出发热的扫描线用的ASL — TFT电连接的配线和发热的信号线用的 ASL — TFT电连接的配线的交点。将该交点(图5(b)的“〇”的位置)判定为短路缺陷所在的位置。这样，通过将上述交点判定为短路缺陷所在的位置，能容易判定液晶面板2中的短路缺陷的位置。确定这样的缺陷配线上的缺陷的位置也由控制部7进行。另外，可以使这样将上述交点判定为短路缺陷所在的位置的方法和如步骤S5至步骤S7那样根据图像检查判定短路缺陷所在的位置的方法组合来判定短路缺陷的位置。
[0070]另外，使用本实施方式的缺陷检测装置100或者缺陷检测方法制造母基板I或者液晶面板2的方法也包含于本发明的范畴。通过使用本实施方式的缺陷检测装置100或者缺陷检测方法制造母基板I或者液晶面板2，能适当地检测有短路缺陷的缺陷配线，通过修正该缺陷配线，能制造没有缺陷的高质量的母基板I或者液晶面板2。
[0071]上面对本发明的实施方式进行了说明，但是本发明并不限于上述的实施方式，能进行各种变更，对于将实施方式公开的各技术方案适当组合而得到的实施方式也包含于本发明的技术范围。
[0072]工业h的可利用件
[0073]本发明能用于液晶面板等具有配线的半导体基板的配线的短路缺陷的检测。
[0074]附图标记说明
[0075]I母基板(半导体基板)
[0076]2液晶面板(半导体基板)
[0077]3探测器(电压施加单元)
[0078]4探测器移动单元
[0079]5、5a、5b红外线相机(温度分布信息取得单元)
[0080]6相机移动单元
[0081]7控制部(位置确定单元、缺陷配线判定单元)
[0082]9电压施加部(电压施加单元)
[0083]10数据存储部(存储单元)
[0084]11 对准台
[0085]12、16光学相机
[0086]13a、13b、13c、13d、13e、13f 导轨
[0087]14a、14b、14d、14d 安装部
[0088]17像素部
[0089]18驱动电路部
[0090]19a、19b、19c、19d 端子部
[0091]21a、21b、21c、21d 探测器部
[0092]51栅极线用焊盘
[0093]52源极线用焊盘
[0094]53 ASL — TFT 的 SW 焊盘
[0095]100缺陷检测装置
【权利要求】
1.一种缺陷检测方法，其特征在于， 包含: 电压施加工序，其对形成有多条配线和与该配线电连接的多个半导体元件的半导体基板的上述配线施加电压； 温度分布信息取得工序，其取得上述电压施加工序中的上述半导体基板的温度分布信息； 位置确定工序，其根据取得的上述温度分布信息确定发热的上述半导体元件的位置；以及 缺陷配线判定工序，其根据预先判明的上述多个半导体元件的位置和上述多条配线的电连接关系的信息，将上述多条配线中与发热的上述半导体元件电连接的上述配线判定为有短路缺陷的缺陷配线。
2.根据权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于， 还包含: 图像检查工序，其执行上述半导体基板的图像检查，确定异物的位置；以及短路缺陷位置判定工序，其在上述图像检查工序中确定的异物的位置位于在上述缺陷配线判定工序中判定为缺陷 配线的配线上的情况下，将该异物所在的位置判定为短路缺陷所在的位置。
3.根据权利要求1或2所述的缺陷检测方法，其特征在于，上述多个半导体元件是连接到检查图案的检查用晶体管，上述检查图案是形成于上述半导体基板的驱动电路部的、用于向上述半导体基板施加检查用的电压的检查用配线。
4.根据权利要求3所述的缺陷检测方法，其特征在于，上述多条配线包括并列配置的第I配线组和以与该第I配线组交叉的方式并列配置的第2配线组， 在上述位置确定工序中判定出发热的上述第I配线组用的检查用晶体管的位置和发热的上述第2配线组用的检查用晶体管的位置的情况下，在上述缺陷配线判定工序中进一步将发热的上述第I配线组用的检查用晶体管电连接的配线和发热的上述第2配线组用的检查用晶体管电连接的配线的交点判定为短路缺陷所在的位置。
5.一种缺陷检测装置，其特征在于， 具备: 电压施加单元，其对形成有多条配线和与该配线电连接的多个半导体元件的半导体基板的上述配线施加电压； 温度分布信息取得单元，其取得上述电压施加工序中的上述半导体基板的温度分布信息； 位置确定单元，其基于上述温度分布信息确定发热的上述半导体元件的位置； 存储单元，其存储上述多个半导体元件的位置和上述多条配线的电连接关系的信息；缺陷配线判定单元，其基于存储于上述存储单元的上述电连接关系的信息，将上述多条配中与发热的上述半导体元件电连接的上述配线判定为有短路缺陷的缺陷配线。
6.一种半导体基板的制造方法，其特征在于， 包含: 电压施加工序，其对形成有多条配线和与该配线电连接的多个半导体元件的半导体基板的上述配线施加电压； 温度分布信息取得工序，其取得上述电压施加工序中的上述半导体基板的温度分布信息； 位置确定工序，其根据取得的上述温度分布信息确定发热的上述半导体元件的位置；缺陷配线判定工序，其根据预先判明的上述多个半导体元件的位置和上述多条配线的电连接关系的信息，将上述多条配线中与发热的上述半导体元件电连接的上述配线判定为有短路缺陷的缺陷配线。
【文档编号】G02F1/13GK103988070SQ201280061054
【公开日】2014年8月13日 申请日期:2012年11月30日 优先权日:2012年2月28日
【发明者】中岛隆宏 申请人:夏普株式会社