基板加工方法及半导体装置的制造方法

基板加工方法及半导体装置的制造方法
【专利摘要】本发明的目的在于提供基板加工方法及半导体装置的制造方法，利用本发明，能够将材料充分地埋入构成通孔、导通孔等的凹部内，同时还沿着凹部的底部、侧壁部及上端部留存沉积膜。根据本发明的一个实施方式的基板加工方法包括：第一照射步骤，用于利用粒子束从相对于基板面内方向成第一角度的方向照射已经形成于基板的凹部的开口部的沉积膜，并且去除沉积膜的厚度方向上的一部分；和在第一照射步骤之后的第二照射步骤，用于从比第一角度接近垂直于基板面内方向的第二角度的方向进行照射粒子束，并且去除残留的沉积膜的厚度方向上的一部分。
【专利说明】
基板加工方法及半导体装置的制造方法
技术领域
[0001 ]本发明设及基板加工方法及半导体装置的制造方法。
【背景技术】
[0002] 使形成有层叠膜的基板经受蚀刻处理W在基板上形成诸如通孔和导通孔等的凹 部。将导电性材料等埋入如上所述地形成的凹部中W使位于层叠膜的上下位置的配线层彼 此连接，或使形成于配线层的导电图案和形成于半导体基板的元件连接。
[0003] 为了使元件高密度化，制备填充有导电性材料的微细凹部。然而，在此情况下，导 电性材料可能不会充分地埋入微细凹部中，在某些情况下可能会产生空气孔(也称为空隙） 并产生断路。专利文献1公开了通过将金属充分埋入绝缘膜上的凹部内并且抑制金属的空 隙和断路的产生，W高成品率制造半导体装置的方法。具体地，专利文献1公开了如下方法： 利用离子束沿倾斜于基板的方向照射形成于绝缘膜的凹部，并且通过蚀刻去除凹部的上部 周围的绝缘膜的端部。结果，使端部的角光滑，运使得随后容易向凹部内埋入金属。
[0004] 现有技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献1:日本特开2000-307002号公报

【发明内容】

[0007] 近年来，随着半导体装置的微细化，半导体装置的配线结构也变得微细化。微细的 配线结构具有如下问题：特别是由于对配线材料施加了电压时的电迁移 (electromigration)，配线材料扩散到层间绝缘膜中，由此在某些情况下引起断路。作为抑 制由电迁移引起的断路的方法，一般已知在基板上的层间绝缘膜和配线材料之间形成诸如 氮化铁等的具有阻隔性的导电膜的方法。
[000引另一方面，在专利文献1公开的方法中，并未考虑具有阻隔性的导电膜。如果在基 板上形成具有阻隔性的导电膜之后适用专利文献1的方法，则存在导电膜被离子束去除并 且使凹部的内壁面露出的风险。为了抑制电迁移，需要在露出的内壁面上重新沉积具有阻 隔性的导电膜。另外，专利文献1的方法还具有如下问题：由于重新进行了导电膜的沉积，所 W沉积于凹部的底部的导电膜变厚并且使配线不能具有充分低的电阻。
[0009] 鉴于上述技术问题作出了本发明，本发明的目的是提供基板加工方法及半导体装 置的制造方法，其能够在凹部的底部、侧壁部及上端部留存沉积膜的情况下将材料充分埋 入形成通孔、导通孔等的凹部内。
[0010] 本发明的第一方面是一种基板加工方法，所述基板加工方法对在表面形成有凹部 的基板进行加工，在所述基板中，所述凹部的开口部形成有沉积膜，所述基板加工方法包 括:第一照射步骤，其中，利用粒子束沿与垂直于所述基板的面内方向的方向形成第一角度 的方向照射形成于所述开口部的所述沉积膜，W去除所述沉积膜的厚度方向上的一部分； 和第二照射步骤，其中，在所述第一照射步骤之后，利用所述粒子束沿比所述第一角度更加 接近垂直于所述基板的面内方向、并且与垂直于所述基板的面内方向的方向形成第二角度 的方向照射形成于所述开口部的所述沉积膜，W去除残留的所述沉积膜的厚度方向上的一 部分。
[0011] 本发明的第二方面是一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括基板，所 述基板的表面具有凹部，在所述基板中，在所述凹部的开口部形成有沉积膜，所述半导体装 置的制造方法包括:第一照射步骤，其中，利用粒子束沿与垂直于所述基板的面内方向的方 向形成第一角度的方向照射形成于所述开口部的所述沉积膜，W去除所述沉积膜的厚度方 向上的一部分;和第二照射步骤，其中，在所述第一照射步骤之后，利用所述粒子束沿比所 述第一角度更加接近垂直于所述基板的面内方向、并且与垂直于所述基板的面内方向的方 向形成第二角度的方向照射形成于所述开口部的所述沉积膜，W去除残留的所述沉积膜的 厚度方向上的一部分。
[0012] 在本发明的基板加工方法及半导体装置的制造方法中，执行利用粒子束沿相对于 基板形成第一角度的方向照射沉积膜的第一照射步骤，然后执行利用粒子束沿形成更接近 垂直于基板的第二角度的方向照射沉积膜的第二照射步骤。因此，能够有效地去除形成于 凹部的开口部的沉积膜，同时防止去除形成于凹部的底部、侧壁部和上端部的沉积膜。
【附图说明】
[0013] 图1是本发明的一个实施方式中的基板加工装置的示意性构造图。
[0014] 图2A是适用本发明的一个实施方式中的基板加工方法之前的基板的截面图。
[0015] 图2B是适用本发明的一个实施方式中的基板加工方法之前的基板的截面图。
[0016] 图3A是进行本发明的一个实施方式中的各照射步骤之后的基板的截面图。
[0017] 图3B是进行本发明的一个实施方式中的各照射步骤之后的基板的截面图。
[0018] 图3C是进行本发明的一个实施方式中的各照射步骤之后的基板的截面图。
[0019] 图4是示出本发明的一个实施方式中的基板加工方法的流程的图。
[0020] 图5是示出经受了本发明的一个实施方式中的基板加工方法的基板的截面照片的 图。
[0021] 图6是示出经受了本发明的一个实施方式中的基板加工方法的基板的截面照片的 图。
[0022] 图7是示出经受了本发明的一个实施方式中的基板加工方法的基板的截面照片的 图。
[0023] 图8是通过本发明的一个实施方式中的半导体装置的制造方法制造的半导体装置 的截面图。
[0024] 图9A是示出本发明的一个实施方式中的半导体装置的制造方法中半导体装置的 制造过程的截面图。
[0025] 图9B是示出本发明的一个实施方式中的半导体装置的制造方法中半导体装置的 制造过程的截面图。
[0026] 图9C是示出本发明的一个实施方式中的半导体装置的制造方法中半导体装置的 制造过程的截面图。
[0027] 图10是本发明的一个实施方式中的半导体装置的制造方法中制造的半导体装置 的截面图。
[0028] 图IlA是示出本发明的一个实施方式中的半导体装置的制造方法中的半导体装置 的制造过程的截面图。
[0029] 图IlB是示出本发明的一个实施方式中的半导体装置的制造方法中的半导体装置 的制造过程的截面图。
[0030] 图12是本发明的一个实施方式中的基板加工装置的示意性构造图。
[0031] 图13是示出本发明的一个实施方式中的基板加工方法的流程的图。
【具体实施方式】
[0032] 尽管W下参照【附图说明】本发明的实施方式，但本发明不限于实施方式。注意，在W 下说明的附图中，采用相同的附图标记表示具有相同功能的部件，并在某些情况下省略其 重复说明。
[0033] 本发明能够优选地适用于如下的基板加工方法:该基板加工方法包括通过将导电 性材料埋入凹部中形成通孔、导通孔或接触用配线的处理W及用于晶体管的栅电极形成处 理等。本发明还能够优选地适用于包括上述任何处理的半导体装置的制造方法。
[0034] (第一实施方式）
[0035] 图1是本实施方式的基板加工装置900的示意性构造图。基板加工装置900具有离 子产生室902和处理室901。作为用于形成等离子体的等离子体形成部件的离子产生室902 包括:钟罩(bell jar)904(放电容器），其形成离子产生室902的至少一部分;和气体导入部 905,其用于将气体导入离子产生室902中。在钟罩904周围安装有天线906,天线906包括用 于在钟罩904中产生感应磁场的导电构件。另外，电力供给部907和电磁线圈908安装于钟罩 904外。电力供给部907包括向天线906供给高频率电力(源电力）的放电用电源和整合器。钟 罩904是保持离子产生室902和处理室901内部的真空的室外壁的一部分，还是收纳通过放 电产生的等离子体的容器。通过从气体导入部905向离子产生室902中供给气体并且从电力 供给部907向天线906供给高频率电力，在钟罩904内部和离子产生室902内部形成等离子 体。
[0036] 处理室901包括基板保持件910和真空累903。基板保持件910具有用于保持作为处 理的对象物的基板100的基板保持面912。另外，真空累903被构造成排出离子产生室902和 处理室901内部的气体并保持离子产生室902和处理室901内部的真空。未图示的ESC(静电 卡盘Klectrostatic Chuck))电极连接至基板保持件910eESC电极用于借助于静电吸附对 载置于基板保持件910的基板100进行固定。基板保持件910仅需要具有固定基板的功能，而 不一定是利用通过ESC电极实现的静电吸附的保持件。例如，能够使用诸如使用夹持卡盘的 方法等的各种基板固定方法。基板保持件910被构造成能够通过使用未图示的驱动单元使 基板100相对于离子束的入射方向倾斜并且使基板100沿面内方向转动。
[0037] 具有用于引出离子的离子通过孔的电极组件909设置于离子产生室902和处理室 901之间的边界处。电极组件909包括彼此平行配置的=个平板状电极915、916和917,在各 平板状电极915、916和917中形成待成为离子通过孔的孔部。在各平板状电极915、916和 917,多个离子通过孔沿纵横方向配置成格子图案。多个离子通过孔形成于平板状电极915、 916和917的相同位置。因此，在平板状电极915、916和917堆叠的状态下，平板状电极915、 916和917中的离子通过孔彼此对准，并且离子能够通过平板状电极915、916和917的离子通 过孔在离子产生室902和处理室901之间行进。
[0038] 电极组件909具有从离子产生室902侧朝向处理室901侧依次设置的第一电极915、 第二电极916和第=电极917。具体地，第一电极915配置为最靠近离子产生室、即离子源，第 二电极916配置为与第一电极915相邻并且比第一电极915靠近处理室901。另外，第=电极 917配置为最靠近处理室901。独立的电压源分别连接至第一电极915和第二电极916。向第 一电极915施加正电压，而向第二电极916施加负电压。运在第一电极915和第二电极916之 间产生用于使离子加速的电位差。第=电极917电接地。通过控制第二电极916和第=电极 917之间的电位差，能够借助于静电透镜效果将离子束的直径控制在一定的数值范围内。
[0039] 对使用基板加工装置900的离子束照射的动作进行说明。首先，将包括诸如氣(Ar) 等的惰性气体的处理气体从气体导入部905导入离子产生室902内。接下来，通过从电力供 给部907向天线906供给高频率电力使离子产生室902内的处理气体离子化，由此产生包括 离子的等离子体，从而准备了离子源。当通过设置于电极组件909的许多离子通过孔时，离 子产生室902中形成的包括在等离子体中的离子通过第一电极915和第二电极916之间提供 的电位差加速。然后离子作为离子束被引出至处理室901。在被引出至处理室901之后，离子 束被未图示的设置于处理室901的中和器中和并且落到基板100上。
[0040] 图2A和图2B是基板100在适用本实施方式中的基板加工方法之前的截面图。如图 2A所示，基板100包括基材101和设置在基材101上的构件102。多个凹部103(凹槽)形成于构 件 102。
[0041] 基材101和构件102能够由任何材料制成。例如，基材101为由娃等制成的半导体基 板或由玻璃等制成的绝缘体基板，构件102为诸如层间绝缘膜等的绝缘膜或者为形成于某 些配线层的层间绝缘膜。在凹部103设置于基材101的情况下，构件102对应于基材101在厚 度方向上的形成凹部103的部分。凹部103形成于构件102的表面并且是通过沿厚度方向去 除构件102形成的。凹部103在构件102的表面具有开口部103a。能够通过使用例如离子束蚀 刻或反应性离子蚀刻等的任何方法进行凹部103的形成。
[0042] 如图2B所示，在凹部103形成于构件102之后，在构件102的表面和凹部103的包括 凹部103的底部、侧壁部和上端部的内壁面形成沉积膜104。沉积膜104包括在构件102的表 面上的上沉积膜104a、在凹部103的侧壁部上的侧壁沉积膜104b和在凹部103的底部上的底 部沉积膜104c。沉积膜104是包括金属元素、半导体和任意其它材料的薄膜，沉积膜104例如 是Al膜、Ti膜或TiN膜。可W通过使用例如化学气相沉积法(CVD)或瓣射等的任何方法进行 沉积膜104的形成。
[0043] 通常，在沉积膜104的形成中，膜的材料趋向于沉积在凹部103的开口部103a附近。 因此，形成了突出部l〇4aa(也称作横罩(overhang))，在突出部104aa处，上沉积膜104a从凹 部103的开口部103a的侧壁部向内侧方向（即、沿朝向由凹部103的侧壁部围成的空间侧的 方向）突出。结果，开口部103a变小。如果随后的埋入金属材料的步骤在该状态下进行，则突 出部104aa变成为障碍并且金属材料不会被充分埋入凹部103中。因此，容易在凹部103中形 成空隙。该现象特别在近年来的具有微细化图案的基板100的加工中成为问题。将本实施方 式中的基板加工方法适用于运样的基板100能够有效地减少突出部l〇4aa的突出量，并且能 够抑制在将金属材料埋入凹部103时产生空隙。
[0044] 本实施方式中的基板加工方法包括第一照射步骤、第二照射步骤和第=照射步 骤。在各照射步骤中，利用离子束在不同条件下照射基板100。离子束可W是包括中性粒子 的粒子束。图3A是进行第一照射步骤之后的基板100的截面图。在第一照射步骤中，利用离 子束IBl沿成第一角度01的方向照射基板100的形成有凹部103的表面。第一角度01被定义 为到垂直于基板100的面内方向S的方向V(即、基板100的厚度方向）的角度。第一角度01优 选在大于40度且小于90度的范围内，更优选地，在大于或等于60度且小于或等于80度的范 围内。W运样的角度利用离子束IBl照射时，底部沉积膜104c的照射量小。因此，能够在不大 幅度去除底部沉积膜104c的情况下减少突出部104aa在垂直于基板100的面内方向S的方向 V上的厚度。
[0045] 图3B是进行第二照射步骤之后的基板100的截面图。在第二照射步骤中，利用离子 束IB2沿成第二角度02的方向照射基板100的形成有凹部103的表面，第二角度02小于第一 角度01。第二角度02被定义为到垂直于基板100的面内方向S的方向八即、基板100的厚度方 向）的角度。换言之，第二角度02的方向比第一角度01接近垂直于基板面内方向。第二角度0 2优选为在大于或等于0度且小于45度的范围内，更优选地，在大于或等于0度且小于或等于 20度的范围内。在第二照射步骤中，由于W接近垂直于基板100的面内方向S的角度进行IB2 的照射，所W能够大幅度去除突出部l〇4aa，但是同时底部沉积膜104c也减少。然而，由于突 出部104aa在垂直于基板100的面内方向S的方向上的厚度已经通过第一照射步骤而减少， 所W在第一照射步骤之后残留的突出部1 〇4aa的在平行于基板100的面内方向S的方向上的 厚度能够在短时间内充分减少。结果，能够抑制底部沉积膜104c的减少量。
[0046] 图3C是进行第=照射步骤之后的基板100的截面图。在第=照射步骤中，利用离子 束IB3沿成第=角度03的方向照射基板100的形成有凹部103的表面，第=角度03大于第二 角度02。第=角度03被定义为到垂直于基板100的面内方向S的方向八即、基板100的厚度方 向）的角度。换言之，第=角度03的方向比第二角度02接近平行于基板面内方向。第=角度0 3优选在大于40度且小于90度的范围内，更优选地，在大于或等于60度且小于或等于80度的 范围内。通过离子束IB3能够充分地减少突出部104aa的朝向凹部103内侧方向的突出量。
[0047] 在执行了第一照射步骤至第=照射步骤之后，通过瓣射将诸如铜或鹤等的金属材 料埋入凹部103内。由于通过第一照射步骤至第=照射步骤减少了突出部104aa的朝向凹部 103内侧方向的突出量，所W能够抑制由于埋入金属材料而在凹部103内产生空孔。
[0048] 如果仅W接近平行于基板100的面内方向S的第一角度01执行利用离子束的照射， 则除了突出部l〇4aa之外，开口部103a附近的侧壁沉积膜104b也被大幅度去除。因此，凹部 103的侧壁部可能会在突出部104aa的朝向凹部103内侧方向的突出量被充分减少之前露 出。另外，如果仅W接近垂直于基板100的面内方向S的第二角度02执行利用离子束的照射， 则除了突出部l〇4aa之外，底部沉积膜104c也被大幅度去除。因此，凹部103的底部可能会在 突出部104aa的朝向凹部103内侧方向的突出量被充分减少之前露出。同时，在本实施方式 的基板加工方法中，执行W接近平行于基板100的面内方向S的第一角度01进行的离子束照 射作为第一照射步骤，然后执行W接近垂直于基板100的面内方向S的第二角度02进行的离 子束照射作为第二照射步骤。因此，能够在抑制去除凹部103的内壁面上的除了突出部 104aaW外的沉积膜104(即凹部103的底部、侧壁部和上端部处的沉积膜104)的同时有效地 减少突出部l〇4aa的突出量。
[0049] 此外，能够通过在第二照射步骤之后执行W接近平行于基板100的面内方向S的角 度03进行的离子束照射作为第S照射步骤进一步减少突出部104aa的突出量。结果，在从基 板100的上表面看的情况下，能够增大由突出部104aa形成的孔的内径。
[0050] 图4是示出本实施方式中的基板加工方法的流程的示例的图。首先，准备如图2中 的形成有凹部103和沉积膜104的基板100作为被处理构件，并将其固定于图1中的基板加工 装置900的基板保持件910(步骤SI)。接下来，使基板保持件910倾斜W将来自离子产生室 902的离子束对基板100的入射角度设置为第一角度01(步骤S2)。在该状态下，执行利用来 自离子产生室902的离子束进行的对基板100的照射作为第一照射步骤(步骤S3)。在离子束 照射过程中，优选通过转动基板保持件910使基板100沿面内方向转动。由此能够在基板100 的面内方向上均匀地处理基板100。基板100在步骤S3之后的状态是图3A所示的状态。
[0051] 接下来，基板保持件910倾斜，W将来自离子产生室902的离子束对基板100的入射 角度设置为第二角度92(步骤S4)。在角度从第一角度01变化至第二角度02的过程中，离子 束照射可W停止或连续。然后，在入射角度被设置为第二角度02的情况下执行利用来自离 子产生室902的离子束进行的对基板100的照射作为第二照射步骤(步骤S5)。在离子束照射 过程中，优选通过转动基板保持件910使基板100沿面内方向转动。由此能够在基板100的面 内方向上均匀地处理基板100。基板100在步骤S5之后的状态是图3B所示的状态。
[0052] 接下来，基板保持件910倾斜，W将来自离子产生室902的离子束对基板100的入射 角度设置为第=角度93(步骤S6)。在该状态下，执行利用来自离子产生室902的离子束进行 的对基板100的照射作为第=照射步骤(步骤S7)。在离子束照射过程中，优选通过转动基板 保持件910使基板100沿面内方向转动。运能够在基板100的面内方向上均匀地执行处理。基 板100在步骤S7之后的状态是图3C所示的状态。
[0053] 虽然将角度01、02、03定义为离子束对基板100的入射角度，但是在基板100未固定 于基板保持件910的状态下，角度01、02、03仅需要被定义为离子束对基板保持面912的入射 角度。
[0054] 在本实施方式中，在离子束产生部件(在本实施方式中为离子产生室902及电极组 件909)固定的状态下使基板(在本实施方式中为基板保持件910)倾斜W改变离子束的入射 角度。然而，可W在基板固定的状态下使离子束产生部件倾斜。另外，可W使离子束产生部 件和基板二者都倾斜。
[005引（实施例）
[0056]图5和图6是示出经受了第一实施方式中的基板加工方法的基板的截面照片的图。 图5和图6的照片是通过电子显微镜拍摄的截面图像，并且出于易视性的考虑进行了黑白反 转。在图5所示的样本1中，在第一角度01被设置为80度、第二角度02被设置为0度、第=角度 03被设置为70度的情况下执行第一实施方式中的基板加工方法。而在图6所示的样本2中， 在第一角度91被设置为80度、第二角度02被设置为20度、第=角度03被设置为70度的情况 下执行第一实施方式中的基板加工方法。之后，如图5所示，测量各样本的突出部朝向凹部 的内侧方向突出的厚度0、基板的表面上的沉积膜的厚度T、凹部的底部上的沉积膜的厚度 B、凹部的侧壁的上部的沉积膜的厚度S1、凹部的侧壁的中央部的厚度S2和凹部的侧壁的下 部的厚度S3。表1示出了对样本1的各厚度的测量的结果。表2示出了对样本2的各厚度的测 量的结果。表1和表2中各厚度的值表示为各值对照射前的值的比率，没有单位。
[0化7][表1] 「nnf；Ql
[0061] 如表1和表2所示，通过第一照射步骤至第=照射步骤，突出部朝向凹部的内侧方 向突出的厚度0显著减少。然而，凹部的内壁面上的沉积膜的厚度B、Sl、S2、S3的变化率均小 于突出部的厚度0的变化率。因此，确认了第一实施方式中的基板加工方法能够在留下凹部 的底部、侧壁部和上端部上的沉积膜的同时充分地减少突出部的厚度。
[0062] 第二角度02在样本1中被设置为0度而在样本2中被设置为20度，但是在两个样本 中均充分地获得了本发明的效果。因此，优选将第二角度02设置在大于或等于0度并且小于 45度的范围内，更优选地，在大于或等于0度并且小于或等于20度的范围内。
[0063] 为了确定第一角度01的优选范围，还进行了一些实验。图7是示出经受了使用各种 第一角度91的第一实施方式中的第一照射步骤的基板的截面照片的图。图7的照片是通过 电子显微镜获得的截面图像，并且为了观察进行了黑白反转。图7中，在第一角度01被设置 为0度、20度、40度、60度和80度的情况下执行第一实施方式中的第一照射步骤，然后测量各 样本的厚度〇、8、51、52、53。表3示出了通过测量各样本的厚度获得的结果。表3中各厚度的 值表示为各值对照射前的值的比率，没有单位。
[0064] [表3] 「fVW。

[0066] 如表3所示，在第一角度01为0度的样本中凹部的底部上的沉积膜的厚度B大幅度 减少，在第一角度91为20度的样本中凹部的侧壁的中央部的沉积膜的厚度S2大幅度减少， 在第一角度01为40度的样本中凹部的上部的沉积膜的厚度Sl大幅度减少。而在第一角度01 为60度和80度的样本中，凹部的内壁面上的沉积膜的厚度B、Sl、S2、S3的变化率都小。因此， 优选将第一角度91设置在大于40度且小于90度的范围内，更优选地，在大于或等于60度且 小于或等于80度的范围内。
[0067] (第二实施方式）
[0068] 第一实施方式中的基板加工方法能够优选地适用于在半导体装置的制造方法中 在凹部内形成配线的情况。图8是通过本实施方式中的半导体装置的制造方法制造的半导 体装置10的截面图。半导体装置10包括基材1、设置于基材1的表面并且在内部包含栅电极 2a的金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET) 2、和覆盖基材1的表面和MOSFET 2的层间绝 缘膜11。基材1是半导体基板。任意的MOSFET结构都能够用作MOSFET 2。例如，氧化娃能够用 作层间绝缘膜11。
[0069] 通过向基材1中注入不纯物离子，在基材1的与MOSFET 2接触的表面附近形成源极 区域Ia和漏极区域lb。源极区域Ia和漏极区域Ib配置成彼此不接触。在源极区域Ia和漏极 区域化的上方分别设置通过沿厚度方向去除层间绝缘膜11而形成的凹部12(凹槽）。
[0070] 覆盖凹部12的内壁面的底层膜13和覆盖底层膜13的阻挡膜31形成于凹部12的内 侧（即、在由凹部12的侧壁部围成的空间侧），阻挡膜31的内侧填充有配线材料32。底层膜13 是用于改善层间绝缘膜11(即、凹部12的内壁面）与配线材料32之间的密合性的导电性的 膜，并且是例如Ti膜。阻挡膜31是用于通过抑制层间绝缘膜11与配线材料32之间的原子移 动而改善阻挡性能的导电性的扩散防止膜，并且是例如TiN膜。配线材料32是用于形成配线 的导电性材料，并且是例如化或W。
[0071] 在MOSFET 2及层间绝缘膜11上还依次形成SiN膜21和Si化膜22。在凹部12上方分 别设置通过沿厚度方向去除SiN膜21和Si化膜22形成的凹部23(凹槽）。在凹部23的内侧 (即、在由凹部23的侧壁部围成的空间侧）形成覆盖凹部23的内壁面的TiN膜24,并且在TiN 膜24的内侧填充有配线材料25。配线材料25是用于形成配线的导电性材料，并且是例如Cu 或W。
[0072] 图9A至图9C是示出本实施方式中的半导体装置的制造方法中半导体装置10的制 造过程的截面图。在本实施方式中的半导体装置10的制造方法中，首先，通过注入不纯物离 子在基材1的表面附近形成源极区域Ia和漏极区域化，在与基材1的表面上的源极区域Ia和 漏极区域Ib接触的位置处形成包含栅电极2a的MOSFET 2。然后形成覆盖基材1的表面和 MOSFET 2的侧壁的层间绝缘膜11。接下来，通过沿厚度方向去除层间绝缘膜11来在源极区 域Ia和漏极区域化上方分别形成凹部12。能够W任意方法形成凹部12。例如，能够如下地形 成凹部12:通过使用光致抗蚀剂技术(photoresist technique)形成图案;通过根据图案进 行蚀刻去除层间绝缘膜11;然后去除图案。图9A是形成凹部12的半导体装置10的截面图。
[0073] 接下来，依次形成覆盖层间绝缘膜11的表面和凹部12的内壁面的底层膜13和阻挡 膜31。在沉积底层膜13和阻挡膜31时，具有底层膜13和阻挡膜31朝向凹部12的内侧突出的 形状的突出部形成于凹部12的上端部。鉴于此，在本实施方式中的半导体装置10的制造方 法中，将第一实施方式中的基板加工方法、即图4的流程图所示的基板加工方法适用于如下 的第一时刻和第二时刻中的至少一者:第一时刻在形成底层膜13之后、形成阻挡膜31之前， 第二时刻在形成阻挡膜31之后、填充配线材料32之前。结果，能够减少形成于凹部12内侧的 突出部的突出量并且在随后的步骤中充分埋入配线材料32。另外，由于能够在第一实施方 式中的基板加工方法中抑制对形成于凹部12的底部、侧壁部和上端部的底层膜13和阻挡膜 31的去除，所W能够维持底层膜13和阻挡膜31的阻挡性。
[0074] 在第一时刻进行第一实施方式中的基板加工方法是优选的，原因是对底层膜13的 突出部的去除能够减少在该去除之后进行的阻挡膜31的形成时的突出部的突出量。另外， 在第一时刻和第二时刻均进行第一实施方式中的基板加工方法是更优选的，原因是能够进 一步减少突出部的突出量。图9B是底层膜13和阻挡膜31被去除的突出部的半导体装置10的 截面图。
[0075] 接下来，通过研磨(例如，CMP法)去除沉积在凹部12外的层间绝缘膜11的表面上的 底层膜13和阻挡膜31，并且通过瓣射用配线材料32填充凹部12。图9C是凹部12填充有配线 材料32的半导体装置10的截面图。
[0076] 运之后，虽然未图示，但是通过研磨去除沉积在凹部12外的层间绝缘膜11的表面 上的配线材料32,并且在层间绝缘膜11上形成SiN膜21、Si〇2膜22、凹部23、TiN膜24和配线 材料25。除了上述步骤之外，可W在形成半导体装置10包括的膜和凹部的任何步骤之间执 行形成追加膜的形成步骤或者通过蚀刻、研磨等去除特定膜的一部分或全部的步骤。
[0077] (第=实施方式）
[0078] 优选地，第一实施方式中的基板加工方法能够适用于在半导体装置的制造方法中 在凹部内形成电极的情况。图10是在本实施方式中的半导体装置的制造方法中制造的半导 体装置60的截面图。半导体装置60包括通过后栅极工艺（gate-last process)形成的 MOSFET结构。虽然下面说明了使用了P型MOSFET结构的情况，但是在使用N型MOSFET结构的 情况下，仅需要将下面说明中的N型和P型相互替换。半导体装置60包括作为P型不纯物区域 的基材61。通过向基材61注入不纯物离子，在基材61的表面附近形成作为N型不纯物区域的 源极区域61a和漏极区域61b。基材61是半导体基板。在源极区域61a和漏极区域61b的表面 附近形成高烙点金属娃化物区域62。
[0079] 包括SiN膜69、Si〇2膜68、SiN膜67的侧壁绝缘膜堆叠于源极区域61a和漏极区域 6化。由例如SiN制成的应力内衬膜(S化ess liner film)64、由例如Si化制成的绝缘膜65和 由例如SiN制成的阻止膜(stopper film)66堆叠于侧壁绝缘膜并覆盖侧壁绝缘膜。另外，设 置有通过沿厚度方向去除侧壁绝缘膜、应力内衬膜64、绝缘膜65和阻止膜66形成的凹部63 (凹槽）。凹部63的侧壁部由应力内衬膜64、绝缘膜65、阻止膜66和包括SiN膜69、Si〇2膜68和 SiN膜67的侧壁绝缘膜形成。
[0080] 在凹部63的底部形成栅极绝缘膜70。例如，氧化给、氧化给娃、氮氧化给娃或氧化 错能够被用作栅极绝缘膜70。另外，形成有覆盖凹部63的侧壁部和栅极绝缘膜70的表面的 由例如Ti制成的底层膜71和覆盖底层膜71的由例如TiN制成的阻挡膜72。阻挡膜72的内侧 填充有栅电极73。栅电极73是用于形成电极的导电性材料，例如为Cu或W。
[0081] 图IlA和图IlB是示出本实施方式中的半导体装置的制造方法中的半导体装置60 的制造过程的图。在本实施方式中的半导体装置60的制造方法中，首先，在基材61的表面上 形成栅极绝缘膜70。优选在栅极绝缘膜70上设置假栅极(dummy gate)(未图示）W使后面的 成膜容易。接下来，通过例如CV的去依次形成SiN膜69、Si〇2膜68和SiN膜67,作为覆盖栅极绝 缘膜70和假栅极的侧表面的侧壁绝缘膜。
[0082] 在形成侧壁绝缘膜之后，对侧壁绝缘膜周围的基材61的表面注入不纯物离子，从 而形成源极区域61a和漏极区域61b。之后，为了使不纯物活性化，优选进行退火处理 (annealing)。接下来，在源极区域61a和漏极区域6化的表面上沉积高烙点金属的薄层，并 且进行退火W形成高烙点金属娃化物区域62。然后，通过例如CVD法依次形成应力内衬膜 64、绝缘膜65和阻止膜66, W覆盖侧壁绝缘膜、假栅极和高烙点金属娃化物区域62。
[0083] 然后，通过沿厚度方向去除假栅极（未图示）、应力内衬膜64、绝缘膜65和阻止膜 66,在栅极绝缘膜70上形成凹部63。能够通过任意方法形成凹部63。例如，能够如下地形成 凹部63:通过使用光致抗蚀剂技术形成图案;通过根据图案进行蚀刻来去除假栅极、应力内 衬膜64、绝缘膜65和阻止膜66;然后去除图案。图IlA是形成了凹部63的半导体装置60的截 面图。
[0084] 接下来，依次形成覆盖阻止膜66的表面和凹部63的内壁面的底层膜71和阻挡膜 72。当沉积底层膜71和阻挡膜72时，具有底层膜71和阻挡膜72朝向凹部63的内侧突出的形 状的突出部形成于凹部63的上端部。鉴于此，在本实施方式中的半导体装置60的制造方法 中，将第一实施方式中的基板加工方法、即图4的流程图所示的基板加工方法适用于如下的 第一时刻和第二时刻中的至少一者:第一时刻在形成底层膜71之后、形成阻挡膜72之前，第 二时刻在形成阻挡膜72之后、填充栅电极73之前。结果，能够减少形成于凹部63内侧的突出 部的突出量并且在随后的步骤中充分埋入栅电极73。另外，由于能够在第一实施方式中的 基板加工方法中抑制对形成于凹部63的底部、侧壁部和上端部的底层膜71和阻挡膜72的去 除，所W能够维持底层膜71和阻挡膜72的阻挡性。
[0085] 在第一时刻进行第一实施方式中的基板加工方法是优选的，原因是对底层膜71的 突出部的去除能够减少在该去除之后进行的阻挡膜72的形成时的突出部的突出量。另外， 在第一时刻和第二时刻均进行第一实施方式中的基板加工方法是更优选的，原因是能够进 一步减少突出部的突出量。图IlB是去除了底层膜71和阻挡膜72的突出部的半导体装置60 的截面图。
[0086] 运之后，虽然未图示，但是通过瓣射用栅电极73填充凹部63,并且通过研磨去除凹 部63外的阻止膜66的表面上沉积的底层膜71、阻挡膜72和栅电极73。前述图10的截面图示 出了该状态下的半导体装置60。除了上述步骤之外，可W在形成半导体装置60中包括的膜 和凹部的任何步骤之间执行形成追加膜的形成步骤或者通过蚀刻、研磨等去除特定膜的一 部分或全部的步骤。
[0087] (第四实施方式）
[0088] 图12是本实施方式中的基板加工装置1000的示意性构造图。相同的构件和具有与 第一实施方式中说明的基板加工装置900的构件的功能相同的功能的构件由相同的附图标 记表示并将省略其说明。基板加工装置1000与第一实施方式中的基板加工装置900的不同 之处在于基板加工装置1000包括快口（shutter)918。快口918包括驱动机构918a和快口部 918b。驱动机构918a被构造成能够在如下两个位置之间驱动快口部918b:快口部918b将基 板100与来自于离子产生室902的离子束遮蔽开的位置（W下，也称为第一位置），和快口部 918b不将基板100与来自于离子产生室902的离子束遮蔽开的位置（W下，也称为第二位 置）。例如，马达、致动器等能够被用作驱动机构918a。
[0089] 使用图13示出的流程说明使用快口 918的本实施方式中的基板加工方法。在本实 施方式中的基板加工方法中的步骤Sll至步骤S13与第一实施方式中的基板加工方法中的 步骤Sl至步骤S3相同。注意，步骤S13中的第一照射步骤是在快口部918b设在第二位置时进 行的。
[0090] 在本实施方式中，在步骤S13中的第一照射步骤完成之后，驱动机构918a进行驱动 W将快口部918b设到第一位置，由此快口 918将基板100与离子束遮蔽开(步骤S14)。然后， 在此状态下，使基板保持件910倾斜，W将来自于离子产生室902的离子束对基板100的入射 角度设为第二角度目2(步骤S15)。运之后，再次使驱动机构918a进行驱动W将快口部918b设 到第二位置，快口918停止将基板100与离子束遮蔽开(步骤S16)。在快口部918b移动时，用 来自于离子产生室902的离子束W被设为第二角度02的入射角度照射基板100(步骤S17)。
[0091] 在步骤S17之后，再次使驱动机构918a进行驱动W将快口部918b设到第一位置(步 骤S18)。然后，使基板保持件910倾斜，W将来自于离子产生室902的离子束对基板100的入 射角度设为第S角度目3(步骤S19)。运之后，再次使驱动机构918a进行驱动W将快口部918b 设到第二位置，并且快口 918停止将基板100与离子束遮蔽开(步骤S20)。在快口部918b移动 时，用来自于离子产生室902的离子束W被设为第=角度03的入射角度照射基板100(步骤 S21)〇
[0092] 执行运些步骤使得快口 918在离子束的入射角度从第一角度01转变到第二角度02 的过程中W及从第二角度02转变到第=角度03的过程中将基板从离子束遮蔽开。结果，能 够在维持从离子产生室902引出的离子束的状态下利用离子束仅W第一角度01、第二角度0 2和第=角度03照射基板100。因此，能够进行更精密的基板加工。另外，由于在基板加工期 间维持了离子束的照射、即离子束朝向基板100连续照射，所W与在基板的加工途中暂时停 止离子束的照射然后重新开始照射的情况相比，能够抑制在离子束照射停止和离子束照射 开始时刻的蚀刻速度的变化和抑制具有低指向性的离子束照射。
[0093] 注意，在本实施方式中，通过将快口部918b设在离子产生室902与基板100之间使 基板100与离子束遮蔽开。可选地，可W通过在离子产生室902与基板100之间产生电场并且 改变离子束的行进方向来防止基板100被离子束照射。在本实施方式中，通过使用任意方法 防止基板100被如上所述的离子束照射称为对离子束的遮蔽。
[0094] 本发明不限于上述实施方式，在不背离本发明的主旨的范围内能够适宜地进行各 种变化。
【主权项】
1. 一种基板加工方法，所述基板加工方法对在表面形成有凹部的基板进行加工，在所 述基板中，所述凹部的开口部形成有沉积膜，所述基板加工方法包括： 第一照射步骤，其中，利用粒子束沿与垂直于所述基板的面内方向的方向形成第一角 度的方向照射形成于所述开口部的所述沉积膜，以去除所述沉积膜的厚度方向上的一部 分;和 第二照射步骤，其中，在所述第一照射步骤之后，利用所述粒子束沿比所述第一角度更 加接近垂直于所述基板的面内方向、并且与垂直于所述基板的面内方向的方向形成第二角 度的方向照射形成于所述开口部的所述沉积膜，以去除残留的所述沉积膜的厚度方向上的 一部分。2. 根据权利要求1所述的基板加工方法，其特征在于，所述沉积膜包括从所述凹部的侧 壁部朝向所述凹部的内侧方向突出的突出部。3. 根据权利要求2所述的基板加工方法，其特征在于，所述第一照射步骤减少所述突出 部的在垂直于所述基板的面内方向的方向上的厚度，所述第二照射步骤减少所述突出部的 在平行于所述基板的方向上的厚度。4. 根据权利要求1所述的基板加工方法，其特征在于，除了所述开口部以外，所述沉积 膜还形成于所述凹部的底部和侧壁部。5. 根据权利要求1所述的基板加工方法，其特征在于，所述第一角度在大于40度且小于 90度的范围内。6. 根据权利要求5所述的基板加工方法，其特征在于，所述第一角度在大于或等于60度 且小于或等于80度的范围内。7. 根据权利要求1所述的基板加工方法，其特征在于，所述第二角度在大于或等于0度 且小于45度的范围内。8. 根据权利要求7所述的基板加工方法，其特征在于，所述第二角度在大于或等于0度 且小于或等于20度的范围内。9. 根据权利要求1所述的基板加工方法，其特征在于，所述沉积膜包含金属元素。10. 根据权利要求9所述的基板加工方法，其特征在于，所述沉积膜起到扩散防止膜的 作用。11. 根据权利要求9所述的基板加工方法，其特征在于，所述沉积膜包含A1和Ti中的至 少一者。12. 根据权利要求1所述的基板加工方法，其特征在于，所述基板包括由绝缘体制成的 构件，所述凹部形成于所述构件中。13. 根据权利要求1所述的基板加工方法，其特征在于，所述粒子束包括中性粒子。14. 根据权利要求1所述的基板加工方法，其特征在于， 在所述第一照射步骤之后直到所述第二照射步骤开始，连续地朝向所述基板发射所述 粒子束;并且 所述基板加工方法还包括： 在所述第一照射步骤之后、在所述基板相对于所述粒子束的角度从所述第一角度改变 之前，将所述基板与所述粒子束遮蔽开的步骤;和 在所述基板相对于所述粒子束的角度从所述第一角度改变至所述第二角度之后，停止 将所述基板与所述粒子束遮蔽开的步骤。15. 根据权利要求1所述的基板加工方法，其特征在于，所述基板加工方法还包括在所 述第二照射步骤之后的第三照射步骤，在所述第三照射步骤中，利用所述粒子束沿比所述 第二角度接近平行于所述基板的所述面内方向、并且与垂直于所述基板的所述面内方向的 方向形成第三角度的方向对形成于所述开口部的所述沉积膜进行照射，以去除残留的所述 沉积膜的厚度方向上的一部分。16. -种半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括基板，所述基板的表面具有凹 部，在所述基板中，在所述凹部的开口部形成有沉积膜，所述半导体装置的制造方法包括： 第一照射步骤，其中，利用粒子束沿与垂直于所述基板的面内方向的方向形成第一角 度的方向照射形成于所述开口部的所述沉积膜，以去除所述沉积膜的厚度方向上的一部 分;和 第二照射步骤，其中，在所述第一照射步骤之后，利用所述粒子束沿比所述第一角度更 加接近垂直于所述基板的面内方向、并且与垂直于所述基板的面内方向的方向形成第二角 度的方向照射形成于所述开口部的所述沉积膜，以去除残留的所述沉积膜的厚度方向上的 一部分。17. 根据权利要求16所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置的制 造方法还包括如下步骤:在所述第一照射步骤和所述第二照射步骤之后，形成覆盖所述基 板的表面和所述凹部的内壁面的至少一部分的第二沉积膜。
【文档编号】H01L21/28GK105849870SQ201480070783
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2014年8月27日
【发明人】赤坂洋, 池田真義, 木村和弘, 神谷保志, 豊里智彦
【申请人】佳能安内华股份有限公司