阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示装置领域，具体地，涉及一种阵列基板、一种包括该阵列基板的显示面板、一种包括该显示面板的显示装置和所述阵列基板的制造方法。
【背景技术】
[0002]为了使得液晶显示装置具有较宽的视角，通常可以将液晶显示装置设置成双畴液晶显示，即，在进行显示时，一个像素单元内的液晶分子朝向两种不同的方向偏转。
[0003]目前，通常通过改变像素单元中像素电极的电极条方向来实现双畴显示，但是这种工艺较为复杂。
[0004]如何以简单的工艺实现能够进行双畴显示的显示装置成为本领域亟待解决的技术问题。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种阵列基板、一种包括该阵列基板的显示面板、一种包括该显示面板的显示装置和所述阵列基板的制造方法。仅通过简单改变阵列基板中绝缘层的结构即可使得所述显示装置实现多畴显示。
[0006]为了实现上述目的，作为本发明的一个方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板被划分为多个像素单元，所述阵列基板包括第一电极层、覆盖该第一电极层的绝缘层和形成在所述绝缘层上的第二电极层，所述第一电极层包括设置在每个所述像素单元内的第一电极，所述绝缘层包括覆盖在每个所述第一电极表面的绝缘层单元，所述第二电极层包括设置在所述绝缘层单元上方的第二电极，其中，在每个所述像素单元内，所述绝缘层单元包括多个绝缘区，至少一个所述绝缘区的介电常数不同于其他所述绝缘区的介电常数。
[0007]优选地，在每个所述像素单元内，所述绝缘层单元包括第一绝缘区、第二绝缘区和第三绝缘区，所述第一绝缘区和所述第三绝缘区的介电常数相同，所述第二绝缘区的介电常数不同与所述第一绝缘区的介电常数，所述第二绝缘区位于所述第一绝缘区和所述第三绝缘区之间。
[0008]优选地，所述第二绝缘区的面积为所述像素单元面积的一半，所述第一绝缘区和所述第三绝缘区面积相等。
[0009]优选地，在每个所述像素单元内，所述第一绝缘区包括第一底绝缘层和第一顶绝缘层，所述第三绝缘区包括第三底绝缘层和第三顶绝缘层，所述第一底绝缘层、所述第二绝缘区和所述第三底绝缘层形成为一体，所述第一顶绝缘层的介电常数与所述第三顶绝缘层的介电常数相同，所述第一顶绝缘层的顶表面、所述第三顶绝缘层的顶表面以及所述第二绝缘区的顶表面平齐。
[0010]优选地，所述第一底绝缘层、所述第二绝缘区和所述第三底绝缘层由硅的氮化物制成，所述第一顶绝缘层和所述第三顶绝缘层由透明的树脂制成。
[0011]优选地，所述第一绝缘区的材料与所述第三绝缘区的材料相同，且所述第一绝缘区的材料不同于所述第二绝缘区的材料。
[0012]优选地，所述第一绝缘区由硅的氧化物制成，所述第二绝缘区由硅的氮化物制成。
[0013]优选地，在每个所述像素单元中，所述第二电极包括第二左电极和第二右电极，所述第二左电极包括多个互相平行的第二左电极条，所述第二右电极包括多个互相平行的第二右电极条，所述第二左电极条和所述第二右电极条的倾斜方向不同。
[0014]优选地，所述第二左电极和所述第二右电极关于所述像素单元的中线镜像对称，所述中线将所述像素单元沿长度方向划分为两部分，所述第二左电极条与所述中线之间的夹角为7°至11°。
[0015]优选地，所述第一电极为块状电极。
[0016]作为本发明的另一方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板，其中，所述阵列基板为本发明所提供的上述阵列基板。
[0017]作为本发明的再一个方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括显示面板，其中，所述显示面板为本发明所提供的上述显示面板。
[0018]作为本发明的还一个方面，提供一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板被划分为多个像素单元，其中，所述制造方法包括:
[0019]形成第一电极层，所述第一电极层包括设置在每个所述像素单元内的第一电极；
[0020]形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一电极层，且所述绝缘层包括覆盖在每个所述第一电极表面的绝缘层单元，在每个所述像素单元内，所述绝缘层单元包括多个绝缘区，至少一个所述绝缘区的介电常数不同于其他所述绝缘区的介电常数；
[0021 ] 形成第二电极层，所述第二电极层包括设置在所述绝缘层单元上的第二电极。
[0022]优选地，在每个所述像素单元内，所述绝缘层单元包括第一绝缘区、第二绝缘区和第三绝缘区，所述第一绝缘区和所述第三绝缘区的介电常数相同，所述第二绝缘区的介电常数不同与所述第一绝缘区的介电常数，所述第二绝缘区位于所述第一绝缘区和所述第三绝缘区之间。
[0023]优选地，所述第二绝缘区的面积为所述像素单元面积的一半，所述第一绝缘区和所述第三绝缘区面积相等。
[0024]优选地，形成绝缘层的步骤包括:
[0025]形成底绝缘材料层，在每个所述像素单元内，所述底绝缘材料层包括第一底绝缘层、第二绝缘区和第三底绝缘层；
[0026]形成顶绝缘材料层，所述顶绝缘材料层包括设置在每个所述像素单元内的顶绝缘材料单元，所述顶绝缘材料单元包括设置在所述第一底绝缘材料层上的第一顶绝缘材料层和设置在所述第三底绝缘层上的第三顶绝缘材料层，所述第一顶绝缘层的介电常数与所述第三顶绝缘层的介电常数相同，所述第一顶绝缘层的顶表面、所述第三顶绝缘层的顶表面以及所述第二绝缘区的顶表面平齐。
[0027]优选地，所述底绝缘材料层由硅的氮化物制成，所述顶绝缘材料层由透明的树脂制成。
[0028]优选地，形成绝缘层的步骤包括:
[0029]形成第一绝缘材料层；
[0030]在第一绝缘层上对应于第一绝缘区位置的第一通孔，并在所述第一绝缘层上对应于所述第三绝缘区的位置形成第三通孔，从而利用所述第一绝缘层形成第二绝缘区；
[0031]在所述第一通孔中形成所述第一绝缘区，并在所述第三通孔中形成所述第三绝缘区。
[0032]优选地，所述第一绝缘区由硅的氧化物制成，所述第二绝缘区由硅的氮化物制成。
[0033]优选地，在每个所述像素单元中，所述第二电极包括第二左电极和第二右电极，所述第二左电极包括多个互相平行的第二左电极条，所述第二右电极包括多个互相平行的第二右电极条，所述第二左电极条和所述第二右电极条的倾斜方向不同。
[0034]优选地，所述第二左电极和所述第二右电极关于所述像素单元的中线镜像对称，所述中线将所述像素单元沿长度方向划分为两部分，所述第二左电极条与所述中线之间的夹角为7°至11°。
[0035]优选地，所述第一电极为块状电极。
[0036]由于在每个像素单元中，第一电极和第二电极之间的电场强度与第一电极和第二电极之间的绝缘单元层的介电常数有关，由于