一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置的制作方法

本发明涉及显示技术领域，尤指一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置。

背景技术：

为了满足液晶显示面板的大型化，宽视角的发展需求，高级超维场开关(Advanced Super Dimension Switch，ADS)型液晶显示面板应运而生，它是通过同一平面内狭缝电极边缘产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间，电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率，并增大了透光效率。

然而，ADS型液晶显示面板在受到大力挤压时，因位于阵列基板之上的对向基板发生位移，若位于栅线上方的黑色矩阵不够宽，则容易导致栅线侧面漏光，使得液晶显示面板的画面品质变差。在现有技术中，通常采用屏蔽电极来屏蔽栅线上方的电场，即使由该阵列基板形成的液晶显示面板受到外力的作用而发生位移，也不会影响液晶的偏转，从而消除栅线周围的漏光现象。

另外，为了避免数据线处的漏光，通常将位于数据线上方且覆盖数据线的黑色矩阵制作的较宽，如此一来，虽然利用屏蔽电极减小了栅线上方的黑色矩阵的宽度，但液晶显示面板的整体开口率的实际增加效果较小，液晶利用效率的实际增加效果也较小。

基于此，如何在满足栅线屏蔽的情况下，进一步提高液晶显示面板的开口率和透射率，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现要素：

本发明实施例提供一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置，用以解决如何在满足栅线屏蔽的情况下，进一步提高液晶显示面板的开口率和透射率。

本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：

交叉设置的多条栅线和多条数据线，设置于所述多个栅线和所述多个数据线限定区域内的多个像素电极，以及设置于所述栅线上方的屏蔽电极；其中，

所述屏蔽电极至少覆盖所述栅线靠近所述像素电极的侧边部分；

每至少三个像素电极构成一像素结构，且各所述像素结构中的至少一个像素电极在沿着所述栅线的大致延伸方向的长度大于沿着所述数据线的大致延伸方向的长度；

构成同一所述像素结构的各像素电极分别对应连接不同的数据线；

在每相邻的两个所述像素结构之间的间隙处设置两条所述数据线。

在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述屏蔽电极全部覆盖所述栅线；或，所述屏蔽电极仅覆盖所述栅线靠近所述像素电极的侧边部分。

在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述屏蔽电极与所述像素电极同层设置且相互绝缘。

在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，在各所述像素结构中至少存在一组按照所述数据线的大致延伸方向排列的两个所述像素电极。

在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，按照所述数据线的大致延伸方向排列的两个所述像素电极，在沿着所述栅线的大致延伸方向的长度大于沿着所述数据线的大致延伸方向的长度。

在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，每三个像素电极构成一矩形的像素结构；其中，两个像素电极按照所述数据线的大致延伸方向排列，另一像素电极与按照所述数据线的大致延伸方向排列的所述两个像素电极之间按照所述栅线的大致延伸方向排列。

在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，每四个像素电极构成一矩形的像素结构；其中，两组按照所述数据线的大致延伸方向排列的两个所述像素电极之间按照所述栅线的大致延伸方向排列。

在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述数据线和所述栅线上方的黑色矩阵层；其中，

在所述数据线上方且覆盖所述数据线的所述黑色矩阵层图案的宽度大于所述数据线的线宽。

本发明实施例还提供了一种液晶显示面板，包括：本发明实施例提供的上述的阵列基板，与所述阵列基板相对而置的对向基板，以及设置于所述对向基板面向所述阵列基板一侧或所述阵列基板面向所述对向基板一侧的黑色矩阵层；其中，

在所述数据线上方且覆盖所述数据线的所述黑色矩阵层图案的宽度大于所述数据线的线宽。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述的液晶显示面板。

本发明有益效果如下：

本发明实施例提供的一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置，该阵列基板包括交叉设置的多条栅线和多条数据线，设置于多个栅线和多个数据线限定区域内的多个像素电极，以及设置于栅线上方的屏蔽电极；其中，屏蔽电极至少覆盖栅线靠近像素电极的侧边部分；每至少三个像素电极构成一像素结构，且各像素结构中的至少一个像素电极在沿着栅线的大致延伸方向的长度大于沿着数据线的大致延伸方向的长度；构成同一像素结构的各像素电极分别对应连接不同的数据线；在每相邻的两个像素结构之间的间隙处设置两条数据线。因此，在不减少数据线和栅线数量的情况下，通过对数据线结构的改进，在每相邻的两个像素结构之间的间隙处设置两条数据线，较大程度地缩减了各像素结构内用于覆盖数据线的黑色矩阵的面积，增加了开口率；另外利用栅线屏蔽，减少了覆盖栅线的黑色矩阵的面积，二者的共同作用大大地提高了液晶显示面板的开口率，进而较大地提高了液晶显示面板的画面品质。

附图说明

图1a为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图之一；

图1b为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图之二；

图1c为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图之三；

图1d为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图之四；

图2为本发明实施例提供的一种阵列基板中的向错发生位置的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种阵列基板中用于覆盖数据线的黑色矩阵的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的，技术方案，和优点更加清晰，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

下面结合附图，对本发明实施例提供的一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。

本发明实施例提供了一种阵列基板，如图1a和图1b所示，包括：交叉设置的多条栅线01和多条数据线02，设置于多个栅线01和多个数据线02限定区域内的多个像素电极，以及设置于栅线01上方的屏蔽电极03；其中，

屏蔽电极03至少覆盖栅线01靠近像素电极的侧边部分；

每至少三个像素电极构成一像素结构，且各像素结构中的至少一个像素电极在沿着栅线01的大致延伸方向的长度大于沿着数据线02的大致延伸方向的长度；

构成同一像素结构的各像素电极分别对应连接不同的数据线02；

在每相邻的两个像素结构之间的间隙处设置两条数据线02。

本发明实施例提供的上述阵列基板，在不减少数据线和栅线数量的情况下，通过对数据线结构的改进，在每相邻的两个像素结构之间的间隙处设置两条数据线，较大程度地缩减了各像素结构内用于覆盖数据线的黑色矩阵的面积，增加了开口率；另外利用栅线屏蔽，减少了覆盖栅线的黑色矩阵的面积，二者的共同作用大大地提高了液晶显示面板的开口率，进而较大地提高了液晶显示面板的画面品质。

在具体实施时，为了实现屏蔽电极03对栅线01的屏蔽，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图1a和1b所示，可以包括以下两种情况：

屏蔽电极03仅覆盖栅线01靠近像素电极的侧边部分；

或，屏蔽电极03全部覆盖栅线01。

其中，屏蔽电极03仅覆盖栅线01靠近像素电极的侧边部分，相当于屏蔽电极03在衬底基板上的正投影仅与栅线01在衬底基板上的正投影的边缘重合，且重合部分沿着数据线02延伸方向的长度，可以为3微米-5微米，还可以是其他数值，在此不作限定。

需要说明的是，在由阵列基板和对向基板组成的液晶显示面板结构中，对于ADS型液晶显示面板，公共电极层位于阵列基板一侧；对于TN型和VA型液晶显示面板，公共电极层位于对向基板一侧；因此，在具体实施时，为了便于对屏蔽电极03加载公共电极信号，实现对栅线01的屏蔽作用，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，仅适用于ADS型液晶显示面板，其中，屏蔽电极03可以与像素电极同层设置且相互绝缘，以免与像素电极的电信号产生干扰。

在具体实施时，为了实现像素结构的改进，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，可以通过以下方式实现：

在各像素结构中至少存在一组按照数据线02的大致延伸方向排列的两个像素电极。

其中，为了避免因像素电极与周围的数据线02或栅线01的间距不同而导致的缺陷，因此，各像素电极与四周的间距总是保持一致。

例如，如图1c和图1d所示，在各像素结构04中可以存在一组按照数据线02的大致延伸方向排列的两个像素电极，如像素电极A和像素电极B；还可以在各像素结构05中存在两组按照数据线02的大致延伸方向排列的两个像素电极，如像素电极A’、像素电极B’、像素电极C’、像素电极D，在此不作限定。

因此，以图1c所示的结构为例，以及图2所示的与该结构对应的向错发生位置示意图，可以计算出该结构中液晶的利用效率，计算过程如下：

像素电极A的向错发生比例X_A为：

X_A＝a/2+a/2+c

像素电极B的向错发生比例X_B为：

X_B＝a/2+a/2+c

像素电极C的向错发生比例X_C为：

X_C＝a+a+b

其中，字母a、b和c分别表示该位置处的向错发生比例，且b处的向错比例明显大于c处的向错比例；从以上计算结果可知，每个像素结构中总的向错发生比例为X_A+X_B+X_C，由于c<b，所以X_A＝X_B<X_C。

而在现有技术中，各像素结构均是由三个像素电极C横向排列或纵向排列组成，各像素结构总的向错发生比例为3X_C；因此，通过比较可知，本发明实施例提供的上述阵列基板中的像素结构可有效降低向错的发生比例，提高液晶的利用效率，进而提高显示面板的透射率。

进一步地，本发明实施例提供的上述阵列基板，如图1c所示，按照数据线02的大致延伸方向排列的两个像素电极，在沿着栅线01的大致延伸方向的长度大于沿着数据线02的大致延伸方向的长度。

具体地，数据线02在阵列基板的衬底基板上呈纵向排列，栅线01呈横向排列，在各像素结构04中，均存在一组呈纵向排列的像素电极A和像素电极B，其中，像素电极A和像素电极B的横向长度大于纵向长度。

进一步地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，每三个像素电极构成一矩形的像素结构；其中，两个像素电极按照数据线02的大致延伸方向排列，另一像素电极与按照数据线02的大致延伸方向排列的两个像素电极之间按照栅线01的大致延伸方向排列。

例如，如图1c所示，像素电极A、像素电极B、像素电极C构成了一个矩形的像素结构04，其中，像素电极A和像素电极B沿着数据线02的大致延伸方向呈纵向排布，且横向长度大于纵向长度，像素电极C位于纵向排布的像素电极A和像素电极B的右侧，且像素电极C的纵向长度等于像素电极A和像素电极B的纵向长度之和，即在相邻的两条栅线01之间，构建了由三个呈品字形排布的像素电极组成的矩形的像素结构04，该像素结构04在衬底基板上呈阵列式周期性排布。

进一步地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，每四个像素电极构成一矩形的像素结构；其中，两组按照数据线02的大致延伸方向排列的两个像素电极之间按照栅线01的大致延伸方向排列。

例如，如图1d所示，像素电极A’、像素电极B’、像素电极C’、像素电极D构成了一个矩形的像素结构05，其中，像素电极A’和像素电极B’呈纵向排布，且横向长度大于纵向长度，像素电极C’和像素电极D同为纵向排布且横向长度大于纵向长度，即在相邻的两条栅线01之间，构建了由四个呈田字形排布的像素电极组成的矩形的像素结构05，该像素结构05在衬底基板上呈阵列式周期性排布。

在具体实施时，为了防止数据线02和栅线01周围漏光，本发明实施例提供的上述阵列基板，如图1c和图1d所示，还可以包括：位于数据线02和栅线01上方的黑色矩阵层06；其中，

在数据线02上方且覆盖数据线02的黑色矩阵层06图案的宽度大于数据线02的线宽。

具体地，因栅线01上方设置有屏蔽电极03，可以将栅线01上方的黑色矩阵06设置为与栅线01同宽；而对于各像素结构内的数据线02上方的黑色矩阵06的宽度，可以通过以下方法计算：

以图1c所示的结构为例，以及图3所示的黑色矩阵06覆盖数据线02的结构示意图，可知一个像素结构04内包含的三条数据线02对应的黑色矩阵06的宽度M是由2个EE’的一半和1个FF’组成，即：

M＝c/2+a+b+b+a+b+b+a+c/2＝3a+4b+c

其中，a表示数据线02的线宽，b表示裕度，c表示两条数据线02之间的间隙，通常可以设置为6.5微米。

而在现有技术中，覆盖数据线的黑色矩阵的宽度N是由三个FF’组成，即：

N＝a/2+b+b+a+b+b+a+b+b+a/2＝3a+6b

其中，a表示数据线的线宽，b表示裕度。

由于c/2<<b，使得本发明实施例提供的上述阵列基板中的各像素结构内黑色矩阵的宽度明显小于现有技术中各像素结构内黑色矩阵的宽度，提高了开口率。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种液晶显示面板，包括：本发明实施例提供的上述阵列基板，与阵列基板相对而置的对向基板，以及设置于对向基板面向阵列基板一侧或阵列基板面向对向基板一侧的黑色矩阵层；其中，

在数据线上方且覆盖数据线的黑色矩阵层图案的宽度大于数据线的线宽。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述的液晶显示面板，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述液晶显示面板的实施例，重复之处不再赘述。

本发明实施例提供的一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置，该阵列基板包括交叉设置的多条栅线和多条数据线，设置于多个栅线和多个数据线限定区域内的多个像素电极，以及设置于栅线上方的屏蔽电极；其中，屏蔽电极至少覆盖栅线靠近像素电极的侧边部分；每至少三个像素电极构成一像素结构，且各像素结构中的至少一个像素电极在沿着栅线的大致延伸方向的长度大于沿着数据线的大致延伸方向的长度；构成同一像素结构的各像素电极分别对应连接不同的数据线；在每相邻的两个像素结构之间的间隙处设置两条数据线。因此，在不减少数据线和栅线数量的情况下，通过对数据线结构的改进，在每相邻的两个像素结构之间的间隙处设置两条数据线，较大程度地缩减了各像素结构内用于覆盖数据线的黑色矩阵的面积，增加了开口率；另外利用栅线屏蔽，减少了覆盖栅线的黑色矩阵的面积，二者的共同作用大大地提高了液晶显示面板的开口率，进而较大地提高了液晶显示面板的画面品质。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。