1.一种光刻胶去除装置,其特征在于,包含:
光刻胶去除腔室;
喷头,设置在光刻胶去除腔室内的顶部,向光刻胶去除腔室内引入清洁气体;
垫板,沿着光刻胶去除腔室的侧壁内侧覆盖设置;
电极线圈,嵌入设置在垫板内部;
其中,所述的电极线圈上施加有高压射频电源,在垫板表面形成DBD等离子体,对光刻胶去除腔室内部,尤其对垫板表面进行等离子体清洗;且所述的高压射频电源的输出电压的幅值为1kV~10kV,频率为1kHz~1MHz。
2.如权利要求1所述的光刻胶去除装置,其特征在于,所述的清洁气体采用氧气。
3.如权利要求1所述的光刻胶去除装置,其特征在于,所述的电极线圈采用金属材料制成,沿垫板的圆周方向设置,呈环状。
4.如权利要求3所述的光刻胶去除装置,其特征在于,所述的光刻胶去除腔室的侧壁以及对应位置的垫板上设置有晶圆传片口,用于晶圆的移入移出。
5.如权利要求4所述的光刻胶去除装置,其特征在于,所述的垫板内嵌入设置两个通过电路连接的电极线圈,分别位于晶圆传片口的上方和下方,其中一个电极线圈连接高压射频电源,另一个电极线圈接地,形成放电回路。
6.如权利要求4所述的光刻胶去除装置,其特征在于,所述的垫板内嵌入设置两组通过电路连接的电极组件,分别位于晶圆传片口的上方和下方,其中一组电极组件连接高压射频电源,另一组电极组件接地,形成放电回路。
7.如权利要求6所述的光刻胶去除装置,其特征在于,每组电极组件均包含多个并联连接的电极线圈,均匀分布的嵌入设置在垫板内。
8.如权利要求1所述的光刻胶去除装置,其特征在于,所述的喷头与光刻胶去除腔室上方的远程等离子源相连通。
9.如权利要求8所述的光刻胶去除装置,其特征在于,所述的喷头与待处理晶圆之间还设置一过滤装置,以过滤清洁气体中的离子。
10.一种光刻胶去除装置的清洗方法,其特征在于,采用如权利要求1~8中任一项所述的光刻胶去除装置实现,在晶圆结束光刻胶去除工艺并移出光刻胶去除腔室后进行,清洗整个光刻胶去除腔室内部,包含:
接通高压射频电源,施加高压射频电源至垫板内的电极线圈,对光刻胶去除腔室内顶部喷头引入的清洁气体进行激发,在垫板表面形成DBD等离子体,以对光刻胶去除腔室的内部,尤其对垫板表面进行等离子体清洗。