技术总结
本发明涉及一种光刻胶去除装置,包含:光刻胶去除腔室;所述光刻胶去除腔室内的顶部设有喷头,向光刻胶去除腔室内引入清洁气体;沿着所述光刻胶去除腔室的侧壁内侧覆盖设置垫板;所述垫板内嵌入设置电极线圈;该电极线圈上施加有高压射频电源,在垫板表面形成DBD等离子体,以对光刻胶去除腔室内部,尤其对垫板表面进行等离子体清洗。本发明采用DBD等离子体进行腔内清洗,能完全清除其上沉积附着的光刻胶残余反应物,损伤极小,且有效提高光刻胶去除装置的稳定性。
技术研发人员:梁洁;叶如彬;吴磊;李双亮
受保护的技术使用者:中微半导体设备(上海)有限公司
技术研发日:2016.12.15
技术公布日:2018.06.29