技术总结
本实用新型涉及一种用于激光直写曝光机的多波长紫外半导体激光器，与现有技术相比解决了尚无多波长半导体激光器的缺陷。本实用新型包括壳体，所述的壳体内安装有上排405nm半导体发光阵列和下排375nm半导体发光阵列，壳体的侧部设有一号光纤输出端口和二号光纤输出端口，上排405nm半导体发光阵列和下排375nm半导体发光阵列分别位于一号光纤输出端口的两侧。本实用新型将不同波段半导体发光二极管发出的光通过非球面耦合透镜收进光纤，再对不同波段的光纤进行一定比例的搭配捆绑，达到同一输出光纤束具有不同波长的目的，同时满足激光器的高功率。
技术研发人员：张宽
受保护的技术使用者：合肥芯碁微电子装备有限公司
文档号码：201620782222
技术研发日：2016.07.22
技术公布日：2017.01.25